Cu薄膜的瞬态反射率及退火处理的影响
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响退火处理是一种常用的材料加工方法，可以通过调整材料结构和性能来提高材料的性能。
MgZnO薄膜是一种具有广泛应用前景的材料，具有宽能带隙、高电子迁移率和优良的透明导电性能等特点。
在MgZnO薄膜的制备过程中，退火处理是一个重要的步骤，可以显著影响MgZnO薄膜的性能。
本文将从晶体结构、光学性能、电学性质和表面形貌等方面探讨退火处理对MgZnO薄膜性能的影响。
退火处理可以对MgZnO薄膜的晶体结构产生影响。
研究发现，退火处理可以减小MgZnO薄膜的晶粒尺寸，提高晶体的结晶度。
退火处理还可以改变MgZnO薄膜的晶体取向，从而影响材料的导电性能。
在高温退火处理下，MgZnO薄膜的晶体取向从(002)向(100)转变，导致薄膜的电阻率降低。
退火处理还可以影响MgZnO薄膜的光学性能。
光学性能是评价材料透明性和光学响应的重要指标。
退火处理可以调节MgZnO薄膜的能隙，影响其在紫外到可见光范围的吸收和透射。
实验证明，退火处理后，MgZnO薄膜的能隙减小，使其具有更高的透射率和更低的折射率。
退火处理对MgZnO薄膜的电学性能也有显著影响。
研究表明，退火处理可以降低MgZnO薄膜的电阻率，提高其电子迁移率，并且改善材料的载流子浓度。
这些改善电学性能的效果，可以提高MgZnO薄膜在电子器件中的应用性能，例如作为透明导电电极的材料。
退火处理还可以改变MgZnO薄膜的表面形貌。
退火处理过程中，MgZnO薄膜表面的缺陷和杂质可以被消除或减少，使薄膜表面更加光滑。
退火处理还可以提高MgZnO薄膜的致密性和结合强度，从而提高材料的耐久性和稳定性。
低温退火对电解铜箔组织及力学性能的影响
低温退火对电解铜箔组织及力学性能的影响一、实验方法1.材料选择本实验选取工业上常见的电解铜箔作为研究对象，其化学成分符合标准要求，表面平整光滑，无明显的缺陷和氧化层。
2.试样制备在实验中，将电解铜箔切割成适当大小的试样，并进行表面清洁和抛光处理，以消除材料表面的缺陷和氧化物。
3.实验步骤首先对电解铜箔进行低温退火处理，温度范围在100°C-300°C之间，保温时间为1-3小时。
随后进行金相显微镜观察和扫描电镜分析，以及对材料力学性能的测试。
二、实验结果及分析1.组织观察通过金相显微镜观察和扫描电镜分析，可以发现经过低温退火处理后的电解铜箔组织发生了显著的变化。
在100°C-200°C范围内，材料的晶粒变得细小而均匀，晶界清晰。
随着温度的升高，晶粒长大并出现了一定程度的晶粒聚集现象。
而在300°C时，晶粒长大明显，晶界变得模糊，部分区域出现晶粒长大和堆积的现象。
2.力学性能测试对经过不同温度的低温退火处理后的电解铜箔进行力学性能测试，发现随着退火温度的增加，材料的硬度和抗拉强度呈现出先增加后降低的趋势。
在200°C时，材料表现出最高的硬度和抗拉强度，而在300°C时，这些性能参数明显下降。
这说明低温退火处理可以显著提高电解铜箔的力学性能，但过高的温度会导致性能退化。
三、结论通过实验研究和分析，得出了关于低温退火对电解铜箔组织及力学性能的影响。
低温退火可以使电解铜箔的晶粒细化、晶界清晰，从而提高材料的硬度和抗拉强度。
但是需要注意的是，过高的退火温度会导致晶粒长大、晶界模糊，降低材料的性能。
在工业生产中，可以根据具体材料和工艺要求，选择合适的低温退火温度和时间，以达到最佳的材料性能。
本研究结果对于电解铜箔的生产和应用具有一定的指导意义，也为类似材料的研究提供了新的思路和方法。
退火对ZnO_Cu_ZnO透明导电薄膜性能的影响_李文英
李 文 英１ ，钟 建２ ，张 柯２ ，汪 元 元２ ，尹 桂 林２ ，何 丹 农１，２ （１上海交通大学 材料科学与工程学院，上海２００２４０； ２ 纳 米 技 术 及 应 用 国 家 工 程 研 究 中 心 ，上 海 ２００２４１） ＬＩ Ｗｅｎ－ｙｉｎｇ１，ＺＨＯＮＧ Ｊｉａｎ２，ＺＨＡＮＧ Ｋｅ２， ＷＡＮＧ Ｙｕａｎ－ｙｕａｎ２，ＹＩＮ Ｇｕｉ－ｌｉｎ２，ＨＥ Ｄａｎ－ｎｏｎｇ１，２
摘要：室温下利用磁控溅射制备了 ＺｎＯ／Ｃｕ／ＺｎＯ 透明导电薄膜，采用 Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）、扫 描 电 子显微镜（ＳＥＭ）、霍尔效应测量仪和紫外－可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学 等 性 能 与 退 火 温 度 之 间 的关系。结果表明：退火前后薄膜均具有 ＺｎＯ（００２）择优取向，随 着 退 火 温 度 的 升 高，薄 膜 的 晶 化 程 度、晶 粒 粒 径 及 粗 糙 度增加，薄膜电阻率先降低后升高，光学透过率和禁带宽度先 升 高 后 降 低。１５０℃ 下 真 空 退 火 的 ＺｎＯ／Ｃｕ／ＺｎＯ 薄 膜 的 性 能 最 佳 ，最 高 可 见 光 透 光 率 为 ９０．５％ ，电 阻 率 为 １．２８×１０－４Ω·ｃｍ，载 流 子 浓 度 为 ４．１０×１０２１ｃｍ－３ 。 关 键 词 ：退 火 ；ＺｎＯ；Ｃｕ；透 明 导 电 薄 膜 ｄｏｉ：１０．１１８６８／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－４３８１．２０１５．０１．００８ 中 图 分 类 号 ：ＴＮ３０４；Ｏ４８４ 文 献 标 识 码 ：Ａ 文 章 编 号 ：１００１－４３８１（２０１５）０１－００４４－０５
（１Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｊｉａｏ Ｔｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ ２００２４０，Ｃｈｉｎａ；２ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
低温退火对电解铜箔组织及力学性能的影响
低温退火对电解铜箔组织及力学性能的影响一、低温退火工艺低温退火是指在较低温度下进行的一种固态热处理工艺。
通常情况下，电解铜箔在制备过程中会先进行高温退火处理，以消除材料中的应力和提高塑性。
随后进行低温退火，主要是为了进一步优化材料的晶粒结构和提高其力学性能。
低温退火的温度通常控制在200-400摄氏度之间，时间可根据要求在数小时至数十小时不等。
通过低温退火，材料内部的晶格缺陷能够得到修复，晶粒尺寸得到细化，从而提高材料的强度和韧性。
二、低温退火对组织的影响1. 晶粒细化低温退火能够促进铜箔晶粒的细化，主要是通过晶界的迁移和再结晶机制实现的。
在低温条件下，晶界能量得到降低，晶界迁移速度加快，因此晶粒尺寸得以减小。
低温下的再结晶速度较慢，能够有效阻止晶粒的粗化，从而使材料的晶粒尺寸得到细化。
2. 晶界清晰度提高低温退火还能够促进晶界的清晰度提高。
在晶界能量减小的作用下，晶界能够更加清晰地显现出来，这有利于减少晶界滑移和位错运动，从而提高材料的强度和塑性。
3. 晶内位错和固溶体析出低温退火还能够促进晶内位错的自发运动和固溶体的析出。
这些过程能够消除材料中的局部变形，降低应力集中，从而提高材料的韧性和疲劳寿命。
1. 提高抗拉强度通过晶粒细化和晶界清晰度的提高，低温退火能够有效提高铜箔的抗拉强度。
晶粒细化使材料的位错运动受阻，晶界清晰度的提高减少了位错的滑移，这些因素共同作用下，使材料的抗拉强度得到提高。
低温退火还能够提高铜箔的屈服强度。
晶界清晰度的提高和晶内位错的消除，能够减少材料的局部变形，降低材料的屈服点，提高其屈服强度。
3. 提高延展性尽管低温退火能够提高铜箔的强度，但同时也会降低其塑性。
在实际应用中需要在强化和塑性之间寻找平衡点，在确保强度的尽可能提高材料的延展性。
四、结语低温退火对电解铜箔组织及力学性能有着显著的影响。
通过低温退火，铜箔的晶粒得以细化，晶界清晰度得以提高，晶内位错得以消除，从而使材料的力学性能得到了有效提高。
退火温度对Cu膜微结构与应力的影响
退火温度对Cu膜微结构与应力的影响雒向东;罗崇泰【摘要】采用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500 nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理.用X射线衍射仪、扫描电镜、光学相移方法研究薄膜的微结构与应力.结果表明:随着退火温度T增加,Cu(111)择优取向系数δCu(111)不断减小, 薄膜的Cu(111)/Cu(200)取向组成比值减小;在T=773 K条件下退火的薄膜形成了显著的空洞与裂纹;当T在小于673 K范围内增加时,薄膜应力由拉应力不断减小继而转变为压应力,而当T=773 K时,薄膜又呈现出较大的拉应力.【期刊名称】《桂林理工大学学报》【年(卷),期】2009(029)003【总页数】4页(P327-330)【关键词】铜膜;微结构;残余应力;退火【作者】雒向东;罗崇泰【作者单位】中国空间技术研究院,兰州物理研究所,兰州,730000;兰州城市学院,培黎工程技术学院,兰州,730070;中国空间技术研究院,兰州物理研究所,兰州,730000【正文语种】中文【中图分类】TN305.8;TB430 引言薄膜材料在集成电路技术中具有极为关键的作用[1]。
集成电路中各组元之间的互连线就是采用光刻工艺形成微米级线条的金属膜来实现的。
Al、Cu及其合金材料常用作集成电路的互连线。
与Al相比较，Cu因其低电阻率(1.67 μΩ·cm)、良好导热性、热膨胀系数小及较好的抗电迁移性能而得到了广泛应用[2]。
随着集成电路的尺度不断微型化，其集成度和工作频率不断提高，对Cu膜的热稳定性、机械强度等要求越来越高。
相关研究[3-4]表明，较大的应力状态将导致Cu膜产生空洞、裂痕或脱落，从而引起电路互连线形变甚至互连线的短路或断路，造成器件失效。
因此，关于Cu膜应力的研究近年来引起了人们高度的重视。
例如：Weihnacht等[5]基于力学理论实验研究了Cu膜应力演化规律及其微观机制；Gudmundson等[6]就实际器件中Cu互连线的残余应力进行了研究；Pienkos等研究了Si基片上生长Cu膜的应力演化行为，认为薄膜应力与其微结构如晶粒取向、裂纹与孔洞等缺陷密切相关；Burnett等[7]研究了Cu膜织构与其残余应力的关系，发现Cu(111)/Cu(200)取向组成比值与薄膜拉应力有关； Park等[4]对应力诱导Cu膜表面缺陷的研究指出，薄膜表面缺陷的产生与薄膜应力释放存在关联；Thouless等[8]的理论研究也证实薄膜缺陷的形成将改变其应力状态等。
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理是一种广泛应用于材料制备和加工的工艺。
在金属薄膜领域中，退火处理可
用于改善薄膜的结晶性、机械性能和电学性能等方面。
本文研究了退火处理对MgZn0薄膜
性能的影响。
实验设计
研究采用直流磁控溅射制备MgZn0薄膜，将制备好的薄膜在不同退火温度下进行处理，并比较样品经过退火处理前后的机械和电学性能等方面的变化。
实验结果
（1）X射线衍射结果显示，随着退火温度的升高，MgZn0薄膜的结晶度不断提高。
在400℃退火处理后，薄膜细化了晶粒，晶界消失，结晶性能最好。
（2）纳米压痕实验结果显示，退火处理可以提高MgZn0薄膜的硬度和弹性模量。
在400℃退火处理后，硬度从2.4 GPa提高至3.1GPa，弹性模量从121 GPa提高至145 GPa。
（4）表面形貌的研究显示，退火处理可以减少MgZn0薄膜的表面粗糙度，使表面更加平滑。
结论
退火处理可以改善MgZn0薄膜的结晶度、硬度、弹性模量、电导率、透明度和表面粗
糙度等方面的性能。
在400℃退火处理后，MgZn0薄膜的性能最优。
因此，退火处理是一种有效的方法，可以用于提高MgZn0薄膜在透明电子器件等领域的应用性能。
退火处理对CIGS薄膜物相及成分的影响
关健词：太阳电池；一步溅射；CIGS；退火
中图分类号：TM914.4+2
文献标识码：A
0引言
铜铟镓硒薄膜太阳电池是多元化合物太阳电 池中最有代表性的一种。它具有光吸系数高、转换 效率高、性能稳定、成本低等特点，是当前薄膜太阳 电池研究领域的一大热点。铜铟镓硒薄膜作为铜 铟镓硒太阳电池的吸收层，在整个电池中起着最为 关键的作用。当前制备铜铟镓硒薄膜吸收层的方 法有：共蒸发法［1］、一步溅射法［2］、溅射后硒化法［3］、 电化学沉积法［4］、丝网印刷法等。其中溅射法沉积 铜铟镓硒薄膜的方法，是通过对靶材一次溅射而沉 积生成铜铟镓硒薄膜吸收层，操作简单、工参数易 控制，对产业化生产具有重大意义。
［2］ Shi J H，Li Z Q，Zhang D W，et al. Fabrication of Cu（In，Ga）Se2 thin films by sputtering from a single quaternary chalkogenide target ［J］. Progress in Photovoltaics: Research and Applications， 2011， 19 （2）: 160—164.
退火前 24.51 20.44 6.06 48.99 0.91
0.23
500 25.78 21.16 7.05 46.01 0.91
0.25
550 26.22 20.53 7.98 45.27 0.92
0.28
2.3 拉曼光谱分析
为研究样品表面物质所发生的变化，对样品做 了激光拉曼光谱分析，拉曼光谱是样品中分子振谱 分析，从拉曼光谱中可知道存在的物质分子种类，
104
(101) (211) (008/400)
退火处理对Cu、CuNi薄膜及其热电偶电性能的影响
退火处理对Cu、CuNi薄膜及其热电偶电性能的影响张波;杨丽红;陈皓帆【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2015(34)6【摘要】Relationship between annealing temperature and thin-film resistivity was studied by annealing several Cu and CuNi thin films, which were fabricated respectively with the same parameters on the silicon by reactive magnetron sputtering. According to the test result, it can be known that annealed thin-films show a better microstructure and the resistivity decreases gradually as the annealing temperature goes up and the change in Cu thin-films is more obvious than that in CuNi thin-films. Then Cu/CuNi thin-film thermocouple fabricated on the substrate withSiO2 film was annealed and calibrated to figure out the influence of thin-film thermocouple on the sensitivity. The result shows that the sensitivityof thin-film thermocouple is improved from 38.35μV/℃ to 44.10μV/℃ after the annealing process.%采用磁控溅射法在单晶硅片基底上制备多个Cu薄膜和CuNi薄膜，对其进行退火处理，分析不同退火温度对薄膜电阻率的影响。
退火处理对柔性基体钼及钼—铜合金薄膜微观结构的影响
退火处理对柔性基体钼及钼—铜合金薄膜微观结构的影响退火处理对柔性基体钼及钼-铜合金薄膜微观结构的影响摘要：柔性基体钼及钼-铜合金薄膜在微电子领域具有重要的应用价值。
本研究通过退火处理来探究其对微观结构的影响。
实验结果表明，在不同温度和时间条件下，退火处理可以显著改变钼薄膜的晶粒尺寸、形状和晶体结构；而对于钼-铜合金薄膜，退火处理还可以进一步改变其相变行为。
1. 引言随着电子行业的发展，对高性能、高密度、高可靠性的微电子设备的需求逐渐增加。
柔性基体钼薄膜及钼-铜合金薄膜因其优异的导电性、耐腐蚀性和可加工性而成为微电子器件制备中的重要材料。
钼薄膜在微电子器件中被广泛用于制作电极、导线和晶体管等；而钼-铜合金薄膜则用于制作多层线路、导电柱和插接电极等结构。
2. 实验方法本实验通过物理气相沉积技术在柔性基板上制备了钼薄膜和钼-铜合金薄膜。
接下来，这些薄膜经过不同温度和时间条件下的退火处理，以模拟实际工艺中的热处理过程。
退火处理后的薄膜使用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）进行表征。
3. 实验结果与讨论3.1 钼薄膜的退火处理通过观察SEM图像和TEM图像，我们发现退火处理显著改变了钼薄膜的晶粒尺寸和形状。
对于低温退火（约200℃）的薄膜，晶粒尺寸较小，且呈较规则的形状；而高温退火（约400℃）的薄膜，晶粒尺寸增大，且形状更为杂乱。
此外，XRD分析结果显示，退火处理可以改变钼薄膜的晶体结构，从初始的非晶态向晶态转变。
3.2 钼-铜合金薄膜的退火处理对于钼-铜合金薄膜，退火处理不仅改变了晶粒尺寸、形状和结构，还影响了相变行为。
通过SEM和TEM观察，我们发现退火处理后的薄膜中形成了新的相，呈现出不同于未经退火处理的薄膜的晶体形态。
XRD分析结果表明，退火处理可以促使钼-铜合金薄膜中Cu和Mo相的形成和转变。
4. 结论本研究通过退火处理来探究柔性基体钼及钼-铜合金薄膜的微观结构变化。
退火温度对铜基微纳结构层润湿性的影响研究
（１．广东石油化工学院 机电工程学院，广东 茂名 ５２５０００； ２．广东石油化工学院 广东省石油化工装备工程技术研究中心，广东 茂名 ５２５０００）
摘要：采用电火花技术在铜基表面制备了微纳结构层，分别在空气和 Ｈ２＋Ａｒ混合气环境下，温度为 １００、２００和 ３００℃时进 行退火处理 ３０ｍｉｎ，研究退火温度对铜基微纳结构层润湿性的影响。退火处理前后的试样采用扫描电镜和能谱仪分别进
６２
广东石油化工学院学报 ２０１８年
数控线切割机床（ＤＫ７７４０型，神威数控机床（江苏）有限公司）；数控电火花成型机（Ｄ７１４型，江苏三 星精密机械有限公司）；扫描电镜（ＪＳＭ－６５１０ＬＶ型，日本电子株式会社）；能谱仪（ＰｅｎｔａＦＥＴＰｒｅｃｉｓｉｏｎＸａｃｔ 型，牛津仪器（上海）有限公司）；接触角测量仪（ＳＤＣ－ＣＡＺ２型，东莞市晟鼎精密仪器有限公司）；超声清 洗机（ＰＳ－２０Ａ型，洁康公司）。 １．２ 铜基微纳结构层的制备
１ｂ～１ｈ为试样 ０～６的表面微观形貌。从图 １中可以看出，所有试样表面均有典型的电火花加工形貌特 征存在，如微坑、纳米孔、熔珠、重熔区和热应力裂纹。从图 １ａ中可以看出试样 ０的截面区域为微坑特征， 微坑边缘处由于高温影响显得较为光滑，并且有明显重熔区的台阶存在，微坑整体表面存在纳米尺度的孔 洞和凸起物，而在微坑边缘凸起区域有一热应力裂纹存在。这些微纳尺度的结构特征形成了铜基表面的 微纳结构层。
电火花技术广泛应用于模具、零件、钣金等领域。电火花加工后表面存在微孔、纳米孔、重熔区和熔珠 等具有微纳尺度的形貌特征［４－５］。弯艳玲等［６］发现通过电火花线切割技术能有效地在金属上制备疏水表 面。Ｗｅｉｓｅｎｓｅｅ等［７］也有类似研究。电火花成型技术作为另一种常见的电火花加工技术，在金属疏水表面 制备方面的文献资料则较罕见。电火花成型过程中不产生污染物，加工液可循环持续使用且不对周边环 境造成污染。本文通过电火花成型技术在纯铜表面制备具有疏水性的微纳结构层，进而对不同温度条件 下的退火处理对试样表面疏水性能的影响进行研究，以期为电火花成型技术在金属疏水表面领域的研究 提供参考依据。
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响退火处理是一种重要的热处理方法，在材料制造领域得到广泛应用。
退火处理可以通过调节温度、保温时间和冷却速率等参数，改变材料的组织结构和性能。
对于MgZn0（镁锌0）薄膜材料而言，退火处理的影响也是至关重要的。
本文将介绍退火处理对MgZn0薄膜性能的影响。
首先，退火处理可以促进MgZn0薄膜的结晶和晶界结构的形成。
由于MgZn0薄膜是一种非晶态材料，其晶界结构不够完善。
通过合适的退火处理可以提高材料的结晶度和晶界结构的完整性，使得材料的机械性能、电学性能和热学性能都得到了提升。
同时，针对不同的应用需求，可以通过不同的退火处理方式来控制晶界结构和晶粒尺寸，进一步优化材料性能。
其次，退火处理还可以改变MgZn0薄膜的应力状态和表面形貌。
由于MgZn0薄膜是一种金属材料，它的制备过程中可能会发生应力累积，导致薄膜的应力状态不平衡。
合适的退火处理可以缓解薄膜的应力状态，使其更加稳定。
同时，退火处理还可以消除薄膜表面的氧化物和其他杂质，改善薄膜表面形貌、增强薄膜的附着力和耐腐蚀性能。
此外，退火处理还可以改变MgZn0薄膜的光学性能和电学性能。
MgZn0薄膜是一种具有特殊光电性质的材料，其主要应用领域包括太阳能电池、光电传感器、自发光器件等。
通过退火处理可以改变薄膜的折射率、透过率和吸收率等光学性质，进一步优化薄膜的光电性能。
同时，退火处理还可以改变材料的电学导电性能和电阻率，进一步优化薄膜的电学性能。
综上所述，退火处理对MgZn0薄膜性能的影响是多方面的。
通过合适的退火处理可以改变薄膜的组织结构、应力状态、表面形貌、光学性质和电学性能等方面，进一步优化薄膜的性能。
因此，在制备MgZn0薄膜材料时，应该充分考虑退火处理对其性能的影响，并选择合适的退火处理方式，从而获得更好的材料性能。
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理是一种常见的热处理方法，可以改善材料的性能和结构。
在MgZn0薄膜的制备过程中，退火处理也是一个重要的步骤，可以影响薄膜的晶体结构、形貌和力学性能等方面。
首先，退火处理可以改变MgZn0薄膜的晶体结构。
在制备MgZn0薄膜时，由于制备条件的限制，通常会形成非晶态或部分非晶态结构。
而通过退火处理，这种非晶态结构可以被转化为晶态结构。
研究表明，退火处理可以促进镁锌合金晶体化，使其从非晶态（或部分非晶态）向晶态转化，晶化程度和退火温度呈正相关关系。
晶体结构的转化不仅可以改变薄膜的表面形貌，还可以提高薄膜的力学性能。
其次，退火处理还可以调控MgZn0薄膜的表面形貌。
退火处理可以增加薄膜中的结晶颗粒数量和尺寸，使表面平整度和晶界密度增加。
此外，退火处理还可以提高薄膜的结晶度和晶体取向性，使得薄膜中的晶格畸变量减小，颗粒形态更加规则，且表面更加光滑。
这些微观结构的变化可以改善薄膜的表面质量和机械性能，使其具有更高的耐腐蚀性和生物相容性。
综上所述，退火处理对MgZn0薄膜的性能具有显著的影响。
通过退火处理，可以促进薄膜的晶体化，调控其微观结构和表面形貌，并优化其力学性能，使其更加适合于应用于微电子、生物医学和光学领域等高新技术领域。
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理对MgZn0薄膜性能的影响
退火处理是一种常见的表面处理技术，可以通过改变材料的晶体结构和金属原子的排列方式来调节材料的性能。
在MgZn0薄膜中，退火处理可以改善其结晶性能、机械性能和电学性能。
退火处理可以改善MgZn0薄膜的结晶性能。
在退火过程中，高温会使晶界能降低，晶界迁移并回复成更有序的结构。
通过选择合适的退火温度和时间，可以使薄膜中的晶粒尺寸增大，晶界清晰，晶格缺陷减少。
这种结晶性能的改善有助于提高MgZn0薄膜的晶体学性质和机械性能。
退火处理对MgZn0薄膜的电学性能也有影响。
在退火过程中，高温会促使薄膜中的杂质和缺陷重新分布，改变了材料的导电性能。
通过控制退火处理的温度和时间，可以调节MgZn0薄膜的载流子浓度和迁移率，从而改变其电导率和电学性能。
退火处理还可以降低薄膜的内应力，提高其稳定性和可靠性。
退火处理对MgZn0薄膜具有显著的影响。
通过合适的退火处理，可以改善薄膜的结晶性能、机械性能和电学性能。
这些改善有助于提高MgZn0薄膜的整体性能和应用范围。
在制备和使用MgZn0薄膜时，应充分考虑退火处理的重要性，并设计合适的退火工艺参数。
低温退火对电解铜箔组织及力学性能的影响
低温退火对电解铜箔组织及力学性能的影响一、低温退火的原理及作用低温退火（Low temperature annealing）是指在相对较低的温度下进行的退火处理，通常温度范围为200℃~400℃。
低温退火的主要作用是通过晶界扩散、空位扩散等方式改变材料的组织结构，达到以下效果：1.消除组织缺陷：低温退火可以消除材料中晶界、位错等组织缺陷，从而使材料的晶界结构更加稳定，提高其断裂强度和韧性。
2.提高晶体结构的稳定性：低温退火可以使晶体结构重新排列，从而使晶体间距更加均匀，晶体结构更加稳定，提高材料的抗拉强度和硬度。
3.改善材料的电学性能：低温退火可以改善材料的导电性能，提高其超导性能，适用于一些需要高导电性能的电子器件。
1.晶界结构的改善：低温退火可以消除电解铜箔中晶界的一些缺陷，如晶界错配、晶界滑移等，使晶界结构更加稳定。
同时，低温退火还可以使晶界之间的距离更加均匀，从而减小晶界面积，提高电解铜箔的抗拉强度和韧性。
2.晶粒尺寸的控制：低温退火可以控制电解铜箔的晶粒尺寸，使其更加均匀。
具体来说，低温退火可以使晶粒的初始尺寸变大，然后经过再结晶的过程，晶粒又变得更加小而均匀。
这样可以减小电解铜箔的内部应力，提高材料的强度和韧性。
3.提高韧性：低温退火可以使电解铜箔中的位错密度减小，从而减少位错引起的缺陷，如滑移带和裂纹等，从而提高电解铜箔的韧性。
四、结论低温退火是一种有效改善电解铜箔组织和性能的加工工艺。
通过控制低温退火的温度和时间参数，可以使电解铜箔中的晶界结构更加稳定，晶粒尺寸更加均匀，位错密度减小，从而提高电解铜箔的抗拉强度、硬度和韧性。
此外，低温退火还有助于提高电解铜箔的导电性能，适用于一些需要高导电性能的电子器件。
铜基薄膜太阳能电池的研制及发展趋势
铜基薄膜太阳能电池的研制及发展趋势前言在逐步推行绿色能源的发展方向下，太阳能电池技术发展越来越受到人们的关注。
其中，铜基薄膜太阳能电池因其高功率和长寿命成为一种前景广阔的新型光伏器件。
研制内容铜基薄膜太阳能电池是指以铜材料为基底，经过化学涂层和热处理得出的一种光伏器件。
其主要由CuGaSe2和CuInSe2等多个元素组成，因此称为铜基化合物薄膜太阳能电池。
其研制主要分为以下步骤：1. 以铜箔为基板，进行化学初步釉化处理，得到一层化学物质，即"buffer层"2. 在buffer层上，将热蒸发所需的金属源先蒸发至蒸发源构件上，再通过电子束加热，使其与铜箔自然反应形成化合物层。
3. 经过多次重复的蒸发成膜，得到一个层层叠加的、由CuInSe2, CuGaSe2等多种材料构成的复合材料层。
4. 最后，将上述层热处理至适宜温度，并在其上制备透明导电膜和背电极，得到铜基薄膜太阳能电池器件。
发展趋势铜基薄膜太阳能电池由于其较高的光电转换效率和良好的尺寸稳定性，近年来受到越来越多的关注。
该技术的发展趋势主要有以下几个方面：1. 制造工艺上的优化，如进一步提高良率，缩短制造周期和优化生产设备。
2. 提高单晶及多晶硅太阳能电池生产的机型连续化生产的技术。
3. 提高晶体硅氧化物退火炉性能及技术。
4. 研究新的优质硅原材料型号及应用区域，以降低成本、提高品质。
5. 拓展广视场、高内部反射率太阳能电池的应用领域，并有望成为该领域的主导产品。
结论铜基薄膜太阳能电池是一种具有前沿发展趋势的新型光伏器件，其制造工艺逐渐优化，应用领域也在不断拓展，具有广阔的市场前景。
退火温度对CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜结构及光学特性的影响
书山有路勤为径，学海无涯苦作舟退火温度对CuGa0.8Ge0.2Se2 薄膜结构及光学特性的影响采用脉冲激光沉积法在SiO2 衬底上制备了CuGa0.8Ge0.2 Se2 薄膜。
采用X 射线衍射和X 射线能谱仪研究了退火温度对薄膜晶体结构和成分的影响，利用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌，采用紫外可见分光光度计分析了薄膜的光学特性。
结果表明，在CuGaSe2 中掺杂Ⅳ族元素Ge，光子吸收能量分别为0.65 和0.92 eV，禁带宽度为1.57 eV，能够形成中间带。
并随着退火温度的升高，CuGa0.8Ge0.2 Se2 薄膜的光学带隙逐渐减小。
中间带太阳能电池是很有潜力的太阳能电池之一，其理论效率最高能达到63.2%，这高于单节太阳能电池的极限效率40.7%，也高于两节叠层太阳能电池的极限效率55.4%。
目前实现中间带材料有三种方法：即量子点中间带电池、杂质带电池、高失配合金，其中，利用杂质掺杂形成中间带的方法简单、有效。
由于铜基化合物合金的带隙非常接近中间带材料理想禁带宽度，且载流子的寿命也较长，使之成为当前杂质带电池研究的热点。
2010 年Tablero 的理论研究发现，第Ⅳ族元素部分替代CuGaX2( X = S、Se) 中的Ga 或Cu 可形成中间带，转换效率可能达到半导体光伏理论的极限效率。
2013 年，Yong 等报道了第四族元素Sn 掺杂的GuMS2( M =1、实验本实验采用中科院沈阳科学仪器厂生产的PLD-450 型脉冲激光溅射仪，美国相干公司(Coherent将靶材和钠钙玻璃衬底固定在相应的样品架上，衬底和靶材的距离为5 cm，衬底温度为500℃，系统真空度为6.7 乘以10 -5 Pa，激光器工作模式为恒。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
ｄ ｉ １ ．９ ９ ｊｉ ｎ １７ ７ ７ ．０ ２ ０ ． １ ｏ ： ０ ３ ６ ／．ｓ ．６ １— ７ ５ ２ １ ． ２ ０ ７ ｓ
一
任 乃 飞 ，王 荣校 ，顾 佳 方 ，陈秋 月
（ 江苏大学 机械工程学院 ，江苏 镇江 ２ ２ １ ） １０ ３
Ｌ３＿ ： ３． 。２ 卷一 ３ｌ ＮＩ ￣
Ｔｒ ｎ ｉ ｎ ｅ ｅ ｔｖ ｔ ｆ Ｃｕ ｆｌ ｓ ａ ｄ ｉ ｆｕ ｎ ｅ ｏ ｎ ｅ ｌ ｇ ａ ｓｅ ｔ ｒ ｆ ｃ ｉ ｉｙ ｏ ｍ ｎ ｎ ｅ ｃ ｆａ ｎ ａ ｉ ｌ ｉ ｌ ｎ
Ｒ ｎＮａ ，Ｗ ｎ ｏｇ ｉｏ ｕＪａａ ｇ ｈｎＱ ｕ ｕ ｅ ａ ｇＲ ｎ ｘ ，Ｇ ｉ ｎ ，Ｃ ｅ ｉ ｅ ａ ｆ ｙ
ｆ ｒ ｎ ｅ ｅ ａ ｕ ｅ ． Ｔｈ ｒ ｎ ｉ ｎ ｅ ｅ ｔｖｔ ｆｆｌ ｗａ ｅ ｅ ｔｄ ｂ ｅ ｏ ｅ ｏ ｄ ａ ｅ ｍｐ－ ｒ ｂ ｅ ｅ ｔｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ｓ ｅ ｔａ ｓｅ ｔｒ ｆ ｃｉｉｙ ｏ ｍｓ ｌ ｉ ｓ ｄ ｔｃ ｅａｉａ Ｅ ｇ ｅｒ ｇ ｉｎｓ ｎｖｒｔ， ｈｎｉｎ ，Ｊ ｎｓ １ ０ ３ ｈｎ ） Ｓｈｏ ｏ Ｍｅｈｎｃｌ ｎｉ ｅｉ ，Ｊ ｇｕＵ ｉ ｓｙ Ｚ ｅｊ ｇ ｉ ｇｕ２ ２ １ ，Ｃ ｉａ ｎ ｎ ａ ｅｉ ａ ａ
Ａｂ ｔ ａ ｔ ｎ ｏ ｄ ｒｔ ｔ ｄ ｌｒｆ ｓ ｈ ｒ ｌｚ ｔｏ ｙ ａ ｃ ｆ ｓ ｏ ｔｐ ｌｅ ａ ｅ ｒａ ｉｔ ｄ ｍｅａ ．Ｃｕ ｓ ｒ ｃ ：Ｉ ｒ ｅ ｏ ｓｕ ｙ ｕ ｔａ ａ ｔｔ ｅ ｍａｉａ ｉｎ ｄ ｎ ｍｉ ｓ ｏ ｈ ｒ— ｕ ｓ ｄ ｌｓ ｒ ｉｒ ｄ ａｅ ｔ１
ａ ｄ ｔ ｅ ｉ ｆｕ ｎ ｅ ｏ ｎ ｅ ｌｎ ｎ ｔａ ｓｅ ｔｒｆｅ ｔ ｉ ｓａｓ ｉｃ ｓ ｅ ｎ ｈ ｎ ｅ ｃ ｆａ ｎ ａｉ ｇ ｏ ｒ ｎ ｉｎ ｅ ｃｉ ｔ ｗａ ｌｏ ｄ ｓ ｕ ｓ ｄ． Ｔｈ ｅ ｕ ｔ ｈ ｗ ｈ ｔｔ ｅ ｔａ — ｌ ｌ ｖｙ ｅ ｒ ｓ ｌｓｓ ｏ ｔ ａ ｈ ｒ ｎ
关 键 词 ：Ｃ ｕ薄膜 ；瞬 态反 射 率 ； 浦 一 测 ；飞秒 激光 ；双 温模 型 泵 探
中 图分 类 号 ： ４ ４ Ｔ ２ ７ ０ ８ ； Ｎ ４ 文 献标 志码 ： Ａ 文章 编 号 ：１７ — ７ ５ ２ １ ）２— ２ ９— ５ ６ １ ７ ７ （０ ２ ０ ０ ０ ０
ｓｅ ｔｒ ｆｅ ｔｖｔ Ｈ Ｖ ｆＣｕ ｆｌ ａ ｅ ｄ ｖｄ ｄ ｉｔ ｏ ｒｓａ ｅ ｆｓａ ｌ ｔｔ ｉ ｎ ｅｌ ｃｉｉｙ Ｃ Ｉ ｅ ｏ ｍｓｃ ｎ ｂ ｉｉ ｅ ｎ ｏ ｆ ｕ ｔｇ ｓｏ ｔ ｂ ｅ ｓａ ｅ，ｒ ｐ ｄ ｉ ｃ ｅ ｓ ｉ ａ ｉ ｎ ｒ ａ ｅ，ａｔ ｎ ａ ｔｅ ｕ — ｔｏ ｎ ｅ ｏ ｅ ．Ｔｈ ｅ ｋ ｖ ｌ ｅ ａ ｄ ｔ ｅ ｄｅａ ｉ ｆａｔｎ ｔｏ ｔｇ ｆｔａ ｓｅ ｔｒ ｆｅ ｔｖｔ ｕ ｖ ｒ ｉｎ ａ ｄ ｒ ｃ ｖ ｒ ｅ ｐ ａ ａ ｕ ｎ ｈ ｌｙ ｔｍｅ ｏ ｔｅ ｕａｉ ｎ ｓａ ｅ ｏ ｎ ｉｎ ｅ ｃｉｉｙ ｃ ｒ ｅ ａ ｅ ｒ ｌ ｓ ｎ ｉ ｖ ｏ ａ ｎ ａｉ ｇ．Ｗ ｉ ｎ ｒ ａ ｅ ｎ ｅ ｌｎ ｅ ｅ ａｕ ｅ，ｔ ｅ ａｔ ｎ ａ ｉｎ ｓａ ｅ ｔｍｅ ｉ ｎ ｒ ａ ｅ ｔ ｅ ｓｔ ｅ ｔ ｎ ｅ ｌｎ ｉ ｔ ｉ ｃ ｅ ｓ ｄ ａ ｎ ａ ｉ ｇ ｔｍｐ ｒ ｔ ｒ ｈ ｈ ｔｅ ｕ ｔ ｔ ｇ ｉ ｓｉ ｃ ｅ ｓ ｄ ｗｉ ｏ ｈ ｄ ｃ ｅ ｓ ｄ ｐｅ ｋ ｖ ｌ ｅ，ｗｈｉｈ ｍｅ ｎ ｈ ｏ ｌｎ ａ ｅ ｉ ｌｗ．Ｔｈ ｒ ｄ ｃｅ ｌｃ ｒ ｎ ｔ ｍｐ ｒｔ ｒ ａ ｅ ｎ ｅ ｒ ａｅ ａ ａｕ ｃ ａ ｓｔ ｅ ｃ ｏ ｉ ｇ ｒ ｔ ｓ ｓｏ ｅ ｐ ｅ ｉｔ ｄ ｅ ｅ ｔｏ ｅ ｅ ａｕ ｅ ｂ ｓ ｄ ｏ ｔ —ｅ ｅ ａ ｕ ｅ ｍｏ ｅ ｓｃ ｎ ｉｔｎ ｔ ｘ ｅ ｉ ｎ ａ ａａ，ｂ ｔｔ ｅ ｐ ｅ ｉｔ ｄ ｅ ｅ ｔｏ ｏ ｌ ｇ ｔｍｅ ｉ ｏ ｗｏ ｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ｄ ｌｉ ｏ ｓｓｅ ｔｗｉｈ ｅ ｐ ｒｍｅ ｔ ｌｄ ｔ ｕ ｈ ｒ ｄ ｃｅ ｌｃｒ ｎ ｃ ｏ ｉ ｉ ｓＩｎ— ｎ
Ｃ ｕ薄 膜 的 瞬态 反 射 率 及 退 火 处 理 的影 响
摘要 ： 了 究激光辐照金属薄膜后的超快热化动力学过程 ， 为 研 利用磁控溅射技 术在玻璃衬底上制 备 了ｃ ｕ薄膜样品 ， 同时取部分样品进行不同温度的退 火处理． 运用飞秒激光泵浦 一 探测技术观测 了薄膜表 面的反射 率变化 ， 研究 了薄膜退火处理对反射率的影响． 结果表 明： 飞秒激光作用下， ｕ ｃ 薄膜 的瞬 态反 射 率 曲线分 为稳 定 、 快速 上 升 、 衰减 和恢 复 ４个 阶段 ； 火处 理 对反 射 率 曲线 的峰 值 退
ｉ ｍｓｗｅ ｅ ｄ ｐ ｓｔ ｎ ｇａ ｓｓ ｂ ｔａ ｅ ｙ ｍａ ｎ ｔｏ ｐｕ ｔｒｎｇ，ａ ｏ ａ ｌ ｓｗｅ ｅ ａ ｎ ａｅ ｔｄ ｆ ｆｌ ｒ ｅ ｏ ｉ ｄ ｏ ｌ ｓ ｕ ｓｒ ｔｓ ｂ ｇ ｅｒ ｎ ｓ ｔｅ ｉ ｅ ｎｄ ｓ ｍｅ ｓ ｍｐ ｅ ｒ ｎ ｅ ｌ ｄ ａ ｉ－
和 衰减阶段 的 时间有 影响 ， 火 温度越 高 ， 射 率 变化 的峰值 越 小 ， 退 反 衰减 阶段 所 用的 时间越 长 ， 电 即
子 的冷却 速 率越慢 ； 于双温模 型预 测 的 电子 温度 与试验 结果 大致 吻合 ， 是 预 测的 电子 冷却 时 间 基 但
比试验 要 长．