上虞晶盛(单晶炉)界面操作手册
单晶操作规范及注意事项
*装热系统装好后 确定化料埚位（最 低埚位） *大盖和保温罩要 吻合 *石墨件接触硅料 会使碳含量增高 *用手按住硅料轻 微晃动可判断是否 接触导流筒
4
合炉
1酒精纤维纸擦拭炉盖与主炉筒接合部位 2确认炉盖下沿与大盖之间的间隙，转动炉 盖至炉筒正上方 3确认炉盖与大盖无接触，慢慢降下炉盖合 炉
炉盖压住大盖会严 重损坏石墨件
操作规范及注意事项
作业顺序
作业内容
1）按规定穿好服装，戴好劳保手套 2）准备好有关工具和取晶栏 1）确认炉内恢复常压，打开副室小门 2）按下副室升按扭，升起副室炉筒 3）把副室炉筒慢慢侧移，同时把接晶盘移到 下方，稳住晶棒，避免使用其受到撞击 4）把取晶栏放在晶棒正下方，移开接晶盘 5）按下快降按钮，将晶棒降入取晶栏，以籽 晶基本不受力为准 6）按住细颈，用钳子将细颈掐断，使籽晶上 保留足够长（尽量维持原长的细颈），捉住 钢丝绳，使重锤慢慢旋转，取消拧力后再放 手 7）籽晶如需更换，把旧籽晶取下放入待清洗 籽晶盒 8）重锤升入副室炉筒，升起炉盖移到侧面
*粉尘为SIO及其 它氧化杂质
*注意被大罐盖砸 伤 *避免划伤密封面 *每炉必须清理
3
炉盖清 扫
1）用刷子和吸尘管清扫内壁上的附着物 2、用沾有酒精的纤维纸将炉盖内壁彻底擦 试干净 3检查是否有打磨不干净的部位，如有再次 打磨并用纤维纸擦试干净 4内壁上有孔部位，用酒精纤维纸仔细擦试 内部 5再次用酒精纸整体擦试整体炉盖内壁，确 认无氧化物 6将管道后盖密封面和密封圈擦干净 7用专用盖子将小副室上口盖上，盖上翻板 阀，并闭副室小门
单晶炉操作规范(071208修订稿)
生效日期：2007年 12 月 12日
1、目的
为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围
适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程
作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→（二次加料、再熔料）→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却
4、主要内容
A.作业准备
a.进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b.开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c.准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、
防尘口罩。
d.准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e.取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车，
并处理干净。
f.用毛巾将炉体从上到下擦一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏，并
把炉子周围清扫干净。
B.热态检漏
a.检查上一炉功率关闭时间，在确认单晶冷却时间达到5.0小时以上后，关闭氩气总阀门
（先打开主、副室流量计调节阀并分别调节到30L/Min，再关闭氩气进气总阀门，主、
副室流量计调节阀仍然保持打开状态），开始抽高真空，并作时间记录。
b.待炉内压力到达极限（要求达到３Pa以下）后，先关闭主室抽空球阀而后关闭主真空泵
电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明
1. 简介
本章节将对晶盛单晶炉进行简要的介绍，包括其主要功能和特点。
2. 安全须知
在使用晶盛单晶炉之前，请务必阅读并遵守以下安全须知，以确保您的人身安全和设备正常运行。
3. 设备结构与组成部分
这一章节详细描述了整个设备的结构，并列出了各个组成部分及其作用。同时还提供了相应图示以便更好地理解。
4. 操作流程步骤
a) 准备工作：在开始操作之前需要做哪些准备工作？
b) 开机启动：如何正确开启电源、控制面板等？注意事项有哪些？
c) 参数设置：如何根据实际需求设置温度、时间等参数？
d) 样品放置与取出方法: 如何正确放置样品到加热台上？怎么才能够安全地从加热台上取下样品？
5. 故障排除指南
如果在使用过程中发生故障或异常情况时，该怎么办呢?这里给出一些建议性内容来帮助用户快速定位和解决问题。
6. 维护与保养
为了确保设备的长期稳定运行，本章节将介绍一些常见的维护与保养方法，并提供相应注意事项。
7. 常见问题及解答
这里了用户在使用晶盛单晶炉过程中经常遇到的一些问题，并给出详尽而简明扼要地回答。希望能够对您有所帮助。
8. 相关附件
本文档涉及以下附件，请参阅：
- 晶盛单晶炉操作手册.pdf
9. 法律名词及注释
- 单晶：指具有完整、连贯结构并无缺口或杂质等不均匀性存在的物体。
- 熔融法：通过加热原料至其溶点以上使之变成流动状态后再逐渐凝固形成单个大颗粒（即“种子”）以制得高纯度金属产品或合金产品。
单晶炉操作
单晶操作工操作说明 一．目的 将硅多晶及硅单晶转变成客户需要的硅单晶。 二．适用范围 FT-CZ1806,FT-CZ2008单晶炉 三．使用设备及工具 ?FT-CZ1806(FT-CZ2008)型单晶炉、空气压缩机、真空泵（主/辅）、循环冷却水系统、氩气输送系统、氩气中含氧量监测仪 ?斜口钳、螺丝刀、不锈钢托盘、不锈钢推车、硅单晶专用取棒车、美工刀等 四．材料 ?多晶硅、可回收利用的硅材料、掺杂剂、5个9的高纯Ar、可循环的软化冷却水、高纯石墨热场 ?一次性手套、防静电手套、乳胶手套、隔热手套、塑料袖套、一次性口罩 ?无尘清洁纸、无水乙醇 五．环境要求 洁净房 六．重要工艺参数 见《工艺参数卡》 七． FT-CZ1806,FT-CZ2008型单晶炉面板介绍 图1《手动状态操作画面》 八．作业步聚 1. 热场组立 1.1.按照《热场装配图》，将热场部件逐一装配组合。 ※ 注意外保温筒的测温孔与温度传感器对准，否则将无法用温度控制拉晶。 1.2.将钢皮尺置于石墨中轴上，如图1中点击【CRUCIBLE】,弹出坩埚控制区。在ROTATION SPEED VALUE中输入想要的坩埚转速，按【OK】键确认，最后点击【ON】按钮让坩埚旋转来确认加热器是否与中轴同心，可以调整加热器的两个固定螺丝使中轴与加热器尽量调至同心。 1.3.将石墨坩埚放入后再对中，确保坩埚四周与加热器的位置大于3mm，并尽量同心。 1.4.将导流筒装上，并用如上方法确保导流筒安装的与石墨坩埚同轴。 1对中中轴与加热器同圆心 2对中加热器与石墨坩埚 3对中导流筒与石墨坩埚 2. 石英坩埚的安装 2.1.将石英坩埚的合格证取出，贴附在拉晶记录上。 2.1.戴上一次性手套，拿出石英坩埚，在灯光下确认石英坩埚有无伤痕、裂纹、气泡、黑点。 ※确切的要求参照我们对石英坩埚供应商的来料要求。 2.2.插入石墨坩埚内，比较石墨坩埚与石英坩埚的高度，确认并调整水平 2.3.石英坩埚安装好后，设定坩埚转速8rpm，确认石英坩埚在转动时不会晃动方可。 1检查石英坩埚 2装入石英坩埚 3调整石英坩埚放置的水平 3．掺杂剂的装入 3.1.确认掺杂剂料包上所写的重量与拉晶指示书上的数据是否一致。 3.2.带上一次性的手套，将装有掺杂剂的料包在石英坩埚的上方且低于石英坩埚口的位置打开并抖动装料纸使掺杂剂全部落入石英坩埚中。 1掺杂剂
单晶炉具体操作步骤
1、目的
为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围
适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程
作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却
4、主要内容
A. 作业准备
a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘
刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料
的不锈钢小车，并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断
或碰坏，并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏
a. 检查上一炉功率关闭时间，在单晶冷却4.0小时（TDR-70A/B型单晶炉）、
5.0小时（JRDL-800型单晶炉）后，关闭氩气（只关闭氩气阀门，主、付
室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min），开始抽高真空，并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限（要求达到3Pa以下）后，先关闭主室球阀而后关
闭真空泵电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
单晶炉 SOP系统作业参数说明书
抽真空/检漏
自动进行抽气和用氩气进行清洗。生长过程中的
检漏步骤在抽真空之后关闭主真空阀，测量炉内
压力上升的速率来检测炉子的真空密封性能。
Pressurization/Meltdown 自动压力化步骤用来使炉子得到一个适合单晶
压力化/熔料
生长的特定压力。自动熔料过程使硅原料缓慢熔
化直到全熔。
Stablization I
图 11 放肩的 SOP 组
参数 加热器温度设定点减少值
说明
进入放肩阶段后立刻减少的加热器温 度设定点（sp）的数值
11
2.10 放肩表
这张表是一张内插（斜率）表，在设定长度的基础上调节加热器温度设定点、 晶升速度、坩埚转速、晶体转速、氩气流量和压力设定点。
图 12 放肩表的 SOP 组 详细说明见下页：
系统作业参数（SOP）操作手册
目录
第一章 简介
1.1
关于这本手册
1.2
常用文件
1.2.1 菜单命令
1.2.2 参数屏幕
目录
表
1.2.3 命令条
举例
第二章 SOP 内容
2.1 SOP 表
2.2 初始化设置
2.3 抽真空/检漏
2.4 压力化/熔料
2.5 熔料步骤
2.6 稳定化 I
2.7 稳定化/熔接
2.8 引晶
晶盛160单晶炉结构
晶盛160单晶炉结构
晶盛160单晶炉是一种应用于半导体材料生长过程中的设备。本文将对晶盛160单晶炉的结构进行详细介绍。
晶盛160单晶炉的结构主要包括炉体、加热装置、控制系统和气体供应系统。
炉体是晶盛160单晶炉的主要组成部分，它通常由高温材料制成，如石墨。炉体的内部有一个容纳材料生长的腔室，通常为圆柱形。腔室的上部有一个开口，用于放置生长介质和种子晶体。炉体的底部有一个出料口，用于取出生长的单晶材料。
加热装置是晶盛160单晶炉的关键组件之一。它通常由电热丝或电磁线圈组成，用于提供必要的热能以使生长介质熔化并促进单晶生长过程。加热装置可以通过外部的电源进行控制，以调节温度和热能输入量，从而实现对单晶生长过程的精确控制。
控制系统是晶盛160单晶炉的另一个重要部分。它通常由温度控制器、时间控制器和其他相关仪器组成。温度控制器用于监测和调节炉体内的温度，以确保生长过程中的温度稳定性。时间控制器用于设置和控制生长时间，以确保生长过程的持续性和一致性。其他相关仪器如压力传感器和流量计等，用于监测和调节生长过程中的气体供应和压力。
气体供应系统是晶盛160单晶炉中的重要组成部分。它通常包括气体源、气体流量控制器和气体分配装置。气体源提供所需的生长气体，如氩气、氧气和氮气等。气体流量控制器用于调节和控制气体的供应量，以确保生长过程中的气氛稳定。气体分配装置用于将气体分配到炉体内的适当位置，以实现均匀的气氛分布。
晶盛160单晶炉的结构主要包括炉体、加热装置、控制系统和气体供应系统。这些组成部分共同作用，实现对半导体材料生长过程的精确控制，从而获得高质量的单晶材料。
单晶炉具体操作步骤
1、目的
为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围
适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程
作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却
4、主要内容
A. 作业准备
a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘
刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料
的不锈钢小车，并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断
或碰坏，并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏
a. 检查上一炉功率关闭时间，在单晶冷却4.0小时（TDR-70A/B型单晶炉）、
5.0小时（JRDL-800型单晶炉）后，关闭氩气（只关闭氩气阀门，主、付
室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min），开始抽高真空，并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限（要求达到3Pa以下）后，先关闭主室球阀而后关
闭真空泵电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
晶盛单晶炉作业指导书
晶盛单晶炉作业指导书
晶盛单晶炉是一种高温熔炼设备，主要用于实验室、研究机构以及一些小规模生产场所进行单晶材料的制备。本作业指导书旨在为操作人员提供详细的操作步骤和注意事项，以确保安全可靠地操作晶盛单晶炉。
一、设备准备
1. 确保晶盛单晶炉设备完好无损，并检查电源是否正常。
2. 将晶盛炉设备放置在通风良好、防火安全的场所，并确保离其他设备和易燃物距离足够。
3. 准备好所需的单晶生长设备、单晶种子、熔化样品以及其他实验所需材料和工具。
二、操作步骤
1. 插入晶盛并连接电源。首先将晶盛轻轻插入炉内，并确保与电源连接牢固。注意避免触碰炉体，以免烫伤。
2. 打开电源开关，并调整炉体温度。根据实验需求设定炉温，并通过控制面板进行温度调节。
3. 温度上升阶段。将炉温缓慢升高，避免温差过大引起晶体结构异常。
4. 投入单晶种子并开始熔化。待炉温达到要求后，将单晶种子放置在炉内，观察熔化过程，确保样品均匀熔融。
5. 单晶生长阶段。根据所需单晶材料的要求，保持恒定的温度和熔融状态，稳定地进行单晶生长。
6. 单晶生长完成。待单晶生长完毕，将电源关闭，并等待炉温降至安全温度后，方可取出单晶。
三、注意事项
1. 操作前检查设备及电源连接是否正常，确保操作安全。
2. 晶盛单晶炉高温，操作人员应穿戴防热手套和保护眼镜，避免烫伤和灼伤。
3. 遵循操作规程，严格按照制定的温度曲线进行操作，避免过大的温差影响晶体质量。
4. 炉体外部温度高，禁止操作人员触碰，以免烫伤。
5. 单晶材料、单晶种子等操作材料应储存妥善，避免受潮或污染。
单晶炉 SOP系统作业参数说明书
生长控制 II 打开长度
生长环 II 控制时长度表示由降温到升温的长度 值
14
2.13 等径斜率表
这张表是一张内插（斜率）表，在晶体等径生长的相应的长度上调节下列数 值：
生长设定点、坩埚旋转速度、晶体旋转速度、氩气流量、压力设定点、直径 设定、SP CHG。
图 15 等径斜率表的 SOP 组
详细说明如下：
抽真空/检漏
自动进行抽气和用氩气进行清洗。生长过程中的
检漏步骤在抽真空之后关闭主真空阀，测量炉内
压力上升的速率来检测炉子的真空密封性能。
Pressurization/Meltdown 自动压力化步骤用来使炉子得到一个适合单晶
压力化/熔料
生长的特定压力。自动熔料过程使硅原料缓慢熔
化直到全熔。
Stablization I
图 11 放肩的 SOP 组
参数 加热器温度设定点减少值
说明
进入放肩阶段后立刻减少的加热器温 度设定点（sp）的数值
11
2.10 放肩表
这张表是一张内插（斜率）表，在设定长度的基础上调节加热器温度设定点、 晶升速度、坩埚转速、晶体转速、氩气流量和压力设定点。
图 12 放肩表的 SOP 组 详细说明见下页：
参数
说明
抽空到 1 托检测时 当在规定的时间内(单位是分钟)，主炉室压力不能达到 1
间
单晶硅生长炉
单晶硅生长炉
单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1、主机部分：●机架，双立柱●双层水冷式结构炉体●水冷式阀座●晶体提升及旋转机构●坩埚提升及旋转机构●氩气系统●真空系统及自动炉压检测控制●水冷系统及多种安全保障装置●留有二次加料口2、加热器电源：全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等功率器件。配以特效高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU独立控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。
3、计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI 人机界面、高像素CCD测径ADC系统和具有独立知识产权的“全自动CZ法晶体生长SCADA监控系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。
编辑本段原理简介
首先，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程就是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；最后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程就基本完成，进行一定的保温冷却后就可以取出。
单晶炉具体操作步骤
单晶炉具体操作步骤
单晶炉具体操作步骤
1、目的
为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围
适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程
作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却
4、主要内容
A. 作业准备
a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车，并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏，并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏
a. 检查上一炉功率关闭时间，在单晶冷却4.0小时（TDR-70A/B 型单晶炉）、5.0小时（JRDL-800型单晶炉）后，关闭氩气（只关闭氩气阀门，主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min），开始抽高真空，并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限（要求达到3Pa以下）后，先关闭主室球
阀而后关闭真空泵电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明
一、设备概述
晶盛单晶炉是用于单晶硅等材料的生长和烧结过程的设备。其主要由加热炉体、温度控制系统、气体输送系统、真空系统、气氛控制系统等组成。本操作说明介绍了晶盛单晶炉的详细操作流程和注意事项。
二、设备准备
1.检查炉体外部是否有异物，清理并保持干净。
2.检查气源和真空系统是否正常运行，并确保供气压力和真空度符合要求。
3.检查温度控制系统是否正常运行，并进行相关校准。
三、设备启动
1.打开电源开关，启动加热控制系统。
2.打开气源和真空系统的供气阀门，确保气源系统正常供气。
3.检查气源系统和真空系统的压力表，确保供气压力和真空度在正常范围内。
四、设备运行流程
1.温度设定：根据工艺要求，在温度控制系统中设定所需的生长温度，并等待炉体温度达到设定温度。
2.晶体装载：将待生长晶体装入炉体，注意避免晶体受损和污染。
3.载台装载：将装有晶体的载台装入炉体，并关闭炉门。
4.生长过程监控：根据生长过程的要求，监控温度、气氛、真空度等参数的变化，并及时调整。
5.结晶结束：根据工艺要求，将生长过程中的温度、气氛等参数依次调整，完成结晶过程，并进行冷却。
6.取出晶体：待冷却结束后，打开炉门，将晶体取出，并注意避免晶体受损。
7.关闭系统：关闭炉体、气源和真空系统，清理设备并保持干净。
五、注意事项
1.操作人员应具备相关技术知识和经验，按照操作规程进行操作。
2.在操作过程中，应注意安全，佩戴必要的个人防护装备。
3.操作前应检查设备的工作状态和参数，确保符合要求。
4.操作过程中如有异常或故障，应立即停止操作，并进行排查和维修。
晶盛单晶炉作业指导书
7.装完料将坩埚下降到可以安装导流筒位置， 7.装完料将坩埚下降到可以安装导流筒位置， 装完料将坩埚下降到可以安装导流筒位置 并确保不超过下限位， 并确保不超过下限位，防止短路 8.装入上保温罩、上盖板以及导流筒 8.装入上保温罩 装入上保温罩、 9.装导流筒时要戴上乳胶手套，以防止沾污 9.装导流筒时要戴上乳胶手套 装导流筒时要戴上乳胶手套， 原料及导流筒， 原料及导流筒，并且要避免导流筒撞上原 料块， 料块，装好后要检查料块与导流筒之间的 距离， 距离，是否影响转动坩埚 10.合上炉盖 检查籽晶、 10.合上炉盖。检查籽晶、重锤等是否安装 合上炉盖。 妥当，并用酒精小心擦拭干净。合上副室， 妥当，并用酒精小心擦拭干净。合上副室， 停稳籽晶， 停稳籽晶，打开翻板阀
装 料
1.用裁纸刀把原料包装袋划开 1.用裁纸刀把原料包装袋划开 2.首先选择小块（直径小于 20mm）的料铺 2.首先选择小块 首先选择小块（ 20mm） 放到埚底， 放到埚底，应尽量铺满坩埚底部 3.放入母合金 3.放入母合金 4.自然堆砌大块料、中块料，尽量用光滑面接 4.自然堆砌大块料 中块料， 自然堆砌大块料、 触坩埚壁， 触坩埚壁，不要把尖面对准坩埚壁 5.上部装成馒头状，原料不要接触到石英坩埚 5.上部装成馒头状 上部装成馒头状， 上沿、 上沿、导流筒 6.注意装料过程中防止把料洒进护底盘引起打 6.注意装料过程中防止把料洒进护底盘引起打 火
上虞晶盛单晶炉操作说明书
（3）水冷系统的维护保养a、每次加热前检查水流量是否充足，确保所有水路没有堵塞，水温传感器运行正常；b、出现水温或水量报警要查找原因及时处理。
（4）翻板阀的维护保养每次装炉前检查阀口密封圈是否完好，翻板阀操作是否轻松、无卡滞，底部挥发物是否打扫干净，如发现问题应及时排除。
（5）真空系统的维护保养a、经常检查泵油，上下腔油均应浸过小观察窗一半。如上泵腔油不够，应及时补新油；下泵腔油不够，需关闭球阀，打开左侧阀门，使上泵腔油下到下泵腔，然后关闭阀门。注意右侧阀门保持常开；b、每次大清，先彻底放尽泵腔内的废油（用手慢慢拉动传动皮带，盘出下泵腔内的废油），然后打开上泵腔，清除干净沉淀油污。最后换上新油；c、每次拆炉时，拆开真空管道所有盲板和波纹管，彻底清扫管内的粉尘。
（3）机械泵皮带必须安装防护罩；
（4）清洁机械泵和换油时，必须在泵的电源开关上悬挂警示牌，工作完毕后取走警示牌；
（5）洗泵时严禁将杂物掉入机械泵腔内，如将油洒到地面上要及时打扫干净。
拆装炉
（1）上班必须穿戴好劳保用品。拆装炉时，还需戴口罩、手套等防护用品；
（2）拆炉取晶体时，注意不要被烫伤，划伤、碰伤；
单晶炉具体操作步骤(精)
1、目的
为正确、规范地操作单晶炉,确保生产作业正常,特制订本规范。
2、适用范围
适用于 TDR-70A/B和 JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程
作业准备→ 热态检漏→ 取单晶和籽晶→ 石墨件取出冷却→ 真空过滤器清洗→ 真空泵油检查更换→ 石墨件清洗→ 单晶炉室清洗→ 石墨件安装→ 石英坩埚安装→ 硅料安装→ 籽晶安装→ 抽空、检漏→ 充氩气、升功率、熔料→ 引晶、缩颈、放肩、转肩→ 等径生长→ 收尾→ 降功率、停炉冷却
4、主要内容
A. 作业准备
a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前,按工艺要求检查水、电、气,确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车,并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍, 擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏,并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏
a. 检查上一炉功率关闭时间,在单晶冷却 4.0小时(TDR-70A/B型单晶炉、 5.0
小时(JRDL-800型单晶炉后,关闭氩气(只关闭氩气阀门,主、付室流量计调节阀打开并分别调节到 30L/Min,开始抽高真空,并作时间记录。 b. 待炉内压力到达极限(要求达到 3Pa 以下后,先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏,并作相应时间记录,若 0.5小时内抽不到 3Pa 以下时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。 c. 检漏要求 3分钟以上,漏气率 <0.34Pa/min为正常,同时作好漏气率记录, 若漏气率>0.34Pa/min时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
．
全自动软件界面操作手册
REV. HXSC_A1.HA03
（TDR-95A/100A/100B-ZJS适用）
2010年06月
杭州慧翔电液技术开发有限公司HangZhou HuiXiang Electro-Hydraulic Technology Development Co.Ltd
目录
介绍.............................. ........................... ...................... ........ ............................. .. (3)
炉体控制.............................. .......................................... ........ ............................. .. (4)
晶体、坩埚提升运动控制界面..................................... ........ ............................. .. (5)
晶体、坩埚旋转运动控制界面..................................... ........ ............................. .. (5)
坩埚自动定位界面............. .......................................... ........ ............................. .. (6)
加热功率控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (6)
磁场电流设置界面............. .......................................... ........ ............................. .. (7)
等径闭环界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (7)
热场温度控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (7)
温度闭环参数设置界面..... .......................................... ........ ............................. .. (8)
热场温升控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (8)
液面温度控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (8)
生长控制界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (9)
坩埚跟踪控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (9)
压力控制界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (10)
自动工艺选择..................... .......................................... ........ ............................. .. (10)
氩气、真空控制............. .......................................... ....... ..... ............................. .. (11)
曲线数据.............................. .......................................... ........ ............................. .. (12)
曲线数据选择............. .......................................... . (13)
工艺参数.............................. .......................................... ........ ............................. .. (14)
下载SOP说明............. .......................................... ........ ............................. (18)
辅助功能.............................. .......................................... ........ ............................. .. (19)
硅晶体重量长度计算........ . .......................................... ........ ............................. .. (19)
大气压力设定.................... . .......................................... ........ ............................. .. (20)
液面温度校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (20)
热场温度校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (21)
晶体、坩埚行程设置........ . .......................................... ........ ............................. .. (21)
晶体、坩埚位置设置........ . .......................................... ........ ............................. .. (22)
磁场零位校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (23)
日期时间校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (23)
系统参数.............................. .......................................... ........ ............................. .. (24)
注册.............................. . .......................................... ........ ............... ................... .. (24)