半导体元器件基础知识(精)
半导体器件基础课件(PPT-73页)精选全文完整版
有限，因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散 运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。
电子 技 术
二、PN 结的单向导电性
电子 技 术
1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成：实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号：P
N
阳极
阴极
分类：
按材料分 按结构分
硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 平面型
电子 技 术
正极 引线
N 型锗片 负极 引线
外壳
触丝
点接触型
正极 负极 引线 引线
电子 技 术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
电子 技 术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
电子 技 术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
电子 技 术
半导体元器件基础知识
PN结
在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型 半导体，它们的交界面附近会形成一个很薄的空间
电荷区，称其为PN结。
PN结的形成过程如图所示。
P区
N区
耗尽层空 P 间电荷区 N
扩散运动方向
自建场
(a)
(b)
（a）多子扩散示意图；（b）PN结的形成
PN结的单向导电性
PN结正向偏置——导通 给PN结加上电压，使电压的正极接P区，负极接N区
（1）共发射极接法（简称共射接法）。共射接法是以基极为输 入端的一端，集电极为输出端的一端，发射极为公共端，如下图（a） 所示。
（2）共基极接法（简称共基接法）。共基接法是以发射极为输 入端的一端，集电极为输出端的一端，基极为公共端，如下图（b） 所示。 （3）共集电极接法（简称共集接法）。共集接法是以基极为输入端 的一端，发射极为输出端的一端，集电极为公共端，如下图（c）所 示。
＋4
＋4
＋4
由于热激发而产 生的自由电子
＋4
＋4
＋4
自由电子移走
后留下的空穴
＋4
＋4
＋4
P型半导体的共价键结构
在P型半导体中，原来的晶体仍会产生电 子—空穴对，由于杂质的掺入，使得空穴数目 远大于自由电子数目，成为多数载流子(简称 多子)，而自由电子则为少数载流子(简称少 子)。因而P型半导体以空穴导电为主。
阳极 引线
N型锗片
阴极 引线
金属触丝 (a)
外壳
铝合金小球
阳极引线PN结N型硅 Nhomakorabea金锑合金
底座
(b) 阴极引线
半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型结构;（b）面接触型结构;
阳极 阴极 引线 引线
半导体电子元器件基本知识
半导体电子元器件基本知识四、光隔离器件光耦合器又称光电耦合器，是由发光源和受光器两部分组成。
发光源常用砷化镓红外发光二极管，发光源引出的管脚为输入端。
常用的受光器有光敏三极管、光敏晶闸管和光敏集成电路等。
受光器引出的管脚为输出端。
光耦合器利用电---光----电两次转换的原理，通过光进行输入与输出之间的耦合。
光耦合器输入与输出之间具有很高的绝缘电阻，可以达到10的10次方欧姆，输入与输出间能承受2000V以上的耐压，信号单向传输而无反馈影响。
具有抗干扰能力强、响应速度快、工作可靠等优点，因而用途广泛。
如在：高压开关、信号隔离转换、电平匹配等电路中。
光隔离常用如图：五、电容有电解电容、瓷片电容、涤纶电容、纸介电容等。
利用电容的两端的电压不能突变的特性可以达到滤波和平滑电压的目的以及电路之间信号的耦合。
电解电容是有极性的（有+、-之分）使用时注意极性和耐压。
电路原理图一般用C1、C2、C？等表示。
半导体二极管、三极管、场效应管是电路中最常用的半导体器件，PN结是构成各种半导体器件的重要基础。
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏、光敏、掺杂特性；根据掺入的杂质不同，可分为：N型半导体、P型半导体。
PN结是采用特定的制造工艺，使一块半导体的两边分别形成P型半导体和N型半导体，它们交界面就形成PN结。
PN结具有单向导电性，即在P端加正电压，N端接负时PN结电阻很低，PN结处于导通状态，加反向电压时，PN结呈高阻状态，为截止,漏电流很小。
一、二极管将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为半导体二极管。
P结引出的电极称为阳极（正极），N结引出的电极称为阴极（负极），原理图中一般常用D1、D2、D？等表示。
二极管正向导通特性（死区电压）：硅管的死区电压大于0。
5V，诸管大于0。
1V。
用数字式万用表的二极管档可直接测量出正极和负极。
利用二极管的单向导电性可以组成整流电路。
将交流电压变为单向脉动电压。
电气基础(半导体元器件)3
半导体器件
晶体管的种类很多,按照频率分，有高频管、低频管；按照功 率分，有小、中、大功率管；按用途不同分为放大管和开关管；按 照半导体材料分，有硅管、锗管等等。晶体管的符号如图所示：
硅管热稳定性好，多数为NPN型；锗管受温度 影响大，多数为PNP管。
半导体器件
• 2、三极管的电流放大作 IC 用
PN结的“正偏导通，反偏阻断”称为其单向 导电性质，这正是PN结构成半导体器件的基础。
半导体器件
• 3.2半导体二极管
1. 二极管的结构和类型
一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了 半导体二极管，简称二极管，接在P型半导体一侧的引出线称为阳 极；接在N型半导体一侧的引出线称为阴极。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管 PN 结面积很小，因而结电容小，适用于高频 几百兆赫兹下工作，但不能通过很大的电流。主要应用于小电流的 整流和高频时的检波、混频及脉冲数字电路中的开关元件等。 面接触型二极管PN结面积大，因而能通过较大的电流，但其结 电容也小，只适用于较低频率下的整流电路中。
（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置
iB>0，uBE>0，uCE≤uBE
iC iB
半导体器件
• 4、三极管的主要参数
1、电流放大倍数β ：iC= β iB 2、极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+ β ）iCBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM：下降到额定值的2/3时所允 许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间 的最大允许电压：基极开路时、集电极与发射极之间的最大允许 电压。为保证晶体管安全工作，一般应取：
华大半导体181页PPT基础知识培训——常用半导体器件讲解
另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体 之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些 硫化物、氧化物等。
((112--22
半导体的导电机理不同于其它物质，所 以它具有不同于其它物质的特点。比如： 热敏性、光敏性、掺杂性。
当受外界热和光的作用时，它的导 电能力明显变化。
((118--88
硅和锗的共价键结构
+4表示除 去价电子 后的原子
+4
+4
+4
+4
共价键共 用电子对
((119--99
形成共价键后，每个原子的最外层电 子是八个，构成稳定结构。
+4
+4
+4
+4
共价键有很强的结合力， 使原子规则排列，形成晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键 中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱 离共价键成为自由电子，因此本征半导体中 的自由电子很少，所以本征半导体的导电能 力很弱。
(1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM
(3) 反向电流IR
(4) 最高工作频率 fM
((114--74477
补充参数:
(电信专业)
（5）最大整流电流 IOM
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正
向平均电流。
——注意与IF的关系
(6) 正向压降VF
(7) 极间电容CB、 CD
半导体和N型半导体，经过载流子的扩散， 在它们的交界面处就形成了PN结。
((112--12211
PN结处载流子的运动
漂移运动
P型半导 体
－－－－ － － －－－－ － －
1.1半导体器件的基础知识
第1章半导体器件半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，是构成各种电子电路的核心，常用的半导体元器件有二极管、晶体管、场效应管等。
半导体元器件由半导体材料制成，因此，学习电子技术应首先了解半导体材料的特性，这将有助于对半导体元器件的学习、掌握和应用。
1.1 半导体器件的基础知识1.1.1 半导体材料导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，这类材料大都是三、四、五价元素,主要有：硅、锗、磷、硼、砷、铟等，他们的电阻率在10-3～107欧.厘米。
半导体材料的广泛应用，并不是因为它们的导电能力介于导体与绝缘体之间，而是它们具有一些重要特性：1）当半导体受到外界光和热的激发（本征激发）时，其导电能力发生显著的变化；2）若在半导体中加入微量的杂质（不同的半导体）后，其导电能力显著的增加；半导体的这些特点取决于这类物质的化学特性。
绝对纯净的硅、锗、磷、砷、硼、铟叫做本征半导体。
1.1.2 本征半导体1)半导体的化合价物质的化学和物理性质都与物质的价电子数有密切的关系，半导体材料大都是三、四、五价元素。
硅、锗（四价）、磷、砷（五价）、硼、铟（三价）。
2)化学键物质化学键分离子键、共价键和金属键三种，半导体物质的化学键都属于共价键的晶体结构，同时它们的键长一般很长，故原子核对价电子的束缚力不象绝缘物质那样紧，当价电子获得一定的能量后，就容易挣脱原子核的束缚成为自由电子。
+4+4+4+4+4+4+4+4+4+41.化学特性①共有价电子挣脱原子核的束缚成为自由电子；可见半导体中的载流子有两种，即自由电子（●）和空穴(○)。
本征半导体的载流子是由本征激发而产生的，其自由电子与空穴是成对出现，即有一个自由电子，就一定有一个空穴，故称电子空穴对。
由于空穴带正电，容易吸引邻近的价电子来填补，从而形成了共有价电子的运动，这种运动无论从效果上，还是从现象上，都好象一个带正电的空穴在移动，它不同于自由电子的运动，故称之为空穴运动。
第一章常用半导体器件 (2)
Cb
• d
S
式中ε是介质常数，S是PN结的面积，d是PN结的宽度。
❖ 扩散电容Cd
Cd是PN结正向电压变化时， 多数载流子在扩散过程中积累 引起的。反向偏置时，以扩散 电容Cd为主。
PN结正偏时，多数载流子扩 散到对方成为对方区域中的“少 子” (称为“非平衡少子”）这 些少子在正偏电压变化时，也有 堆积与泄放的过程。
＋4
＋4
＋4
电流是电子电流和空穴电流之和，
(而导体只有自由电子导电)。
图 1.1.2 电子-空穴对的产生和空穴的移动
在本征半导体中不断地进行着激发与复合 两种相反的过程， 当温度一定时， 两种状态 达到动态平衡，即本征激发产生的电子-空穴对， 与复合的电子-空穴对数目相等，这种状态称为 动态平衡状态（热平衡）。 半导体中自由 电子和空穴的多少分别用浓度（单位体积中载 流子的数目）ni和pi来表示。处于热平衡状态 下的本征半导体，其载流子的浓度是一定的， 并且自由电子的浓度和空穴的浓度相等。
第一章 常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管
有关半导体的基本概念
• 本征半导体、杂质半导体 • 施主杂质、受主杂质 • N型半导体、P型半导体 • 自由电子、空穴 • 多数载流子、少数载流子
§ 1.1 半导体基础知识
自然界的物质按其导电能力可分为导体、半导 体和绝缘体三类。常用的半导体材料有硅（Si）和 锗（Ge）。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。
1.2.4. 二极管的等效电路
(a)理想二极管
(b)正向导通时端电压为常量 (c)正向导通时端电压与电流成线性关系
图１．２．４由伏安特性折线化得到的等效电路
SMT元器件基础知识
元器件知识-电阻-阻值辨认-数字表示法
由于电阻阻值的表示法有两种（数字表示法及 色环表示法），因而电阻阻值的读数也有两种。
数字表示法：常用于CHIP元件中，辨认时前 2/3位为有效数字，末位表示倍率。 例如：
元器件知识-电阻-阻值辨认-色环表示法
颜色&数值对应值：
黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 无色 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1 -2
3环， 代表倍 率
4环， 代表误
❖
紧靠电阻体一端头的色环为第一环，露着电阻体
差
本色较多的另一头为末环。
元器件知识-电阻-数字与色环相互运算
A 7.6 KΩ±5﹪用色环表示为﹕紫蓝红金
B 7.61 KΩ±1﹪用色环表示为﹕紫蓝棕棕棕
C 820 KΩ用四环及五环表示 四环为﹕灰红黃金 五环为﹕灰红黑橙棕 (其中四环误差为金﹐五环误差为棕)
C 按其容值可调性分有可调电容和定值电容。 D 按其装配形式分有贴片电容和插装电容。
元器件知识-电容-电路符号/单位换算
电路符号及字母表示法：
电容单位及换算：
元器件知识-电容-电解电容（EC）参数
电解电容有三个基本参数﹕容量、耐压系数、温 度系数﹐其中10UF为电容容量﹐50V为耐压系数 ﹐105℃为温度系数。电解电容的特点是容量大、 漏电大、耐压低。按其制作材料又分为铝电解电 容及钽质电解电容。
元器件知识-二极管-类型
元器件知识-二极管-参数/特性/符号
主要参数：用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标， 称为二极管的参数，不同类型的二极管有不同的特性参数，主要 参数为：1、额定正向工作电流；2、最高反向工作电压；3、反 向电流。二极管代码：D
第1章半导体元件及其特性
退出
注意： 注意： 半导体与导体不同， 半导体与导体不同，内部有两种载 流子参与导电——自由电子与空穴。在 流子参与导电 自由电子与空穴。 自由电子与空穴 外加电场的作用下， 外加电场的作用下，有： I=In（电子电流）+Ip（空穴电流） 电子电流） 空穴电流） 空穴导电的实质是价电子的定向移动！ 空穴导电的实质是价电子的定向移动！
这四个价电子不仅受自身原子核的束缚， 这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻 原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 价电子（热激发） 价电子（热激发） 自由电子-空穴对 自由电子 空穴对 复合 平衡
（1）温度越高，自由电子 空穴 ）温度越高，自由电子-空穴 对数目越多； 对数目越多； 空穴数目相等， （2）自由电子 空穴数目相等， ）自由电子-空穴数目相等 对外不显电性。 对外不显电性。 硅（锗）原子在晶体中的共价键排列
退出
1.1.1 半导体的特点
1.半导体的特点 半导体的特点 半导体是制造电子器件的主要原料， 半导体是制造电子器件的主要原料，它的广泛应用不是 因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间， 因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是它的电阻率 可以随温度、光照、杂质等因素的不同而呈现显著的区别。 可以随温度、光照、杂质等因素的不同而呈现显著的区别。
第 1 章
半导体元件及其特性
半导体基础知识与PN结 半导体基础知识与 结 二极管 晶体管 场效应管 本章小结
退出
1.1
半导体基础知识 PN结 与PN结
主要要求： 主要要求：
了解半导体材料的基本知识 了解半导体材料的基本知识 半导体 理解关于半导体的基本概念 理解关于半导体的基本概念 半导体 理解PN结的形成 理解PN结的形成 PN 掌握PN结的单向导电作用 掌握PN结的单向导电作用 PN
半导体知识基础培训
项目1模块一：常用半导体元
［安全提示］接触电子线路板时请注意ESD ESD的意思是“静电释放”的意思，它是英文：Electro-Static discharge 的缩写,静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其他物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电足以损害电子元器件。一个典型的静电值可表现为：如果能感觉到，至少3000V；如果能听到，至少5000V；如果能看到，至少10000V。 为阻止静电对电子元件的损害可按如下操作：1、电子元件放在保护性包装袋内 2、触摸电子元件时请带好能释放静电的静电环 3、不要用手直接接触元件端子
一块P型或N型半导体，虽具有较强的导电能力，但将它接入电路中只起电阻作用，不能成为半导体元件。如果将P型与N型半导体采取一定方法合成一体，在它们的交界面处产生一个特殊结构，即PN结，如图5-8所示。在外电场的作用下，交界处的电子从一个原子移动到另一个原子，N型材料中自由电子移动填充了P型半导体的空穴。由于空穴被电子所填充，没有被填充的空穴以与电子流动相反的方向移动。空穴移动的方向与电子移动的方向相反，这样形成了半导体定向导电，即单向导电性，空穴移动的概念被称为电流流动的空穴理论。PN结是制造半导体元器件的基本结构，其特性十分重要。
半导体基本知识教案
其中，大家听说过的晶体二极管、三极管，它们的制作材料就是这种半导体。目前，制造半导体器件用的最多的是硅和锗两种材料。
今天，我们主要学习半导体的相关知识。
拓展
由于从化学的角度上看，硅和锗是原子规则排列的单晶体，因此用半导体材料制成的半导体管通常也称为晶体管。
一起参与讨论
2 min
过渡
既然半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，那么我们来看一下，半导体的特性。
而对于不同物质，其导电性是不相同的。
提问：你认为哪一类物质的导电性最好？哪一类物质的导电性最差？
学生思考
5 min
教师听取学生的回答，并做出解答。
绝缘体：最外层电子不易摆脱原子核的束缚，很难挣脱成为自由电子，因此导电性极差；
导体：一般为金属，最外层电子受到的束缚很小，极易挣脱成为自由电子，因此导电性较好；
讲解
纯净的半导体称为本征半导体，在本征半导体中，有选择地掺入少量其它元素，会使其导电性能发生显著的变化。这也就是刚才讲过的半导体的“掺杂特性”。
其中，这些加入的少量元素统称为杂质。掺பைடு நூலகம்杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质不同，有N型半导体和P型半导体两种。
听讲
过渡
如果将P型半导体和N型半导体结合在一起，会有什么特殊的性质呢？接下来我们就来学习第二部分内容——PN结及其性质。
本章将介绍与半导体器件有关的基础知识及半导体二极管的结构、工作原理和特性等知识。
学生可以回答自己所认识的关于半导体材料的相关内容。
2 min
板书
第一章半导体二极管
做课堂笔记
3 min
过渡
首先来学习一下半导体的基本知识。
板书
§1—1半导体的基本知识
半导体基础知识及PN节
大性能。
我们知道，世界上的任何物质都是由原了构成的。
原子中间都有一个原子核和者围绕原子核不停地旋转酌电子。
不同元素的原子所包含的电子数目是不同的。
蔗原子的原子核周围有32个电子，围绕着原子核运动。
原子核带有正电荷．电子带有负电荷；正电荷的数量刚好和全部电子的负电荷数量相等，所以在平时锗原子是中性的。
电子围绕原子核运动，和地球围绕太阳远行相似。
在核的引力作用下，电子分成几层按完全确定的轨道运行，而且各层所能容纳的电子数日也有一定规律。
如图所示：在锗原子核周围的32个电子组成四层环，围绕原子核运动。
从里往外数，第一层环上有2个电子，其余依次为8、18、4个电子。
凡是环上的电子数为2、 8、18时．这些环上的电子总是比较稳定的。
若环上的电子数不等于以上各数时，这些环上的电子总是不太稳定。
因此，锗原子结构中，第一、二、三层的电于是稳定的，只有第四层(即最外一“层)的4个电于是不稳定的。
因最外一层的电子没有填满到规定的数目。
我们把最外一层的电子叫做价电子。
一般来说，最外层有几个价电子，其原子价就为几。
锗的最外层有4个价电子，所以锗的原子价为4。
受外界作用，环上的电子可以克服原子核的吸引力而脱离原子，自由活动成为自由电子。
这些自由电子在电场力的作用下，产生空间运动，就形成了电流。
可以想像，由于最外层的价电子离核比较远，所受引力最小，所以最容易受外界影响而形成自由电子。
因此，从导电性能看，价电子是很重要的。
我们所说的锗元素就是依靠它最外层的4个价电子进行导电的。
锗晶体内的原子很整齐的排列着。
各个原子间有相互排斥的力量，而每个原子除了吸引自己的价电子外，还吸引相邻原子的价电子。
因此，两个相邻原子的价电子便成对地存在。
这一对电子同时受这两个原子核的吸引，为它们所“共有”。
这两个相邻原子也通过这个电子对被联系在一起。
这样，电子对就好像起了键(联结)的作用，我们叫它共价键。
每一个锗原子以其4个价电子与其他4个锗原子的价电子组成4个共价键而达到稳定状态。
【精品】电子元器件基础知识——半导体器件
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2—二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C-N型硅材料、D—P型硅材料。
表示三极管时：A—PNP 型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P—普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S—隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K—开关管、X-低频小功率管(F<3MHz，Pc<1W)、G—高频小功率管（f〉3MHz,Pc〈1W）、D—低频大功率管（f〈3MHz，Pc〉1W）、A-高频大功率管（f〉3MHz,Pc〉1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B—雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT—半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成.通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志.S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.ATMEL代理A—PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F—P控制极可控硅、G—N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅.第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
半导体知识基础培训
晶体三极管：是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心 元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有 PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
2. 文字符号法： 文字符号法是将电阻器的标称值和允许偏差值用数字和文字符号
法按一定的规律组合标志在电阻体上。例如：6R2J表示该电阻标称 值为6.2Ω，允许偏差为±5%；3K6K表示电阻值为3.6KΩ，允许偏差 为±10%；1M5则表示电阻值为1.5MΩ，允许偏差为±20%。 3.数码标志法：
在产品和电路图上用三为数字来表示元件的标称值的方法称之为
别太短
在练习板上焊接
然后
首先
焊点
注意2
焊锡 丝 加热中要 把斜面靠 在元件脚 上使加热 面积最大
焊点高1.5mm直 径与焊盘一致 脚高出0.5mm
焊点的正确形Leabharlann 1电烙铁头的去氧化处理电烙铁在使用一段时间后，烙铁头会发黑氧化，失 去对焊锡的附着力，表现为烙铁头不能挂锡，此时 需对烙铁头进行去氧化处理，一般按以下步骤进行：
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于 某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极 电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放 大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并 当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增 大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用， 集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通 状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。