DS_DU8966_CN_V1.0

DU8966
高功率因数 LED 恒流控制芯片
特点
TRUEC 闭环恒流控制技术 3%系统恒流精度 高PF值、低THD 快速启动 准谐振工作 输出短路保护 输出过压保护 采样电阻开路、短路保护 模拟调光 过温保护
2
概述
DU8966是一款高功率因数LED恒流电源控制芯片， 主要应用于LED恒流驱动电源系统。基于专利的 2 TRUEC 闭环恒流控制技术，可在宽的输入、输出 电压以及外围电感参数条件下实现高精度的输 出电流，并保证批量生产时LED灯具亮度的一致 性。采用专利的TRUEQR技术，使得MOSFET每个周 期都在真正的谷底开通，从而降低了系统的开关 损耗和EMI。采用专利的快速启动技术，使得灯 具的启动时间小于200ms。 DU8966还可以支持模拟调光功能，并集成了双 重的输出开路保护，多重的短路保护，过温保护 以及各个引脚的开路、短路保护功能，从而使系 统具备高可靠性。 DU8966采用SOP8封装。
应用
LED LED LED LED 日光灯管 T5/T8/T10… 球泡灯 E14/E27/PAR30/PAR38… 吸顶灯 路灯…
典型应用图1
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高功率因数 LED 恒流控制芯片
典型应用图2
引脚封装
SOP8 封装
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DU8966
高功率因数 LED 恒流控制芯片
引脚描述
引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8 引脚名称 FB DIM GND CS DRN VCC VGS COMP 反馈端 模拟调光端 芯片接地端 电流采样端 内部低压 MOSFET 漏极端 芯片电源端 外部 MOSFET 栅极钳位端 环路补偿端 描述
定购信息
定购型号 DU8966 温度范围 -40℃~105℃ 封装 SOP8 包装 2500 颗/盘 编带
极限参数
(1)(2)
符号 DRN --IVCC IVGS θJA Tj Tstg ESD
说明:
脚位 5 1,2,4,8 6 7 --------
描述 内部低压MOSFET漏极端 模拟输入/输出引脚 VCC 最大钳位电流 VGS 最大钳位电流 热阻（结温-环境） 最大工作结温 存储温度范围 静电（人体模式）
范围 -0.3~28 -0.3~6 8 8 150 -40~150 -65~150 2
单位 V V mA mA ℃/W ℃ ℃ kV
(1) 最大极限值是指超出该工作范围，芯片可能损坏。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试 条件下的直流和交流电参数规范。 对于未给定上下限值的参数， 该规范不予保证其精度， 但其典型值反映了器件性能。 (2) 无特别说明，所有的电压以GND作为参考。
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DU8966
高功率因数 LED 恒流控制芯片
电气参数
(无特别说明外，VCC=15V, Ta=25 C) 符号 电源供电部分
VCC VCC_CLAMP VCC_OVP VCC_ON Vcc_OFF IST IQ IOP VGS VCC 工作电压 VCC 钳位电压 VCC 过压保护电压 芯片开启工作电压 芯片关断电压 启动电流 静态工作电流 正常工作电流 外部 MOSFET 栅极钳位电压 Fsw=100kHz IVGS<8mA 14 15 VCC 上升 VCC 下降 VCCo
参数
测试条件 最小值
典型值
最大值
单位
电流采样部分
VCS_PK TLEB TDELAY CS峰值电流基准 CS采样消隐时间 关断延时时间 1.1 1.2 500 150 1.3 V ns ns
FB 反馈及振荡器部分
VFB_OVP VFB_SS TFB_LEB TOFF_MIN TOFF_MAX TOFF_START IFB_MAX 输出恒压比较阀值 快速启动设置阀值 FB 采样消隐时间 最小关断时间 最大关断时间 快速启动时的关断时间 FB 最大源出电流 VFB< VFB_SS 3.35 0.7 1.9 3 85 3.5 0.8 2.2 3.5 100 50 2 3.65 0.9 2.6 4 115 V V us us us us mA
比较器部分
VREF VCOMP_MAX Gm ICOMP_SOURCE ICOMP_SINK
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平均电流基准 COMP 钳位电压 跨导 最大源出电流 最大吸收电流
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198 4
200 4.5 100 40 160
202 5
mV V uA/V uA
115
uA
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DU 6 U8966
高功率因 LED 恒流控 高 因数 D 控制芯片
电气参数 （续） 数
(无特别说明外，VCC=15V, Ta=25 C) 5 符号 调光部分
VDIM RDIM_UP P 模拟调 调光范围 上拉电阻 内部上 0 20 00 2.5 5 V kΩ
o
参数 数
测试 试条件
最小 小值
典型 型值
最大 大值
单位
MOSFET 参数 数
Vds Ids Rds_ON N Tr Tf 内部开 开关管最大耐压 压 内部开 开关管峰值电流 流 开关管导通电阻 内部开 内部开 开关管栅极电压 压上升时间 内部开 开关管栅极电压 压下降时间 0.5 0 50 50 4 15.5 V A Ω ns ns
过温保护
TSD Hy_TD D 过热关 关断温度 过热保 保护迟滞 15 50 35 ℃ ℃
芯片内部 部方框图
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