晶闸管的主要参数
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数可控硅（SCR）是一种常见的半导体器件，也被称为双向可控整流二极管（thyristor）或晶闸管。
它是一种电子开关，可控硅具有多种主要参数，这些参数对于合理选用和应用可控硅是非常重要的。
本文将介绍可控硅的主要参数，包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压。
1.阈值电压（VBO）：阈值电压是指在可控硅关闭状态下，当施加的压差超过该电压时，可控硅将开始导通。
阈值电压是可控硅能否实现可控的重要参数。
2.额定电流（IT）：额定电流是指可控硅能够长时间承受的最大电流。
超过额定电流的电流将会引起可控硅的过热和损坏，因此在使用可控硅时应确保电流不超过额定电流。
3.最大可承受电压（VDRM）：最大可承受电压是指在关闭状态下，可控硅可以承受的最高电压。
当施加的电压超过最大可承受电压时，可控硅可能损坏。
4.触发电流（IGT）：触发电流是指在可控硅导通之前需要施加的触发电流。
触发电流是可控硅实现可控的重要参数。
5.反向触发电压（VDRM）：反向触发电压是指可控硅在关闭状态下能承受的最高反向电压。
超过该电压，可控硅可能开始导通，导致不可预计的行为。
除了上述主要参数外，可控硅还有一些其他的重要参数，如触发时间（tQ）、关断时间（tQ）、导通压降（VF）和静态工作点等。
这些参数需要根据具体的应用需求来选择和考虑。
总之，可控硅的主要参数包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压等。
掌握这些参数对于正确选择和应用可控硅至关重要。
通过详细了解可控硅的参数，可以更好地设计和使用可控硅，以满足各种不同的电气控制需求。
晶闸管的参数说明
晶闸管（thyristor）其派生器件有，快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，V，Vt ，旧标准中用的是SCR，重要参数说明1．断炉重复峰值电压，udrm ,，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A,K 间的电压。
此电压为不重复峰值电压udsm的90%。
2．反向重复峰值电压urrm，在控制极断路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。
此电压约为不重复峰值电压udsm的90%。
udrm ,和urrm在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压，通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定电压值，由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的乖宝宝电压应选为正常工作峰值电压的，2-3倍以确保安全。
3．额定正向平均电流if在规定的标准散热条件和环境温度40度下，晶闸管的阳极和阴极间允许连接贯通过的工频正统半波电流的平均值。
称为额定正向平均电流。
由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的1.5-2倍以留有一定的余地。
4．维持电流ih：在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，称为维持电流，当正向电流于ih值时，晶闸管就自行判断，ih值一般为几十至一百多毫安。
5．控制极触发电压VG，触发电流IG在室温下，阳极加正向电压为直流6V 时，使晶闸管由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。
VG一般为1/ 23.5-5V，IG约为几十至几百毫安。
实际应用时，加到控制极的触发电压和触发电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。
6．电压上升率DV/DT，晶闸管阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导通，因此对管子的最大正向电压上升率，必须加愉限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。
7．电流上升率DI/DT，晶闸管开通时电流是从靠近门极区的阴极开始然后逐渐2/ 2。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数一、额定电压（VDRM/VRRM）额定电压是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电压。
在电力控制中，晶闸管通常用于控制交流电压，因此额定电压是一个重要的参数。
当晶闸管的电压超过额定电压时，可能会发生击穿现象，导致器件损坏。
二、额定电流（IDRM/IRRM）额定电流是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电流。
晶闸管通常用于控制大电流，因此额定电流是一个关键参数。
当晶闸管的电流超过额定电流时，可能会导致器件过热甚至烧毁。
三、触发电流（IT）触发电流是指晶闸管正向电流达到一定数值时，晶闸管开始导通。
触发电流的大小决定了晶闸管的触发灵敏度和可靠性。
如果触发电流过高，会增加控制电路的复杂度和成本；如果触发电流过低，可能会导致误触发。
四、保持电流（IH）保持电流是指晶闸管在导通状态下需要供给的最小电流。
保持电流的大小决定了晶闸管的稳态工作能力。
过低的保持电流可能导致晶闸管无法稳定导通，而过高的保持电流会增加功耗和热损失。
五、封装类型晶闸管的封装类型决定了其外形和安装方式。
常见的封装类型有TO-220、TO-247等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景，例如TO-220适用于小功率应用，而TO-247适用于大功率应用。
六、工作温度范围工作温度范围是指晶闸管能够正常工作的温度范围。
晶闸管在高温环境下工作时，可能会出现性能降低甚至失效的情况。
因此，工作温度范围是一个重要的参数。
七、开关速度开关速度是指晶闸管在从关断到导通或从导通到关断的切换速度。
开关速度的快慢影响着晶闸管的响应速度和效率。
较快的开关速度可以提高系统的响应速度，但也会增加开关损耗。
八、导通压降（VCE）导通压降是指晶闸管在导通状态下的正向电压降。
导通压降的大小直接影响着晶闸管的导通损耗和功率损耗。
较低的导通压降可以提高系统的效率。
九、关断电流（ICRM）关断电流是指晶闸管在关断状态下的漏电流。
关断电流的大小决定了晶闸管的关断能力和可靠性。
较小的关断电流可以减小系统的功耗。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数作者：jesse 文章来源：本站原创点击数：273 更新时间：2007-12-6 ★★★【字体：小大】晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压V DRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
（一）正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
(八)门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
可控硅参数说明
可控硅参数说明可控硅是一种常见的半导体器件，也被称为晶闸管。
它具有可控性强、效率高、性能稳定等优点，在电力控制和电子控制领域得到广泛应用。
下面是对可控硅参数的详细说明：1.最大额定电压（VRRM）：可控硅能够承受的最大电压。
超过这个额定电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
2.最大平均整流电流（IOAV）：在特定条件下，可控硅能够持续稳定工作的最大平均电流。
该参数与可控硅的热稳定性和功率特性有关。
3.最大重复峰值反向电压（VRSM）：可控硅能够承受的最大峰值电压。
超过这个峰值电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
4.最大峰值水平电流（IPP）：可控硅在极端工作条件下能够承受的瞬时峰值电流。
该参数与可控硅的电流承载能力和热稳定性有关。
5.最大正向门极触发电流（IFGT）：为了激活可控硅，需要施加正向的门极触发电流。
该参数表示可控硅的最大门极触发电流。
6.最大正向临界触发电流（IFRM）：当可控硅被正向触发时，电流开始流过器件，达到临界触发电流的值。
该参数表示可控硅的最大正向临界触发电流。
7.最大漏极电流（IRM）：未施加触发电流时，可控硅漏极的泄露电流。
该参数表示可控硅的泄露电流水平。
8.最大导通电压降（VTM）：在可控硅正向导通状态下，器件两端的电压降。
该参数对于功耗和电压稳定性非常重要。
9.最大反向漏电流（IRRM）：在可控硅反向电压下，漏极的最大反向泄露电流。
该参数表示可控硅的漏路电流水平。
10. 最大引出电阻（Rth）：可控硅的热阻值，表示器件在工作过程中产生的热量与温度之间的关系。
较小的热阻值有利于可控硅的散热和长时间稳定工作。
以上是对可控硅参数的详细说明，这些参数在可控硅的选择和应用中非常重要。
在使用可控硅时，需要根据具体的应用需求和工作环境来选择合适的可控硅型号和参数。
晶闸管的定义及主要参数和使用详解
晶闸管的定义及主要参数和使用详解晶闸管的发明在当今高科技时代，电力控制技术的发展对于现代社会的可持续运行至关重要。
而晶闸管作为一种重要的电力控制元件，正发挥着不可或缺的作用。
本文将深入介绍晶闸管的基本原理、控制使用、重要参数以及其应用领域。
晶闸管的发明随着电力系统的扩展和电气设备的广泛应用，对电力控制的需求日益增加。
传统的机械式开关和控制方法存在效率低下、寿命短等问题。
因此，寻找更高效、可靠的电力控制方法成为了一个迫切的需求。
1956年，苏联的科学家Oleg Losev首次提出了PNPN结构的概念。
尽管他没有将其实际制造成可用器件，但这个概念为晶闸管的开发铺平了道路。
他的想法激发了后来研究者们对PNPN结构的探索。
1957年，美国物理学家Robert Noyce和Gordon Moore在贝尔实验室工作时，设计并制造了第一个可实际使用的PNPN结构的器件，被称为“Silicon Controlled Switch”（SCS）。
尽管在当时尚未广泛应用，但这是晶闸管发展的重要里程碑。
1958年，Gerald Pearson、Dawon Kahng和John Moll从贝尔实验室获得了专利，描述了一个在电流触发下能控制电流的器件。
他们将这个器件命名为“晶闸管”，即Thyristor，这个名称在随后的发展中被广泛使用。
晶闸管的重要参数触发电流门限（I_GT）：触发电流门限是指需要在栅极施加的最小电流，以使晶闸管从关断状态切换到导通状态。
这个参数决定了触发晶闸管的最小控制电流。
保持电流（I_H）：保持电流是指在晶闸管导通状态下，需要流过晶闸管的最小电流，以保持其导通。
如果电流降至保持电流以下，晶闸管将自动关断。
最大额定电压（V_RRM）：最大额定电压是晶闸管可以承受的最大反向重复电压。
这个参数与晶闸管的电压耐受能力相关，决定了它适用的电路电压范围。
最大额定电流（I_TAV）：最大额定电流是指晶闸管可以承受的最大平均电流。
晶闸管的主要电参数
晶闸管的主要电参数晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
可参见图5标识。
（一）晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K 之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
浅析晶闸管参数选择
浅析晶闸管参数选择
1. 主要参数：
（1）额定电流（ID）：晶闸管的额定电流是指在正常工作条件下，晶闸管可以承受的最大电流。
在选择晶闸管时，应根据电路中的最大负载电流选择晶闸管的额定电流。
（2）导通压降（VTO）：晶闸管导通时的压降，通常指的是正向电压下的导通压降。
在选择晶闸管时，应根据电路要求和功率损耗来确定导通压降是否满足要求。
（3）关断电流（IH）：晶闸管的关断电流是指晶闸管在关断状态下通过的最小电流。
较小的关断电流可以减小晶闸管的功耗。
2. 参数选择方法：
（2）根据功率损耗确定导通压降：根据电路要求和功率损耗来确定晶闸管的导通压降。
一般来说，导通压降越小，功耗越小。
（4）根据电路控制信号确定触发电压：根据电路控制信号的要求来确定晶闸管的触发电压。
触发电压应满足电路控制信号的幅值和频率要求。
晶闸管参数的选择应综合考虑电路要求、功耗和可靠性等因素。
根据电路中的负载电流、功率损耗、关断电流和触发电压等要求，选择合适的晶闸管参数，以确保电路的性能
和稳定性。
晶闸管的主要参数
创作编号：GB8878185555334563BT9125XW创作者：凤呜大王*晶闸管的主要参数(1) 断态不重复峰值电压U DSM门极开路时，施加于晶闸管的阳极电压上升到正向伏安特性曲线急剧转折处所对应的电压值UDSM 。
它是一个不能重复，且每次持续时间不大于10ms的断态最大脉冲电压。
UDSM值应小于转折电压U b0。
(2) 断态重复峰值电压U DRM晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的正向断态最大脉冲电压。
每秒50次每次持续时间不大于10ms，规定U DRM为U DSM的90%。
(3) 反向不重复峰值电压U RSM门极开路，晶闸管承受反向电压时，对应于反向伏安特性曲线急剧转折处的反向峰值电压值U RSM。
它是一个不能重复施加且持续时间不大于10ms的反向脉冲电压。
反向不重复峰值电压U RSM应小于反向击穿电压。
(4) 反向重复峰值电压U RRM晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的反向最大脉冲电压。
每秒50次每次持续时间不大于10ms。
规定U RRM 为U RSM 的90%。
(5) 额定电压UR断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 两者中较小的一个电压值规定为额定电压U R 。
在选用晶闸管时，应该使其额定电压为正常工作电压峰值U M 的2~3倍，以作为安全裕量。
(6)通态峰值电压U TM规定为额定电流时的管子导通的管压降峰值。
一般为1.5~2.5V ，且随阳极电流的增加而略为增加。
额定电流时的通态平均电压降一般为1V 左右。
(7) 通态平均电流I T (AV ）在环境温度为+40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125°时，所允许通过的最大电流平均值。
——允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
选用一个晶闸管时，要根据所通过的具体电流波形来计算出容许使用的电流有效值，该值要小于晶闸管额定电流对应的有效值。
晶闸管的原理、特性、主要参数及测试方法
晶闸管的原理、特性、主要参数及测试方法1.1 晶闸管晶闸管（Thyristor）是硅晶体闸流管的简称，也称为可控硅SCR（Semiconductor Control Rectifier）。
晶闸管作为大功率的半导体器件，只要用几十至几百毫安的电流就可以控制几百至几千安的大电流，实现了弱电对强电的控制。
1.1.1 晶闸管的结构晶闸管是四层（P1N1P2N2）三端（阳极A、阴极K、门极G）器件，其内部结构和等效电路如图1-1所示。
图1-1 晶闸管的内部结构和等效电路晶闸管的符号及外形如图1-2所示，图1-2（a）为晶闸管的符号，图1-2（b）为晶闸管的外形。
晶闸管的类型大致有4种：塑封型、螺栓型、平板型和模块型。
塑封型晶闸管多用于额定电流5A以下；螺栓型晶闸管额定电流一般为5～200A；平板型晶闸管用于额定电流200A以上；模块型晶闸管额定电流可达数百安培。
晶闸管由于体积小、安装方便，常用于紧凑型设备中。
晶闸管工作时，由于器件损耗会产生热量，需要通过散热器降低管芯温度，器件外形是为便于安装散热器而设计的。
图1-2 晶闸管的符号及外形晶闸管的散热器如图1-3所示。
图1-3 晶闸管的散热器1.1.2 晶闸管的工作原理以图1-4所示的晶闸管的导通实验电路来说明晶闸管的工作原理。
在该电路中，由电源EA、晶闸管的阳极和阴极、白炽灯组成晶闸管主电路，由电源EG、开关S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路（触发电路）。
图1-4 晶闸管的导通实验电路实验步骤及结果说明如下。
（1）将晶闸管的阳极接电源EA的正极，阴极经白炽灯接电源的负极，此时晶闸管承受正向电压。
当控制电路中的开关S断开时，灯不亮，说明晶闸管不导通。
（2）当晶闸管的阳极和阴极承受正向电压，控制电路中开关S闭合，使控制极也加正向电压（控制极相对阴极）时，灯亮说明晶闸管导通。
（3）当晶闸管导通时，将控制极上的电压去掉（即将开关S断开），灯依然亮，说明一旦晶闸管导通，控制极就失去了控制作用。
电气化自动技术 2-3晶闸管的主要特性参数
第三节晶闸管的主要特性参数一、晶闸管的重复峰值电压U Tn――额定电压重复峰值电压是取正向重复峰值电压反向峰值重复电压中较小的一个。
晶闸管工作时外加电压峰值瞬时超过反向不重复峰值电压时可造成永久性损坏，并且由于环境温度升高或散热不良，均可能使正反向转折电压值下降，特别在使用时会出现各种过电压，因此选用元件的额定电压值应比实际工作时的最大电压大2－3倍。
二、晶闸管的额定通态平均电流I T(A V)――额定电流在环境温度为四十度和规定的冷却条件下，元件在电阻负载的单相工频正弦半波、导通角不小于170度的电路中，当结温稳定且不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流，称为额定通态平均电流。
三、门极触发电流门极触发电压在室温下，晶闸管施加6Ｖ正向电压时，使元件完全开通所必须的最小门极电流，称为门极触发电流。
对应于门极触发电流时的门极电压就是门极触发电压。
四、通态平均电压U T(A V)在规定环境温度、标准散热条件下，元件通以额定电流即额定正弦半波时，阳极和阴极间电压降的平均值，称为通态平均电压，一般称作管压降。
五、维持电流I H与掣住电流I L在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为维持电流。
在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件维持导通所需要的最小阳极电流，称为掣住电流。
六、晶闸管的开通与关断时间（一）门极控制的开通时间t gt,简称开通时间通常规定：从门极触发电压前沿的10％到元件阳极电压下降至10％所需的时间，称为开通时间。
（二）关断时间t g元件从正向电流降为零到元件恢复正向阻断的时间称为关断时间。
七、晶闸管的型号晶闸管型号释义：ＫＰＸ1－Ｘ2Ｘ3Ｋ表示闸流特性Ｐ表示普通反向阻断，这一位还可以是Ｋ（快速型）、Ｓ（双向型）、Ｎ（逆导型）、Ｇ（可关断型）Ｘ1额定通态平均电流系列（额定电流）Ｘ2表示正反向重复峰值电压等级（额定电压）Ｘ3通态平均电压组别（小于100Ａ不标）例如：KP100-12G表示额定电流为100A，额定电压为1200V，管压降为1V的普通型晶闸管。
晶闸管参数
晶闸管参数晶闸管是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
本文将介绍晶闸管的几个重要参数，并对其进行详细解析。
1. 电压参数晶闸管的电压参数包括最大可承受电压和触发电压。
最大可承受电压是指晶闸管能够承受的最大电压，超过该电压会导致晶闸管失效。
触发电压是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电压值。
2. 电流参数晶闸管的电流参数包括最大可承受电流和触发电流。
最大可承受电流是指晶闸管能够承受的最大电流值，超过该电流会导致晶闸管损坏。
触发电流是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电流值。
3. 功率参数晶闸管的功率参数包括最大可承受功率和触发功率。
最大可承受功率是指晶闸管能够承受的最大功率值，超过该功率会导致晶闸管损坏。
触发功率是指使晶闸管进入导通状态所需的最小功率值。
4. 开关特性晶闸管的开关特性包括导通电压降和关断电压降。
导通电压降是指晶闸管在导通状态下的电压降，关断电压降是指晶闸管在关断状态下的电压降。
这两个参数会影响晶闸管的能效和发热情况。
5. 响应时间晶闸管的响应时间是指从触发信号到晶闸管完全进入导通状态所需的时间。
响应时间越短，晶闸管的响应速度就越快，适用于高频开关电路。
6. 温度特性晶闸管的温度特性包括温度系数和工作温度范围。
温度系数是指晶闸管参数随温度变化的程度，工作温度范围是指晶闸管正常工作的温度范围。
了解晶闸管的温度特性有助于正确选择和使用晶闸管。
7. 封装形式晶闸管的封装形式包括直插式封装、表面贴装封装等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，需要根据实际需求选择合适的封装形式。
晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
通过了解晶闸管的电压参数、电流参数、功率参数、开关特性、响应时间、温度特性和封装形式等参数，可以更好地应用晶闸管于各种电路中，提高电路的稳定性和可靠性。
在实际应用中，还需注意晶闸管的工作条件，避免超过其最大可承受电压、电流和功率，以免损坏晶闸管。
晶闸管的特性分析及主要参数
晶闸管的特性分析及主要参数晶闸管的动态特性主要有开通特性、通态电流临界上升率、反向恢复特性、关断特性、断态电压临界上升率等五个方面，其中开通和关断特性是其最重要的动态特性指标。
晶闸管的动态特性如图3-2所示：1.开通特性开通时间&是延迟时间G和上升时间~之和，&是将门极触发脉冲加到未开通的晶闸管上，到阳极电流达到其额定电流值的90%所需的时间，开通时间会随工作电压、阳极电流、门极电流和结温而变化。
开通损耗取决于开通期间负载电流的上升时间。
2.通态电流临界上升率晶闸管开通期间，其导电面积是由门极向四周逐渐展开的，过快的开通会使电流集中于门极区，导致器件局部过热损坏。
因此，在设计时考虑到晶闸管的电流上升率di/dt应低于器件允许的通态电流临界上升率。
强触发可以提高器件承受di/dt的能力。
3.关断特性当给处于正向导通状态的晶闸管外加反向电压时，阳极电流逐步衰减到零，并反向流动达到最大值/心，然后衰减到零，晶闸管经过时间I后恢复其反向阻断能力。
由于载流子复合过程较慢，晶闸管要再经过正向阻断恢复时间L之后才能安全的承受正向阻断电压。
普通晶闸管的关断时间约为几百微妙。
关断时间取决于结温、阳极电流、阳极电流上升率di/dt,反向电压和阳极电压，阳压上升率du/dt。
4.断态电压临界上升率du/dt当在阻断的晶闸管阳极一阴极间施加的电压具有正向的上升率，则由于结电容C的存在，会产生位移电流i = Cdu/dt而引起晶闸管的误触发导通。
因此，在设计时采用吸收电路的措施，使加于晶闸管上的断态电压临界上升率应该小于器件允许的断态电压临界上升率值。
门极正向伏安特性如图3-3所示，可以分为可靠触发区、不可靠触发区和不触发区等三个区域，门极特性中的最大和最小两条曲线反映该器件在整个工作范围内可能出现的最大阻抗和最小阻抗，门极阻抗随门极电流上升率的增大而增大。
利用门极特性曲线设计晶闸管触发器时，使其两个稳定输出状态落入不可靠触发区和可靠触发区内，触发器输出负载线与特性曲线的交点(A, B, C, D, E, J, K、I点)确定了在晶闸管开通延迟时间内流入门极所需的最小电流(E，J 点)和在运行中触发器可能输出的最大电流(1、K点）。
电力电子晶闸管参数选择
电力电子晶闸管参数选择电力电子晶闸管是一种可以控制电流的半导体器件，是电力电子技术中必不可少的核心组件之一。
在使用电力电子晶闸管时，正确的参数选择是至关重要的。
本文将介绍电力电子晶闸管的常用参数及其选择方法。
一、电力电子晶闸管常用参数1.承受电压：晶闸管所能承受的最大电压。
2.承受电流（额定电流）：晶闸管所能承受的最大电流。
3.阈值电流：晶闸管开启所需的最小触发电流。
4.保持电流：晶闸管开启后，在门控电压为零时，需要在其下流经保持电流的条件下才能保持通态。
5.反向电流：晶闸管关闭时的反向电流。
6.延迟角：晶闸管在被触发后到通电的时间。
7.触发电压：晶闸管开启所需的门控电压。
二、选择电力电子晶闸管的参数1.根据负载电流选择：在选择晶闸管时，需要考虑所需控制的负载电流。
根据负载电流来选择承受电压和承受电流（额定电流）。
2.根据负载特性选择：在选择晶闸管时，需要考虑负载的性质，比如负载的耐压及电阻等。
如果负载是低电阻的，应选择容量更大的晶闸管。
3.根据负载工况选择：在选择晶闸管时，需要考虑负载的实际工作情况，比如初始电流、升压和降压等。
4.根据触发器电压选择：在选择晶闸管时，需要考虑所用触发电路的电压。
选择门控电压相对低的晶闸管，可以更容易地触发。
5.根据环境温度选择：在选择晶闸管时，需要考虑环境温度对其特性参数的影响。
通常情况下，晶闸管的性能参数都会随着环境温度的升高而发生改变。
三、注意事项1.正确选择晶闸管的参数：不同的应用要求不同的晶闸管参数。
只有正确地选择晶闸管的参数，才能实现最佳电路性能。
2.检查电路：在实际的应用中，应当检查电路是否符合设计要求，以确保晶闸管的安全使用和可靠性。
3.合理布局散热器：晶闸管在使用过程中会发热，如果散热不好，则会损坏晶闸管。
因此，在使用过程中需要合理安装散热器，保持晶闸管的正常工作温度。
4.应根据需求选择适合的触发电路：根据不同需求和应用场景选择适当的触发电路具有重要意义。
三相交流调压电路晶闸管计算
三相交流调压电路晶闸管计算主要涉及以下参数：额定电压：在计算晶闸管时，首先需要知道其额定电压。
额定电压是指晶闸管在正常工作条件下，可以安全承受的最大电压。
额定电流：额定电流是指晶闸管在正常工作条件下，可以安全流过的最大电流。
门极触发电压和电流：门极触发电压和电流是指触发晶闸管导通的信号电压和电流。
不同的晶闸管型号具有不同的门极触发电压和电流要求。
反向击穿电压：反向击穿电压是指晶闸管在反向工作时，能够承受的最大电压。
根据这些参数，可以计算出晶闸管的额定功率，即额定电压与额定电流的乘积。
同时，还需要考虑电路中的电压和电流波形、工作频率、环境温度等因素对晶闸管性能的影响。
在选择合适的晶闸管时，需要根据电路的实际需求进行计算和选择，以确保电路的安全和稳定运行。
电气自动化技术《100-晶闸管的主要参数及型号》
同学们！今天我们来学习晶闸管的主要参数和型号。
先来学习主要的电压参数。
额定电压U D，指加在管子上的最大允许电压,俗称耐压。
要求大于实际工作峰值电压的2—3倍。
通态平均电压U F，通过正向正弦半波额定电流时，管子两端的平均电压。
一般为0.6—1.2V。
反向击穿电压U BR，指到达反向击穿时所加反向电压。
反向重复峰值电压U RRM，指的是当控制极开路时，允许重复加在管子上的反向峰值电压。
其值为U RRM =U BR—100V 。
现在我们来看电流参数。
额定正向平均电流I F，指允许通过工频正弦半波的电流平均值。
一般取正常平均电流的 1.5—2倍。
维持电流，是维持晶闸管导通的最小阳极电流。
浪涌电流IFSM ，是指晶闸管能承受的最大过载电流的峰值。
控制极触发电压和电流U G、I G：指在室温下，阳极电压为直流6V 时，使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流。
一般U G为1~5V，I G 为几十到几百毫安。
最后，我们来看晶闸管的型号。
型号的第一个字母K外表这是一个晶闸管，第二个字母可能是P，K，S，其中P代表普通型，K代表快速型，S代表双向型，紧随其后的数字代表额定正向平均电流IF系列，从1—1000A内分14个规格。
接着是一个横岗，横岗后的第一个数字为额定电压等级，在1000V以下，级差为100V，在1000—3000V之间，级差为200V，单位用100V表示。
最后一个字母为通态平均电压组别，共分9级，用A—I表示。
例如，KP100-12G，表示IF=100A，UD=1200V，UF=1V的普通型晶闸管。
目前国际水平已达12KV每千安培，及5KV每千安培，其开关频率为400赫兹。
晶闸管电压、电流级别：额定通态电流〔I TAV〕通用系列为1、5、10、20、30、50、100、200、300、400、500、600、800、1000A 等14种规格。
通态平均电压〔U TAV〕等级一般用A ~ I字母表示：由0.4 ~ 1. 2V每0.1V 为一级。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数(1) 断态不重复峰值电压UDSM门极开路时，施加于晶闸管的阳极电压上升到正向伏安特性曲线急剧转折处所对应的电压值UDSM 。
它是一个不克不及重复，且每次继续时间不年夜于10ms的断态最年夜脉冲电压。
UDSM 值应小于转折电压Ub0。
(2) 断态重复峰值电压UDRM晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的正向断态最年夜脉冲电压。
每秒50次每次继续时间不年夜于10ms，规定UDRM为UDSM的90%。
(3) 反向不重复峰值电压URSM门极开路，晶闸管接受反向电压时，对应于反向伏安特性曲线急剧转折处的反向峰值电压值URSM。
它是一个不克不及重复施加且继续时间不年夜于10ms的反向脉冲电压。
反向不重复峰值电压URSM应小于反向击穿电压。
(4) 反向重复峰值电压URRM晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的反向最年夜脉冲电压。
每秒50次每次继续时间不年夜于10ms。
规定URRM为URSM的90%。
(5) 额定电压UR断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM两者中较小的一个电压值规定为额定电压UR。
在选用晶闸管时，应该使其额定电压为正常工作电压峰值UM的2~3倍，以作为平安裕量。
(6)通态峰值电压UTM规定为额定电流时的管子导通的管压降峰值。
一般为1.5~2.5V，且随阳极电流的增加而略为增加。
额定电流时的通态平均电压降一般为1V左右。
(7) 通态平均电流IT(A V）在环境温度为+40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125°时，所允许通过的最年夜电流平均值。
——允许流过的最年夜工频正弦半波电流的平均值。
选用一个晶闸管时，要根据所通过的具体电流波形来计算出容许使用的电流有效值，该值要小于晶闸管额定电流对应的有效值。
晶闸管才不会损坏。
设单相工频正弦半波电流峰值为Im 时通态平均电流为：正弦半波电流有效值为：则有效值为： 根据有效值相等原则来计算晶闸管的额定电流。
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晶闸管的主要参数
(1) 断态不重复峰值电压U
DSM
门极开路时，施加于晶闸管的阳极电压上升到正向伏安特性曲线急剧转折处所对应的电压值UDSM 。
它是一个不能重复，且每次持续时间不大于10ms的断态最大脉冲电压。
UDSM
值应小于转折电压U
b0。
(2) 断态重复峰值电压U
DRM
晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的正向断态最大脉冲电压。
每秒50次每次持续时间不大于10ms，
规定U
DRM 为U
DSM
的90%。
(3) 反向不重复峰值电压U
RSM
门极开路，晶闸管承受反向电压时，对应于反向伏安特性曲线急剧转折处的反向
峰值电压值U
RSM。
它是一个不能重复施加且持续时间不大于10ms的反向脉冲电压。
反向不重复峰
值电压U
RSM
应小于反向击穿电压。
(4) 反向重复峰值电压U
RRM
晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的反向最大脉冲电压。
每秒50次每次持续时间不大于10ms。
规定U
RRM 为U
RSM
的90%。
(5) 额定电压UR
断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM两者中较小的一个电压值规定为额定电压U
R。
在选用晶闸管时，应该使其额定电压为正常工作电压峰值U
M
的2~3倍，以作为安全裕量。
(6)通态峰值电压U
TM
规定为额定电流时的管子导通的管压降峰值。
一般为~，且随阳极电流的增加而略为增加。
额定电流时的通态平均电压降一般为1V左右。
(7) 通态平均电流I
T
(AV）
在环境温度为+40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125°时，所允许通过的最大电流平均值。
——允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
选用一个晶闸管时，要根据所通过的具体电流波形来计算出容许使用的电流有效值，该值要小于晶闸管额定电流对应的有效值。
晶闸管才不会损坏。
设单相工频正弦半波电流峰值为Im时通态平均电流为：
正弦半波电流有效值为：
有效值与通态平均电流比值为：
则有效值为：
根据有效值相等原则来计算晶闸管的额定电流。
若电路中实际流过晶闸管的电流有效值为I，平均值I
d
，
定义 波形系数： 则 由于晶闸管的热容量小，过载能力低，因此在实际选择时，一般取~2倍的安全系数，
(8) 维持电流I H (针对关断过程)
——是指晶闸管维持导通所必需的最小电流。
一般为几十到几百毫安。
维持电流与结温有关，结温越高，维持电流越小，晶闸管越难关断。
(9) 断态电压临界上升率du/dt
——电压上升率过大，就会使晶闸管误导通。
——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。
(10) 通态电流临界上升率di/dt
——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏 f d
I K I。