多晶硅薄膜的铝诱导晶化法制备及其晶粒的择优取向特性

多晶硅薄膜的铝诱导晶化法制备及其晶粒的择优取向特性于威;郭亚平;杨彦斌;郭少刚;赵一;傅广生
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2012(043)002
【摘要】采用铝诱导非晶硅薄膜晶化技术制备了多晶硅薄膜,并研究了多晶硅的成核和生长特性。

非晶硅薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备,其表面沉积铝薄膜后经不同温度的氮氛围退火处理。

结果表明,退火后的硅薄膜层与铝层发生置换,所生长的多晶硅颗粒的平均尺寸约为150nm。

X射线衍射分析结果揭示,薄膜的晶向显著依赖于退火温度,较低温度下,铝诱导晶化速率较慢,薄膜的优化晶向与非晶硅薄膜中团簇的初始原子排列趋势紧密相关。

而较高温度下,铝诱导晶化促使多晶硅（111）择优成核及随后的固相生长。

【总页数】4页(P231-234)
【作者】于威;郭亚平;杨彦斌;郭少刚;赵一;傅广生
【作者单位】河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002
【正文语种】中文
【中图分类】O782;TN304
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