上虞晶盛(单晶炉)界面操作手册
单晶炉具体操作步骤(精)
1、目的为正确、规范地操作单晶炉,确保生产作业正常,特制订本规范。
2、适用范围适用于 TDR-70A/B和 JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程作业准备→ 热态检漏→ 取单晶和籽晶→ 石墨件取出冷却→ 真空过滤器清洗→ 真空泵油检查更换→ 石墨件清洗→ 单晶炉室清洗→ 石墨件安装→ 石英坩埚安装→ 硅料安装→ 籽晶安装→ 抽空、检漏→ 充氩气、升功率、熔料→ 引晶、缩颈、放肩、转肩→ 等径生长→ 收尾→ 降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前,按工艺要求检查水、电、气,确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车,并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍, 擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏,并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间,在单晶冷却 4.0小时(TDR-70A/B型单晶炉、 5.0小时(JRDL-800型单晶炉后,关闭氩气(只关闭氩气阀门,主、付室流量计调节阀打开并分别调节到 30L/Min,开始抽高真空,并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限(要求达到 3Pa 以下后,先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏,并作相应时间记录,若 0.5小时内抽不到 3Pa 以下时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。
c. 检漏要求 3分钟以上,漏气率 <0.34Pa/min为正常,同时作好漏气率记录, 若漏气率>0.34Pa/min时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。
C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后,旋松付室小门 4个螺丝,打开氩气阀门充氩气至常压,关闭氩气,旋开付室小门 4个螺丝,打开付室小门。
单晶炉操作规范
单晶炉操作规范冷检1.⽬的为单晶⽣产作业提供指导，规范操作，保证产品质量。
2.范围本作业指导书适⽤于拉晶岗位。
3.安全要求3.1单晶车间的安全注意事项1.车间内的机器设备，⽆操作资格者勿动。
2.未装磁场的单晶炉，操作⼈员要注意防范掉进炉⼦旁边的缝隙⾥，对于已经装上磁场的，要注意不要带⼿机、磁卡（如银⾏卡⾝、份证）等靠近。
也不能拿铁器、钢器靠近磁场，否则会造成⼈⾝伤害和设备损坏。
3.严禁在车间内打闹，上班时要杜绝擅离职守、睡觉等。
4.在副室与喉⼝间、炉盖与主室之间，只要存在可能压砸的地⽅，任何⼈严禁将⾝体的任何部位置于两者的空隙之间。
5.拉晶中的炉台，严禁任何⼈踩踏单晶炉的底盘或将⾝体靠在单晶和电控柜上，以免造成炉⼦震动或碰到电器开关。
3.2进⼊泵房的安全注意事项1.确保泵房照明，如果照明灯损坏，要及时更换。
2.必须保持泵房地⾯⼲燥和清洁，定期清扫泵房，如将油到地⾯上时，要及时打扫⼲净。
3.机械泵⽪带必须安装防护罩。
4.清洁机械泵和换油时，必须在泵的电源开关上悬挂警⽰牌，⼯作完毕后取⾛警⽰牌。
5洗泵时严禁将杂物掉⼊机械泵腔内。
3.3拆装炉1.上班必须穿戴好劳保⽤品。
装炉时，还需戴⼝罩、⼿套等防护⽤品。
2.拆炉取晶时、注意不要被烫伤、划伤、碰伤。
3.晶体出炉后按指定地点摆放，并将晶体上多余的籽晶部份剪掉。
4.拆拿及安装⽯墨件时要戴上线⼿套。
3.4⼄醇、丙酮的使⽤1.⼯业⼄醇及有丙酮害、使⽤时，要注意防⽌其溅⼊眼内。
2.严禁⽤内酮擦拭密封圈！注意：⼄醇和丙酮都是易燃物，应安全使⽤和妥善保管。
4.⼯艺流程5.4.1⼯艺流程图4.2过程控制4.2.1.1取晶体1、停炉5⼩时后须先进⾏⼿动热检漏并记录，（真空度<15mTorr）泄漏率应<15mTorr(0.55Pa/5min)。
泄漏率超出范围应报修。
⼿动热检漏操作步骤：在触摸屏上将电控系统退到⼿动状态，关闭供⽓管道上的⼿动球阀，将三个电磁阀全部打开，然后抽空到极限真空。
单晶炉具体操作步骤
单晶炉具体操作步骤1、目的为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车，并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏，并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间，在单晶冷却4.0小时（TDR-70A/B型单晶炉）、5.0小时（JRDL-800型单晶炉）后，关闭氩气（只关闭氩气阀门，主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min），开始抽高真空，并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限（要求达到3Pa以下）后，先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
c. 检漏要求3分钟以上，漏气率<0.34Pa/min为正常，同时作好漏气率记录，若漏气率＞0.34Pa/min时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后，旋松付室小门4个螺丝，打开氩气阀门充氩气至常压，关闭氩气，旋开付室小门4个螺丝，打开付室小门。
晶盛单晶炉作业指导书
晶盛单晶炉作业指导书一、概述晶盛单晶炉是一种用于单晶材料生长的设备，能够实现高温环境下的晶体生长。
本作业指导书旨在向操作人员提供使用和维护晶盛单晶炉所需的详细指导，以确保设备正常工作并生产出高质量的单晶材料。
二、设备操作1. 准备工作a. 检查设备的电源和供气情况，确保正常运作。
b. 确保操作人员穿戴好相应的防护装备，包括防护眼镜、耳塞等。
c. 检查设备各部件的连接和状态，确保无漏气、无破损等问题。
2. 加载样品a. 打开炉膛门，将要生长的单晶样品小心地放置在样品载台上。
注意避免样品与载台接触过程中的碰撞或损坏。
b. 关闭炉膛门，确保密封良好。
3. 设置工艺参数a. 根据所需单晶材料的要求，在操作界面上设置合适的温度、压力等工艺参数。
b. 按照设备使用手册的要求，设置晶盛单晶炉的升温速率、保温时间等参数。
4. 启动和监控a. 打开设备的电源，按照正常启动程序操作，确保炉膛加热系统和其他系统正常运行。
b. 在启动后的整个过程中，操作人员应密切监控温度、压力等参数的变化，并及时调整，以确保单晶材料的质量。
5. 结束和清理a. 单晶材料生长完成后，关闭电源，停止供气，并等待炉膛冷却到安全温度。
b. 打开炉膛门，小心地将生长好的单晶样品取出，放置在合适的容器中。
c. 清理炉膛内部的残留物，确保设备整洁。
三、设备维护1. 清洁a. 每次使用后，应及时清洁炉膛内部和其他部件，避免杂质对下一次生长工艺的影响。
b. 使用合适的清洁剂和工具进行清洁，注意安全和操作规范。
2. 检修和维护a. 晶盛单晶炉设备定期需要进行检修和维护，以确保各部件的正常工作。
b. 遵循设备使用手册中的维护计划，对设备的各个部件进行检查、清洁、更换等操作。
c. 发现设备问题时，应及时汇报并由专业人员进行维修。
3. 安全注意事项a. 操作人员应在经过必要的培训和指导后，才能使用晶盛单晶炉设备。
b. 在操作过程中，应严格按照设备的安全操作规程进行操作，以避免意外事故的发生。
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明
1. 简介
本章节将对晶盛单晶炉进行简要的介绍，包括其主要功能和特点。
2. 安全须知
在使用晶盛单晶炉之前，请务必阅读并遵守以下安全须知，以确保您的人身安全和设备正常运行。
3. 设备结构与组成部分
这一章节详细描述了整个设备的结构，并列出了各个组成部分及其作用。
同时还提供了相应图示以便更好地理解。
4. 操作流程步骤
a) 准备工作：在开始操作之前需要做哪些准备工作？
b) 开机启动：如何正确开启电源、控制面板等？注意事项有哪些？
c) 参数设置：如何根据实际需求设置温度、时间等参数？
d) 样品放置与取出方法: 如何正确放置样品到加热台上？怎么才能够安全地从加热台上取下样品？
5. 故障排除指南
如果在使用过程中发生故障或异常情况时，该怎么办呢?这里给出一些建议性内容来帮助用户快速定位和解决问题。
6. 维护与保养
为了确保设备的长期稳定运行，本章节将介绍一些常见的维护与保养方法，并提供相应注意事项。
7. 常见问题及解答
这里了用户在使用晶盛单晶炉过程中经常遇到的一些问题，并给出详尽而简明扼要地回答。
希望能够对您有所帮助。
8. 相关附件
本文档涉及以下附件，请参阅：
- 晶盛单晶炉操作手册.pdf
9. 法律名词及注释
- 单晶：指具有完整、连贯结构并无缺口或杂质等不均匀性存在的物体。
- 熔融法：通过加热原料至其溶点以上使之变成流动状态后再逐渐凝固形成单个大颗粒（即“种子”）以制得高纯度金属产品或合金产品。
晶盛单晶炉操作说明
．全自动单晶炉操作手册REV. MANUAL_ZJS.Z02（TDR80A-ZJS/TDR85A-ZJS/TDR95A-ZJS适用）2009年05月上虞晶盛机电工程有限公司SHANGYU JING SHENG M&E ENGINEERING CO., LTD目录第一章单晶生长条件 (2)1.1 设备要求 (2)1.2 辅料要求 (3)1.3 安全要求 (4)第二章单晶生长标准流程 (5)2.1 拆炉 (5)2.2 装炉 (6)2.3 开始单晶的生长 (8)2.4 抽真空 (9)2.5 检漏 (11)2.6 压力化 (12)2.7 熔料 (13)2.8 稳定化 (15)2.9 熔接 (16)2.10 引晶 (18)2.11 放肩 (19)2.12 转肩 (20)2.13 等径 (21)2.14 收尾 (22)2.15 停炉 (23)第三章单晶生长辅助流程 (24)3.1 中途取晶 (24)3.2 回熔 (26)3.3 煅烧 (26)3.4 大清 (27)3.5 连接部位检查 (27)第四章相机调整与热场温度校正 (28)4.1 相机调整 (28)4.2 热场温度调整 (32)第五章异常情况处理 (33)5.1 断水 (33)5.2 电极故障 (33)5.3 打火 (33)附录故障速查 (34)第一章单晶生长条件1.1 设备要求1.1.1 运行条件（以下以TDR-85A-ZJS炉为例，其余炉型要求参照说明书）（1）冷却水要求水压：炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间，真空泵进出水压差要求1.5公斤以上；炉子进水压力不可超过3.5公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟，单独电源要求供水量不低于20升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC；水质：弱碱性水，PH值6~9；氯离子含量≤10ppm，碳酸钙含量≤50ppm；以纯净软水为好。
单晶炉具体操作步骤
1、目的为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车，并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏，并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间，在单晶冷却4.0小时（TDR-70A/B型单晶炉）、5.0小时（JRDL-800型单晶炉）后，关闭氩气（只关闭氩气阀门，主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min），开始抽高真空，并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限（要求达到3Pa以下）后，先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
c. 检漏要求3分钟以上，漏气率<0.34Pa/min为正常，同时作好漏气率记录，若漏气率＞0.34Pa/min时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后，旋松付室小门4个螺丝，打开氩气阀门充氩气至常压，关闭氩气，旋开付室小门4个螺丝，打开付室小门。
上虞晶盛单晶炉操作说明书
第一章单晶生长条件设备要求运行条件（以下以TDR-85A-ZJS 炉为例，其余炉型要求参照说明书）（1）冷却水要求水压：炉子进出水压差要求介于2~3 公斤之间，真空泵进出水压差要求公斤以上；炉子进水压力不可超过公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6 公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250 升每分钟，单独电源要求供水量不低于20 升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC；水质：弱碱性水，PH 值6~9；氯离子含量≤10ppm，碳酸钙含量≤50ppm；以纯净软水为好。
连接方式：进出水管与炉子之间采用软连接，防止震动传递到炉子。
（2）压缩空气要求气压：≥7 公斤；推荐在压缩空气入口处使用压力调节器。
流率：≥升每秒；汽缸容积：主真空球阀：2 升；辅助真空球阀：升。
（3）电力要求相制：3 相AC380V(±10%)/50Hz；功率：≥192KVA。
配电柜应装有500V、400V 的空气开关，和380V/400A的隔离开关。
（4）炉子真空要求空炉真空度：≤15mTorr；空炉泄漏率：≤30mTorr/hr；带热场泄漏率：≤50mTo r r/hr。
（热场已经煅烧完全）日常维护（1）坩埚轴驱动部件的维护保养 a、经常检查坩埚轴的冷却水是否通畅，避免冷却不充分而损坏坩埚轴；b、每个月对下轴丝杠至少清理一次，每次应先清理干净丝杠和导轨上的油污，加上适当（不可太多）润滑油，然后上下快升降两次。
（2）提拉头的维护保养 a、每次开炉后，检查钢丝绳是否损坏（包括变硬、缠松、有严重毛刺等），如有损坏，立即更换； b、钢丝绳在保管、使用、维修、安装过程中不能造成任何死弯角，否则在运行过程中会引起抖动。
（3）水冷系统的维护保养 a、每次加热前检查水流量是否充足，确保所有水路没有堵塞，水温传感器运行正常； b、出现水温或水量报警要查找原因及时处理。
（4）翻板阀的维护保养每次装炉前检查阀口密封圈是否完好，翻板阀操作是否轻松、无卡滞，底部挥发物是否打扫干净，如发现问题应及时排除。
晶盛单晶炉作业指导书
晶盛单晶炉作业指导书晶盛单晶炉是一种高温熔炼设备，主要用于实验室、研究机构以及一些小规模生产场所进行单晶材料的制备。
本作业指导书旨在为操作人员提供详细的操作步骤和注意事项，以确保安全可靠地操作晶盛单晶炉。
一、设备准备1. 确保晶盛单晶炉设备完好无损，并检查电源是否正常。
2. 将晶盛炉设备放置在通风良好、防火安全的场所，并确保离其他设备和易燃物距离足够。
3. 准备好所需的单晶生长设备、单晶种子、熔化样品以及其他实验所需材料和工具。
二、操作步骤1. 插入晶盛并连接电源。
首先将晶盛轻轻插入炉内，并确保与电源连接牢固。
注意避免触碰炉体，以免烫伤。
2. 打开电源开关，并调整炉体温度。
根据实验需求设定炉温，并通过控制面板进行温度调节。
3. 温度上升阶段。
将炉温缓慢升高，避免温差过大引起晶体结构异常。
4. 投入单晶种子并开始熔化。
待炉温达到要求后，将单晶种子放置在炉内，观察熔化过程，确保样品均匀熔融。
5. 单晶生长阶段。
根据所需单晶材料的要求，保持恒定的温度和熔融状态，稳定地进行单晶生长。
6. 单晶生长完成。
待单晶生长完毕，将电源关闭，并等待炉温降至安全温度后，方可取出单晶。
三、注意事项1. 操作前检查设备及电源连接是否正常，确保操作安全。
2. 晶盛单晶炉高温，操作人员应穿戴防热手套和保护眼镜，避免烫伤和灼伤。
3. 遵循操作规程，严格按照制定的温度曲线进行操作，避免过大的温差影响晶体质量。
4. 炉体外部温度高，禁止操作人员触碰，以免烫伤。
5. 单晶材料、单晶种子等操作材料应储存妥善，避免受潮或污染。
6. 操作过程中要保持炉外环境干燥洁净，避免灰尘和异物进入炉内影响单晶生长。
7. 操作结束后，及时关闭电源，并等待炉温降至安全温度后取出单晶。
四、常见故障处理1. 温度控制失常。
检查温度控制仪表及传感器是否正常，排除故障后重新操作。
2. 单晶材料熔融异常。
检查材料质量和配比是否准确，避免杂质或空气进入熔融材料，影响单晶质量。
单晶炉水循环操作示意图
消防水总阀打开， 泵组边。原则上消防水阀只能作为紧急用水，不能将消防水作常 用的单晶炉冷却水，即当消防水打开后，炉台只能作停炉处理。 注意阀门的关闭开启可同时多人进行，减少抢修时间。
事故恢复步骤：
当电源恢复后，需恢复泵组供水，关闭消防水供应。操作步骤如下： 1.按下水泵控制柜上水泵启动按钮，注意三个按钮两用一备，启动两个 即可。
单晶炉冷却水系统操作流程
现场培训
电控柜面板示意
绿色指示灯亮为运行灯，红色灯亮为停止
三个泵两用一备及应急消防水阀 示意图
应急消防水支路阀门，每组泵配备一个
水泵共有三个泵为一组，二用一备，有标识牌标明，备用泵为常闭，运行泵为常开
消防水阀位置
车间消防水 总阀
停电停水阀门操作
停电应急处理： 停电后水泵控制柜面板指示灯全灭，自停电起等待三分钟左右，等配电 房送电（市电或发电机发电），如三分钟过后还未送上电即可作应急事 故处理。 将三个泵的水路阀门关闭。
2.缓慢打开两个运行水泵的管道阀门，注意水压应保持在0.18以内平 稳，关闭消防水支路阀门。如人手够的情况下建议同时操作三个阀门。 前提是保障水压平稳。
3.注意，车间应急水总阀应处于常开状态，支路应急水阀门应处于常闭 状态。平时加强巡检，发现问题及时修复。
水泵切换操作
水泵的切换操作： 运行中如遇水压异常或水泵电机异响，检查有 水泵电机异常，及时报机修切换。切换步骤为： 在泵组控制柜上将备用泵开启（按备用泵启动 按钮），关闭异常泵电源，关闭故障水泵阀 门，同时打开备用泵阀门，观察单晶炉水压是 否正常，检查备用泵运行电流是否正常。并及 时修复故障水泵或更换备用泵。正常切换水泵 操作步骤同上。 应急操作和水泵切换操作平时都应按报修流程 走，协助机修完成。紧急情况应每人都会操作。
单晶炉操作规范共31页word资料
热检冷检1.目的为单晶生产作业提供指导，规范操作，保证产品质量。
2.范围本作业指导书适用于拉晶岗位。
3.安全要求3.1单晶车间的安全注意事项1.车间内的机器设备，无操作资格者勿动。
2.未装磁场的单晶炉，操作人员要注意防范掉进炉子旁边的缝隙里，对于已经装上磁场的，要注意不要带手机、磁卡（如银行卡身、份证）等靠近。
也不能拿铁器、钢器靠近磁场，否则会造成人身伤害和设备损坏。
3.严禁在车间内打闹，上班时要杜绝擅离职守、睡觉等。
4.在副室与喉口间、炉盖与主室之间，只要存在可能压砸的地方，任何人严禁将身体的任何部位置于两者的空隙之间。
5.拉晶中的炉台，严禁任何人踩踏单晶炉的底盘或将身体靠在单晶和电控柜上，以免造成炉子震动或碰到电器开关。
3.2进入泵房的安全注意事项1.确保泵房照明，如果照明灯损坏，要及时更换。
2.必须保持泵房地面干燥和清洁，定期清扫泵房，如将油到地面上时，要及时打扫干净。
3.机械泵皮带必须安装防护罩。
4.清洁机械泵和换油时，必须在泵的电源开关上悬挂警示牌，工作完毕后取走警示牌。
5洗泵时严禁将杂物掉入机械泵腔内。
3.3拆装炉1.上班必须穿戴好劳保用品。
装炉时，还需戴口罩、手套等防护用品。
2.拆炉取晶时、注意不要被烫伤、划伤、碰伤。
3.晶体出炉后按指定地点摆放，并将晶体上多余的籽晶部份剪掉。
4.拆拿及安装石墨件时要戴上线手套。
3.4乙醇、丙酮的使用1.工业乙醇及有丙酮害、使用时，要注意防止其溅入眼内。
2.严禁用内酮擦拭密封圈！注意：乙醇和丙酮都是易燃物，应安全使用和妥善保管。
4.工艺流程5.4.1工艺流程图4.2过程控制4.2.1.1取晶体1、停炉5小时后须先进行手动热检漏并记录，（真空度<15mTorr）泄漏率应<15mTorr(0.55Pa/5min)。
泄漏率超出范围应报修。
手动热检漏操作步骤：在触摸屏上将电控系统退到手动状态，关闭供气管道上的手动球阀，将三个电磁阀全部打开，然后抽空到极限真空。
单晶炉具体操作步骤
单晶炉具体操作步骤1、目的为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车，并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏，并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间，在单晶冷却4.0小时（TDR-70A/B型单晶炉）、5.0小时（JRDL-800型单晶炉）后，关闭氩气（只关闭氩气阀门，主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min），开始抽高真空，并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限（要求达到3Pa以下）后，先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
c. 检漏要求3分钟以上，漏气率<0.34Pa/min为正常，同时作好漏气率记录，若漏气率＞0.34Pa/min时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后，旋松付室小门4个螺丝，打开氩气阀门充氩气至常压，关闭氩气，旋开付室小门4个螺丝，打开付室小门。
单晶炉 SOP系统作业参数说明书
参数 步骤 时间 坩埚位置 坩埚旋转速率 功率组
说明 表示表中的单独步骤 每一个步骤要求的总时间（min）。 坩埚离加热器顶部的垂直距离（mm）。 坩埚旋转的速度，转/分（rpm）. 加热器功率（kw）。 氩气进入炉子的速率，标准升/分钟（splm）。 压力控制回路的压力设定点（Torr）
抽真空/检漏
自动进行抽气和用氩气进行清洗。生长过程中的
检漏步骤在抽真空之后关闭主真空阀，测量炉内
压力上升的速率来检测炉子的真空密封性能。
Pressurization/Meltdown 自动压力化步骤用来使炉子得到一个适合单晶
压力化/熔料
生长的特定压力。自动熔料过程使硅原料缓慢熔
化直到全熔。
Stablization I
在序列表中，参数数据在右侧从头到尾用实际数值表示。
图 2 序列表中的参数显示
2
1.2.3 命令条 命令条被列在几乎所有屏幕的左部，如下图，这些键通常被用来在 SOP 分菜
单和目录窗口之间切换，并随着程序中位置的不同而不同。（命令条必须在程序 被激活时才可用，即打开或新建文件时才可用，否则点击没有反应。）。
7
2.5 熔料步骤 这张表中设定的参数是为了熔化坩埚中的硅料的。
参数 步骤 时间 坩埚位置 功率
图 7 熔料步骤的 SOP 组
说明 表示表中的单独步骤。 每一个步骤的总时间（min）。 坩埚离加热器顶部的垂直距离（mm）。 加热器功率（kw）。
8
2.6 稳定化 I 在硅完全熔化之后，在晶体生长开始之前，熔液温度必须被稳定。这一步 通常在颈部生长前用来稳定炉内的熔液温度。
10
2.8 引晶 这一自动过程开始晶体的颈部生长，按 SOP 设置通过提高速度来减小籽晶直
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明晶盛单晶炉操作说明一、设备概述晶盛单晶炉是用于单晶硅等材料的生长和烧结过程的设备。
其主要由加热炉体、温度控制系统、气体输送系统、真空系统、气氛控制系统等组成。
本操作说明介绍了晶盛单晶炉的详细操作流程和注意事项。
二、设备准备1.检查炉体外部是否有异物，清理并保持干净。
2.检查气源和真空系统是否正常运行，并确保供气压力和真空度符合要求。
3.检查温度控制系统是否正常运行，并进行相关校准。
三、设备启动1.打开电源开关，启动加热控制系统。
2.打开气源和真空系统的供气阀门，确保气源系统正常供气。
3.检查气源系统和真空系统的压力表，确保供气压力和真空度在正常范围内。
四、设备运行流程1.温度设定：根据工艺要求，在温度控制系统中设定所需的生长温度，并等待炉体温度达到设定温度。
2.晶体装载：将待生长晶体装入炉体，注意避免晶体受损和污染。
3.载台装载：将装有晶体的载台装入炉体，并关闭炉门。
4.生长过程监控：根据生长过程的要求，监控温度、气氛、真空度等参数的变化，并及时调整。
5.结晶结束：根据工艺要求，将生长过程中的温度、气氛等参数依次调整，完成结晶过程，并进行冷却。
6.取出晶体：待冷却结束后，打开炉门，将晶体取出，并注意避免晶体受损。
7.关闭系统：关闭炉体、气源和真空系统，清理设备并保持干净。
五、注意事项1.操作人员应具备相关技术知识和经验，按照操作规程进行操作。
2.在操作过程中，应注意安全，佩戴必要的个人防护装备。
3.操作前应检查设备的工作状态和参数，确保符合要求。
4.操作过程中如有异常或故障，应立即停止操作，并进行排查和维修。
附件：相关附件包括操作规程、设备维护记录等，请查阅。
法律名词及注释：1.《劳动法》：指中华人民共和国的劳动法律法规，保护劳动者的劳动权益。
2.《安全生产法》：指中华人民共和国的安全生产法律法规，保护人员的人身安全和设备的正常运行。
3.《环境保护法》：指中华人民共和国的环境保护法律法规，保护环境的整洁和生态的平衡。
晶盛单晶炉作业指导书
6.若发现上一炉生产过程不正常，须认真分 6.若发现上一炉生产过程不正常， 若发现上一炉生产过程不正常 析原因， 析原因，采取有效措施后方可继续开炉 7.准备好一次性乳胶手套、白手套、裁纸刀、 7.准备好一次性乳胶手套 白手套、裁纸刀、 准备好一次性乳胶手套、 口罩、 口罩、装料车等辅助用品 8.检查所备原料及母合金与生产指令单、随 8.检查所备原料及母合金与生产指令单 检查所备原料及母合金与生产指令单、 工单是否相符 9.用擦炉纸沾酒精把装料车擦干净 9.用擦炉纸沾酒精把装料车擦干净 10.把原料及母合金放置到装料车上 10.把原料及母合金放置到装料车上
6.检查钢丝绳是否完好可用。若有变硬、毛刺 6.检查钢丝绳是否完好可用。若有变硬、 检查钢丝绳是否完好可用 或其他损坏情况， 或其他损坏情况，应立即更换 7.在单晶生产随工单上填写相应数据后，将晶 7.在单晶生产随工单上填写相应数据后， 在单晶生产随工单上填写相应数据后 棒放置于晶棒冷却区。将埚底料、 棒放置于晶棒冷却区。将埚底料、提肩料等 标示好并妥善保存， 标示好并妥善保存，下班前交物料员
4.按住控制柜上“拉伸腔提升”按钮，直到副 4.按住控制柜上 拉伸腔提升”按钮， 按住控制柜上“ 室高出炉膛顶部，碰到中途上限位开关时， 室高出炉膛顶部，碰到中途上限位开关时，可 向左拨动“拉伸腔旋转”开关， 向左拨动“拉伸腔旋转”开关，自动旋开副炉 室。禁止手动推副室旋转 注意：取晶棒时注意不要碰到CCD 注意：取晶棒时注意不要碰到CCD 器件 5.在晶棒下方摆好存放架后，撤掉防护木板或安 5.在晶棒下方摆好存放架后 在晶棒下方摆好存放架后， 全托盘，然后下降晶棒， 全托盘，然后下降晶棒，严禁使晶棒接触到存 放架。 距离时， 放架。晶体离存放架底部还有 3-5mm 距离时， 暂停下降，观察触摸屏上显示的晶棒重量， 暂停下降，观察触摸屏上显示的晶棒重量，小 心的下降晶棒，待晶棒重量刚低于5kg时 心的下降晶棒，待晶棒重量刚低于5kg时，停止 下降晶棒。剪断细晶前，一人扶住存放架， 下降晶棒。剪断细晶前，一人扶住存放架，另 一人用手（戴耐高温手套）抓住重锤（ 一人用手（戴耐高温手套）抓住重锤（禁止抓 籽晶），用斜口钳剪断细晶，不能扭断！ ），用斜口钳剪断细晶 籽晶），用斜口钳剪断细晶，不能扭断！剪完 细晶后逐步释放重锤，控制好重锤旋转和晃动， 细晶后逐步释放重锤，控制好重锤旋转和晃动，
上虞晶盛单晶炉操作说明书
设备要求
运行条件（以下以TDR-85A-ZJS炉为例，其余炉型要求参照说明书）
（1）冷却水要求
水压：炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间，真空泵进出水压差要求公斤以上；
炉子进水压力不可超过公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟，单独电源要求供水量不低于20升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC；
（2）以上操作过程中，要注意人身安全和设备安全！只要存在压砸的可能，禁止人体进入该空间。
打扫炉内卫生
（1）拿石墨器件的时候必须戴上线手套，严禁赤手接触，使用吸尘管道时，要注意防止管道被烫化在石墨件上。石墨件较烫时，不能戴薄膜手套；
（2）清除取晶时可能飞溅在隔离阀装置上的脏物和碎片；
（3）所有石墨件必须彻底打扫干净。干净的标准是：容易取出的石墨部件：导流筒、上下保温盖、上保温筒、三瓣埚、石墨埚托，必须打扫到全部露出石墨的本色，特别是不能留有黄色的挥发物。不容易取出的石墨件：加热器、主保温筒、炉底护盘等等，在大清的时候打扫，仍然要求打扫出石墨的本色。打扫石墨件时，可用百洁布；
（3）装坩埚时要防止将坩埚外壁的石英渣子带入埚中；
（4）若发现石英坩埚异常应及时与工段长或单晶技术主管联系，经判断不能使用后，进行更换；
（5）装完坩埚后，另换薄膜手套，进行装料。
装料
（1）用剪刀把多晶料包装袋沿塑料线剪开，注意外层包装袋不能接触到料；
（2）装料技巧：
a、首先选择小碎块（直径小于20mm）的料铺放到埚底，应尽量铺满坩埚底部；b、选择较小块（直径小于40mm）的料继续装入埚的中下部，中下部的料可以装的紧凑些并且贴近埚壁，但应自然堆砌，不能硬挤。与坩埚内壁接触的料块，应尽量选择具有表面光滑的球型面的料，避免尖锐端对着埚壁。
单晶炉操作说明(二)
单晶炉操作说明（二）引言概述：本文是关于单晶炉操作说明的第二部分，旨在更加详细地介绍单晶炉的操作方法和注意事项。
单晶炉是一种常用于材料科学研究和半导体制备的设备，正确的操作方法和注意事项对单晶生长的成功至关重要。
本文将从温度控制、气氛控制、单晶生长过程等方面进行阐述，以帮助操作人员更加熟练地操作单晶炉。
正文：一、温度控制1. 确保单晶炉的传感器和温度控制器正常工作，校准准确。
2. 在操作前，应将单晶炉预热至待定的温度，并保持一段时间，以确保温度的稳定性。
3. 设定单晶炉的温度范围和升温速率，根据实际需要调整。
4. 升温过程中，要时刻观察温度的变化并记录，避免温度超出设定范围。
5. 单晶生长完毕后，要缓慢降温，并注意避免温度快速改变引起的破裂等问题。
二、气氛控制1. 在单晶生长过程中，必须保持特定的气氛，一般通过气体流量控制进行调节。
2. 确保气源的纯度和稳定性，避免杂质对单晶生长的影响。
3. 设定气体流量和压力，根据单晶材料和实验要求进行调整。
4. 维持恒定的气氛流量，避免突然变化引起的温度波动。
5. 定期检查气体管道和阀门的密封情况，确保气氛控制的稳定性。
三、单晶生长过程1. 在放入单晶衬底前，要先清洁并处理好衬底表面，避免杂质对单晶生长的影响。
2. 控制好单晶衬底的位置和姿态，确保单晶生长的均匀性和完整性。
3. 合理选择单晶生长的时间和速度，根据实验要求进行调整。
4. 观察单晶生长的情况，及时调整温度和气氛控制参数，确保单晶质量的优良。
5. 单晶生长完毕后，要及时停止气氛流量和降温，避免产生不良的晶界和结构。
四、安全操作1. 操作人员必须熟悉单晶炉的使用方法和安全操作流程，并戴好相关的防护设备。
2. 在操作前要检查单晶炉的电气连接是否正常，避免发生电气问题导致的安全事故。
3. 在操作过程中要随时注意观察单晶炉的运行状态，如有异常及时报告并采取相应措施。
4. 操作人员在操作单晶炉时，要遵循相关的安全操作规程，严禁操作违规。
单晶炉操作说明
单晶炉操作说明单晶炉操作说明1.介绍本文档为单晶炉操作说明，旨在提供操作指南，确保正确、安全地操作单晶炉。
本文涵盖了单晶炉的基本知识、操作步骤以及相应的安全注意事项。
2.单晶炉基本知识2.1 单晶炉简介单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备，通过控制温度和环境条件来实现单晶材料的生长过程。
2.2 单晶炉组成单晶炉主要由以下组件组成：- 加热器：提供所需的加热能量，通常使用电阻加热方式。
- 容纳腔体：用于放置单晶材料和控制生长环境的空间。
- 控制系统：用于监测和控制加热器温度、生长环境等参数的设备。
3.操作步骤3.1 准备工作3.1.1 确保单晶炉设备处于正常工作状态。
3.1.2 检查加热器和温度控制系统的连接情况，确保正常工作。
3.1.3 准备好所需的单晶材料和其他辅助材料。
3.2 开始操作3.2.1 打开单晶炉的电源开关，启动加热器。
3.2.2 设置所需的生长温度，并等待温度达到设定值。
3.2.3 打开单晶材料放置腔体，并将单晶材料小心放置在适当的位置上。
3.2.4 根据需要，设置生长环境（如气体流量、气氛组成等）。
3.2.5 监测生长过程中的温度和其他关键参数，确保生长条件的稳定性。
3.2.6 根据所需的生长时间，保持稳定的生长条件，并监控生长过程。
4.安全注意事项4.1 在操作单晶炉前，确保已经了解并理解相关的安全规定和标准。
4.2 操作单晶炉时，穿戴适当的个人防护装备，如防护服、护目镜等。
4.3 注意避免在单晶炉周围堆放易燃和易爆物品。
4.4 在操作过程中，遵循设备制造商提供的操作指南和注意事项。
5.附件本文档涉及的附件包括：- 单晶炉设备操作手册- 单晶材料生长参数记录表6.法律名词及注释- 单晶材料：具有一个无缺陷晶体结构的材料，通常用于电子器件制造等领域。
- 加热器：一种用电阻加热的设备，用于提供加热能量。
晶盛单晶炉作业指导书课件
课程目标
01
掌握晶盛单晶炉的基本结构和工 作原理。
02
了解晶盛单晶炉的操作流程和注 意事项。
掌握晶盛单晶炉的维护和保养方 法。
03
了解晶盛单晶炉的常见故障及排 除方法。
04
课程大纲
01
02
03
04
05
第一部分：晶盛单晶炉 的基本结构和工作原理
第二部分：晶盛单晶炉 的操作流程和注意事项
VS
详细描述
炉内结渣会影响单晶棒的生长和质量，需 要及时进行处理。清理时，需关闭加热器 电源，等待炉筒冷却后，用刮刀清理掉残 渣。同时，还需检查原料是否干净，避免 再次出现类似问题。
晶棒异常问题
总结词
晶棒异常通常是由于原料纯度不够、加热器故障或炉内气体污染等原因引起，需要针对不同原因采取相应措施。
02
根据晶体生长方式的不同，单晶 炉可分为直拉法、悬浮法、提拉 法等不同类型。
单晶炉的工作原理
单晶炉通过高温加热和控制系统，将 多晶硅等原料熔化，然后通过提拉或 悬浮等方法生长单晶体。
直拉法是最常用的方法，其原理是将 硅原料放入坩埚中，通过加热将其熔 化，然后通过旋转和提升装置将硅液 中的单晶硅生长出来。
分析
以上两个案例都是因为违反安全操作规程或应急处理措施而导致事故的发生。我们应该引以为戒，严格 遵守各项安全规定和操作规程，确保生产安全。
06
课程总结与展望
课程总结
1
课程结构合理，内容丰富，涵盖了晶盛单晶炉的 基本原理、操作流程、设备维护等方面的知识。
2
重点突出，对晶盛单晶炉的作业流程进行了详细 讲解，并配以实例操作，使学员能够更好地掌握 操作技能。
单晶炉的主要部件
单晶炉操作说明
．全自动单晶炉操作手册REV. MANUAL_ZJS.Z03（TDR-95A/100A/100B-ZJS适用）2010年06月上虞晶盛机电工程有限公司SHANGYU JING SHENG M&E ENGINEERING CO., LTD目录第一章单晶生长条件 (2)1.1 设备要求 (2)1.2 辅料要求 (3)1.3 安全要求 (4)第二章单晶生长标准流程 (5)2.1 拆炉 (5)2.2 装炉 (6)2.3 开始单晶的生长 (8)2.4 抽真空 (9)2.5 检漏 (11)2.6 压力化 (12)2.7 熔料 (13)2.8 稳定化 (15)2.9 熔接 (16)2.10 引晶 (18)2.11 放肩 (19)2.12 转肩 (20)2.13 等径 (21)2.14 收尾 (22)2.15 停炉 (23)第三章单晶生长辅助流程 (24)3.1 中途取晶 (24)3.2 回熔 (26)3.3 煅烧 (26)3.4 大清 (27)3.5 连接部位检查 (27)第四章相机调整与热场温度校正 (28)4.1 相机调整 (28)4.2 热场温度调整 (32)第五章异常情况处理 (33)5.1 断水 (33)5.2 电极故障 (33)5.3 打火 (33)附录故障速查 (34)第一章单晶生长条件1.1 设备要求1.1.1 运行条件（以下以TDR-85A-ZJS炉为例，其余炉型要求参照说明书）（1）冷却水要求水压：炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间，真空泵进出水压差要求1.5公斤以上；炉子进水压力不可超过3.5公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟，单独电源要求供水量不低于20升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC；水质：弱碱性水，PH值6~9；氯离子含量≤10ppm，碳酸钙含量≤50ppm；以纯净软水为好。
连接方式：进出水管与炉子之间采用软连接，防止震动传递到炉子。
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．全自动软件界面操作手册REV. HXSC_A1.HA03（TDR-95A/100A/100B-ZJS适用）2010年06月杭州慧翔电液技术开发有限公司HangZhou HuiXiang Electro-Hydraulic Technology Development Co.Ltd目录介绍.............................. ........................... ...................... ........ ............................. .. (3)炉体控制.............................. .......................................... ........ ............................. .. (4)晶体、坩埚提升运动控制界面..................................... ........ ............................. .. (5)晶体、坩埚旋转运动控制界面..................................... ........ ............................. .. (5)坩埚自动定位界面............. .......................................... ........ ............................. .. (6)加热功率控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (6)磁场电流设置界面............. .......................................... ........ ............................. .. (7)等径闭环界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (7)热场温度控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (7)温度闭环参数设置界面..... .......................................... ........ ............................. .. (8)热场温升控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (8)液面温度控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (8)生长控制界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (9)坩埚跟踪控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (9)压力控制界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (10)自动工艺选择..................... .......................................... ........ ............................. .. (10)氩气、真空控制............. .......................................... ....... ..... ............................. .. (11)曲线数据.............................. .......................................... ........ ............................. .. (12)曲线数据选择............. .......................................... . (13)工艺参数.............................. .......................................... ........ ............................. .. (14)下载SOP说明............. .......................................... ........ ............................. (18)辅助功能.............................. .......................................... ........ ............................. .. (19)硅晶体重量长度计算........ . .......................................... ........ ............................. .. (19)大气压力设定.................... . .......................................... ........ ............................. .. (20)液面温度校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (20)热场温度校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (21)晶体、坩埚行程设置........ . .......................................... ........ ............................. .. (21)晶体、坩埚位置设置........ . .......................................... ........ ............................. .. (22)磁场零位校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (23)日期时间校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (23)系统参数.............................. .......................................... ........ ............................. .. (24)注册.............................. . .......................................... ........ ............... ................... .. (24)CCD设置.............................. . .......................................... ........ ............................. .. (25)切换显示.............................. .......................................... ........ ............................. .. (26)系统维护.............................. .......................................... ........ ............................. .. (27)开关量输入输出............................................................. ........ ............................. .. (27)模拟量输入输出............................................................. ........ ............................. .. (28)工艺设置.............................. .......................................... ........ ............................. .. (29)生长记录.............................. .......................................... ........ ............................. .. (30)图象系统.............................. .......................................... ........ ............................. .. (31)功能描述.............................. .......................................... ........ ............................. .. (31)硬件构成.............................. .......................................... ........ ............................. .. (31)运行程序.............................. .......................................... ........ ............................. .. (31)端口设置.............................. .......................................... ........ ............................. .. (32)开始状态.............................. .......................................... ........ ............................. .. (32)通讯频率.............................. .......................................... ........ ............................. .. (32)监视数据.............................. .......................................... ........ ............................. .. (32)引晶状态按钮...................... .......................................... ........ ............................. .. (33)放肩状态按钮...................... .......................................... ........ ............................. .. (33)等径状态按钮...................... .......................................... ........ ............................. .. (34)液面状态按钮...................... .......................................... ........ ............................. .. (34)设置按钮.............................. .......................................... ........ ............................. .. (35)法律声明.............................. .......................................... ........ ............................. .. (36)介 绍系统控制采用了工业PLC ，人机界面采用了触摸屏。