硅基光电集成.ppt
硅基光电芯片
硅基光电芯片硅基光电芯片是一种集成了光电器件和电子器件的芯片，利用硅材料作为基底，通过工艺制造出光导波导、光调制器、光检测器等器件，实现光信号的收发和处理。
它是集成光电子学和微电子学技术的产物，具有小尺寸、低能耗、高速传输等优势，被广泛应用于通信、计算机、传感器等领域。
硅基光电芯片的核心技术是硅材料的光学特性的改善。
传统的硅材料在可见光波段下具有较高的吸收率和较低的折射率，对光信号的传输及处理有很大的限制。
因此，为了提高硅材料的光学特性，研究人员采用了一系列技术手段，如谐振腔、量子点、光子晶体等，通过改变硅材料的结构和物理性质，使其在光波长下具备良好的光学特性。
在硅基光电芯片中，光导波导起着将光信号从一个地方传输到另一个地方的作用。
光导波导是利用硅材料的高折射率与低折射率的界面反射，实现光信号的传输。
一般来说，硅基光电芯片中采用的光导波导是一种方形或者圆形的结构，其尺寸比较小，具有良好的集成性能。
除了光导波导之外，硅基光电芯片还包括了光调制器和光检测器等光电器件。
利用光调制器可以改变光信号的特征，如调制光的强度、相位和频率等，实现对光信号的调控。
光调制器一般使用电场效应或者热效应来实现对光信号的调制。
光检测器则是用来将光信号转化为电信号的器件，其主要原理是硅材料在光照下产生电荷，通过引线将电荷收集并转化为电信号。
硅基光电芯片的优势主要体现在以下几个方面。
首先，硅材料是一种广泛应用于集成电路制造的材料，具有丰富的工艺技术和设备，所以制造硅基光电芯片的成本相对较低。
其次，硅基光电芯片可以与现有的硅基电子芯片进行集成，实现光电子设备和微电子设备的共同发展，提高系统的集成度和性能。
此外，硅基光电芯片具有高速传输和低能耗的特点，适用于高速通信和计算应用等。
然而，硅基光电芯片也面临一些挑战和限制。
由于硅材料的本身的吸收率较高，传统的硅基光电芯片在可见光波段下的损耗较大，限制了光信号在芯片内的传输距离和功率。
硅基光电集成
上海集成电路研发中心
si基siO2光波导材料
ICRD
Shanghai
sl基siO2光波导材料已广泛用于研制光干涉仪、热光开关阵列、分／台束器、放大 器、窄带滤波器、方向耦台器、阵列波导光栅(AwG)等光通讯用器件以及谐振型光 学陀螵仪的环形谐振腔等．其制备方法有火焰水解法(FHD)、化学气相沉积(cVD)、 溶胶凝胶法(soI Gel)等。 FHD工艺是通过控制H2、O2、sicl4的流量在si衬底上沉积并经过高温固化后得到 达几十um厚的slO2薄膜。此法可以掺GeO2或TiO2来调节折射率，结合RIE工艺可 以制作损耗小于0.6 dB· cm-1(λ=1.55um)的二维或三维波导。slO2层的残余应力、 均匀性等影响光传输的因紊与制备工艺的关系有待深入研究与实践。 CVD:蒸发正硅酸乙脂(TEOS)形成sio2过渡层(约10um)到si衬底上，再沉积掺锗的 SiO2层作为波导层，利用图形掩膜并经过刻蚀形成波导条后再沉积不掺杂siOz包 层，所得的3dB分束器的损耗低于．05dB· cm。此法的最大优点是与半导体工艺相 容，沉积的siO：膜厚及膜的残余应力可控。 采用Sol—Gel工艺“63制备光波导材料的原料有正硅酸乙脂(TEos· AP级)、乙醇 (cP级)与异丙醇(cP级)的混合物、去离子水、盐酸(AP级．作催化剂用)，用Sol— Gel工艺得到凝胶膜后，在有一定湿度的气氛中进行热干燥处理，摄后得到SiO： 光波导薄膜材料。可以通过调整原料配比、控制干燥过程的相对湿度和升温速率来 调控材料的应力以至于不开裂，但厚度难以控制，制各材料的时间较长(数天)，波 导层与包层的折射率匹配不易调控。因为si与sio。的晶格常数的差异，S。J一6eJ 工艺制备的SiOz层的厚度通常只有不足lpm，太厚容易产生裂纹 l且由于 上海集成电路研发中心 二者折射事相差太大而引起辆台失配．
第三章 硅基光电子材料与器件 part1
究和开发的重要新方向，也是人类科学技术的新挑战 。
7
Si的光学特性
硅材料在可见波段是不透明的，但红外波段的光则
可以透过。同时，硅具有很高的折射率和反射率。
随硅单晶材料对于光的吸收有其吸收系数和硅片的厚
光电子用硅材料
半导体硅材料是间接带隙材料，其发光效率极其低下
，约为10-5左右，不能做激光器和发光管；它又没有线 性电光效应，不能做调制器和开关；因此，一般认为 硅材料不是光电子材料，不能应用在光电子领域。 但是硅材料物美价廉，资源丰富，环境友好，硅工艺 成熟完美，如果能实现硅的发光，就可以将微电子和 光电子结合，实现硅基光电集成，从而从根本上推动 光电子的发展和应用。
光电子材料与器件
Optoelectronic Materials and Devices
第三章 硅基光电子材料与器件
1
硅材料的研究和开发
Si是地球上含量最丰富的元素之一，约占
地壳重量的26%，仅次于O元素。 Si在地球上不存在单质状态，基本上一氧 化态存在于硅酸盐或二氧化硅中，其表现 形态为各种各样的石头，如花岗岩、石英 岩。 人们研究和开发Si材料的历史超过了150年 。
19
硅掺杂稀土铒的发光
铒(Er)离子的发光波长在1.5µm附近，对应着光纤通讯
中石英光纤的最低损耗波长区域，因此，硅中掺铒 发光在光通讯等领域有着重大的潜在应用前景。
硅中铒的掺入一般通过离子注入的方式，分子束外
延、化学气相淀积和液相外延也有所使用。铒掺入 后，还需要经过适当的处理来使其具有发光特性。 如退火… 为提高铒在硅中的固溶度，有研究者提出通过铒氧/氟共掺，在硅中形成铒-杂质复合体，从而在硅 中引入铒。
硅基光电融合
硅基光电融合
硅基光电融合是指在硅的衬底上，实现光子的传输和转换。
它结合了光电子技术的极高带宽、超快速率和高抗干扰特性以及微电子技术在大规模集成、低能耗、低成本等方面的优势，将若干微纳量级的信息功能器件集成在同一硅片或SOI上。
在硅基光电融合中，光波复用/解复用、光波长调谐和变换等器件已可实现单芯片集成，而光模块需要混合集成。
混合集成方案是在硅基上同时制造出电子器件和光子器件，将电子器件（Si-Ge量子器件、HBT、CMOS、射频器件、隧道二极管等）、光子器件（激光器、探测器、光开关、光调制器等）、光波导回路集成在同一硅片或SOI 上。
硅基光电集成技术具有高灵敏度、低成本等特点，可以同时对多种疾病的生物标记进行时域上的体外定量检测。
此外，硅光芯片上实现的光子晶体结构可降低光速，光学数据缓冲存储成为可能；全光逻辑控制器件的突破，将帮助实现全光网络交换系统的到来；在硅基光子器件中实现单光子探测，将推动量子通信的发展。
总之，硅基光电融合技术具有广泛的应用前景，在生物医学、通信、数据存储等领域都有重要的应用价值。
硅基的光电集成器件
硅基的光电集成器件是一种新型的器件技术，它将光学和电学结合在一起，使得数据传输和处理变得更加高效和精确。
这种技术的出现，对于电子信息行业的发展有着重大的意义。
一、硅基光电器件概述硅基光电器件是将光电子学与集成电路技术融合起来，实现光、电、机械的集成。
硅基光电器件包括了光学元件、光电探测器、光放大器、光电开关、光纤通信模块等。
二、硅基光电器件的特点1.小型化硅基光电器件采用了微电子制造工艺制造，因此可以大大降低器件体积，实现了小型化。
2.高速度硅基光电器件采用光学传输信号，具有更高的传输速度，极大地提高了信息的传输效率。
3.低功耗利用光学传输信号，硅基光电器件可以实现低功耗，这对于制造更环保的电子产品至关重要。
4.高精度硅基光电器件的加工精度很高，可以做到纳米级甚至更小的精度，因此可以实现更高的精度和稳定性。
三、硅基光电器件的应用1.光通信硅基光电器件在光通信方面的应用非常广泛，可以用来制造光开关、波长分复用器等光学器件，实现高速率、长距离、低误码率的光通信。
2.生物医学硅基光电器件可以用来制造各种生物传感器，可以对生物分子、细胞等进行检测和测量，具有广阔的应用前景。
3.计算机领域硅基光电器件可以用于计算机领域的光学总线、光学中央处理器、光学存储器等器件的制造，可以大大提高计算机处理速度。
四、硅基光电集成器件的发展前景硅基光电集成器件的发展前景非常广阔。
随着人们对计算机、通信、医疗、环境等不同领域的需求，硅基光电器件的应用领域也会不断拓展。
未来，硅基光电器件将成为信息、通信、计算机等领域的主要应用技术之一。
总之，硅基光电器件是一种非常先进的技术，它的出现将对信息、通信、计算机等领域产生巨大的影响。
尽管硅基光电器件的技术难度较高，但是掌握这种技术将会为未来带来更多的机遇和挑战。
新型硅基集成微电子及光电子材料PPT课件
栅介质的限制
超薄栅氧化层
随着 d 的缩小，栅漏电流呈 指数性增长
直接隧穿的泄漏电流 栅氧化层的势垒
d d限制： 3 ~ 2 nm
第25页/共60页
栅介质的限制
Dox
d多晶硅耗尽
+ d栅介质层
+ d量子效应
由多晶硅耗尽效应引起的等效厚度 : d多晶硅耗尽 ~ 0.5nm 由量子效应引起的等效厚度: d量子效应 ~ 0.5nm
2 /Degree
第51页/共60页
五.硅基光电子材料
• Si在微电子领域占据绝对主导地位 • 至今为止，Si在光电子领域没有得到应有的应用。
• Si是间接带隙半导体，不发光。 • Si光电二极管/Si光/ Si太阳能电池 • 但是，利用成熟的硅IC工艺，实现Si基集成发光的努力从来就没有停止。
14
第14页/共60页
等比例缩小定律
• 1974年由Dennard提出 • 基本指导思想是：保持MOS器件内部 电场不变：恒定电场规律（CE律）
• 等比例缩小器件的纵向、横向尺寸，以增加跨导和减少负载电容，提高集成 电路的性能
• 电源电压也要缩小相同的倍数
第15页/共60页
CE律的问题
• 阈值电压不可能缩的太小 • 源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小 • 电源电压标准的改变会带来很大的不便
倍
第8页/共60页
IC类型(按器件结构分)
• 双极型IC：主要由双极三极管构成
• NPN型 • PNP型
优点是速度高、驱动能力强， 缺点是功耗较大、集成度较低
• MOS型IC：主要由M功O耗S低三、极集管成度构高成，随着特征
尺寸的缩小，速度也可以很高 • NMOS
硅基光电子集成技术在光通信中的应用
硅基光电子集成技术在光通信中的应用光通信已经成为了现代通信技术发展的重要趋势之一。
光通信利用的是光的传播特性，传输速度更快、距离更远、带宽更大，可以满足人们日益增长的通信需求。
在光通信中，硅基光电子集成技术具有举足轻重的作用。
本文将深入探讨硅基光电子集成技术的应用和发展趋势。
一、硅基光电子集成技术的基础硅基光电子集成技术是把光电子器件和电子器件集成在同一块硅芯片上，形成一个具有多功能、高集成度、高可靠性的光电子芯片，是实现可靠、高性能、低成本光通信系统的关键技术。
硅基光电子集成技术具有以下几点优势：1. 集成度高。
硅基光电子器件的制作可以采用与现有的半导体工艺相同的工艺流程，在同一块硅芯片上制作出多个光电子器件和电子器件，从而实现高度集成。
2. 低成本。
由于硅基光电子器件的制作采用的是与现有的半导体工艺相同的工艺流程，因此其制作成本相对较低。
3. 可靠性高。
由于硅基光电子器件的制作采用的是与现有的半导体工艺相同的工艺流程，在工艺过程中可以使用高级别的氧化物隔离技术，提高了器件的可靠性。
二、硅基光电子集成技术的应用1. 光通信领域硅基光电子集成技术被广泛地应用于光通信领域，主要应用在光电子转换器件和光互联系统中。
光电子转换器件是光通信系统的核心部件之一，它将光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号，从而实现光与电的互换。
硅基光电子器件可以实现高速、低功耗的光电子转换，因此在光通信系统中得到广泛应用。
另外，硅基光电子器件还可以用于制作光互联系统中的波导、光栅、衍射光栅、耦合器等光器件，从而实现光信号的传输和处理。
2. 生物医学领域硅基光电子集成技术在生物医学领域中的应用主要集中在激光微切割、细胞成像等方面。
激光微切割技术可以通过控制激光的能量和时间，实现对细胞和生物组织的切割和加工，从而研究生物组织的功能和结构。
硅基光电子集成技术可以实现高灵敏度、高精度、高速度的激光微切割，从而实现对生物组织的研究。
新型硅基集成微电子及光电子材料62页PPT
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❖ 知识就是财富 ❖ 丰富你的人生
71、既然我已经踏上这条道路，那么，任何东西都不应妨碍我沿着这条路走下去。——康德 72、家庭成为快乐的种子在外也不致成为障碍物但在旅行之际却是夜间的伴侣。——西塞罗 73、坚持意志伟大的事业需要始终不渝的精神。——伏尔泰 74、路漫漫其修道远，吾将上下而求索。——屈原 75、内外相应，言行相称。——韩非
1、不要轻言放弃，否则对不起自己。
2、要冒一次险!整个生命就是一场冒险。走得最远的人，常是愿意 去做，并愿意去冒险的人。“稳妥”之船，从未能从岸边走远。-戴尔．卡耐基。
梦 境
3、人生就像一杯没有加糖的咖啡，喝起来是苦涩的，回味起来却有 久久不会退去的余香。
新型硅基集成微电子及光电子材料 4、守业的最好办法就是不断的发展。 5、当爱不能完美，我宁愿选择无悔，不管来生多么美丽，我不愿失 去今生对你的记忆，我不求天长地久的美景，我只要生生世世的轮 回里有你。
硅光电池(硅光二极管)的应用PPT课件
为了减小暗电流，设置一个N+-Si的环把受光面（N-Si）包 围起来，并从N+-Si环上引出一条引线（环极），使它接到比前 极电位更高的电位上，为表面漏电子流提供一条不经过负载即 可达到电源的通路。
这样，即可达到减小流过负载的暗电流、减小噪声的目的。
如果使用时环极悬空，除了暗电流、噪声大些外，其它性 能均不受影响。
a) 不加外电源 b) 加反向外电源 c) 2DU环极接法 实际上，不是不能加正向电压，只是正接以后就与普通二
极管一样，只有单向导电性，而表现不出它的光电效应。
加反向电压时，伏安特性曲线常画成如下图所示的形式。
与硅光电池的伏安特性曲线图比较，有两点不同。 一是把硅光电池的伏安特性曲线图中Ⅰ、Ⅱ象限里的图线对
这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响 应速度最快的一种光电二极管。
噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。 由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工 作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的 噪声水平，以至无法使用。
4.7.4 光伏探测器使用要点
1）极性结型器件都有确定的极性，如要加电压使用时，光 电结必须加反向电压，即P端与外电源的低电位相接。
感谢聆听
不足之处请大家批评指导
Please Criticize And Guide The Shortcomings
演讲人：XXXXXX 时 间：XX年XX月XX日
几种国产硅光电池的特性
光电池驱动的凉帽
4.7 光电二极管
外形
光输入
+
或
U
R 输出
-
（a）
（b）
光电二极管的符号与光电特性的测量电路
（a）符号 （b）光电特性的测量电路
硅基光集成
硅基光集成
硅基光集成技术是一种前沿的光电子技术，它将光子学和电子学相结合，利用硅材料的优势，在集成电路中实现了光信号传输和处理。
这种技术的出现，不仅为现代通信和计算领域带来了巨大的改变，也为人类的生活和工作带来了许多便利。
硅基光集成技术的应用范围非常广泛。
在通信领域，它能够提供高速、高带宽的数据传输，使得互联网的速度更快、更稳定。
在数据中心中，硅基光集成技术能够实现大规模的数据传输和处理，有效解决了数据中心的瓶颈问题。
此外，硅基光集成技术还可以应用于传感器、医疗设备、光学存储等领域，为这些领域的发展提供了新的机会。
硅基光集成技术之所以能够取得如此重要的突破，主要得益于硅材料的优越性能。
硅材料具有优异的光学特性和电学特性，能够实现高效的光电转换。
同时，硅材料的制备工艺成熟，成本较低，易于大规模生产。
这使得硅基光集成技术具有了广泛的应用前景。
然而，硅基光集成技术也面临着一些挑战。
首先，虽然硅材料具有优异的光学特性，但其光电转换效率仍然有限。
为了提高硅基光集成技术的性能，需要进一步研究和探索新的材料和器件结构。
其次，硅基光集成技术在集成度和稳定性方面还存在一些问题，需要通过技术改进和优化来解决。
总的来说，硅基光集成技术是一种非常有前景的光电子技术，它将光子学和电子学相结合，为现代通信和计算领域带来了巨大的改变。
随着技术的不断进步和发展，相信硅基光集成技术将在更多的领域得到应用，为人类的生活和工作带来更多的便利和可能性。
硅基光集成
硅基光集成
硅基光集成技术
硅基光集成技术是一种将光子器件集成在硅基材料上的技术。
由于硅基材料的优异性质，如高折射率、低损耗、易于加工等，使得硅基光集成技术成为目前光通信、光计算等领域的重要研究方向。
硅基光集成技术的应用场景非常广泛，包括但不限于以下几个方面：
光通信：硅基光集成技术可以实现高速、低损耗的光信号传输，提高通信系统的性能和稳定性。
光计算：硅基光集成技术可以实现高速、低功耗的光计算，提高计算机的性能和能效。
光传感：硅基光集成技术可以实现高灵敏度、高分辨率的光传感，广泛应用于环境监测、医疗诊断等领域。
光子芯片：硅基光集成技术可以实现将多个光子器件集成在一个芯片上，形成光子芯片，降低制造成本，提高集成度。
硅基光集成技术的发展得益于材料科学的进步和微纳加工技术的不断发展。
目前，硅基光集成技术已经取得了很多重要的成果，例如实现高速光信号的传输和检测、实现高灵敏度的光传感等。
未来，随着技术的不断进步和应用场景的不断拓展，硅基光集成技术有望在更多领域发挥重要作用。
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PIC和OEIC是在光纤通讯和计算机的高速发展下提出来 的．在电子计算机中列入光互连，被称为混合光/电子计算 机．用PIC取代集成电路，就是光计算机。无论用PIC还是 OEIC取代集成电路，开展硅基PIC 、 OEIC的研究是必由 之路。
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硅基光波导材料及其光传输损耗
1．1 外延硅材料(n—si／n+一si、p—si／p+一si) 利用SiH4、SiCl4在约1160C温度下的分解井同时掺杂，可在商 业n+-Si、p+Si片上沉积而得n-si/n+-Si、p-Si/p+-Si.衬底掺杂高 达10+19cm-3，外延层掺杂可低到10+13cm-3。对本征Si单 晶，λ=1.30um．其折射率n=3.505； λ=1.55um ，其折射率 n=3.480；由于自由载流子浓度的增加，其折射率下降(△n)和 吸收系数增大(△a)，这称之为等离子体色散效应。 △n可达10e-2量级，所以等离子体色散效应是比较明显并 可以利用的，可用于制作Si外延光波导及硅电学调制开关等有 源或无源器件.外延硅波导材料主要是微电子工业用的si (111)(用于CMOs电路)．Si(100)(用于双极型电路)片。
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简介
硅 基 PIC 、 硅 基 OEIC 芯 片 包 括 异 质 结 晶 体 二 极 管 电 路 、 激 光 二 极 管及其驱动/保护电路、光放大器、调制器、光开关、耦合器、快速 光探测器，小面反射器、分束/合束器、光波导、光纤等，技术上与 微 电 子 工 业 的 CMOS 工 艺 兼 容 ， 只 需 对 光 波 导 器 件 、 光 探 测 器 件作适当调整“。
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sl基siO2光波导材料已广泛用于研制光干涉仪、热光开关阵列、分／台束器、放大 器、窄带滤波器、方向耦台器、阵列波导光栅(AwG)等光通讯用器件以及谐振型光 学陀螵仪的环形谐振腔等．其制备方法有火焰水解法(FHD)、化学气相沉积(cVD)、 溶胶凝胶法(soI Gel)等。 FHD工艺是通过控制H2、O2、sicl4的流量在si衬底上沉积并经过高温固化后得到 达几十um厚的slO2薄膜。此法可以掺GeO2或TiO2来调节折射率，结合RIE工艺可 以制作损耗小于0.6 dB·cm-1(λ=1.55um)的二维或三维波导。slO2层的残余应力、 均匀性等影响光传输的因紊与制备工艺的关系有待深入研究与实践。 CVD:蒸发正硅酸乙脂(TEOS)形成sio2过渡层(约10um)到si衬底上，再沉积掺锗的 SiO2层作为波导层，利用图形掩膜并经过刻蚀形成波导条后再沉积不掺杂siOz包 层，所得的3dB分束器的损耗低于．05dB·cm。此法的最大优点是与半导体工艺相 容，沉积的siO：膜厚及膜的残余应力可控。 采用Sol—Gel工艺“63制备光波导材料的原料有正硅酸乙脂(TEos·AP级)、乙醇 (cP级)与异丙醇(cP级)的混合物、去离子水、盐酸(AP级．作催化剂用)，用Sol— Gel工艺得到凝胶膜后，在有一定湿度的气氛中进行热干燥处理，摄后得到SiO： 光波导薄膜材料。可以通过调整原料配比、控制干燥过程的相对湿度和升温速率来 调控材料的应力以至于不开裂，但厚度难以控制，制各材料的时间较长(数天)，波 导层与包层的折射率匹配不易调控。因为si与sio。的晶格常数的差异，S。J一6eJ 工艺制备的SiOz层的厚度通常只有不足lpm，太厚容易产生上裂海纹集l且成由电于路研发中心 二者折射事相差太大而引起辆台失配．
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材料
OEIC所使用的材料有Ⅳ族的Si、Ge和I～V族化台物的GaAs、InP及其三、 四元合金等半导体材料。
由于硅具有更高程度的晶体完整性、优良的机械。热学性能和大尺寸以 及硅微电子技术的成熟性，在目前的PIC、OEIC研究中更加受到重视。
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内容
光子集成回路(Photon Integrated Circuit，PIC)和光电子集 成回路(Optic Electronics Integrated Circuit，OEIC)不仅可 以在大容量、高保密的光纤通信中应用，而且能在光学遥
外延硅波导器件的插入损耗低，与光纤的耦台效率高。但由 于衬腐高浓度的载流子对光能量吸收使传输损耗过大，其波导 芯与包层的相对光折射率差较小，导致弯曲光波导的曲率半径 大，器件的尺寸也就大．制约了集成度的提高。
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SOI光波导材料
SOI(Silicon on InsulatoT)波导材料的制备方法有区熔再结晶(ZMR)、直接链合 与背刻蚀(SDB—BE)、氧离子注入隔离(sIMOx)等。zMR—sOI光波导的损耗 太大．sDB—BE—sOI的硅单晶层质量好，但厚度及其均匀性的控制较难。相 对而言，SIMox-s0I是比较理想的光波导材料，但是由于氧离于注入形成的 siO2层的厚度一般不超过0.5um，它对光的限制还相当有限。另外．由于单模 条件的限制，且s-与Sioz的折射率差别很大，导光的st层仅需要不足0.3um 厚．其脊形波导与光纤耦合时需用过渡透镜等光学元件，sOl光波导分为平板 波导和条形波导。对于sOl平板光波导而言，根据模色散曲线的重合性，Sio。 层只需o．2pm就足够厚了m]。sOI平板光波导中导波层的吸收损耗中t本征吸 收限为1．1pm．不在1．3～1．6}啪的窗口，所以本征吸收是根小的。非本征 吸收在室温时主要是自由裁流子吸收。sOI平板光波导导模的尊模总吸收损耗 <o．2dB·cm～，sIO。屡有泄露损耗”⋯。A，F．Eva璐等m3通过调节sOI脊 型波导的宽高比，研制的大截面sOI脊型光波导对x二1．31pm光的TE。(TM。) 模的传输损耗≤2．6 dB·cm。