专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案
专升本《集成电路版图设计》_试卷_答案
专升本《集成电路版图设计》一、（共75题,共150分）1. 单词“LAYOUT”的含义是:（）。
（2分）A.版图B.电路C.输出.标准答案：A2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为（）。
（2分）A.方块电阻B.电阻C.半导体电阻.标准答案：A3. 由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5～100）的区域。
对于发射区电阻可以忽略（）和电导调制效应。
（2分）A.电流调制B.电压调制C.电荷调制.标准答案：B4. 在模拟BiCMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入（）外延层内；（2分）A.P型B.N型C.P型或N型.标准答案：A5. 电容的标准单位是（）。
（2分）A.法拉B.伏特C.安培.标准答案：A6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。
（2分）A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案：C7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。
（2分）A.反比B.正比C.无关.标准答案：B8. 流过导体的电流会在导体周围产生（）。
（2分）A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案：B9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。
重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。
（2分）A.最大 B.最小 C.任意.标准答案：A10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。
（2分）A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案：C11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。
（2分）A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案：A12. 使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。
（2分）A.NB.PC.N或P.标准答案：A13. MOS晶体管是一种（）控制器件。
专升本电子试题题库及答案
专升本电子试题题库及答案一、选择题1. 在数字电路中，最基本的逻辑门是以下哪一个？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：C2. 以下哪个不是电子元件的分类？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 变压器答案：D3. 集成电路的英文缩写是？A. ICB. CPUC. RAMD. ROM答案：A4. 以下哪个是数字信号的特点？A. 连续性B. 离散性C. 模拟性D. 线性答案：B5. 在电子电路中，放大器的主要功能是什么？A. 改变信号的频率B. 改变信号的幅度C. 改变信号的相位D. 改变信号的极性答案：B二、填空题6. 一个完整的电子电路通常由电源、________、负载和________组成。
答案：信号源，控制元件7. 在模拟电路中，信号的传输方式是________。
答案：模拟信号8. 一个基本的放大电路通常由________、基极、集电极和发射极组成。
答案：晶体管9. 在数字电路中，逻辑门的输出状态取决于其________。
答案：输入状态10. 电子元件的连接方式主要有________和________两种。
答案：串联，并联三、简答题11. 解释什么是晶体管的饱和区，并说明其特点。
答案：晶体管的饱和区是指在晶体管的集电极电流最大，基极电流最小的情况下，晶体管进入的区域。
其特点是集电极-发射极电压（Vce）最小，集电极电流（Ic）最大，晶体管的放大作用消失。
12. 什么是数字信号？请简述其主要特点。
答案：数字信号是一种离散的信号，它由一系列离散的数值组成，通常用二进制数字0和1表示。
其主要特点包括离散性、数字化、易于存储和传输、抗干扰能力强等。
四、计算题13. 假设一个串联电路中，电阻R1=100Ω，R2=200Ω，电源电压U=12V，求电路中的总电阻和电流。
答案：总电阻R_total = R1 + R2 = 100Ω + 200Ω = 300Ω。
电流I = U / R_total = 12V / 300Ω = 0.04A。
CMOS模拟集成电路习题集1
目录例1：估算参数的求取_________________________________________________________2 例2：单级CS放大器的设计——————————————————————————6 例3：单级CS－CG放大器的设计———————————————————————12 例4：基本差分对（图4.1）设计————————————————————————16 例5：套筒式（Cascade）放大器的设计—————————————————————24 例6：基本无缓冲两级运放设计————————————————————————33 例7：高增益无缓冲运放设计—————————————————————————49 例8：高增益、高CMRR无缓冲运放设计———————————————————64例9：β乘法型参考电压源——————————————————————————91例1：估算参数的求取1．Kn 、Kp 的求取图1.1表1.1 思考题1.1：从表1.1中可以看出沟道调制效应系数λ是否为常数？为什么？.上试中：22ox n(p)D on DS onn(p)n(p)μC W W I =V (1+λV )=K V 2L L oxn(p)DS n(p)μC (1+λV K =)22．λn、λp的求取图1.2图1.3图1.4表1.2*比较上面求得的λn、λp与上学期所学教材中λ∝1/L的差异。
MOSFET的简化版图如图1.5所示，其中L1表示MOS管源漏区接触孔与多晶硅之间的最小距离，L2表示接触孔的最小尺寸，L3表示接触孔与源漏区边缘间的最小距离。
寄生电容可按表1.3估算：图1.5表1.3 MOS管寄生电容的计算公式MOSFET的寄生电容C GS C GD C DB（C SB）饱和区C GSO W eff +0.67 C OX W eff L eff C GDO W eff WE C j +2(W+E) C jsw 表1.3中E＝L1 + L2 + L3 , L1、L2、L3这些规则尺寸可以很容易在技术资料上找到（对于“懒惰”的工程师们而言，一个也许更高效的办法是从晶元厂提供的版图库中直接通过测量获得）。
(完整版)专升本《数字电路与逻辑设计》考试答案
[试题分类]:专升本《数字电路与逻辑设计》_08007750[题型]:单选[分数]:21.二进制数-0110的反码是（最高位是符号位）（ ）A.11010B.00110C.11001D.10110答案:C2.如果状态A 与B ，C 与D 分别构成等效对，那么能构成状态等效类的是（）A. ABCB.BCDC.ABD.ABCD答案:C3.移位寄存器74194工作在左移串行输入方式时， S1 S0的取值为( )A.00B.11C.01D.10答案:D4.三变量构成的逻辑函数的最小项m1和最小项m7一定满足 ( )A.B.C.D.答案:C5.十进制数12.75用二进制表示应为:（ ） 17m 1m +=71m m =0m 71=•m 71m m =A.1100.01B. 1100.11C.1010.10D.1010.011答案:B6.8421 BCD 码01010001.0101对应的二进制数为 ( )A.100100.01B.101110.01C.110011.10D.110110.10答案:C7.下图为OC 门组成的线与电路其输出F 为( ) A.B.0C.1D.答案:C8.要求RS 触发器（R 、S 均为高电平有效）状态由0 →1，其输入信号为（）。
A.RS=01B.RS=10C.RS=d1D.RS=d0答案:A9.逻辑函数等于（ ）A.1B.B B A •B )(B A A F ⊕⊕=C.0D.答案:B10.函数，则其反函数( )A.B.C.D.答案:D11.JK 触发器的J ＝K ＝1, 当触发信号到来时，输出次态Qn+1为:() A.与现态相反B.0C.1D.不变答案:A12.逻辑函数F(A,B,C) = AB ＋BC+AC 的标准表达式是( )A.∑m(0,1,2,4)B.∏m(1,3,5,7)C.∑M(0,2,4,6)D.∑m(3,5,6,7)答案:D13.四个变量可以构成多少个最小项？（ ）A.15个B.16个C.8个D.4个答案:BB F(X Y Z)m(467)=∑,,，，F(X Y Z)=,,m(0,2,6)∑m(467)∑，，m(0,4,5,6)∑m(0,1,2,3,5)∑14.电源电压为+12V 的555集成定时器中放电三极管工作在截止状态，输出端OUT 为1时，其TH 和TR 的输入电压值分别为 ( )A.TH 和TR 均小于B.TH 和TR 均大于C.，D.，答案:C15.设计—个1位十进制计数器至少需要多少个触发器？() A.6个B.3个C.10个D.4个答案:D16.T 型触发器当时钟脉冲输入时，其输出状态（ ）A.保持不变B.在T=1时会发生改变C.随时间改变D.等于输入端T 的值答案:B17.无符号位的十六进制数减法(A9)l6-(8A)16= （ ）A.(19)16B.(1F)l6C.(29)16D.(25)16答案:B18.十进制数15用2421 BCD 码可以表示为（ ）。
江苏专升本电子试题及答案
江苏专升本电子试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 电子学中，电流的方向是：A. 从正极流向负极B. 从负极流向正极C. 同时从正负极流出D. 无固定方向答案：A2. 以下哪个不是基本的电子元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 变压器答案：D3. 半导体材料的导电性介于：A. 绝缘体和导体之间B. 绝缘体和超导体之间C. 导体和超导体之间D. 绝缘体和半导体之间答案：A4. 以下哪个是二极管的特性？A. 单向导电性B. 双向导电性C. 无方向性D. 可逆导电性答案：A5. 三极管的三个主要极是：A. 发射极、基极、集电极B. 正极、负极、基极C. 基极、发射极、集电极D. 集电极、发射极、基极答案：A6. 以下哪个不是数字电路的特点？A. 逻辑性B. 运算速度快C. 抗干扰能力强D. 可编程性答案：D7. 集成电路的英文缩写是：A. ICB. CPUC. RAMD. ROM答案：A8. 以下哪个是模拟信号的特点？A. 数字化B. 离散性C. 连续性D. 可编程性答案：C9. 在电子电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 滤除噪声C. 转换信号D. 存储能量答案：B10. 以下哪个是电子设备中的电源电路？A. 稳压电路B. 放大电路C. 振荡电路D. 逻辑电路答案：A二、填空题（每空2分，共20分）1. 电子学中，电压是电场力作用下，单位电荷移动时所做的________。
答案：功2. 电阻的单位是________，用符号________表示。
答案：欧姆，Ω3. 电容的主要功能是________和________。
答案：储存能量，滤波4. 晶体管的放大作用是通过控制________极电流来实现的。
答案：基5. 数字信号是由________和________两种状态组成的。
答案：高电平，低电平6. 集成电路按功能可以分为________、________和________。
答案：数字集成电路，模拟集成电路，混合集成电路7. 电子电路中，滤波器的作用是滤除________，保留________。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共61题,共150分）1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
此时耗尽层 ( )。
（2分）A.大于变宽。
B.小于变窄。
C.等于不变。
D.大于变窄。
标准答案：D2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。
因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（）。
（2分）A.多子少子大。
B.多子两种载流子小。
C.少子多子小。
D.多子多子差不多。
标准答案：B3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（）。
（2分）A.交流信号不能输入。
B.没有交流信号输出。
C.没有合适的静态工作点。
D.发射结和集电结的偏置不正确。
标准答案：B4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（）的方式实现。
（2分）A.高通滤波器B.带阻滤波器C.带通滤波器D.低通滤波器标准答案：D5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。
（2分）A.由两种不同材料的硅和锗制成。
B.掺入的杂质元素不同。
区和N区的位置不同。
D.载流子的浓度不同。
标准答案：C6. 某NPN型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据（）（2分）=，U2=， U3=12V。
=3V，U2=， U3=12V。
=6V，U2=，U3=12V。
=6V，U2=，U3=12V。
标准答案：A7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为，则输出电压为：（）。
（2分）标准答案：D8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：（）。
（2分）A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b。
B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b。
C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b。
D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b。
标准答案：A9. 下列电路中能正常放大的是：( )。
专升本电子试题及答案解析
专升本电子试题及答案解析一、选择题1. 在数字电路中，以下哪个选项不是基本逻辑门？A. 与门（AND）B. 或门（OR）C. 非门（NOT）D. 加法器（Adder）答案：D解析：基本逻辑门包括与门（AND）、或门（OR）、非门（NOT）、异或门（XOR）等，而加法器属于更复杂的组合逻辑电路。
2. 下列哪个不是数字信号的特点？A. 离散的幅度B. 连续的时间C. 离散的频率D. 离散的相位答案：B解析：数字信号的特点是幅度、时间、频率和相位都是离散的，而模拟信号具有连续的时间特性。
3. 在电子电路中，晶体管通常用于实现以下哪个功能？A. 放大信号B. 存储数据C. 转换能量D. 传输信号答案：A解析：晶体管常用于放大信号，它可以通过控制基极电流来调节集电极电流，实现信号的放大。
二、填空题4. 一个完整的数字电路系统包括输入设备、________、输出设备。
答案：处理器解析：数字电路系统通常由输入设备、处理器和输出设备组成，其中处理器负责处理输入的信号。
5. 在模拟电路中，________是用来测量电压大小的仪器。
答案：万用表解析：万用表是一种多功能的测量工具，可以用来测量电压、电流、电阻等。
三、简答题6. 解释什么是数字信号和模拟信号的区别？答案：数字信号是由一系列离散的数值组成的信号，它在时间和幅度上都是离散的，通常用二进制（0和1）表示。
模拟信号则是连续变化的信号，它在时间和幅度上都是连续的，可以表示为一个连续的波形。
7. 简述晶体管的工作原理。
答案：晶体管是一种半导体器件，通常由两个PN结组成，分为NPN 和PNP两种类型。
晶体管的工作原理是通过控制基极电流来调节集电极和发射极之间的电流，实现信号的放大。
四、计算题8. 假设有一个与门电路，输入A为高电平，输入B为低电平，计算输出C的电平状态。
答案：输出C为低电平。
解析：与门电路的输出只有在所有输入都为高电平时才为高电平，否则输出为低电平。
《模拟集成电路设计原理》期末考试试卷及答案
《软件工程基础训练》实训报告在倒入酒的方法中，首先判断当前酒量是否已经达到酒杯的容量。
如果是，则提示酒杯已满；如果不是，则将倒入的酒量加到当前酒量上。
实现一个方法，用于从酒杯中倒出酒。
该方法接受一个参数，表示要倒出的酒量。
在倒出酒的方法中，首先判断当前酒量是否大于等于要倒出的酒量。
如果是，则将当前酒量减去要倒出的酒量；如果不是，则提示酒量不足。
实现一个方法，用于获取当前酒量。
在获取酒量的方法中，直接返回当前酒量的值。
2.1.3程序流程图图 12.1.4设计代码package wmx;import java.io.BufferedReader;import java.io.IOException;import java.io.InputStreamReader;import java.util.StringTokenizer;public class Main1 {}}}}2.1.5代码运行截图图 22.2第二阶段2.2.1需求分析明确问题定义：首先需要明确问题的背景和涉及的实体，例如旅行者、手电筒、桥等。
同时，需要确定问题的目标，即如何让所有人尽快过桥。
确定约束条件：根据问题的描述，我们知道有一些约束条件，例如每个人过桥的速度不同，手电筒不能扔掉，只能两个人同时过桥等。
这些约束条件将影响解决方案的设计。
分析时间需求：由于目标是尽快让所有人过桥，因此需要分析每个人过桥所需的时间。
这将影响如何分配手电筒和如何安排过桥的顺序。
制定策略：基于上述分析，需要制定一个有效的策略来最大化过桥的速度。
这可能涉及到如何分配手电筒，如何安排过桥的顺序，以及如何返回等。
评估和优化：最后，需要对所制定的策略进行评估和优化。
这可能涉及到对策略的模拟、测试和比较，以便找到最优的解决方案。
2.2.2设计思路这是一个经典的过桥问题，通常称为“蒙提霍尔问题”。
在这个问题中，目标是让所有人尽快过桥。
根据题目的条件，每个人单独过桥的时间是已知的，但是两个人一起过桥的时间是较慢的那个人所需的时间。
专升本电子试题及答案
专升本电子试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，最基本的逻辑门是：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：C2. 以下哪个不是半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铁D. 砷化镓答案：C3. 以下哪个是数字信号的特点？A. 连续性B. 离散性C. 线性D. 非线性答案：B4. 模拟信号与数字信号的主要区别在于：A. 频率不同C. 时间上是否连续D. 相位不同答案：C5. 在电子电路中，晶体管通常用于：A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案：A6. 集成电路的基本元件是：A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：C7. 以下哪个是数字信号的优点？A. 抗干扰能力强B. 传输距离远C. 传输速度快D. 所有以上答案：D8. 以下哪个是电子电路中的反馈类型？B. 负反馈C. 无反馈D. 所有以上答案：D9. 在电子电路中，稳压二极管主要用于：A. 整流B. 稳压C. 放大D. 滤波答案：B10. 以下哪个不是电子元件的参数？A. 电压B. 电流C. 电阻D. 频率答案：D二、填空题（每空2分，共20分）1. 电子电路中的放大器可以分为________和________。
答案：线性放大器，非线性放大器2. 模拟信号的特点是时间上________，而数字信号的特点是时间上________。
答案：连续，离散3. 集成电路的英文缩写是________。
答案：IC4. 在电子电路中，________是用来控制电流流动的组件。
答案：晶体管5. 电子电路中的________元件可以存储电荷。
答案：电容6. 电子电路中的________元件可以改变电流的方向。
答案：二极管7. 电子电路中的________元件可以存储能量。
答案：电感8. 电子电路中的________元件可以稳定电压。
答案：稳压二极管9. 在电子电路中，________是用来测量电流大小的组件。
答案：电流表10. 在电子电路中，________是用来测量电压大小的组件。
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）.标准答案：B2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
模拟cmos集成电路设计课后答案中文
模拟cmos集成电路设计课后答案中文【篇一：北邮模拟cmos集成电路设计实验报告】=txt>姓名学院专业班级学号班内序号实验一:共源级放大器性能分析一、实验目的1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法；2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真；3、输入共源级放大器电路并对其进行dc、ac分析，绘制曲线；4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响二、实验要求1、启动synopsys，建立库及cellview文件。
2、输入共源级放大器电路图。
3、设置仿真环境。
4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。
三、实验结果1、电路图2、仿真图四、实验结果分析器件参数：nmos管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pf，rd=10k。
实验结果：输入交流电源电压为1v，所得增益为12db。
由仿真结果有：gm=496u，r=10k，所以增益av=496*10/1000=4.96=13.91 db实验二:差分放大器设计一、实验目的1.掌握差分放大器的设计方法；2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。
二、实验要求1.确定放大电路；2.确定静态工作点q；3.确定电路其他参数。
4.电压放大倍数大于20db，尽量增大gbw，设计差分放大器；5.对所设计电路进行设计、调试；6.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。
三、实验结果随着r的增加，增益也增加。
但从仿真特性曲线我们可以知道，这会限制带宽的特性，w/l增大时，带宽会下降。
为保证带宽，选取w/l=30，r=30k的情况下的数值，保证了带宽，可以符合系统的功能特性，实验结果见下图。
1.电路图【篇二：集成电路设计王志功习题答案1-5章】划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-ssi-msi-lsi-vlsi-ulsi-gsi-soc。
集成电路CMOS试题库
一、选择题Moore 在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。
（B ）2.MOS 管的小信号输出电阻是由MOS 管的效应产生的。
（C ）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通3.在CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让MOS 管工作在区。
（D ）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区管一旦出现现象，此时的MOS 管将进入饱和区。
（A ）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽5.表征了MOS 器件的灵敏度。
（C ）A.o rB.b m gC.m gD.ox n c u6.Cascode 放大器中两个相同的NMOS 管具有不相同的。
（B ）A.o rB.b m gC.m gD.ox n c u7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。
（C ）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS 不匹配D.电路制造中的误差8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。
（ C ）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器 负载Casocde 差分放大器9.镜像电流源一般要求相同的。
（ D ）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L10. NMOS 管的导电沟道中依靠导电。
（ ）A.电子B.空穴C.正电荷 D.负电荷11.下列结构中密勒效应最大的是。
（A ）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器12.在NMOS 中，若0V sb >会使阈值电。
（A ）A.增大B.不变C.减小 D.可大可小13. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。
（C ）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅 D.输入电阻14. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。
（A ）A.增益B.电压净空C.输出摆幅 D.输入偏置15. 下图中，其中电压放大器的增益为-A ，假定该放大器为理想放大器。
专升本《集成电路与数字系统设计工程》_试卷_答案
专升本《集成电路与数字系统设计工程》一、（共59题,共150分）1. 关于PROM和PLA的结构，下列叙述不正确的是（）（2分）A.PROM的与阵列固定不可编程B.PROM的或阵列可编程C.PLA的与、或阵列均可编程D.PROM的与、或阵列均不可编程.标准答案：D2. 一个多输入与非门，输出为0的条件是（）（2分）A.只要有一个输入为1，其余输入无关B.只要有一个输入为0，其余输入无关C.全部输入均为1D.全部输入均为0.标准答案：C3. 下列四种类型的逻辑门中，可以用（）实现三种基本运算买的商品数。
（2分）A.与门B.与非门C.或门D.非门.标准答案：B4. 设计一个四位二进制码的奇偶位发生器（假定采用偶检验码），需要（）个异或门。
（2分）A.2B.3C.4D.5.标准答案：B5. 寻址容量为的RAM需要（）根地址线。
（2分）A.4B.8C.14D.16.标准答案：C6. 对于如图所示波形,其反映的逻辑关系是（）。
（2分）A.与关系B.异或关系C.同或关系D.无法判断.标准答案：7. 已知逻辑表达式，与它功能相等的函数表达式（）（2分）A.F=ABB.F=AB+CC.D..标准答案：B 8. 一只四输入端与非门，使其输出为1的输入变量取值组合有（）种。
（2分）A.15B.8C.7D.1.标准答案：A9. 时序电路输出状态（）。
（2分）A.仅与该时刻输入信号的状态有关B.仅与时序电路的原状态有关C.与A、B皆有关D.与A、B、C皆有关.标准答案：D10. 对于标准的1P2M CMOS工艺，不能实现的器件是（）。
（2分）A.PMOSB.纵向BJTC.PIP电容D.NMOS.标准答案：C11. 下列公式中哪一个是错误的？（）。
（2分）A.0+A=A??B.A+A=A?C.?????D.A+BC=(A+B)(A+C).标准答案：C12. 如果将异或门当作反相器使用，各输入端应如何连接？（）（2分）A.异或门的一个输入端当作反相器的输入端，另一个输入端都接高电平B.异或门的一个输入端当作反相器的输入端，另一个输入端都接低电平C.异或门的一个输入端当作反相器的输出端，另一个输入端都接高电平D.异或门的一个输入端当作反相器的输出端，另一个输入端都接低电平.标准答案：A13. 数字系统中，采用（）可以将减法运算转化为加法运算。
专升本-自考本科期末考试《模拟电子技术》试卷【附答案】
区时 bCII。
3、场效应管可分为
型场效应管和结型场效应管两种类型。
4、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的
视为开路，
。
得分 评卷人
三、简答题。（本题共 2 题，每题 12 分，共 24 分。） 1、在图 P3.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD＝1.5V，正向电流在 5～15mA 时才 能正常工作。试问： （1）开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取 值范围是多少？
A.超过死区电压时才能导通 B.超过 0.7V 才导通
C.一定导通
7.正弦波振荡电路如图所示，若能稳定振荡，则
必须等于（ ）。
A.1
B.2
C.3
8.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路( )能力。
A.放大差模抑制共模
B.输入电阻高
C.输出电阻低
9.当温度升高时，半导体的导电能力将（ ）。
入电压;( )
A.true
B.false
3.
A.I
B.I
C.I
4.正弦波振荡器如图所示，为了获得频率可调的输出电压，则应该调节的电阻是
( )。
A.R
B.R
C.R
5.在 OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为 1W，则电路中功放管的集电极最大功耗
约为（ ）。
A.1W
B.0.5W
C.0.2W
6.二极管两端加上正向电压时（ ）。
2、
：
A.选频环节
B.正反馈环节
C.基本放大电路环节
13.稳压管反向击穿后，其后果为（ ）。
A.永久性损坏 B.只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
专升本电子试题及答案大全
专升本电子试题及答案大全一、选择题1. 在数字电路中，最基本的逻辑关系有哪几种？A. 与、或、非B. 与、异或、同或C. 与、或、异或D. 非、异或、同或答案：A2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可重复性C. 随时间变化D. 可模拟自然界的物理量答案：B3. 在集成电路设计中，以下哪个不是主要的制造工艺？A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 焊接答案：D4. 下列哪个是数字信号的优点？A. 抗干扰能力强B. 传输距离长C. 易于存储D. 所有以上答案：D5. 在电子电路中，晶体管的主要作用是什么？A. 放大B. 整流C. 滤波D. 稳压答案：A二、填空题1. 电子电路中的______元件可以用于放大信号。
答案：晶体管2. 数字信号的优点包括______、______和______。
答案：抗干扰能力强、易于存储、便于处理3. 在数字电路中，逻辑门的基本类型有______、______、______和______。
答案：与门、或门、非门、异或门4. 模拟信号与数字信号的主要区别在于模拟信号是______的，而数字信号是______的。
答案：连续、离散5. 集成电路的制造工艺主要包括______、______、______和______。
答案：光刻、蚀刻、扩散、离子注入三、简答题1. 简述数字电路与模拟电路的主要区别。
答案：数字电路处理的是离散的信号，其电压水平通常只有高和低两种状态，而模拟电路处理的是连续变化的信号，其电压水平可以在任意范围内变化。
数字电路具有更强的抗干扰能力，易于存储和处理，而模拟电路则更接近自然信号，易于模拟自然界的物理量。
2. 解释什么是逻辑门，并举例说明其应用。
答案：逻辑门是数字电路中的基本构建块，它接收一个或多个二进制输入信号，并产生一个二进制输出信号。
逻辑门的类型包括与门、或门、非门、异或门等。
例如，与门（AND）只有在所有输入都为高电平时，输出才为高电平；或门（OR）只要有一个输入为高电平，输出就为高电平。
(完整版)专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
.标准答案：B
and 54. 工作在（）区的 MOS 管，可以被看作为电流源。 （2 分） e A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和
.标准答案：D
tim 55. 工作在（）区的 MOS 管，其跨导是恒定值。 （2 分） t a A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 a .标准答案：D
59. NMOS 管的导电沟道中依靠（）导电。 （2 分） A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案：A
60. 当 MOS 管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。
A B C D （2 分） A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案：C
61. MOS 管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流 的能力。 （2 分） A.跨导 B.受控电流源 C.跨阻 D.小信号增益 .标准答案：A
A.电阻负载
B.二极管连接负载
C.电流源负载
D.二极管和电流源并联负载
.标准答案：C
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。 （2 分）
A.电路设计
B.版图设计
C.规格定义
D.电路结构选择
.标准答案：B
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优势。
（2 分）
19. NMOS 管中，如果 VB 变得更负，则耗尽层（）。 （2 分） A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案：C
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（） （2 分）
A.不断提高 B.不变 .标准答案：D
C.可大可小 D.不断降低
21. MOS 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2 分） A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻 .标准答案：C
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、 （共 题 共 分） 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是☎ ✆。
（ 分）✌电阻阻值有误差 晶体管参数的分散性晶体管参数受温度影响 晶体管结电容不确定性标准答案： 稳压二极管的有效工作区是☎ ✆。
（ 分）✌正向导通区 反向击穿区 反向截止区 死区标准答案： 如果在 ☠型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为☎ ✆。
（ 分）✌放大状态 微导通状态 截止状态 饱和状态标准答案： 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是☎ ✆。
（ 分）✌便于设计 放大交流信号不易制作大容量电容 不易制作大阻值的电阻标准答案： 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的☎ ✆。
（ 分）✌抑制共模信号能力增强 差模放大倍数数值增大差模输入电阻增大 差模输出电阻增大标准答案：✌ 半导体中 ☠结的形成主要是由于（）生产的。
（ 分）✌☠区自由电子向 区的扩散运动☠区自由电子向 区的漂移运动区自由电子向☠区的扩散运动区自由电子向☠区的漂移运动标准答案：✌ 理想的功率放大电路应工作于☎ ✆状态。
（ 分）✌甲类互补 乙类互补 甲乙类互补 丙类互补标准答案： ☠☠共射电路的✈点设置在接近于☎ ✆处将产生顶部失真。
（ 分）✌截止区 饱和区 击穿区 放大区标准答案：✌ 当有用信号的频率介于 ☟与 ☟之间时，应采用的最佳滤波电路是☎ ✆。
（ 分）✌低通 高通 带通带阻标准答案： 差动放大电路的特点是抑制☎ ✆信号，放大☎ ✆信号。
（ 分）✌共模 共模 共模 差模差模 差模 差模 共模标准答案： 利用两只☠☠型管构成的复合管只能等效为☠☠型管。
（ 分） ☎ ✆标准答案：正确 未加外部电压时， ☠结中电流从 区流向☠区。
CMOS模拟集成电路设计习题参考答案Chap11
答案：
（1）刚开始时 M5、M6 都截止，VX、VY 逐渐增大。随着 VY 增大到 VTH6，M6 导通。VX 也增大到 VTH5 使 M5 导通。这样 VDD 经 M3、M5 到地就构成通路，使其余电路都导通。 （2）随着 VY 进一步增大，IDS6 不断增大，就有可能使 VX=VDD‐IDS6(Ra+Rb)<VTH5,这样 M5 就 截止。 （3）电路工作后，要使 M5 截止，要满足 VX=VDD‐IDS6(Ra+Rb)<VTH5。 5、 11.12
ห้องสมุดไป่ตู้
I CB 9 I V ln 8 , VT ln CB 8 R3 T IS 8I S R3
R1 ln 8 R3
（3）C1 可以保证输出电压更加稳定。C2:位于两级放大器级间，进行频率补偿，使反馈网 络稳定工作。 （4）M120、 M12、 R6 构成的电路和 M9、 C1 对整个电路起启动作用， 启动后通过它 （M120、 M12、R6 构成的电路）的电流很小，对电路工作状态影响小。 启动过程：开始时，VREF 为零 M7、M11 截止，VB 为高电位，M5 也截止。M120、M12、 R6 构成的电路将 M9 栅极电位拉低，M9 导通给 C1 充电，使 VREF 缓慢（C1=30p 很大）升高。 M7、M11 先后导通，拉低 VB 也使 M5 导通。经过电路的反馈自动调节，电路正常工作。 4、 11.2
。
答案： 图中的基准电路的平衡点由下式决定： | V BE1 | I OUT R1 ，而 V BE1 VT ln
I IN 。输 IS nI OUT 。 IS
出电流 I OUT 与 I IN 的关系与管子尺寸有关，设 nI OUT I IN ，则 I OUT R1 VT ln 由此可以看出输出电流 I OUT 不是电源电压 VDD 的函数，故对 VDD 不敏感。
1+X集成电路理论模拟试题+参考答案
1+X集成电路理论模拟试题+参考答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.晶圆烘烤时长一般为( )分钟。
A、1B、5C、10D、20正确答案：B答案解析：晶圆烘烤长一般为5分钟。
烘烤时间太长会导致墨点开裂，时间太短可能会使墨点不足以抵抗后续封装工艺中的液体冲刷，导致墨点消失。
2.低压化学气相淀积的英文缩写是（）。
A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正确答案：C答案解析：APCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。
3.一般来说，( )封装形式会采用转塔式分选机进行测试。
A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正确答案：A答案解析：一般来说，LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试，DIP/SOP 会采用重力式分选机进行测试，QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。
4.在一个花篮中有片号10/15/20/25的晶圆，其中片号为15的晶圆需放在花篮编号为( )的沟槽内。
A、10B、15C、20D、25正确答案：B答案解析：导片时需保证晶圆片号与花篮编号一致。
因此，片号为15的晶圆需放置在花篮编号为15的沟槽内。
5.塑封一般采用（）为塑封料。
A、热塑性塑料B、人工催化塑料C、热固性塑料D、芳烃类塑料E、结晶性塑料正确答案：C6.以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操作是( )。
A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭D、合上承重台上的盖子正确答案：A答案解析：以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮，将花篮固定在承重台上。
7.料盘打包时,要在料盘的()个地方进行打包。
A、1B、2C、3D、4正确答案：C答案解析：料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》
一、（共75题,共150分）
1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）
A.12
B.18
C.20
D.24
.标准答案：B
2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）
A.体
B.衬偏
C.沟长调制
D.亚阈值导通
.标准答案：C
3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）
A.亚阈值区
B.深三极管区
C.三极管区
D.饱和区
.标准答案：D
4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）
A.夹断
B.反型
C.导电
D.耗尽
.标准答案：A
5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：C
6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：B
7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）
A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值
B.负载不匹配
C.输入MOS不匹配
D.电路制造中的误差
.标准答案：C
8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）
A.二极管负载差分放大器
B.电流源负载差分放大器
C.有源电流镜差分放大器
D.Cascode负载Casocde差分放大器
.标准答案：C
9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）
A.制造工艺
B.器件宽长比
C.器件宽度W
D.器件长度L
.标准答案：D
10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应
取为（）。
（2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：A
11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）
A.共源级放大器
B.源级跟随器
C.共栅级放大器
D.共源共栅级放大器
.标准答案：A
12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该
电路的等效输入电阻为（）。
（2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：A
13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
（2分）
A.DC
B.AC
C.OP
D.IC
.标准答案：C
14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。
（2分）
A.电路设计
B.版图设计
C.规格定义
D.电路结构选择
.标准答案：C
15. （）可提高图中放大器的增益。
（2分）
A.减小，减小
B.增大，增大
C.增大，减小
D.减小，增大
.标准答案：A
16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。
（2分）
A.增益
B.输出电阻
C.输出摆幅
D.输入电阻
.标准答案：C
17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。
（2分）
A.增益
B.电压净空
C.输出摆幅
D.输入偏置
.标准答案：A
18. 在NMOS 中，若会使阈值电压（）（2分）
A.增大
B.不变
C.减小
D.可大可小
.标准答案：A
19. NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。
（2分）
A.不变
B.变得更窄
C.变得更宽
D.几乎不变
.标准答案：C
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（）（2分）
A.不断提高
B.不变
C.可大可小
D.不断降低
.标准答案：D
21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。
（2分）
A.电导
B.电阻
C.跨导
D.跨阻
.标准答案：C
22. 工作在饱和区的MOS管，能够被看作是一个（）。
（2分）
A.恒压源
B.电压控制电流源
C.恒流源
D.电流控制电压源
.标准答案：B
23. 密勒效应最明显的放大器是（）。
（2分）
A.共源极放大器
B.源极跟随器
C.共栅极放大器
D.共基极放大器
.标准答案：A
24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。
（2分）
A.电阻负载
B.二极管连接负载
C.电流源负载
D.二极管和电流源并联负载 .标准答案：C
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。
（2分）
A.电路设计
B.版图设计
C.规格定义
D.电路结构选择 .标准答案：B
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC 在功耗方面具有最大的优势。
（2分）
A.MOS
B.CMOS
C.Bipolar
D.BiCMOS .标准答案：B
27. MOS 器件小信号模型中的mb g 是由MOS 管的（）效应引起。
（2分） A.二级 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：B
28. PMOS 管的导电沟道中依靠（）导电。
（2分）
A.电子
B.空穴
C.正电荷
D.负电荷 .标准答案：B
29. 当MOS 管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。
A
B C D （2分）
A.见图
B.见图
C.见图
D.见图 .标准答案：D
30. 如果MOS 管的栅源过驱动电压给定，L 越（），输出电流越理想。
（2分） A.大 B.小 C.近似于W D.精确 .标准答案：A
31. MOS 电容中对电容值贡献最大的是（）。
（2分） A.GS C
B.GD C
C.DB C
D.SB C
.标准答案：A
32. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。
（2分）
A.电阻负载共源级放大器
B.电流源负载共源级放大器
C.二极管负载共源级放大器
D.源极负反馈共源级放大器 .标准答案：C
33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。
（2分）
A.增大器件宽长比
B.增大负载电阻
C.降低输入信号直流电平
D.增大器件的沟道长度L .标准答案：D
34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD 下降，NMOS 管首先进入（）区。
（2分）
A.亚阈值区
B.深三极管区
C.三极管区
D.饱和区 .标准答案：B
35. 下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB ，让输入电压Vin 从0逐
渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS 管是（）。
（2
分）
A.M1
B.M2
C.两个同时进入
D.都有可能 .标准答案：D。