单片机控制电机无级调速

方案一：
此电路图经过调试完全可用,电路简单,元件少,元件容易购买,工作可靠(强电与弱电由MOC3021完全隔开),可接交流电机或电灯等.PWM调制方法调节风扇的快慢或电灯的亮暗.
(另外,很多同学问过我,C1电容不会把交流电路短路吗?问前,我给大家介绍一个很好用的网站,可以搜索资料的,.关键词:交流电容容抗).
电路简单,用图中所示规格的元件搭建电路,无需调试,一般可通过.(强电,注意!). BOM 说明:
MOC3021 光耦
BT136 可控硅
C1 C2 CBB电容,耐压400V(没正负之分,随意连接)
电阻,普通电阻.
P1,建议使用家用墙体插座引出这个接口,使用时,直接将被控制对象,往插座上插即可.
AC 市电220V
VCC接单片机系统的电源.5V DC
方案二：
风扇调速器工作原理-电子调速器工作
原理
作者：本站来源：本站原创发布时间：2008-3-20 13:03:04 [收藏] [评论]
我们通过电风扇电子调速器的电路来分析，以说明风扇调整器的工作原理，引电路能对风扇电动机进行无级调速，还能使电风扇产生模拟自然风。

该电风扇电子调速器电路由电源电路、可控振荡器和控制执行电路组成，如图所示。

电源电路由降压电容器Cl、整流二极管VDl、VD2、滤波电容器C2、电源指示发光二极管VL和稳压二极
管VS组成。

可控振荡器由时基集成电路IC、电阻器RI、R2、电容器C3、电位器RP和二极管VD3、VD4组成。

控制执行电路由风扇电动机M、晶闸管VT、电阻器R3和IC第3脚内电路组成。

交流220V电压经Cl降压、VDl和VD2整流、VL和VS稳压及C2滤波后，为IC提供约8V的直流
电压。

可控振荡器振荡工作后，从IC的3脚输出周期为105、占空比连续可调的振荡脉冲信号，利用此脉冲
信号去控制晶闸管VT的导通状态。

调节RP的阻值，即可改变脉冲信号的占空比(调节范围为1%-99%)，控制风扇电动机M转速的高低，
产生模拟自然风(周期为10s的阵风)。

改变C3的电容量，可以改变振荡器的振荡周朔，从而改变模拟自然风的周期。

元器件选择
R1-R3选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。

RP选用合成膜电位器或有机实心电位器。

C1选用耐压值为450V的涤纶电容器或CBB电容器;C2和C3均选用耐压值为16V的铝电解电容器。

VDl和VD2均选用lN4007型硅整流二极管;VD3和VD4均选用1N4148型硅开关二极管。

VS选用1/2W、6.2V的硅稳压二极管。

VL选用φ5mm的绿色发光二极管。

VT选用MACg4A4(lA、400V)型双向晶闸管。

IC选用NE555或CD7555型时基集成电路。

总的概括，一般风扇调速器的工作原理有三种种方法：
1.用微电路板控制电压高低，改变速度，例如：部分空调室内机；
2.改变电阻来控制电压，改变速度，例如：部分空调柜机；
3.切换线路，通过电机上的几组线圈来改变速度，例如：普通电风扇。

方案三：
可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。

这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。

这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。

1：可控硅交流调压器电路原理：
电路图如下
可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。

从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。

当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。

在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。

当充电电压Uc达
到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。

这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。

可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。

当交流电通过零点时，可控硅自关断。

当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了
2：可控硅交流调压器元器件选择
调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W 的碳膜电阻。

D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。

SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例
方案四：。