电路MOR法介绍

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电路分析的基本原理

电路分析的基本原理

电路分析的基本原理电路分析是电子工程领域中的一项基本技能,它通过对电路中电流和电压的计算与分析,来解决电路设计、故障排除和电路性能评估等问题。

本文将介绍电路分析的基本原理,包括欧姆定律、基尔霍夫定律和戴维南定理。

一、欧姆定律(Ohm's Law)欧姆定律是电路分析的基石。

它说明了电流、电压和电阻之间的关系。

根据欧姆定律,电路中通过一个电阻的电流是该电阻两端的电压与电阻之比。

数学表达式如下:I = V / R其中,I代表电流(单位为安培),V代表电压(单位为伏特),R 代表电阻(单位为欧姆)。

基于欧姆定律,我们可以通过已知电流和电阻来计算电压,或者通过已知电压和电阻来计算电流。

这对于解决各种电路分析问题非常有用。

二、基尔霍夫定律(Kirchhoff's Laws)基尔霍夫定律是电路分析中另一个重要的原理。

它包括两个定律:基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。

1. 基尔霍夫电流定律(Kirchhoff's Current Law,KCL)基尔霍夫电流定律指出,在任何一个节点上,进入该节点的电流等于离开该节点的电流之和。

换句话说,电流在一个节点上守恒。

这个定律可以表达为以下方程式:ΣI_in= ΣI_out其中,ΣI_in代表进入节点的电流之和,ΣI_out代表离开节点的电流之和。

基尔霍夫电流定律在解决电路中复杂的电流分配问题时非常有用。

2. 基尔霍夫电压定律(Kirchhoff's Voltage Law,KVL)基尔霍夫电压定律指出,闭合电路中沿着任意闭合回路的总电压之和等于零。

换句话说,电压在一个闭合回路中守恒。

这个定律可以表达为以下方程式:ΣV_loop = 0其中,ΣV_loop代表闭合回路中各个电压源和电阻的电压之和。

基尔霍夫电压定律在解决电路中复杂的电压分配问题时非常有用。

三、戴维南定理(Thevenin's Theorem)戴维南定理是电路分析中一种简化电路的方法。

考研电路分析辅导讲义

考研电路分析辅导讲义
VCR的相量图:
I
i u
U
二、电感元件的交流电路 1.电压与电流的关系
i
+ u eL L +
di u eL L dt
设 i I m cosωt i 为参考正弦量,则
di uL ωLI m sin ω t i dt
ωLI m cosω t i 90 U m cosω t i 90
注意
5 230A I m
相量只是表示正弦量,而不等于正弦量。 只有正弦周期量才能用相量表示,相量不能表示 非正弦周期量。
⒉ 相量图
相量图:按照各个正弦量的大小和相位关系画出的 若干个相量的图形。
22030 V 例:U
I
60
I 560 A
U
30
只有同频率的正弦量才能画在同一相量图上, 可不画坐标轴。
u Ri RI m cosωt i U m cosωt i
⑴电压与电流同频率、同相 ψu ψi 0
Um U ⑵最大值、有效值伏安关系: R Im I
⑶相量关系
U U i
U U R I I
I I i
RI VCR的相量形式: U
F2 a2 jb2

F1 F2 a1 jb1 a2 jb2 a1 a2 jb1 b2
平行四边形法
+j +j F1 F2 O +1 F2 O
F1 + F2
F1
F1 - F2
- F2
+1
⒉ 指数式和极坐标式适用于复数的乘除运算。
1 j 2 例:设 F1 F1 e j, F1 1 F2 F2 e F2 2

对地电阻 10的9次方

对地电阻 10的9次方

对地电阻10的9次方全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:对地电阻10的9次方是指电路中与地之间的电阻值为10的9次方欧姆。

在电路中,对地电阻扮演着重要的角色,它影响着电流的流动以及电压的分布。

对地电阻的大小直接影响着电路的性能和稳定性。

对地电阻10的9次方是一种很大的电阻值,通常用于高阻抗电路中。

高阻抗电路是指电路中的电阻值很大,电流非常微弱的电路。

对地电阻值为10的9次方欧姆的电路通常用于传感器、仪器仪表等精密设备中,因为这些设备对电路的稳定性和精准性要求很高。

在电路中,对地电阻的作用主要有以下几个方面:1. 隔离和保护:对地电阻可以起到隔离和保护的作用,防止电路中的高压或高电流对设备造成损害。

对地电阻的存在可以限制电流的流动,避免电路中的短路和过流现象。

2. 均压和分压:对地电阻可以帮助实现电压的均压和分压。

在电路中,电压的分布是由电阻值决定的,对地电阻值为10的9次方欧姆的电路可以实现电压的精确分布,确保电路中各部分的电压稳定性。

3. 传感和检测:对地电阻可以用于传感和检测电路中的信号。

由于对地电阻的电阻值很大,可以实现对微弱信号的检测和放大,提高信号的灵敏度和精确度。

4. 过滤和滤波:对地电阻还可以用于电路中的滤波和过滤。

通过调整对地电阻的数值,可以实现不同频率信号的滤波效果,去除电路中的干扰和噪声,提高信号的清晰度和稳定性。

对地电阻10的9次方在电路中扮演着重要的角色,对电路的性能和稳定性有着重要的影响。

在实际应用中,我们需要根据具体的电路要求和设计需求选择合适的对地电阻数值,以实现电路的最佳性能和稳定性。

【此文章仅供参考】。

第二篇示例:对地电阻是指一个电路中某一个点到接地点的电阻值。

在电路设计和测试中,对地电阻是一个非常重要的参数,它可以影响整个电路的性能和稳定性。

通常情况下,我们希望对地电阻的数值越大越好,因为这可以减小信号的干扰和防止电路发生短路。

在电子电路中,对地电阻的数值通常以欧姆(Ω)为单位。

Mealy和Moore型电路的比较

Mealy和Moore型电路的比较
关键 词 :Mel 电路 ;Mo r 电路 ; 时钟 周期 ; 电路 状 态数 ay型 oe型
中 图分 类号 :T 7 0 N l 文献 标识 码 :A
Co mp rs n Be we n M e l r u t n o r r u t a io t e a y Cic isa d M o eCic is
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兵 工 自动 化
■ 接撞 m
M e s r me t n n r l e h i u a u e n d Co to c n q e a T
O. . t m ai n I Au o to 2 0 。 12 , 0 6 v0 . 5 No 5 .
态和 次态,x和 z分别为输入和 输出 。若采用上升
沿 翻 转 D 触 发 器 ,可 求 出 :z y及 Y=D=x0Y =x 。
设 电 路 从 初 始 状 态 O 出 发 , 输 入 序 列 为 x=
型的输出是现态 的函数L,Mor 2 J oe型是 Mel a y型特 殊形 式 。在 逻辑 电路 分 析 和 设计 中,Mel 型和 a y
20 0 6年 第 2 5卷 第 5期
文 章 编 号 : 1 0 —1 7 ( O 6) 0 08 — 06 56 20 5 2 02
Mel ay和 Mo r 电路 的 比较 oe型
李 岚 ( 圳 市人 民医 院 临 床医 学研 究 中心 。广东 深圳 5 8 2 ) 深 10 0
摘要 :Mel ay和 Mo r oe型电路的输 出具有 时差特 性。前者 比后者的输 出序列超前 一个时钟周期 。Mo r 比 oe型 Mel 的 电路 状 态数 多 当 Mel 电路 的状 态数 为 2 时 ,Mor 型 比 Mel 型 电路 因多一 个状 态 而更 为复 杂 。 a y型 a y型 “ oe a y 当 Mel a y型电路 的状态小于 2 时,二者的复杂程度一样 。其简化方法相 同。 “

运放调零电路原理(一)

运放调零电路原理(一)

运放调零电路原理(一)运放调零电路1. 引言运放(Operational Amplifier)是一种常见的集成电路元件,被广泛应用于信号增强、滤波、放大等电路中。

在使用运放时,为了确保其性能稳定和输出准确,常需要进行调零操作。

2. 什么是运放调零电路运放调零电路是用于校准运放输出的电路。

在理想情况下,运放的输出应该是零偏差的,但实际上由于制造工艺和环境因素的限制,运放存在一定的零偏差。

为了消除这种零偏差,需要使用调零电路进行校准。

3. 运放的零偏差运放的零偏差是指在输入信号为零时,输出信号与零点之间的偏差差值。

零偏差分为正零偏和负零偏,即输出偏向正电压或负电压。

4. 常见的运放调零电路零偏差电阻法调零电路零偏差电阻法调零电路是一种简单常用的调零方法。

通过在运放输入端串联一个电阻,使得电阻的电压降与运放的零偏差相等且反向,从而实现调零操作。

桥式调零电路桥式调零电路采用了桥式电阻网络,通过调节电阻值实现零偏差的补偿。

当两个分支电阻相等时,输出电压为零,进而实现调零。

零偏差电容法调零电路零偏差电容法调零电路使用电容来补偿运放的零偏差。

通过在运放输入端串联一个电容,使得电容的电压与运放的零偏差相等且反向,从而实现调零操作。

自动化调零电路自动化调零电路是一种自动校准运放的调零方法,能够实时监测运放的零偏差,并根据反馈信息进行补偿。

该方法适用于需要长时间保持精确性的应用场景。

5. 总结运放调零电路是确保运放性能可靠的重要手段,通过不同的调零电路可以有效地消除运放的零偏差。

在实际应用中,我们需要根据具体场景选择合适的调零方法,并进行适当的调试和校准,以确保电路的性能达到预期要求。

6. 零偏差电阻法调零电路详解调零原理零偏差电阻法调零电路是最简单的调零方法之一。

它通过在运放输入端串联一个电阻,使得电阻的电压降与运放的零偏差相等且反向,从而实现调零操作。

调零电路图调零步骤调零电路的具体步骤如下:1.将输入信号置为零,即将输入端接地。

利用电力线传输数字信号的一种简单方法

利用电力线传输数字信号的一种简单方法

org $0100
reset
nop
sei
rsp
clra
sta option
;设定 IRQ 下降沿中断
brset starttx , status , 3 ;等待发送结束
bra txdat
;循环发送
recdat dispdat
bset pc0 ,portc
;接收时不能发送 ,故置 PC0 为高
bclr validat , status ;清有效数据标志
摘 要 文章介绍了一种利用电力线传输数字信号的方法 ,该方法只需两根交流 220V 的电 源线 ,外加一根数据线 ,即可实现数字信号的半双工传输 。此种方法既简单又实用 。 关键词 三线通信 过零检测 数据编码
对于一些简单低速的应用 ,出于成本方面的考 虑 ,并不采用专用的调制解调芯片 ,而是用交流 220V 的电源线加一根数据线 ,组成经济 、实用 、可靠 的三线通信电路 。下面以变频空调室内室外机之间 的通信为例 ,简要阐明其工作原理 、编码方法及具体 实现 。
brclr starttx , status , ;若开始发送标志为“0”,
irqend
中断返回
brclr halfbit , status , ;若“1”码已发送完 ,接着
newbit
发送下一位
bset pc0 ,portc
;否则 ,发送“1”码的第二 个周期
bclr halfbit , status “; 1”码已发送完
;发送停止位第一个周期
bset halfend , status ;并置停止位的半位标志
bra irqend
;中断返回
nxtendbit : bclr bset
halfend , status pc0 , portc

硬件(模电数电电路)术语

硬件(模电数电电路)术语

硬件术语(电路、模电、数电)电路的基本概念及定律电源source电压源voltage source电流源current source理想电压源ideal voltage source理想电流源ideal current source伏安特性volt-ampere characteristic电动势electromotive force电压voltage电流current电位potential电位差potential difference欧姆Ohm伏特Volt安培Ampere瓦特Watt焦耳Joule电路circuit电路元件circuit element电阻resistance电阻器resistor电感inductance电感器inductor电容capacitance电容器capacitor电路模型circuit model参考方向reference direction参考电位reference potential欧姆定律Ohm’s law基尔霍夫定律Kirchhoff’s law基尔霍夫电压定律Kirchhoff’s voltage law(KVL)基尔霍夫电流定律Kirchhoff’s current law(KCL)结点node支路branch回路loop网孔mesh支路电流法branch current analysis网孔电流法mesh current analysis结点电位法node voltage analysis电源变换source transformations叠加原理superposition theorem网络network无源二端网络passive two-terminal network有源二端网络active two-terminal network戴维宁定理Thevenin’s theorem诺顿定理Norton’s theorem开路(断路)open circuit短路short circuit开路电压open-circuit voltage短路电流short-circuit current交流电路直流电路direct current circuit (dc)交流电路alternating current circuit (ac)正弦交流电路sinusoidal a-c circuit平均值average value有效值effective value均方根值root-mean-squire value (rms)瞬时值instantaneous value电抗reactance感抗inductive reactance容抗capacitive reactance法拉Farad亨利Henry阻抗impedance复数阻抗complex impedance相位phase初相位initial phase相位差phase difference相位领先phase lead相位落后phase lag倒相,反相phase inversion频率frequency角频率angular frequency赫兹Hertz相量phasor相量图phasor diagram有功功率active power无功功率reactive power视在功率apparent power功率因数power factor功率因数补偿power-factor compensation串联谐振series resonance并联谐振parallel resonance谐振频率resonance frequency频率特性frequency characteristic幅频特性amplitude-frequency response characteristic相频特性phase-frequency response characteristic截止频率cutoff frequency品质因数quality factor通频带pass-band带宽bandwidth (BW)滤波器filter一阶滤波器first-order filter二阶滤波器second-order filter低通滤波器low-pass filter高通滤波器high-pass filter带通滤波器band-pass filter带阻滤波器band-stop filter转移函数transfer function波特图Bode diagram傅立叶级数Fourier series三相电路三相电路three-phase circuit三相电源three-phase source对称三相电源symmetrical three-phase source对称三相负载symmetrical three-phase load相电压phase voltage相电流phase current线电压line voltage线电流line current三相三线制three-phase three-wire system三相四线制three-phase four-wire system三相功率three-phase power星形连接star connection(Y-connection)三角形连接triangular connection(- connection ,delta connection) 中线neutral line电路的暂态过程分析暂态transient state稳态steady state暂态过程,暂态响应transient response换路定理low of switch一阶电路first-order circuit三要素法three-factor method时间常数time constant积分电路integrating circuit微分电路differentiating circuit磁路与变压器磁场magnetic field磁通flux磁路magnetic circuit磁感应强度flux density磁通势magnetomotive force磁阻reluctance电动机直流电动机dc motor交流电动机ac motor异步电动机asynchronous motor同步电动机synchronous motor三相异步电动机three-phase asynchronous motor 单相异步电动机single-phase asynchronous motor 旋转磁场rotating magnetic field定子stator转子rotor转差率slip起动电流starting current起动转矩starting torque额定电压rated voltage额定电流rated current额定功率rated power机械特性mechanical characteristic继电器-接触器控制按钮button熔断器fuse开关switch行程开关travel switch继电器relay接触器contactor常开(动合)触点normally open contact常闭(动断)触点normally closed contact时间继电器time relay热继电器thermal overload relay中间继电器intermediate relay可编程控制器(PLC)可编程控制器programmable logic controller语句表statement list梯形图ladder diagram半导体器件本征半导体intrinsic semiconductor掺杂半导体doped semiconductorP型半导体P-type semiconductorN型半导体N--type semiconductor自由电子free electron空穴hole载流子carriersPN结PN junction扩散diffusion漂移drift二极管diode硅二极管silicon diode锗二极管germanium diode阳极anode阴极cathode发光二极管light-emitting diode (LED)光电二极管photodiode稳压二极管Zener diode晶体管(三极管)transistorPNP型晶体管PNP transistorNPN型晶体管NPN transistor发射极emitter集电极collector基极base电流放大系数current amplification coefficient场效应管field-effect transistor (FET)P沟道p-channelN沟道n-channel结型场效应管junction FET(JFET)金属氧化物半导体metal-oxide semiconductor (MOS)耗尽型MOS场效应管depletion mode MOSFET(D-MOSFET)增强型MOS场效应管enhancement mode MOSFET(E-MOSFET)源极source栅极grid漏极drain跨导transconductance夹断电压pinch-off voltage热敏电阻thermistor开路open短路shorted基本放大器放大器amplifier正向偏置forward bias反向偏置backward bias静态工作点quiescent point (Q-point)等效电路equivalent circuit电压放大倍数voltage gain总的电压放大倍数overall voltage gain饱和saturation截止cut-off放大区amplifier region饱和区saturation region截止区cut-off region失真distortion饱和失真saturation distortion截止失真cut-off distortion零点漂移zero drift正反馈positive feedback负反馈negative feedback串联负反馈series negative feedback并联负反馈parallel negative feedback共射极放大器common-emitter amplifier射极跟随器emitter-follower共源极放大器common-source amplifier共漏极放大器common-drain amplifier多级放大器multistage amplifier阻容耦合放大器resistance-capacitance coupled amplifier 直接耦合放大器direct- coupled amplifier输入电阻input resistance输出电阻output resistance负载电阻load resistance动态电阻dynamic resistance负载电流load current旁路电容bypass capacitor耦合电容coupled capacitor直流通路direct current path交流通路alternating current path直流分量direct current component交流分量alternating current component变阻器(电位器)rheostat电阻(器)resistor电阻(值)resistance电容(器)capacitor电容(量)capacitance电感(器,线圈)inductor电感(量),感应系数inductance正弦电压sinusoidal voltage集成运算放大器及应用差动放大器differential amplifier运算放大器operational amplifier(op-amp)失调电压offset voltage失调电流offset current共模信号common-mode signal差模信号different-mode signal共模抑制比common-mode rejection ratio (CMRR) 积分电路integrator(circuit)微分电路differentiator(circuit)有源滤波器active filter低通滤波器low-pass filter高通滤波器high-pass filter带通滤波器band-pass filter带阻滤波器band-stop filter波特沃斯滤波器Butterworth filter切比雪夫滤波器Chebyshev filter贝塞尔滤波器Bessel filter截止频率cut-off frequency上限截止频率upper cut-off frequency下限截止频率lower cut-off frequency中心频率center frequency带宽Bandwidth开环增益open-loop gain闭环增益closed-loop gain共模增益common-mode gain输入阻抗input impedance电压跟随器voltage-follower电压源voltage source电流源current source单位增益带宽unity-gain bandwidth频率响应frequency response频响特性(曲线)response characteristic波特图the Bode plot稳定性stability补偿compensation比较器comparator迟滞比较器hysteresis comparator阶跃输入电压step input voltage仪表放大器instrumentation amplifier隔离放大器isolation amplifier对数放大器log amplifier反对数放大器antilog amplifier反馈通道feedback path反向漏电流reverse leakage current相位phase相移phase shift锁相环phase-locked loop(PLL)锁相环相位监测器PLL phase detector和频sum frequency差频difference frequency波形发生电路振荡器oscillatorRC振荡器RC oscillatorLC振荡器LC oscillator正弦波振荡器sinusoidal oscillator三角波发生器triangular wave generator方波发生器square wave generator幅度magnitude电平level饱和输出电平(电压)saturated output level功率放大器功率放大器power amplifier交越失真cross-over distortion甲类功率放大器class A power amplifier乙类推挽功率放大器class B push-pull power amplifier OTL功率放大器output transformerless power amplifier OCL功率放大器output capacitorless power amplifier直流稳压电源半波整流full-wave rectifier全波整流half-wave rectifier电感滤波器inductor filter电容滤波器capacitor filter串联型稳压电源series (voltage) regulator开关型稳压电源switching (voltage) regulator集成稳压器IC (voltage) regulator晶闸管及可控整流电路晶闸管thyristor单结晶体管unijunction transistor(UJT)可控整流controlled rectifier可控硅silicon-controlled rectifier峰点peak point谷点valley point控制角controlling angle导通角turn-on angle门电路与逻辑代数二进制binary二进制数binary number十进制decimal十六进制hexadecimal二-十进制binary coded decimal (BCD)门电路gate三态门tri-state gate与门AND gate或门OR gate非门NOT gate与非门NAND gate或非门NOR gate异或门exclusive-OR gate反相器inverter布尔代数Boolean algebra真值表truth table卡诺图the Karnaugh map逻辑函数logic function逻辑表达式logic expression组合逻辑电路组合逻辑电路combination logic circuit译码器decoder编码器coder比较器comparator半加器half-adder全加器full-adder七段显示器seven-segment display时序逻辑电路时序逻辑电路sequential logic circuitR-S 触发器R-S flip-flopD触发器D flip-flopJ-K触发器J-K flip-flop主从型触发器master-slave flip-flop置位set复位reset直接置位端direct-set terminal直接复位端direct-reset terminal寄存器register移位寄存器shift register双向移位寄存器bidirectional shift register 计数器counter同步计数器synchronous counter异步计数器asynchronous counter加法计数器adding counter减法计数器subtracting counter定时器timer清除(清0)clear载入load时钟脉冲clock pulse触发脉冲trigger pulse上升沿positive edge下降沿negative edge时序图timing diagram波形图waveform脉冲波形的产生与整形单稳态触发器monostable flip-flop双稳态触发器bistable flip-flop无稳态振荡器astable oscillator晶体crystal555定时器555 timer模拟信号与数字信号的相互转换模拟信号analog signal数字信号digital signalAD转换器analog -digital converter (ADC)DA转换器digital-analog converter (DAC)半导体存储器只读存储器read-only memory(ROM)随机存取存储器random-access memory(RAM)可编程ROM programmable ROM(PROM)。

全电路欧姆定律

全电路欧姆定律

全电路欧姆定律闭合电路的电流跟电源的电动势成正比,跟内、外电路的电阻之和成反比。

公式为I=E/(R+r),I表示电路中电流,E表示电动势,R表示外总电阻,r表示电池内阻。

常用的变形式有E=I (R+r);E=U外+U内;U外=E-Ir中文名:全电路欧姆定律外文名:Ohm law of closed circuit表达式:I=E/(R外+r)定律意义意义说明定律说明了闭合电路中的电流取决于两个因素即电源的电动势和闭合回路的总电阻,这是一对矛盾在电路中的统一。

变式E=U外+U内=I (R+r)则说明了在闭合电路中电势升和降是相等的。

①用电压表接在电源两极间测得的电压是路端电压U外,不是内电路两端的电压U内,也不是电源电动势,所以U外<E。

②当电源没有接入电路时,因无电流通过内电路,所以U内=0,此时E=U 外,即电源电动势等于电源没有接入电路时的路端电压。

③式E=I (R+r)只适用于外电路为纯电阻的闭合电路。

U外=E-Ir和E=U外+U内适用于所有的闭合电路。

相关定义①内电路:电源内部的电路叫做闭合电路的内电路。

②内阻:内电路的电阻叫做电源的内阻。

③内电压:当电路中有电流通过时,内电路两端的电压叫内电压,用U内表示。

④外电路:电源外部的电路叫闭合电路的外电路。

⑤外电压:外电路两端的电压叫外电压,也叫路端电压,用U外表示。

⑥电动势:电动势表示在不同的电源中非静电力做功的本领,常用符号E(有时也可用ε)表示。

功率计算路端电压与电动势当电源两极断开、电源内部处于平衡状态时,有E+K=0 E=U外当外电路接通,电路中将出现电流,这时上式应代之以E+K=j/σ路端电压与外电阻R当外电阻R增大时,根据可知,电流I减小(E和r为定值);内电压Ir减小,根据U外=E―Ir可知路端电压U外增大;当外电路断开时,I=0,此时U外=E。

当外电阻R减小时,根据可知,电流I增大;内电压Ir增大。

根据U外=E―Ir可知路端电压U外减小;当电路短路时,R=0,,U外=0。

System Verilog与Verilog描述状态机(FSM)之比较

System Verilog与Verilog描述状态机(FSM)之比较
情况 下 , A cl r 标 准 组 织 在 Vei g的 基 础 上 由 ceea l ro l
本 概念 , 然后讨论 了状态机 的 编码风格 , 最后 重点 比
较 S s mVei g与 Vei g描 述 有 限 状 态 机 的异 yt e ro l ro l 同。
状 态 机 的基本 概 念
S se ytmVei g与 ro ro l Vei g描 述 状 态 机 ( S ) 比较 l FM 之
杨厚一 , 东明 徐
( 西安邮电学院 电子与信息工程 系, 陕西 西安 7 02 ) 1 11
摘要 : 由于状 态机不仅是一种 电路 的描 述工具 , 而且也是 一种思 想方 法, 因而在 电路 设计 的 系统级和 R TL级 有 着
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20 08年 5月 第1 3卷 第 3期
西 安 邮 电 学 院 学 报 J RN LO OU A FXIA U VE STYO OS ’ N NI R I FP TAN DT L () E EX MMUNIA O S C TI N
Ma 0 8 y2 0 Vo.3N . 11 o 3
维普资讯
第 3期
杨厚一 , :yt 等 S se ro mVe l i g与 V ro eig描述状 态机( S - l F M)  ̄
— —

17 ・ 0
状态机 分 为 两 大类 : 尔 ( oe型 状 态 机 和米 勒 摩 Mor)
( a) Mel 型状态 机 。 y
◆输出 : 指在某一个状态时特定发生的事件。
◆输 入 : 状态机 进入 每个状态 的条 件 , 的状 指 有 态 机没有 输入 条件 , 中的状态转 移较 为简单 ; 的 其 有 状态 机有 输入条 件 , 有 当某 个 输 入 条件 发 生 时才 只 能转 移 到相应 的状态 。 根 据状 态 机 的输 出 是否 与输 入 条件 相 关 , 可将

最实用的5种电路分析方法

最实用的5种电路分析方法

学好电路分析是后续课程的基础,可谓简单而重要,只有电路分析学好了,在后续课程中才能有良好的思路去解决问题。

电路是一门专业基础课,相对于文化基础课来说,它更侧重于解决工程实际问题,而比起专业课来讲,它则更强调物理概念和一般理论分析。

电路理论是从实际事物中抽象出来的,与实际事物既有联系又有区别的理论,因此要特别注意应用场合的条件。

电路课程具有特殊的规律,掌握了规律则学习起来就轻松多了,也容易记忆。

电路理论分析一是主要决定电路元件模型,即理想电阻元件、电感元件、电容元件,掌握了这些元件的伏安特性,则许多问题就迎刃而解。

要注意电路结构所遵循的原则即基本尔霍夫二大定律是解决电路结构问题的关键,在以上基础上应用电路中的主要原理、定理,即叠加定理、戴维南定理,对电路进行分析、计算。

为了正确、简单的分析、计算电路,对于复杂电路必须通过等效变换进行化简,这是电路理论中的首要手段,所谓等效即在不影响所需计算分析的情况下对外电路等效,这是必须牢牢掌握的。

平时要认真阅读例题。

例题是课程内容的组成部分,又是从概念到解题的中间桥梁,把定律、定理、原理以例题形式编入书中,这是电路教材的特点。

多做习题也是电路课学习的重要方面。

习题是教材中不可分割的重要部分,习题的练习,有助于加深对基本概念的理解。

习题不但要做对,更应该理解每道习题所要考察的概念,搞清为什么要出这一道题,考核了什么内容,这样学习才能学得深,学得好。

解习题是培养思考能力的一个极其重要的环节,同时也是检验自己是否真正掌握了概念的一把尺子。

区别电路模型与实际器件。

理想电路元件是从实际电路器件中科学抽象出来的假想元件。

应当注意电路元件与实际器件的联系和差别。

一般器件都可以用理想电路元件及它们的组合来模拟,但两者之间不完全等同。

例如,在频率不太高的条件下,一个线圈的数学模型就是电阻元件和电感元件的串联,而当频率较高时,线圈的绕线之间的电容效应就不容忽视,在这种情况下表征这个线圈的较精确的模型还应当包含电容元件。

利用电力线传输数字信号的一种简单方法

利用电力线传输数字信号的一种简单方法

brclr validat , status , 3 ;等待接收完成
lda rxdata
;读取接收到的数据
sta porta
;并送 A 口显示
bra recdat
;循环接收
clrram RAM 清零
clr ,x
incx
bne clrram lda # $ff
图 2 “0”和“1”的编码方案
3 与 CPU 的接口
在本设计中 ,室内机和室外机的控制器 CPU 均 采用 Motorola的 MC68 HC08 MP16 ,其室内与室外 的通信接口如图 3 所示 。
图 3 CPU 接口
4 通信软件设计
本文以 Motorola 单片机程序为例 ,说明通信软 件的设计方法 。本程序已经在 EVM05 开发环境下 调试通过 ,可直接使用 。具体程序如下 :
lda bitno
cmp # 8
;接收完 8 位否 ?
blo capend
;否 ,中断返回
bset validat , status ;接收完 8 位 ,置有效数 据标志
rti
;中断返回
end
Physior 公司制成临床试验中准确测量新系统
法国 Physior 公司研制出一种名为 IZZO 的新 电子系统 ,用于在临床试验中记录 、分析和报告患者 病情数据 。这种系统提高了向医药研究部门提供的 有关新药效力和允许剂量的临床数据的精确度 。系 统把患者服药的时间精确地记录下来 。数据分析由 IZZO 系统根据研究部门的技术要求进行 。观察报 告以电子的方式产生并可联机提供给医药公司 。
2 通信编码
“0”和“1”的编码是与过零同步信号相关的 ,其 编码方案如图 2 所示 。本方案不设起始位 ,连续发

运放 rms电路

运放 rms电路

运放 rms电路
RMS电路是一种常用的信号处理电路,可以将输入信号转换为其均方根值。

这种电路广泛应用于音频放大器、音频测量和音频处理等领域。

本文将介绍RMS电路的工作原理和应用。

一、RMS电路的工作原理
RMS电路是基于均方根定理设计的,该定理指出,任意周期性信号的均方根值等于其各个采样点幅值的平方和的平均值的平方根。

因此,RMS电路的主要任务就是将输入信号进行平方运算、求和运算和平均值运算,最后再开方得到均方根值。

RMS电路通常由运算放大器、电阻和电容等元件组成。

输入信号经过运算放大器放大后,通过电阻和电容进行平方运算、求和运算和平均值运算,最后输出均方根值。

二、RMS电路的应用
1. 音频放大器:RMS电路可以用于音频放大器中的功率测量。

通过测量输入信号和输出信号的均方根值,可以准确计算音频放大器的功率增益。

2. 音频测量:RMS电路可以用于音频测量仪器中,对音频信号的幅值进行准确测量。

通过测量输入信号的均方根值,可以得到音频信号的真实幅值。

3. 音频处理:RMS电路可以用于音频处理器中,对音频信号进行动态范围控制。

通过测量输入信号的均方根值,可以调整音频信号的增益,从而实现音频信号的动态范围压缩或扩展。

总结:
RMS电路是一种重要的信号处理电路,可以将输入信号转换为其均方根值。

它在音频放大器、音频测量和音频处理等领域有着广泛的应用。

通过了解RMS电路的工作原理和应用,我们可以更好地理解和应用这一电路。

希望本文对读者有所帮助。

电路8向量法

电路8向量法

A(t)还可以写成
A(t ) 2Ie jψ ejωt
复常数
j(w tΨ)
2Ie

2 I e jωt
A(t)包含了三要素:I、 、w ,复常数包含了I , 。


I
I为Ψ正弦量
i(t)
对应的相量。

i(t) 2I cos(w t Ψ) I IΨ
相量的模表示正弦量的有效值
相量的幅角表示正弦量的初相位
jωC
相量关系:

U
j
1
wC

I
jX C

I
相量模型
有效值关系: IC=w CU 相位关系:i=u+90°
容抗与容纳:
XC=1/w C, 称为容抗,单位为 (欧姆) B C = w C, 称为容纳,单位为 S
频率和容抗成反比,
|XC|
w0, |XC| 直流开路(隔直)
w ,|XC|0 高频短路(旁路作用)
第8章 相量法
重点: 1. 正弦量的表示、相位差; 2. 正弦量的相量表示 3. 电路定理的相量形式;
8.1 复 数
1. 复数及运算
复数A的表示形式 (1)代数形式
A=a+jb (j 1 为虚数单位)
Im
b
A
Im
b
A
|A|
0
a Re
0
a Re
A a jb
表示复平面上的一个点
A | A | e j
3. 电容元件VCR的相量形式
时域形式: 已知 u(t) 2U cos(wt Ψu )
iC(t)
+ u(t) -

IC
+ •

电路中的基本定律总结

电路中的基本定律总结

电路中的基本定律总结电路是电子设备中必不可少的一部分,而电路中的基本定律则是理解和应用电子技术的基础。

本文将对电路中的基本定律进行总结,以帮助读者全面理解和掌握电子电路的基本原理。

一、欧姆定律欧姆定律是电路中最基本的定律之一,它描述了电阻元件的电压和电流之间的关系。

欧姆定律可以表述为:在保持电阻不变的情况下,通过一个电阻的电流与该电阻两端的电压成正比,即I=V/R,其中I表示电流,V表示电压,R表示电阻。

二、基尔霍夫定律基尔霍夫定律是描述电路中节点电流和回路电压之间关系的定律,根据基尔霍夫定律,电路中的节点电流代数和为0,即任何一个电路节点处的电流代数和等于0;同时,电路中的回路电压代数和为0,即绕电路中任意闭合回路的电压代数和等于0。

根据基尔霍夫定律,我们可以通过节点电流和回路电压的计算来解决复杂电路的分析问题。

三、电源电压定律电源电压定律是描述电路中电源电压分配的定律。

根据电源电压定律,电路中的电源电压等于电路中所有元件的电压之和。

这意味着,在一个电路中,电源的总电压将分配给连在电路中的各个元件。

四、电压分压定律电压分压定律是描述电路中电压分配的定律。

根据电压分压定律,如果一个电阻器两端的电压为V,而这个电阻器与其他电阻器串联,那么电阻器所占的比例就是它的阻值与总串联电阻之比,即V1/V2=R1/(R1+R2)。

电压分压定律对于计算和设计电路中的分压电阻网络非常有用。

它不仅能够帮助我们理解电路中电压沿着不同路径的分布,还能够帮助我们选择合适的分压电阻来满足电路需求。

五、电流合流定律电流合流定律是描述电路中电流合并的定律。

根据电流合流定律,电路中的电流合并后总和等于分离前的总和。

这意味着,在一个电路中,从不同分支流入一个节点的电流之和等于从该节点流出去的电流之和。

六、功率定律功率定律是描述电路中功率计算的定律。

根据功率定律,功率可以通过电流和电压的乘积来计算,即P=VI。

功率定律对于电路能量转换和元件功率计算非常有用。

g·m莱克霍夫计算方法

g·m莱克霍夫计算方法

g·m莱克霍夫计算方法G·M莱克霍夫计算方法是一种用于计算电路中直流电压的方法。

该方法是由德国工程师戈斯塔夫·莱克霍夫(Gustav Leclanché)首先提出的,后来由英国工程师亚瑟·格德斯·查尔斯沃斯·梅森(Arthur Kennelly)和英国工程师奥利弗·海维斯·佩里(Oliver Heaviside)进行了改进和推广。

在电路分析中,G·M莱克霍夫计算方法通常用于求解由电源、电阻和电流源组成的电路中各个节点的电压。

该方法基于基尔霍夫定律和欧姆定律,通过建立节点电压方程组,然后通过求解这些方程组来得到各个节点的电压值。

具体来说,G·M莱克霍夫计算方法包括以下几个步骤:1. 标记各个节点,对电路中的各个节点进行标记,通常选择其中一个节点为参考节点,其他节点相对于参考节点进行标记。

2. 建立节点电压方程,根据基尔霍夫电流定律,在除参考节点外的每个节点上建立一个电压方程,该方程表示该节点的电流等于进入该节点的电流与离开该节点的电流之差。

3. 求解节点电压方程,通过求解建立的节点电压方程组,可以得到各个节点的电压值。

4. 检验电压值,最后,通过检验得到的节点电压值是否满足电路中的其他电压和电流条件,来验证计算结果的准确性。

G·M莱克霍夫计算方法在实际工程中被广泛应用,特别是在设计和分析直流电路时具有重要意义。

通过该方法,工程师可以有效地求解复杂电路中各个节点的电压,为电路设计和分析提供了重要的工具和手段。

同时,G·M莱克霍夫计算方法也为电路分析提供了一种系统化和结构化的思维方式,有助于工程师更好地理解和分析电路的工作原理。

最强总结:27个模拟电路基础知识!

最强总结:27个模拟电路基础知识!

最强总结:27个模拟电路基础知识!01基尔霍夫定理的内容是什么?基尔霍夫电流定律:在电路任一节点,流入、流出该节点电流的代数和为零。

基尔霍夫电压定律:在电路中的任一闭合电路,电压的代数和为零。

02戴维南定理一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路,对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。

其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压,串联的内阻为内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻。

03三极管曲线特性04反馈电路的概念及应用反馈,就是在电子系统中,把放大电路中的输出量(电流或电压)的一部分或全部,通过一定形式的反馈取样网络并以一定的方式作用到输入回路以影响放大电路输入量的过程。

反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。

负反馈对放大器性能有四种影响:•提高放大倍数的稳定性,由于外界条件的变化(T℃,Vcc,器件老化等),放大倍数会变化,其相对变化量越小,则稳定性越高。

•减小非线性失真和噪声。

•改变了放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro。

•有效地扩展放大器的通频带。

电压负反馈的特点:电路的输出电压趋向于维持恒定。

电流负反馈的特点:电路的输出电流趋向于维持恒定。

引入负反馈的一般原则为:•为了稳定放大电路的静态工作点,应引入直流负反馈;为了改善放大电路的动态性能,应引入交流负反馈(在中频段的极性)。

•信号源内阻较小或要求提高放大电路的输入电阻时,应引入串联负反馈;信号源内阻较大或要求降低输入电阻时,应引入并联系反馈。

•根据负载对放大电路输出电量或输出电阻的要求决定是引入电压还是电流负反馈,若负载要求提供稳定的信号电压或输出电阻要小,则应引入电压负反馈;若负载要求提供稳定的信号电流或输出电阻要大,则应引入电流负反馈。

•在需要进行信号变换时,应根据四种类型的负反馈放大电路的功能选择合适的组态。

例如,要求实现电流——电压信号的转换时,应在放大电路中引入电压并联负反馈等。

电路图基本知识

电路图基本知识

电路图基本知识前面介绍了电路图中的元器件的作用和符号。

一张电路图通常有几十乃至几百个元器件,它们的连线纵横交叉,形式变化多端,初学者往往不知道该从什么地方开始,怎样才能读懂它。

其实电子电路本身有很强的规律性,不管多复杂的电路,经过分析可以发现,它是由少数几个单元电路组成的。

好象孩子们玩的积木,虽然只有十来种或二三十种块块,可是在孩子们手中却可以搭成几十乃至几百种平面图形或立体模型。

同样道理,再复杂的电路,经过分析就可发现,它也是由少数几个单元电路组成的。

因此初学者只要先熟悉常用的基本单元电路,再学会分析和分解电路的本领,看懂一般的电路图应该是不难的。

按单元电路的功能可以把它们分成若干类,每一类又有好多种,全部单元电路大概总有几百种。

下面我们选最常用的基本单元电路来介绍。

让我们从电源电路开始。

一、电源电路的功能和组成每个电子设备都有一个供给能量的电源电路。

电源电路有整流电源、逆变电源和变频器三种。

常见的家用电器中多数要用到直流电源。

直流电源的最简单的供电方法是用电池。

但电池有成本高、体积大、需要不时更换(蓄电池则要经常充电)的缺点,因此最经济可靠而又方便的是使用整流电源。

电子电路中的电源一般是低压直流电,所以要想从 220 伏市电变换成直流电,应该先把220 伏交流变成低压交流电,再用整流电路变成脉动的直流电,最后用滤波电路滤除脉动直流电中的交流成分后才能得到直流电。

有的电子设备对电源的质量要求很高,所以有时还需要再增加一个稳压电路。

因此整流电源的组成一般有四大部分,见图 1 。

其中变压电路其实就是一个铁芯变压器,需要介绍的只是后面三种单元电路。

二、整流电路整流电路是利用半导体二极管的单向导电性能把交流电变成单向脉动直流电的电路。

( 1 )半波整流半波整流电路只需一个二极管,见图 2 ( a )。

在交流电正半周时 VD 导通,负半周时 VD 截止,负载 R 上得到的是脉动的直流电( 2 )全波整流全波整流要用两个二极管,而且要求变压器有带中心抽头的两个圈数相同的次级线圈,见图2 ( b )。

失效分析常用工具介绍

失效分析常用工具介绍

失效分析常用工具介绍1.透射电镜(TEM)TEM一般被使用来分析样品形貌(morhology),金相结构(crystallographic structure)和样品成分分析。

TEM比SEM系统能提供更高的空间分辨率,能达到纳米级的分辨率,通常使用能量为60-350keV的电子束。

与TEM需要激发二次电子或者从样品表面发射的电子束不同,TEM收集那些穿透样品的电子。

与SEM一样,TEM使用一个电子枪来产生一次电子束,通过透镜和光圈聚焦之后变为更细小的电子束。

然后用这种电子束轰击样品,有一部分电子能穿透样品表面,并被位于样品之下的探测器收集起来形成影像。

对于晶体材料,样品会引起入射电子束的衍射,会产生局部diffraction intensity variations,并能够在影像上非常清晰的显现出来。

对于无定形材料,电子在穿透这些物理和化学性质都不同的材料时,所发生的电子散射情况是不相同的,这就能形成一定的对比在影像观察到。

对于TEM分析来说最为关键的一步就是制样。

样品制作的好坏直接关系到TEM 能否有效的进行观察和分析,因此,在制样方面多加努力对于分析者来说也是相当必要的工作。

2.扫描声学显微镜集成电路封装的可靠性在许多方面要取决于它们的机械完整性.由于不良键合、孔隙、微裂痕或层间剥离而造成的结构缺陷可能不会给电性能特性带来明显的影响,但却可能造成早期失效.C模式扫描声学显微镜(C—SAM)是进行IC 封装非破坏性失效分析的极佳工具,可为关键的封装缺陷提供一个快速、全面的成象.并能确定这些缺陷在封装内的三维方位.这一C—SAM系统已经在美国马里兰州大学用于气密性(陶瓷)及非气密性(塑料)IC封装的可靠性试验。

它在塑料封装常见的生产缺陷如:封装龟裂、叶片移位、外来杂质、多孔性、钝化层龟裂、层间剥离、切断和断裂等方面表现出3.俄歇电子(Auger Analysis )是一种针对样品表面进行分析的失效分析技术。

电路原理 -公式概要

电路原理 -公式概要

电路原理-知识简要第一章基本元件和定律1.电流的参考方向可以任意指定,分析时:若参考方向与实际方向一致,则i>0,反之i<0。

电压的参考方向也可以任意指定,分析时:若参考方向与实际方向一致,则u>0反之u<0。

2.功率平衡一个实际的电路中,电源发出的功率总是等于负载消耗的功率。

3.全电路欧姆定律:U=E-RI4.负载大小的意义:电路的电流越大,负载越大。

电路的电阻越大,负载越小。

5.电路的断路与短路电路的断路处:I=0,U≠0电路的短路处:U=0,I≠0二.基尔霍夫定律1.几个概念:支路:是电路的一个分支。

结点:三条(或三条以上)支路的联接点称为结点。

回路:由支路构成的闭合路径称为回路。

网孔:电路中无其他支路穿过的回路称为网孔。

2.基尔霍夫电流定律:(1)定义:任一时刻,流入一个结点的电流的代数和为零。

或者说:流入的电流等于流出的电流。

(2)表达式:i进总和=0或: i进=i出(3)可以推广到一个闭合面。

3.基尔霍夫电压定律(1)定义:经过任何一个闭合的路径,电压的升等于电压的降。

或者说:在一个闭合的回路中,电压的代数和为零。

或者说:在一个闭合的回路中,电阻上的电压降之和等于电源的电动势之和。

(2)表达式:1或: 2或: 3(3)基尔霍夫电压定律可以推广到一个非闭合回路三.电位的概念(1)定义:某点的电位等于该点到电路参考点的电压。

(2)规定参考点的电位为零。

称为接地。

(3)电压用符号U表示,电位用符号V表示(4)两点间的电压等于两点的电位的差。

(5)注意电源的简化画法。

四.理想电压源与理想电流源1.理想电压源(1)不论负载电阻的大小,不论输出电流的大小,理想电压源的输出电压不变。

理想电压源的输出功率可达无穷大。

(2)理想电压源不允许短路。

2.理想电流源(1)不论负载电阻的大小,不论输出电压的大小,理想电流源的输出电流不变。

理想电流源的输出功率可达无穷大。

(2)理想电流源不允许开路。

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(1)
v v v & = Ax x + Bu v v Tv y = C x + Du
(4)
where T is temperature distribution, R is the computav tional domain (MEMS structure), g(r , t) is the heat genv erated per unit volume in the position r , a (= k/rc) is thermal diffusivity, r is density, c is specific heat, and k is thermal conductivity. The boundary and initial conditions are
Tamkang Journal of Science and Engineering, Vol. 8, No 3, pp. 185-190 (2005)
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MEMS Heat Transfer Arnoldi-based Macromodels and the Study of Minimum Required O Heat Transfer Governing Equations In this study, we focus on the heat transfer effect of
186
Yao-Joe Yang et al.
MEMS structures with various heat flux boundary conditions. The governing equation of 3D transient heat-transfer problem is the so-called heat equation [8]:
1. Introduction
There are numerous heat transfer applications in MEMS, such as thermal actuating, uncooled infrared sensing, chip cooling, temperature sensing, PCR, and so on. Most of the applications need feedback loops for precise control or actuation, and thus require compact but accurate heat transfer models for system-level analysis. The typical approach for creating heat-transfer compact models is to use lumped-element methods [1]. For example, a lumped constant heat capacity (Cth) can be used to represent an average heat capacity for a complex geometry, and lumped heat resistors (Rth) can be used to account for each energy leakage mechanism, including conduction, convection, and radiation. Although this approach significantly simplifies complex heat transfer systems, it required many costly FEM (or FDM) simulations to extract Cth and Rth, and the accuracy of lumped-element models is detrimentally affected by the complexity of original geometries.
where A is an n by n matrix and n is the total number of v nodes, x is the vector which contains the unknown temperature distribution on each node, and the input funcv v v v v v tion u, is the combination of u1, u2, u3,…etc. u1, u2, v u3,…can be the heat generation, heat flux or constant temperature boundary conditions in the heat transfer system model. The matrices C and D are carefully chov sen so that the output vector y can be designed as the average temperature of different components, the temperature distribution on a specific area, or even the tip displacement of a thermal actuator. For example, if the matrix C can be an identity matrix divided by the total v number of nodes, then the output vector y will be the average temperature of the structure. In the Laplace domain, the transfer function of the system is:
*Corresponding author. E-mail: yjy@ .tw
In this work, we implemented a 3-D FDM heat transfer solver, and demonstrated that the numerical models created by FDM/FEM heat transfer solvers can be transformed into compact macromodels using an Arnoldibased model order reduction (MOR) technique [2-7]. Because the compact macromodels are generated from the FEM/FDM approximation of complex geometries, they preserve the original geometric characteristics. Also, since the order of compact macromodels is much less than original FEM/FDM models, the total computational time is significantly reduced by at least 3 orders of magnitude. This performance improvement thus makes the compact macromodels compatible for system-level or circuit simulations, which is essential for overall performance prediction. Besides, we use the compact models on solving periodic heat flux problem and discuss the accuracy of the compact models during several different frequencies.
ki
¶T v + hT = fi (r , t ); Boundary, Si t > 0 i ¶ni
(2)
v v T (r , t ) = F (r ), Region R, t = 0
(3)
v v where F(r ) is the initial temperature distribution, fi(r , t) is the heat flux flowing out of the boundary Si, ki is thermal conductivity on the boundary Si , hi is the convection coefficient on the boundary Si. The heat transfer governing equations can be approximated using the finite-element method (FEM) or the finite-difference method (FDM). In this work, we develop a 3D transient heat transfer solver with FDM approximation on Eqs. 1, 2 and 3 [9]. Since the operation temperatures for most of MEMS devices are relatively low, the radiation effect is very small and is not considered in the FDM solver.
FDM approximation of governing equation (Eq. 1) and the boundary conditions (Eq. 2) can be written as:
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