非晶硅薄膜PECVD沉积装置

非晶硅薄膜PECVD沉积装置（专有技术）参示指标1、设备外形

2、装片腔体结构

3、应用：

非晶硅太阳能电池生产线主要用于生产大型光电玻璃模板，以普通玻璃为基底经过常压CVD制备氧化锡,PECVD制备各类非晶硅膜层，磁控溅射制备铝膜电极，中间利用激光对膜系进行刻槽，再经过检测和封装，完成大面积电池组件的制造过程，整个工艺流程不超过十道。比晶体硅电池制作工艺更简单，硅材料利用率提高了几十倍，制造成本大约只有晶体硅电池的1/3。

4、非晶硅电池生产流程：

整条生产线主要包括：玻璃磨边、玻璃清洗、玻璃钻孔、预热炉、冷却炉、老化炉、PECVD设备、PVD设备、激光刻膜设备、封装层压设备、电池I-V检测设备等。

5、设备形式： PECVD设备采用集装箱式装夹方式，可一次装夹生产48片单片

规格

6、装片规格： 1245mm×635mm

7、设备极限真空度:可达到5×10-4Pa

8、温度控制：设备采用PID温控，具有外部隔热保护

9、等离子体：射频方式

10、控制方式：采用计算机系统控制

11、工艺气体：硅烷、磷烷、硼烷气、氢气、氩气、氮气

12、 PIN 淀积厚度：0.3-0.5um

13、设备详细参数：

设备组成：真空室，真空系统，电极盒，电极盒承载输送专用车，工件承载输送专用车，电极维修专用车，预热炉，冷却炉；

主要技术规格：被加工玻璃尺寸＝1245 x 635 mm 单次处理组件数量＝48；

电极盒结构：两个磁极之间是真空室。里面装有两个半圆形空盒状的金属电极，通称为“D形电极”。D形电极接在高频电源的输出端上，2个D形电极之间的空隙（加速间隙）有高频电场产生。粒子源安装在真空室中心的加速间隙中。D形电极内部没有高频电场，粒子进入D形电极之内就不再被加速，在恒定的主导磁场作用下做圆周运动。只要粒子回旋半圆的时间等于加速电压半周期的奇整数倍，就能够得到谐振加速。用一个表达式可以表示成：Tc=KTrt 式中Tc是粒子的回旋周期，Trt是加速电压的周期，K应该是奇整数；

电极盒材料：100％高强度航空铝材；

电极盒制造：高精度大型加工中心；

电极材料防变形工艺： 1）辉光放电(Glow Discharge)，属于低气压放电(low pressure discharge)，工作压力一般都低于10mbar，其构造是在封闭的容器內放置两个平行的电极板，利用电子将中性原子和分子激发，当粒子由激发态(excited state)降回至基态(ground state)时会以光的形式释放出能量。电

源可以为直流电源也可以是交流电源。2）电晕放电(Corona Discharge)：辉光放电只能在低气压下工作，而电晕放电可以在大气压下工作，但需要足够高的电压以增加电晕部位的电场；

高温高真空获取泵：涡轮分子泵，本底真空：《10－3 pa,工艺真空获取泵：英制工艺无油泵，工艺压力控制：美制碟阀与压力传感器，工件加温制式：防污染红外线外加热，温度控制：美制测温元件与日温控器，温度工件温度》250 C，射频电源（含匹配器）数量＝24套，半导体气体精密控制系统一套，半导体气体微量探测系统4套，非晶硅双结电池制备工艺＋公司专有技术。