2010第三章 门电路
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D IF K IF VF RL VF RL
(a)
二极管加正向电压
D IS
(b)
K
VR
RL
VR
RL
(a)
(b)
二极管加反向电压
6
二极管的开关等效电路： 二极管的开关等效电路：
7
2.二极管开关的动态特性 2.二极管开关的动态特性
D + vi －
VF (b) 0 VR
vi
t1 i
t
i
RL
(c) IF 0
30
（2）双向模拟开关 ）
RL >> RTG
31
4 . CMOS三态门 三态门
(1)工作原理： (1)工作原理： 工作原理
=0时 输出A 正常的非门输出: 当EN=0时，G4 和G5 输出A，Y为正常的非门输出: =0
Y=A
输出为1 都截止输出为高阻状态 高阻状态。 当EN=1时，G4和G5输出为1、0， T1和T2都截止输出为高阻状态。 = 所以，这是一个低电平有效的三态门，逻辑符号如图（b）所示。 所以，这是一个低电平有效的三态门，逻辑符号如图（ ）所示。
V
DD
TP Vi TN Vo
1.逻辑关系: 1.逻辑关系: 逻辑关系
（设VDD＞（VGS(th)N+|VGS(th)P|），且VGS(th)N=|VGS(th)P| ） ＞（ +| ），且 =| 截止， 导通。输出V （1）当Vi=0V时，T2截止，T1导通。输出 O≈VDD。 时 导通， 截止，输出V （2）当Vi=VDD时，T2导通，T1截止，输出 O≈0V。 。
二、高电平、低电平 高电平、
数字信号是一种二值信号,用两个电平 高电平和低 数字信号是一种二值信号 用两个电平(高电平和低 用两个电平 电平)分别来表示两个逻辑值 逻辑1和逻辑 分别来表示两个逻辑值(逻辑 和逻辑0)。 电平 分别来表示两个逻辑值 逻辑 和逻辑 。
Vcc
高电平
Vo VI
Vcc
s1
Vo VI
3.2.2 二极管与门
设VCC = 5V 加到A,B的 加到 的
VIH =3V VIL =0V 二极管导通时 VDF=0.7V
Y = AB
A 0V 0V 3V 3V B 0V 3V 0V 3V Y 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 0 0 0 1
规定3V以上为 规定 以上为1 以上为 0.7V以下为 以下为0 以下为
18
4.MOS管的开关等效电路 4.MOS管的开关等效电路
OFF ，截止状态
ON，导通状态 ，
19
5、MOS管的四种类型 MOS管的四种类型 • 增强型
大量正离子
• 耗尽型
导电沟道
20
3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 CMOS反相器的电路结构和工作原理
CMOS逻辑门电路是由 沟道 逻辑门电路是由N沟道 沟道MOSFET互补而成。 互补而成。 逻辑门电路是由 沟道MOSFET和P沟道 和 沟道 互补而成
16
VGS >> GS(th) >>V
ID(mA )
可变电阻区 RON与VGS近似 成反比
恒流区 近似地与v iD近似地与vGS2 成正比
4 3 2 1 3 6 9 5V 4V 3V VGS=2V 12 UDS(V)
截止区
MOS管的输出特性 MOS管的输出特性
17
3.MOS管的基本开关电路 3.MOS管的基本开关电路
逻辑0
逻辑0
逻辑0
逻辑0
逻辑0
逻辑1
逻辑1
逻辑1
正逻辑
负逻辑
§3.2 半导体二极管门电路
二极管的结构： 二极管的结构：
P N
PN结 + 引线 + 封装构成 结
4
§3.2 半导体二极管门电路
3.2.1 半导体二极管的开关特性
I+(mA)
正向
U-(V)
死区电压 硅管0.5V,锗 死区 硅管 锗 管0.1V。 。 电压
（1）CMOS传输门 （设两管的开启电压VGS(th)N=|VGS(th)P| ) ） 传输门
接高电平V 接低电平0 时 的范围变化， ①当C接高电平 DD，/C 接低电平0V时，若Vi在0V～VDD的范围变化， 接高电平 ～ 至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出， 至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即Vo=Vi。 接低电平0 接高电平V 的范围变化时， ②当C接低电平0V，/C 接高电平 DD，Vi在0V～VDD的范围变化时， 接低电平 ， ～ 都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。 TN和TP都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。
－
(a)
+
(b)
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
x Ln Lp
加正向电压时二极管存储电荷的分布
同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间， 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为 开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。 开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。
22
1 VDD 2
3.3.5其他类型的CMOS门电路 其他类型的CMOS门电路 CMOS
1.CMOS与非门和或非门电路 1.CMOS与非门和或非门电路
（1）与非门 （2）或非门
L =AB
L = A+ B
23
（3）带缓冲级的门电路
存在的缺点： (1) : 输出电阻RO受输入状态影响 A = 1, B = 1则RO = RON 2 + RON 4 = 2 RON A = 0, B = 0则RO = RON 1 // RON 3 = A = 0, B = 1则RO = RON 1 = RON A = 1, B = 0则RO = RON 3 = RON ( 2)输出的高低电平受输入 端数目的影响 输入端越多，VOL 越高，VOH 也更高 (3)使T2、T4的VGS 达到开启电压时， 对应的VI 值不同
因为
R OFF > 10 9 Ω , R ON < 1 K Ω 只要 R ON << R D << R OFF , 则： 当 V I = V IL < V GS ( th ) → T 截止 → V O = V OH ≈ V DD 当 V I = V IH > V GS ( th ) → T 导通 → V O = V OL ≈ 0 控制的开关。 所以 MOS 管 D − S 间相当于一个受 V I 控制的开关。
IS
t1 i
0.1IR
t
(a)
反向恢复时间： 反向恢复时间：tre＝ts十tt
(d)
IF 0
t1
ts
t
IR
tt
就是存储电荷消散所需要的时间。 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。
8
产生反向恢复过程的原因： 产生反向恢复过程的原因：
P区 耗尽层 N区
反向恢复时间： 反向恢复时间：tre＝ts十tt
2. 漏极开路的门电路（OD门） 漏极开路的门电路（ 门
(2) 可将输出端并联使用，实现线与功能或用作电平 可将输出端并联使用， 转换、 驱动器。 转换、 驱动器。
(3) OC门进行线与时，外接上拉电阻 的选择： 门进行线与时，外接上拉电阻RL的选择 的选择： 门进行线与时
①当输出高电平时， 当输出高电平时， RL不能太大。RL为最大值时要保证输出电压为 OH（min），由 不能太大。 为最大值时要保证输出电压为V （ ）
反向击穿 电压U 电压 (BR) 反向
导通压降: 导通压降: 硅管 0.6~0.7V,锗 锗 管0.2~0.3V。 。
U+(V)
I- (uA)
5
1.二极管开关的静态特性 1.二极管开关的静态特性
加正向电压VF时， 二极管导通， 二极管导通，管压降VD 可忽略。 可忽略。二极管相当于 一个闭合的开关。 一个闭合的开关。 加反向电压VR时， 二极管截止， 二极管截止，反向电流 IS 可忽略。二极管相 可忽略。 当于一个断开的开关。 当于一个断开的开关。
思考: 思考
12
二极管构成的门电路的缺点： 二极管构成的门电路的缺点：
• 电平有偏移 • 带负载能力差 只用于IC内部电路 只用于IC内部电路 IC
13
§3.3 CMOS 门电路
3.3.1 MOS管的开关特性 MOS管的开关特性
1.MOS管的结构和工作原理 1.MOS管的结构和工作原理 金属层
低电平
s2
三、正逻辑与负逻辑: 正逻辑与负逻辑:
有两种逻辑体制： 有两种逻辑体制： 正逻辑体制规定：高电平为逻辑1，低电平为逻辑0。 正逻辑体制规定：高电平为逻辑 ，低电平为逻辑 。 规定 负逻辑体制规定 低电平为逻辑1，高电平为逻辑0。 规定： 负逻辑体制规定：低电平为逻辑 ，高电平为逻辑 。
逻辑1 逻辑1
3.2.3 二极管或门
设VCC = 5V 加到A,B的 加到 的
VIH =3V VI L= 0V 二极管导通时 VDF= 0.7V
Y = A+ B
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 0 1 1 1
A 0V 0V 3V 3V
B 0V 3V 0V 3V
Y 0V 2.3V 2.3V 2.3V
规定2.3V以上为 以上为1 规定 以上为 0V以下为 以下为0 以下为
氧化物层 半导体层
PN结
S (Source)：源极 ： G (Gate)：栅极 ： D (Drain)：漏极 ： B (Substrate):衬底 衬底
14
§3.3 CMOS 门电路
3.3.1 MOS管的开关特性 MOS管的开关特性
沟道增强型为例： 以N沟道增强型为例： 沟道增强型为例
VDD
s
VDD N+ D G
VDD − VOL(max) = ( I OL(max) − mI IL )RL(min)
得：
RL(min) = VDD − VOL(max) I OL(max) − m ⋅ I IL
所以： 所以： RL（min）＜RL＜RL（max） （ ） （ ） m
29
3．CMOS传输门和双向模拟开关： CMOS传输门和双向模拟开关： 传输门和双向模拟开关
第三章
§ 3.1 概述
门电路
§ 3.2 半导体二极管门电路
★§
3.3 COMS门电路 COMS门电路 TTL门电路 TTL门电路 TTL电路与CMOS电路的接口 TTL电路与CMOS电路的接口 电路与CMOS
★§3.5
*§3.8 §
§3.1 概述
一、门电路
实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、或门等。 实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、或门等。
21
2.电压、电流传输特性： 电压、电流传输特性：
截止， 导通， （1）AB段，TN截止，TP导通， AB段 输出V 输出 o=VoH≈VDD。 （2）CD段， TP截止，TN导通， CD段 截止， 导通， 输出V 输出 o=0V （3）BC段， BC段 VGS(th)N< vi <VDD-VGS(th)P , VGSN>VGS(th)N , VGSP > VGS(th)P 两管同时导通， 两管同时导通，若TP、TN管参数 完全对称， 完全对称，则VO=1/2VDD （4）CMOS门电路的阈值电压：Vth=1/2VDD 门电路的阈值电压： 门电路的阈值电压
32
(2)三态门的用途 (2)三态门的用途
三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 • 组成单向总线， 组成单向总线， 实现信号的分时单向传送。 实现信号的分时单向传送。 • 组成双向总线， 组成双向总线， 实现信号的分时双向传送。 实现信号的分时双向传送。
24
1 RON 2
（3）带缓冲级的门电路
注意：输入、输出端加缓冲级后，电路的逻辑功能也会发生变化。 注意：输入、输出端加缓冲级后，电路的逻辑功能也会发生变化。
或非门 + 缓冲器 ⇒ 与非门
25
2. 漏极开路的门电路（OD门） 漏极开路的门电路（ 门
Y = AB
(1) 使用时输出端必须接上拉电阻到电源 DD2，VDD1 和 使用时输出端必须接上拉电阻到电源V VDD2可以不同。 可以不同。
VGS
G
D N+
s
N+
VDD G D N+
s
N+
VGS
P N+ VDD P
P
s
N+
VGS
G
D N+
开启电压 VGS(th)
P
15
2.MOS管的输入特性和输出特性 2.MOS管的输入特性和输出特性 管的
输入特性：直流电流为0， ① 输入特性：直流电流为 ，看进去有一个输入电容 CI，对动态有影响。 对动态有影响。 输出特性： 对应不同的V ② 输出特性：iD = f(VDS) 对应不同的VGS下的一族 曲线 。
VDD − VOH (min) = ( nIOH + mI IH )RL(max)
得：
RL(max) =
VCC − VOH(min) nIOH + m ⋅ I IH
n m
28
(3) OC门进行线与时，外接上拉电阻 的选择： 门进行线与时，外接上拉电阻RL的选择 的选择： 门进行线与时
②当输出低电平时， 当输出低电平时， RL不能太小。RL为最小值时要保证输出电压为 OL（max），由 不能太小。 为最小值时要保证输出电压为V （ ）
(a)
二极管加正向电压
D IS
(b)
K
VR
RL
VR
RL
(a)
(b)
二极管加反向电压
6
二极管的开关等效电路： 二极管的开关等效电路：
7
2.二极管开关的动态特性 2.二极管开关的动态特性
D + vi －
VF (b) 0 VR
vi
t1 i
t
i
RL
(c) IF 0
30
（2）双向模拟开关 ）
RL >> RTG
31
4 . CMOS三态门 三态门
(1)工作原理： (1)工作原理： 工作原理
=0时 输出A 正常的非门输出: 当EN=0时，G4 和G5 输出A，Y为正常的非门输出: =0
Y=A
输出为1 都截止输出为高阻状态 高阻状态。 当EN=1时，G4和G5输出为1、0， T1和T2都截止输出为高阻状态。 = 所以，这是一个低电平有效的三态门，逻辑符号如图（b）所示。 所以，这是一个低电平有效的三态门，逻辑符号如图（ ）所示。
V
DD
TP Vi TN Vo
1.逻辑关系: 1.逻辑关系: 逻辑关系
（设VDD＞（VGS(th)N+|VGS(th)P|），且VGS(th)N=|VGS(th)P| ） ＞（ +| ），且 =| 截止， 导通。输出V （1）当Vi=0V时，T2截止，T1导通。输出 O≈VDD。 时 导通， 截止，输出V （2）当Vi=VDD时，T2导通，T1截止，输出 O≈0V。 。
二、高电平、低电平 高电平、
数字信号是一种二值信号,用两个电平 高电平和低 数字信号是一种二值信号 用两个电平(高电平和低 用两个电平 电平)分别来表示两个逻辑值 逻辑1和逻辑 分别来表示两个逻辑值(逻辑 和逻辑0)。 电平 分别来表示两个逻辑值 逻辑 和逻辑 。
Vcc
高电平
Vo VI
Vcc
s1
Vo VI
3.2.2 二极管与门
设VCC = 5V 加到A,B的 加到 的
VIH =3V VIL =0V 二极管导通时 VDF=0.7V
Y = AB
A 0V 0V 3V 3V B 0V 3V 0V 3V Y 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 0 0 0 1
规定3V以上为 规定 以上为1 以上为 0.7V以下为 以下为0 以下为
18
4.MOS管的开关等效电路 4.MOS管的开关等效电路
OFF ，截止状态
ON，导通状态 ，
19
5、MOS管的四种类型 MOS管的四种类型 • 增强型
大量正离子
• 耗尽型
导电沟道
20
3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 CMOS反相器的电路结构和工作原理
CMOS逻辑门电路是由 沟道 逻辑门电路是由N沟道 沟道MOSFET互补而成。 互补而成。 逻辑门电路是由 沟道MOSFET和P沟道 和 沟道 互补而成
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VGS >> GS(th) >>V
ID(mA )
可变电阻区 RON与VGS近似 成反比
恒流区 近似地与v iD近似地与vGS2 成正比
4 3 2 1 3 6 9 5V 4V 3V VGS=2V 12 UDS(V)
截止区
MOS管的输出特性 MOS管的输出特性
17
3.MOS管的基本开关电路 3.MOS管的基本开关电路
逻辑0
逻辑0
逻辑0
逻辑0
逻辑0
逻辑1
逻辑1
逻辑1
正逻辑
负逻辑
§3.2 半导体二极管门电路
二极管的结构： 二极管的结构：
P N
PN结 + 引线 + 封装构成 结
4
§3.2 半导体二极管门电路
3.2.1 半导体二极管的开关特性
I+(mA)
正向
U-(V)
死区电压 硅管0.5V,锗 死区 硅管 锗 管0.1V。 。 电压
（1）CMOS传输门 （设两管的开启电压VGS(th)N=|VGS(th)P| ) ） 传输门
接高电平V 接低电平0 时 的范围变化， ①当C接高电平 DD，/C 接低电平0V时，若Vi在0V～VDD的范围变化， 接高电平 ～ 至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出， 至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即Vo=Vi。 接低电平0 接高电平V 的范围变化时， ②当C接低电平0V，/C 接高电平 DD，Vi在0V～VDD的范围变化时， 接低电平 ， ～ 都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。 TN和TP都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。
－
(a)
+
(b)
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
x Ln Lp
加正向电压时二极管存储电荷的分布
同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间， 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为 开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。 开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。
22
1 VDD 2
3.3.5其他类型的CMOS门电路 其他类型的CMOS门电路 CMOS
1.CMOS与非门和或非门电路 1.CMOS与非门和或非门电路
（1）与非门 （2）或非门
L =AB
L = A+ B
23
（3）带缓冲级的门电路
存在的缺点： (1) : 输出电阻RO受输入状态影响 A = 1, B = 1则RO = RON 2 + RON 4 = 2 RON A = 0, B = 0则RO = RON 1 // RON 3 = A = 0, B = 1则RO = RON 1 = RON A = 1, B = 0则RO = RON 3 = RON ( 2)输出的高低电平受输入 端数目的影响 输入端越多，VOL 越高，VOH 也更高 (3)使T2、T4的VGS 达到开启电压时， 对应的VI 值不同
因为
R OFF > 10 9 Ω , R ON < 1 K Ω 只要 R ON << R D << R OFF , 则： 当 V I = V IL < V GS ( th ) → T 截止 → V O = V OH ≈ V DD 当 V I = V IH > V GS ( th ) → T 导通 → V O = V OL ≈ 0 控制的开关。 所以 MOS 管 D − S 间相当于一个受 V I 控制的开关。
IS
t1 i
0.1IR
t
(a)
反向恢复时间： 反向恢复时间：tre＝ts十tt
(d)
IF 0
t1
ts
t
IR
tt
就是存储电荷消散所需要的时间。 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。
8
产生反向恢复过程的原因： 产生反向恢复过程的原因：
P区 耗尽层 N区
反向恢复时间： 反向恢复时间：tre＝ts十tt
2. 漏极开路的门电路（OD门） 漏极开路的门电路（ 门
(2) 可将输出端并联使用，实现线与功能或用作电平 可将输出端并联使用， 转换、 驱动器。 转换、 驱动器。
(3) OC门进行线与时，外接上拉电阻 的选择： 门进行线与时，外接上拉电阻RL的选择 的选择： 门进行线与时
①当输出高电平时， 当输出高电平时， RL不能太大。RL为最大值时要保证输出电压为 OH（min），由 不能太大。 为最大值时要保证输出电压为V （ ）
反向击穿 电压U 电压 (BR) 反向
导通压降: 导通压降: 硅管 0.6~0.7V,锗 锗 管0.2~0.3V。 。
U+(V)
I- (uA)
5
1.二极管开关的静态特性 1.二极管开关的静态特性
加正向电压VF时， 二极管导通， 二极管导通，管压降VD 可忽略。 可忽略。二极管相当于 一个闭合的开关。 一个闭合的开关。 加反向电压VR时， 二极管截止， 二极管截止，反向电流 IS 可忽略。二极管相 可忽略。 当于一个断开的开关。 当于一个断开的开关。
思考: 思考
12
二极管构成的门电路的缺点： 二极管构成的门电路的缺点：
• 电平有偏移 • 带负载能力差 只用于IC内部电路 只用于IC内部电路 IC
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§3.3 CMOS 门电路
3.3.1 MOS管的开关特性 MOS管的开关特性
1.MOS管的结构和工作原理 1.MOS管的结构和工作原理 金属层
低电平
s2
三、正逻辑与负逻辑: 正逻辑与负逻辑:
有两种逻辑体制： 有两种逻辑体制： 正逻辑体制规定：高电平为逻辑1，低电平为逻辑0。 正逻辑体制规定：高电平为逻辑 ，低电平为逻辑 。 规定 负逻辑体制规定 低电平为逻辑1，高电平为逻辑0。 规定： 负逻辑体制规定：低电平为逻辑 ，高电平为逻辑 。
逻辑1 逻辑1
3.2.3 二极管或门
设VCC = 5V 加到A,B的 加到 的
VIH =3V VI L= 0V 二极管导通时 VDF= 0.7V
Y = A+ B
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 0 1 1 1
A 0V 0V 3V 3V
B 0V 3V 0V 3V
Y 0V 2.3V 2.3V 2.3V
规定2.3V以上为 以上为1 规定 以上为 0V以下为 以下为0 以下为
氧化物层 半导体层
PN结
S (Source)：源极 ： G (Gate)：栅极 ： D (Drain)：漏极 ： B (Substrate):衬底 衬底
14
§3.3 CMOS 门电路
3.3.1 MOS管的开关特性 MOS管的开关特性
沟道增强型为例： 以N沟道增强型为例： 沟道增强型为例
VDD
s
VDD N+ D G
VDD − VOL(max) = ( I OL(max) − mI IL )RL(min)
得：
RL(min) = VDD − VOL(max) I OL(max) − m ⋅ I IL
所以： 所以： RL（min）＜RL＜RL（max） （ ） （ ） m
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3．CMOS传输门和双向模拟开关： CMOS传输门和双向模拟开关： 传输门和双向模拟开关
第三章
§ 3.1 概述
门电路
§ 3.2 半导体二极管门电路
★§
3.3 COMS门电路 COMS门电路 TTL门电路 TTL门电路 TTL电路与CMOS电路的接口 TTL电路与CMOS电路的接口 电路与CMOS
★§3.5
*§3.8 §
§3.1 概述
一、门电路
实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、或门等。 实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、或门等。
21
2.电压、电流传输特性： 电压、电流传输特性：
截止， 导通， （1）AB段，TN截止，TP导通， AB段 输出V 输出 o=VoH≈VDD。 （2）CD段， TP截止，TN导通， CD段 截止， 导通， 输出V 输出 o=0V （3）BC段， BC段 VGS(th)N< vi <VDD-VGS(th)P , VGSN>VGS(th)N , VGSP > VGS(th)P 两管同时导通， 两管同时导通，若TP、TN管参数 完全对称， 完全对称，则VO=1/2VDD （4）CMOS门电路的阈值电压：Vth=1/2VDD 门电路的阈值电压： 门电路的阈值电压
32
(2)三态门的用途 (2)三态门的用途
三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 • 组成单向总线， 组成单向总线， 实现信号的分时单向传送。 实现信号的分时单向传送。 • 组成双向总线， 组成双向总线， 实现信号的分时双向传送。 实现信号的分时双向传送。
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1 RON 2
（3）带缓冲级的门电路
注意：输入、输出端加缓冲级后，电路的逻辑功能也会发生变化。 注意：输入、输出端加缓冲级后，电路的逻辑功能也会发生变化。
或非门 + 缓冲器 ⇒ 与非门
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2. 漏极开路的门电路（OD门） 漏极开路的门电路（ 门
Y = AB
(1) 使用时输出端必须接上拉电阻到电源 DD2，VDD1 和 使用时输出端必须接上拉电阻到电源V VDD2可以不同。 可以不同。
VGS
G
D N+
s
N+
VDD G D N+
s
N+
VGS
P N+ VDD P
P
s
N+
VGS
G
D N+
开启电压 VGS(th)
P
15
2.MOS管的输入特性和输出特性 2.MOS管的输入特性和输出特性 管的
输入特性：直流电流为0， ① 输入特性：直流电流为 ，看进去有一个输入电容 CI，对动态有影响。 对动态有影响。 输出特性： 对应不同的V ② 输出特性：iD = f(VDS) 对应不同的VGS下的一族 曲线 。
VDD − VOH (min) = ( nIOH + mI IH )RL(max)
得：
RL(max) =
VCC − VOH(min) nIOH + m ⋅ I IH
n m
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(3) OC门进行线与时，外接上拉电阻 的选择： 门进行线与时，外接上拉电阻RL的选择 的选择： 门进行线与时
②当输出低电平时， 当输出低电平时， RL不能太小。RL为最小值时要保证输出电压为 OL（max），由 不能太小。 为最小值时要保证输出电压为V （ ）