一种高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李科,彭明云,黄丙亮,程杰,左文燕,胡磊
申请号：CN202210093981.3
申请日：20220126
公开号：CN114381040A
公开日：
20220422
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于有机/无机复合材料领域，公开了一种具有高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。

该复合材料由聚酰亚胺为基体，以聚酰亚胺包裹片状石墨(FG)制备FG@PI复合颗粒为介电填料，制备聚PI/FG@PI复合薄膜材料。

其中，FG@PI复合颗粒所占的聚酰亚胺的量份数为
5‑50wt％。

按照本发明的制备方法，能够获得较高的介电常数、极低的介电损耗的聚酰亚胺
PI/FG@PI复合薄膜。

本发明制备的高介电常数聚酰亚胺复合薄膜材料用于高密度的能量存储装置。

申请人：四川轻化工大学
地址：643000 四川省自贡市自流井区汇兴路519号
国籍：CN
代理机构：北京百年育人知识产权代理有限公司
代理人：张鹭丝
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