智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后章节测试满分答案
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案
1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√）
（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×）
（3）线性电路一定是模拟电路。（√）
（4）模拟电路一定是线性电路。（×）
（5）放大器一定是线性电路。（√）
（6）线性电路一定是放大器。（×）
（7）放大器是有源的线性网络。（√）
（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√）
（9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×）
（10）放大器的增益一定是大于1的。（×）
2 填空题：
（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带
模拟电子技术基础(山东联盟)智慧树知到答案章节测试2023年青岛科技大学
绪论单元测试
1.在时间上和幅值上连续变化的信号称为信号。
A:时间
B:幅值
C:模拟
D:数字
答案:C
2.数字信号在时间上和数值上均有连续性。
A:对
B:错
答案:B
3.将模拟信号转换为数字信号称为“数-模”转换。
A:错
B:对
答案:A
4.在电子系统中，常用的模电电路中的放大电路的作用是用于信号的额提取、
变换或抗干扰。
A:错
B:对
答案:A
5.模拟电子技术课程不具有工程性和实践性的特点，是只需要纯理论分析和计
算的课程。
A:错
B:对
答案:A
第一章测试
1.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
A:错
B:对
答案:A
2.PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A:变窄
B:无法确定
C:基本不变
D: 变宽
答案:A
3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A: ISeU
B:IS
C:ISeU/UT -1
D: ISeU/UT
答案:C
4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
A:对
B:错
答案:B
5.PN结又被称为空间电荷区，耗尽层。
A:错
B:对
答案:B
第二章测试
1.射极输出器是（）组态的放大电路。
A:共源
B:共基
C:共集
D:共射
答案:C
2.放大电路中的上限截止频率fH和下限截止频率fL决定于电容所在回路的时
间常数τ，通频带等于（）
A:fH-fL
B:fL
C:fH
D:fL-fH
答案:A
3.以下基本单管放大电路中，电压放大倍数小于1的是（）
A:共集电路
B:共基电路
C:共漏电路
D:共射电路
E:共源电路
答案:A
4.NPN型单管共射放大电路顶部出现了削波失真，该类型的失真称为（）。
A:交越失真
B:饱和失真
智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后章节测试满分答案
第一章测试
1
【判断题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3V
A.
对
B.
错
2
【判断题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0V
A.
对
B.
错
3
【单选题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）V
A.
3
B.
C.
1
D.
2
4
【单选题】(10分)
电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）V
A.
2.4
B.
2.3
C.
2.2
D.
2.1
5
【判断题】(10分)
稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好•
A.
对
B.
错
6
【判断题】(10分)
稳压管的正常工作区是反向区
A.
错
B.
对
7
【判断题】(10分)
二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化
A.
对
B.
错
8
【判断题】(10分)
扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
A.
对
B.
错
9
【判断题】(10分)
当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置
A.
对
B.
错
10
【判断题】(10分)
在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A.
错
B.
对
第二章测试
1
【单选题】(10分)
共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）
A.
3
B.
4
C.
2
D.
1
2
【判断题】(10分)
共集电极放大电路的输入电阻比较高
A.
对
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件
1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：
二极管正偏时，T
D U U S e
I I ≈ ， S
T D I I ln
U U ≈ 对于硅管：mV 6.179A
1mA
1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA
5.0mA
1ln mV 26U D =≈
1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。 （1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？
（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：
（1）mA 2.7e 10
1.0e
I I mA
26mA 65012
U U S T
D =⨯⨯=≈-
（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则
pA
107.72101.02)27(I )10(I pA
6.12101.02)27(I )67(I 3
7.31210
27
10S
S 41210
2767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=
T=300k(即27℃)，
300
26q K mA 26300q
K
q KT )27(U T ==⨯==即
则67℃时，
mA
7.716pA 107.7mA
2.7ln 8.22U ,C 10mA
7.655pA
6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV
8.22263300
26
)10(U mV 5.2934030026
智慧树答案电子技术基础Ⅰ(模拟部分)知到课后答案章节测试2022年
第一章
1.对PN结电击穿描述不正确的是（）。答案:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理
近似相同，都是在外加反向电压下实现的
2.2AP9表示的是（）。答案:18世纪30年代到18世纪末
3.对二极管模型的描述不正确的是（）。答案:二极管小信号模型中的等效电
阻值与二极管工作的Q点无关
4.如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（）。答案:0V
第二章
1.晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。答案:由于基区很薄，电子和空
穴在基区复合的概率较高
2.对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。答案:放大电路的
输出功率一般是瓦特级
3.对共基极放大电路特性描述不正确的是（）。答案:输入电阻小，对前一级
放大电路或信号源的带负载能力要求不高
4.对多级放大电路性能描述不正确的是（）。答案:多级放大电路的电压增益
等于各级放大电路电压增益分贝值之积
5.已知b = 100，RS= 1 kW，RB1= 62 kW，RB2= 20 kW, RC= 3 kW，RE = 1.5
kW，RL= 5.6 kW，VCC = 15 V。则静态工作点分别为：（）。答案:20μA，2mA,6V
第三章
1.测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压
为-1V，该管工作在（）。答案:饱和区
2.对N沟道增强型场效应管工作原理描述不正确的是（）。答案:当漏极和源
极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少
3.在使用MOSFET时，下列描述不正确的是（）。答案:由于FET的结构对
称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化4.如图所示耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 MW，RS = 2 kW，RD= 12 kW ，
2020年智慧树知道网课《模拟电子技术(山东联盟—中国石油大学(华东))》课后章节测试满分答案1
第一章测试
1
【单选题】(10分)
稳压二极管只有工作在()区才能够起稳定电压的作用。
A.
不确定
B.
反向击穿区
C.
正向导通区
D.
反向截止区
2
【单选题】(10分)
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为()。
A.
基极
B.
不确定
C.
集电极
D.
发射极
3
【判断题】(10分)
二极管两端加上正向电压就一定会导通。
A.
错
B.
对
4
【判断题】(10分)
PNP管放大电路中，UCC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。
A.
错
B.
对
5
【判断题】(10分)
如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管立刻被击穿。
A.
错
B.
对
6
【判断题】(10分)
晶体管工作在截止区的条件是发射结反偏，集电结反偏。
A.
错
B.
对
7
【判断题】(10分)
二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。
A.
对
B.
错
8
【判断题】(10分)
PN结具有电流放大作用。
A.
错
B.
对
9
【判断题】(10分)
截止状态的三极管，发射结、集电结均加反向偏置电压。
A.
对
B.
错
10
【判断题】(10分)
在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。
A.
对
B.
错
第二章测试
1
【单选题】(10分)
某多级放大电路由两个参数相同的单级放大电路组成，在组成它的单级放大电路的截止频率处，放大倍数下降了()dB 。
A.
B.
3
C.
6
D.
0.707
2
【单选题】(10分)
某电压放大电路输出端接500Ω负载电阻时输出电压为5V，接1.5kΩ负载电阻时输出电压为7.5V，该放大电路的输出电阻为()Ω。
A.
100
模拟电子技术实验—轻松开启模拟电子技术之门(山东联盟) 智慧树知到网课章节测试答案
1、选择题:信号的三要素是幅值、周期和初相位。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
2、选择题:以下仪器设备中，可用于提供输入信号的是选项：
A:函数信号发生器
B:DC信号源
C:示波器
D:交流毫伏表
答案: 【函数信号发生器,DC信号源】
3、选择题:总体来说，函数信号发生器的功能有
选项：
A:波形设置
B:频率设置
C:幅值设置
D:自检设置
答案: 【波形设置,频率设置,幅值设置】
4、选择题:以下是交流有效值的单位是
A:Vrms
B:mVpp
C:dBm
D:Vpp
答案: 【Vrms】
5、选择题:通常，示波器在使用前都需要进行自检。示波器GDS820C的自检信号波形是
选项：
A:1kHz1Vpp的方波信号
B:1kHz2Vpp的方波信号
C:1kHz1Vpp的正弦波信号
D:1kHz2Vpp的正弦波信号
答案: 【1kHz2Vpp的方波信号】
6、选择题:调整示波器垂直系统的POSITION旋钮时，改变的是坐标轴横轴的位置，观测的信号也会随之变化。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
7、选择题:若要使示波器观测的波形在垂直方向上压缩显示，则需要将VOLTS/DIV
A:调大
B:调小
C:右旋至底
D:左旋至底
答案: 【调大】
8、选择题:调整示波器水平系统的POSITION旋钮时，可以选项：
A:改变坐标轴纵轴的位置
B:改变坐标轴横轴的位置
C:改变波形的完整性
D:改变水平方向每格所代表的时间
答案: 【改变坐标轴横轴的位置】
9、选择题:若要使示波器观测的波形稳定显示，触发电平选项：
A:位于最大值和最小值之间
B:位于最大值上面
C:位于最大值上面位于最小值下面
2020年智慧树知道网课《模拟电子技术(山东联盟—中国石油大学(华东))》课后章节测试满分答案
第一章测试
1
【单选题】(10分)
稳压二极管只有工作在()区才能够起稳定电压的作用。
A.
不确定
B.
反向击穿区
C.
正向导通区
D.
反向截止区
2
【单选题】(10分)
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为()。
A.
基极
B.
不确定
C.
集电极
D.
发射极
3
【判断题】(10分)
二极管两端加上正向电压就一定会导通。
A.
错
B.
对
4
【判断题】(10分)
PNP管放大电路中，UCC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。
A.
错
B.
对
5
【判断题】(10分)
如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管立刻被击穿。
A.
错
B.
对
6
【判断题】(10分)
晶体管工作在截止区的条件是发射结反偏，集电结反偏。
A.
错
B.
对
7
【判断题】(10分)
二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。
A.
对
B.
错
8
【判断题】(10分)
PN结具有电流放大作用。
A.
错
B.
对
9
【判断题】(10分)
截止状态的三极管，发射结、集电结均加反向偏置电压。
A.
对
B.
错
10
【判断题】(10分)
在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。
A.
对
B.
错
第二章测试
1
【单选题】(10分)
某多级放大电路由两个参数相同的单级放大电路组成，在组成它的单级放大电路的截止频率处，放大倍数下降了()dB 。
A.
B.
3
C.
6
D.
0.707
2
【单选题】(10分)
某电压放大电路输出端接500Ω负载电阻时输出电压为5V，接1.5kΩ负载电阻时输出电压为7.5V，该放大电路的输出电阻为()Ω。
A.
100
模拟电子技术基础习题答案
止，uo= ui；当 ui<-3.7V 时，D1 截止，D2 导通，uo=-3.7V；ui 和 uo 的波形如解图 1.3.3 所
示。
1.3.4 电路如图 P1.3.4（a）所示，其输入电压 uI1 和 uI2 的波形如图（b）所示，二极管导通电 压 UD＝0.7V。试画出输出电压 uO 的波形，并标出幅值。
第 1 章习题及答案
1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体，加入元素可形成 P 型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大
B. 不变
2
图 P1.3.4
解：对输入电压 uI1 和 uI2 的进行分情况讨论，共有四种组合，分别进行讨论： （1）ui1=0.3V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受的正向电压 不足以导通，所以均截止。此时 uO=0V； （2）ui1=5V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1 承受正向电压导通，导 通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D2 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D2 承受反向 电压而截止，结果是 uO=4.3V； （3）ui1=0.3V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D2 承受正向电压导通，导 通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D1 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D1 承受反向 电压而截止，结果是 uO=4.3V； （4）ui1=5V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受相同的正向电压， 均处于导通状态，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V。 uO 的波形如解图 1.3.4 所示。
模拟电子技术(山东联盟)智慧树知到答案章节测试2023年潍坊学院
第一章测试
1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。（）
A:N型半导体
B:P型半导体
C:杂质半导体
D:本征半导体
答案:B
2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。
A:减小
B:增大
C:不变
D:无法确定
答案:A
3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将
（）。
A:增大
B:减小
C:无法确定
D:不变
答案:A
4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。
A:N沟道耗尽型
B:N沟道增强型
C:P沟道增强型
D:P沟道耗尽型
答案:A
5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。
A:N沟道耗尽型MOS管
B:结型场效应管
C:P沟道增强型MOS管
D:N沟道增强型MOS管
答案:AB
6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。
A:错
B:对
答案:B
7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。（）
A:对
B:错
答案:A
8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
A:错
B:对
答案:B
9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）
A:错
B:对
答案:A
10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。
A:发射结正偏，集电结也正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结反偏，集电结也反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案:B
第二章测试
1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。
A:对
B:错
答案:B
2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的
输出都毫无变化。
A:错
B:对
答案:A
3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；
A:错
模拟电子技术(山东联盟-山东华宇工学院)智慧树知到答案章节测试2023年
第一章测试
1.PN结的反向击穿中，（）是可逆的。
A:热击穿
B:电击穿
答案:A
2.在共射放大电路中，当（）时，称放大电路处于静态。
A:
B:
C:
答案:A
3.当晶体管工作在放大区时，PNP管各极电位关系为：uC（）uBuE；A.
＞ B.＜ C.＝
A:
B:
C:
答案:C
4.晶体管通过改变（）来控制集电极电流。
A:基极电流
B:发射极电流
C:基极电压
答案:A
5.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
A:错
B:对
答案:A
第二章测试
1.电路中各电流的交流成分是交流信号源提供的。（）
A:错
B:对
答案:A
2.在电子线路中，一般用输出电阻RO来衡量放大器的带负载能力，RO越小，
带负载能力越弱。
A:对
B:错
答案:B
3.已知某基本放大电路原来不存在非线性失真，但在增大集电极电阻Rc后出
现了失真，这个失真必定是（）。
A:交越
B:频率
D:截止
答案:C
4.计算放大电路的静态工作点时，必须按（）来考虑，计算电压放大倍数则
应按（）来考虑。
A:直流通路交流通路
B:交流通路交流通路
C:直流通路直流通路
D:交流通路直流通路
答案:A
5.图解法不适于分析单级放大器的哪一项指标？
A:非线性失真
B:输入电阻及输出电阻
C:电压放大倍数
D:静态工作点
答案:B
第三章测试
1.多级放大电路的放大倍数是？
A:各级电压放大倍数的商
B:各级电压放大倍数的叠加
C:各级电压放大倍数的差
D:各级电压放大倍数的乘积
答案:D
2.为实现阻抗匹配，多级放大电路宜采用光电耦合方式。
A:对
B:错
答案:B
3.阻容耦合电路各级静态工作点相互独立，计算方法同单管放大电路。
模拟电子技术 课后参考答案
3.4.3 电路如图题 3.4.3 所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的
ID 和vo = Vo =？(VD = 0.7 V)；(2)在室温(300K)情况下，利用二极管的
小信号模型求vo 的变化范围。
解：(1)由图可知，二极管始终处于导通状态，利用恒压降模型可得
流过二极管的电流
ID =
VDD − 2vD
= 0.6 + 1.2 V = 1.8 V
2.3.4 电流-电压转换器如图题 2.3.4 所示。设光探测试仪的输出电流
作为运放输入电流is ；信号内阻R s ≫ R i，试证明输出电压vo = −is R。
解：因为R s ≫ R i ，所以is = iI = i ，则
vo = −iR = −is R
(3) v t = 0.05sin(2 000πt) (V);
1.4.1 电压放大电路模型如图题 1.4.1(主教材图 1.4.2a)所示，设输出
开路电压增益 Avo =10。试分别计算下列条件下的源电压增益 Avs =v0/vs：
(1) Ri =10Rs , RL=10R0;
(2) Ri =Rs , RL=R0;
vi =
=
R1
−v n
R3
4V
5kΩ
× 6V = 2 V
vo = 4 V
=
=
6 −2 V
智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案
智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案
智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案
第一章
1、6.N型半导体中的多数载流子是（）。
A:自由电子
B:空穴
C:正离子
D:负离子
答案: 自由电子
2、4.场效应管的控制方式为（）。
A:输入电流控制输出电压
B:输入电压控制输出电流
C:输入电流控制输出电流
D:输入电压控制输出电压
答案: 输入电压控制输出电流
3、3.在放大电路中，若测得某晶体管的三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。
A:NPN硅管
B:PNP锗管
C:NPN锗管
D:PNP硅管
PNP硅管
PNP硅管
PNP
PNP硅管
PNP硅管
答案: NPN锗管
4、2.测得某工作在放大区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA;当Ib=40uA时，Ic=3mA;则该管的电流
放大系数β=( )。
A:60
B:75
C:80
D:100
答案: 60
5、1.稳压二极管稳压时，其工作在( ) 。
A:正向导通区
B:反向截止区
C:反向击穿区
D:放大区
答案: 反向击穿区
第二章
1、82.晶体管的控制方式为。
A: 输入电流控制输出电压
B: 输入电流控制输出电流
C:输入电压控制输出电压
D: 输入电压控制输出电流
答案: 输入电流控制输出电流
2、13.在共射、共集、共基三种放大电路中，（）。
A:都有电压放大作用
B:都有功率放大作用
C:都有电流放大作用
D:只有共射电路有功率放大作用
答案: 都有功率放大作用
3、12.共发射极放大电路中,输出电压uo与输入电压ui之间的关系是（）。A: 两者反相, 输出电压大于输入电压
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答
习题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题
1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ）
2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）
5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ）
6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ）
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ）
三．简答题
1、PN 结的伏安特性有何特点？
答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V
s D -⋅=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位
与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯23
模拟电子技术课后习题及答案
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第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ）
（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ）
（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U
B. T U U I e S
C.
)1e (S －T
U U I
（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应
为。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案
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第一章
1、电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。
A:对
B:错
答案: 对
2、电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.
A:对
B:错
答案: 错
3、第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
A:对
B:错
答案: 错
4、电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。
A:对
B:错
答案: 对
5、电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点
A:对
B:错
答案: 对
6、模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。
A:对
B:错
答案: 错
7、计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号
A:对
B:错
答案: 错
8、数字信号一般指时间和数值上都连续的信号
A:对
B:错
答案: 错
9、含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A:对
B:错
答案: 对
10、下列信号不属于模拟信号的是( )
A:0~5V的电压信号
B:20Hz~20kHz的音频信号
C:4~20mA的电流信号
D:灯的亮灭状态
答案: 灯的亮灭状态
第二章
1、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地
A:对
B:错
答案: 错
2、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系
A:对
B:错
答案: 对
3、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区
A:对
B:错
答案: 对
4、理想运算放大器的两个重要结论是
A:虚地与反相
B:虚短与虚地
C:虚短与虚断
D:短路和断路
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第一章测试
1
【判断题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3V
A.
对
B.
错
2
【判断题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0V
A.
对
B.
错
3
【单选题】(10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）V
A.
3
B.
C.
1
D.
2
4
【单选题】(10分)
电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）V
A.
2.4
B.
2.3
C.
2.2
D.
2.1
5
【判断题】(10分)
稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好•
A.
对
B.
错
6
【判断题】(10分)
稳压管的正常工作区是反向区
A.
错
B.
对
7
【判断题】(10分)
二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化
A.
对
B.
错
8
【判断题】(10分)
扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
A.
对
B.
错