硅单晶电阻率的测试
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四探针测试仪：
Leabharlann Baidu
作业指导书
1、准备材料
样品检验工作台 硅片 四探针测试仪
2、实验步骤
1、插好电源线、四探针连接线，检查保险丝有无松动； 2、打开电源开关，此时数字表各控制开关均有指示灯亮； 3、观察控制开关，将按钮置于“1mA”，“ρ”，“校准”； 4、调节粗调、细调旋钮，使数字表上的数字和厚度修正系数表上的数一 致，即I=C； 5、将最右端的按钮置于“测量”状态，此时数字表上显示为实测样品电 阻率； 6、选择电流：电阻率≤1欧姆•cm 时选用10mA挡测试； 7、将按钮调置“校准”，调节数字表上数字与厚度修正系数表上的值相 等。将按钮置于“测量”读出数就为电阻率； 连续测十次，每次样品旋转20°左右，再求平均值。
2片 符合检验要求
检验日期 检验依据
2013-9-17 国标GB/T1552-1995
1~2mm 2×9.8N 李川、钟宇健、陈涛
委托检验
探针间距 和探针压 力 测量者
测量电 流 测量日
1mA、10mA
2013、9、17
检验报告
检测项目 硅单晶电阻率的测试
样式编 号和样 式说明 产品等 级 测试环 境温度 样品数 量 检验状 态 检验类 别 ①：厚度为6mm样品 ②：厚度为0.5mm样品
乐山职业技术学院 委托单位 及地址 乐山市市中区肖坝路108号 乐山嘉源有限公司 2013-9-17
优等品 25℃
生产单位 抽/送样日 期
3、测试结果
次数 1 2 厚 6 0.63 0.63 度 0.5 0.56 0.55 (mm） 3 4 5 6 7 8 0.64 0.63 0.65 0.64 0.64 0.64 0.55 0.56 0.54 0.53 0.54 0.54 9 10 0.63 0.64 0.55 0.55 平均值 0.637 0.547
4、探针法测电阻率的测准条件
1、任意探针到样品边缘的最近距离和样品厚度必须大于3倍针距； 2、压探针时，用力不要过大。在硅片上做标记的时候，一定要放在平坦的桌面 上进行，以免划破硅片； 3、四探针与样品应有良好的欧姆接触，为此探针应该比较尖，接触点应是半球 形，且接触半径应远远小于针距； 4、电流在测试期间要保持恒定； 5、由于样品表电阻可能分布不均,测量时应对一个样品多测几个点,然后取平均值； 电流在测试期间要保持恒定。
硅单晶电阻率的测试
目录
1、采样及其样品处理
• 2、检测依据
3、检测原理及设备 • 4、作业指导书
5、检测报告书
采样及其样品处理
一、采样
1、单晶棒 2、单晶片：取头部、中部、 尾部各三片，要具有代表性
二、样品处理
1、试样待测面用28~42μm
或20~28μm金刚砂研磨或喷
砂。 2、 对圆片试样，用5~14μm 氧化铝或金刚砂研磨上下表 面。
检测标准
检测原理
四探针法用针距约 1mm的四根探针同时 压在硅单晶样品的平 整表面上，利用恒流 源给外面两根探针通 以电流，然后在中间 两根探针上用电位差 计测量电压降，然后 根据推导简ρ=(V23÷I) ×2πS公式，其中四 根探针排列在同一直 线上，间距相等，此 时探针系数就是一个 常数。
检测仪器
Leabharlann Baidu
作业指导书
1、准备材料
样品检验工作台 硅片 四探针测试仪
2、实验步骤
1、插好电源线、四探针连接线，检查保险丝有无松动； 2、打开电源开关，此时数字表各控制开关均有指示灯亮； 3、观察控制开关，将按钮置于“1mA”，“ρ”，“校准”； 4、调节粗调、细调旋钮，使数字表上的数字和厚度修正系数表上的数一 致，即I=C； 5、将最右端的按钮置于“测量”状态，此时数字表上显示为实测样品电 阻率； 6、选择电流：电阻率≤1欧姆•cm 时选用10mA挡测试； 7、将按钮调置“校准”，调节数字表上数字与厚度修正系数表上的值相 等。将按钮置于“测量”读出数就为电阻率； 连续测十次，每次样品旋转20°左右，再求平均值。
2片 符合检验要求
检验日期 检验依据
2013-9-17 国标GB/T1552-1995
1~2mm 2×9.8N 李川、钟宇健、陈涛
委托检验
探针间距 和探针压 力 测量者
测量电 流 测量日
1mA、10mA
2013、9、17
检验报告
检测项目 硅单晶电阻率的测试
样式编 号和样 式说明 产品等 级 测试环 境温度 样品数 量 检验状 态 检验类 别 ①：厚度为6mm样品 ②：厚度为0.5mm样品
乐山职业技术学院 委托单位 及地址 乐山市市中区肖坝路108号 乐山嘉源有限公司 2013-9-17
优等品 25℃
生产单位 抽/送样日 期
3、测试结果
次数 1 2 厚 6 0.63 0.63 度 0.5 0.56 0.55 (mm） 3 4 5 6 7 8 0.64 0.63 0.65 0.64 0.64 0.64 0.55 0.56 0.54 0.53 0.54 0.54 9 10 0.63 0.64 0.55 0.55 平均值 0.637 0.547
4、探针法测电阻率的测准条件
1、任意探针到样品边缘的最近距离和样品厚度必须大于3倍针距； 2、压探针时，用力不要过大。在硅片上做标记的时候，一定要放在平坦的桌面 上进行，以免划破硅片； 3、四探针与样品应有良好的欧姆接触，为此探针应该比较尖，接触点应是半球 形，且接触半径应远远小于针距； 4、电流在测试期间要保持恒定； 5、由于样品表电阻可能分布不均,测量时应对一个样品多测几个点,然后取平均值； 电流在测试期间要保持恒定。
硅单晶电阻率的测试
目录
1、采样及其样品处理
• 2、检测依据
3、检测原理及设备 • 4、作业指导书
5、检测报告书
采样及其样品处理
一、采样
1、单晶棒 2、单晶片：取头部、中部、 尾部各三片，要具有代表性
二、样品处理
1、试样待测面用28~42μm
或20~28μm金刚砂研磨或喷
砂。 2、 对圆片试样，用5~14μm 氧化铝或金刚砂研磨上下表 面。
检测标准
检测原理
四探针法用针距约 1mm的四根探针同时 压在硅单晶样品的平 整表面上，利用恒流 源给外面两根探针通 以电流，然后在中间 两根探针上用电位差 计测量电压降，然后 根据推导简ρ=(V23÷I) ×2πS公式，其中四 根探针排列在同一直 线上，间距相等，此 时探针系数就是一个 常数。
检测仪器