单晶结构解析常见问题问答
关于x射线衍射单晶结构解析中单晶结构精修的几个问题的探讨
』竺—一一．塑望垂垫堡兰丝垦皇堑堕关于ｘ射线衍射单晶结构解析中单晶结构精修的几个问题的探讨李一志１王流芳”何凤英１夏春谷２（１兰州大学化学化工学院，兰州７３０００）Ｐ中科院兰州化物所羰基台成与选择氧化国家重点实验室，兰州７３０００）ｘ射线衍射单晶结构解析是目前人们在原子分子水平上认识物质微观结构的最权威的手段培养单晶并解析出其晶体结构是化学家和晶体学家们探索微观世界奥秘的重要任务之一Ｘ射线衍射单晶结构解析的过程大致可分为单晶培养、衍射数据收集、晶胞参数和空间群的初步测定、单晶结构的初步测定和单晶结构精修等五大步骤．每一步都很重要，但最后一步显得尤为关键．假如这一步没作好，则意味着前功尽弃．本文拟对单晶结构精修的几个问题进行探讨．一自己动手进行单晶结构精修的必要性和可行性由于ｘ射线衍射单晶结构解析过程中要使用价格昂贵的ｘ射线衍射仪器，所以衍射数据收集的工作只能由专业人员来完成．因此形成了一种局面：专业人员包揽单晶结构解析的全部工作，研究人员报道由他们提供的晶体学数据．由于专业人员时间有限以及对样品的了解有时不如我们自己了解得那么全面，结构精修结果往往不尽人意井留下隐患．另外还存在一个认识上的误区，即认为专业人员提供的结果都是可靠的．严格地说，那只是一个粗结构数据，只有经过国际晶体学会的计算机检测系统检测并确认的晶体结构数据才可认为是可靠的为了避免发生错误，研究人员有必要亲自进行单晶结构精修的工作．随着计算机的普及和单晶结构精修程序的改进，进行精修的专业化程度逐渐淡化．从目前情况来看，只要有一台５８６以上的微机加上合适的精修程序便可咀开展这一工作．二单晶结构精修程序简介随着时间的推移和实践的检验，不少单晶结构精修程序已被淘汰．现在国际流行并被晶体学家们公认的单晶结构解析和精修程序是ＳＨＥＬＸ－９７ｔ１，２１，ＳＨＥＬＸ程序的作者是德国Ｇｏｔｔｉｎ．ｇｅｎ大学的晶体学家Ｇ∞∞Ｓｈｅｔｄｒｋ：ｋ教授．ＳＩ－ＩⅡＸ程序的第一版本发表于１９６０年代．随后经历了ＳＨＦＡ＿，Ｘ一７６、ＳＨＥＬＸ－８６、ＳＨＥＬＸ．９３等几个发展阶段，最新版本为ｓ唧ｘ—９７，版本的更新信息随时可由网上获得．ＳＨＥＬＸ一９７程序精度高、使用简单，特别是它输出的结果文件－ＣＩＦ文件，与目前国际晶体学＋Ｔｅｌ：０９３１８９１ｌ１３５．Ｅ－ｍａｉｌ：Ｉｌｙｙｊｚ＠ｍａｉｌｇｓ．ｃｔ３Ｌ，ｆｆｏ．ｔａｅｔ关于ｘ射线衍射单晶结构解折中单晶结构精修的几个问题的探讨１７３界的权威刊物ＡｃｔａＣｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃａＳｅｃｔｉｏｎＣ对Ｃ１Ｆ文件的要求格式几乎一致，得到世界各国科学家们的青睐．ＳＨＥＬＸ－９７提供ＵＮＩＸ、ＶＭＳ、ＭＳＤＯＳ、ＬＩＮＵＸ、ＡＩＸ和ｍｉｘ等系统上运行的多种版本．它由ＳＨＥＬＸＳ（结构解析）、ＳＨＦ＿ＡＸＩ』结构精修）、ＣｆｆｒｒＡＢ（出版资料列表）、ＳＨＥＬＸＰＲＯ（公共界面）、ＳＨＥＩＸＨ（大结构精修）、ＳＨＥＬＸＡ（特殊情况下的吸收校正）、ＳＨＥＬＸＷＡＴ（大分子中的水分子分析）等７个程序组成．我们常用的是前四个程序．三空间群的确认如前所述，我们探讨的是单晶鲒构精修问题，即是在专业人员前期工作的基础上对晶体结构进行更加细致的解析．消除错误，使结果达到可以通过国际晶体学会的计算机检测系统的检测和确认的水平．晶体结构精修的第一个任务就是确认晶体所属的空问群．因为空间群错了则晶体结构肯定错了．测定空问群的步骤大致如下嘲：根据衍射数据了解晶体所属的晶系、劳埃群或点群；再根据系统消光规律了解晶体所属的点阵及各个方向上存在的滑移面和螺旋轴、了解晶件所属的衍射群，有的通过消光规律可唯一地确定其空间群．有的只能确定它可能是哪几个空间群；晟后利用衍射强度数据的统计规律确定该晶体所属的空间群．空间群由专门的计算机程序根据单晶衍射数据确定，结果一般是可信的，但也不能大意．因为计算机程序执行过程中需由操作人员提供一些参数，这就有可能发生误差．站在对晶体结构精修的角度看，我们对空间群进行确认所要作的工作．并不是从头到尾解析其空问群，而是在别人已给出的空间群的基础上进一步的确认．为此．我们有以下三种确认方法．第一种方法（也是最简单最准确的方法），是利用国际晶体学会的计算机晶体结构的免费检测系统，把你的晶体结构数据用Ｅ－ｍａｉｌ发过去，几分钟后就返回信息，告诉你初定的空间群是否正确．第二个方法是在你有确认空间群的程序的前提下，不妨用它来再运行一下你的衍射数据，以保证晶体所属空间群的正确性．第三个方法是尝试法，办法虽笨，但在你没有上网条件、又没有确认空间群的专门程序的处境下还是切实可行的．即在相关的几种空间群中适当地改变一下晶体所属的空间群，并用ＳＨＦ＆ＸＩ，卯程序运行，看看结果是变好了还是更糟，以此来决定取舍．四昌胞参数的精修晶体的晶胞参数是指单位晶胞的边长ｎ、ｂ、Ｃ和三边间的夹角ａ、口、ｒ，它们是在单晶衍射数据收集过程之初．根据２５个左右衍射较强的衍射点计算而得到的．与最终数千个衍射点相比毕竟还是少数，难免不引入误差．如果发现晶体的几何数据有明显不合理的数据出现．比如Ｃ－Ｃ单键小于１．５０＾或苯环的内角远远偏离１２０。
单晶合金问题
1.单晶合金的特点；做什么用？晶界强度在高温下下降很快,比基体低, 在定向凝固合金基础上发展出的完全消除晶界的单晶高温合金，能使合金热强性能有进一步的提高（约30℃）；用处：生产涡轮叶片、导向叶片、叶片内外环、喷嘴扇形段、封严块、燃油喷嘴等。
用于军用和商用飞机、坦克、舰船、工业燃气轮机、导弹、火箭、航天飞机等。
2.单晶合金的制备。
按照成分要求，在真空感应炉中熔炼出母合金锭，采用选晶法，以7mm/min 的凝固速度在高温度梯度真空定向凝固炉中分别制备出[001]取向和[110]取向的单晶合金试棒，[001]取向试棒的生长方向偏差在8︒以内，[110] 取向试棒的生长方向偏差在4︒以内。
3.单晶合金的热处理，目的是什么？固溶+时效, 目的形成’相.主要强化相热处理是将工件在介质中加热到一定温度并保温一定时间，然后用一定速度冷却，以改变金属的组织结构，从而改变其性能（包括物理、化学和力学性能）的工艺。
比如增加或者降低金属材料的硬度、强度、弹性、韧性、塑性等。
(百度)单晶合金发展几代。
合金成分特点?4.承温能力分别提高约30℃的第一代、第二代、第三代单晶合金, 第四代单晶合金合金成分特点第四代单晶合金承温能力比定向柱晶合金约高100℃(英国生产)。
5.无铼基单晶和有铼比性能差，为什么研究无铼单晶合金？（少无铼基单晶？）铼的加入能大幅度提高合金的高温性能，但却使合金的成本明显加大，因此，研制低铼或无铼高性能的单晶合金成了人们研究的重点之一。
6.单晶合金的主要组成相有哪些？其特点是高温固溶--时效处理后，在FCC结构的γ相基体中弥散析出L12型有序金属间化合物Ni3(Ti,Al) --γ'相。
γ'数的差异，正是由于点阵错配度的差异而导致强化。
γ'相与γ基体保持共格关系，7.采用的腐蚀剂100 ml HCl + 80 ml H2O + 20 g CuSO4试样减薄腐蚀液为：7％高氯酸＋93%乙醇8.三个取向合金蠕变性能差别?根据资料介绍[110]取向性能最差,9.单晶合金蠕变后组织发生什么变化？10.蠕变的三个阶段是什么？各阶段组织怎么变化？减速蠕变，稳态蠕变及加速蠕变；11.不同取向合金资料上的和实际测量结果有什么差别，为什么？（因为实验条件不同，高温低应力，低温高应力）12.蠕变失效机制是什么？13 为什么单晶合金总是沿着，<001>方向形筏。
晶体结构中常见的几个问题
中学化学晶体结构中常见的几个问题资源自人教网!2011-08-31 人教网河北省宣化县第一中学栾春武一、为什么AlCl3是共价化合物金属元素与非金属元素形成的化合物通常是离子化合物，如NaCl、K2S等，但AlCl3是共价化合物。
AlCl3的熔点192.4℃（2.5个大气压），沸点为177.8℃（沸点比熔点低是因为测定AlCl3熔点需加压，因而使得熔点升高）。
AlCl3在熔融态、气态和非极性溶剂中均以二聚体Al2Cl6的形式存在（如图所示）。
这是因为三价铝离子的半径过小，电荷密度高，导致了阴离子的变形，使离子型向共价型移动。
Al是缺电子原子，有空的p轨道，Cl原子有孤对电子，两个AlCl3分子间能发生Cl→Al的电子授予和接受作用，形成氯桥配合物。
其实，除碱金属、碱土金属（Li、Be除外）之外，大多数的氯化物、溴化物和碘化物，如BeCl2、HgCl2、SnCl4、FeCl3、BiCl3等以及相应的溴化物、碘化物等均为共价化合物，但AlF3（熔点1040℃，沸点1260℃，熔融状态时能导电）MgF2（熔点1250℃，沸点2260℃，熔融状态时能导电）等为离子型化合物。
二、为什么NaCl、MgCl2、AlCl3的熔沸点依次降低按照一般规律：离子半径越小，粒子的电荷越多，则离子键越强，离子化合物的熔沸点就越高。
Na+、Mg2+、Al3+的离子半径依次减小，电荷数依次增多，但NaCl、MgCl2、AlCl3的熔点却依次降低，分别为801℃、714℃、192.4℃；沸点也依次降低，依次为1443℃、1000℃、177.8℃。
究其原因，也可用离子极化理论来解释：离子的半径越小、电荷数越多，则离子产生的电场强度就越大，其极化能力就越强，使得离子发生变形而产生电子云重叠的程度就越大，键的极性减弱，晶体的类型也就相应地由典型的离子晶体（如NaCl）经过渡型晶体（如MgCl2、AlCl3的层状晶体）转变为分子晶体，因而NaCl、MgCl2、AlCl3的熔沸点依次降低。
热处理知识问答
热处理知识问答一、热处理知识问题：1、什么是晶体？什么是非晶体？2、什么是晶格？3、常见金属的晶体结构有哪三种？4、具有体心晶格的常见金属有哪些？5、具有面心立方晶格的常见金属有哪些？6、具有密排六方晶格的常见金属有哪些？7、什么是单晶体？什么是多晶体？8、什么是晶体缺陷？9、晶体缺陷有哪几种？10、什么是过冷度？11、纯金属的实际结晶有哪两个特点？12、什么是铁的同素异构现象？13、铁碳合金的基本组织有哪几种？14、碳钢的共析转变温度是多少？15、铁碳合金分几类？16、碳钢分几类？17、工业纯铁碳含量是范围？18、钢碳含量的范围？19、热处理是由哪三个基本环节组成的？20、钢的加热的主要目的是什么？21、奥氏体的形成过成有哪四个阶段？22、奥氏体晶粒度8级的细还是3级的细？23、奥氏体晶粒长大影响因素有哪些？24、控制奥氏体长大的措施有哪些？25、钢在冷却时主要的冷却方式有哪两种？26、影响C曲线形状主要有哪几个方面？27、珠光体型转变有哪些特点？28、贝氏体型转变有哪些特点？29、马氏体型转变有哪些特点？30、共析钢在不同冷却速度下的产物？31、什么是退火？32、退火的目的？33、什么是正火？34、正火的目的？35、正火与退火有哪些区别？36、什么是淬火？37、淬火的目的？38、淬火温度的确定？39、淬火保温时间的确定原则？40、淬火介质有哪三类？41、水剂淬火介质有哪些？42、油剂淬火介质有哪些：43、淬火冷却过程是三个阶段是什么？44、淬火冷却方法有哪些？45、什么是钢的淬硬性和淬透性？46、什么是回火？47、回火的目的是什么？48、回火的种类有哪几种？49、淬火钢回火时的组织转变大致包括几个过程？50、低温回火的使用温度、得到的组织及目的？51、中温回火的使用温度、得到的组织及目的？52、高温回火的使用温度、得到的组织及目的？53、回火后的力学性能是如何变化的？54、感应加热表面淬火的特点？55、高频感应加热的常用频率及使用范围？56、中频感应加热的常用频率及使用范围？57、感应加热方式有哪两种？58、感应加热表面淬火的冷却方式主要有哪两种？59、感应加热表面淬火后的回火有哪两种？60、什么是渗碳？61、渗碳的基本过程有哪些？62、渗碳温度一般为多少？63、为什么要在奥氏体区渗碳？64、渗碳时间是根据哪些因素确定的？65、渗碳淬火设备有哪几种及适用范围？66、马氏体粗大的原因及措施？67、残余奥氏体高产生的原因及措施？68、心部硬度低产生的原因及措施？69、表面硬度低产生的原因及措施？70、马氏体粗大的原因及措施？71、什么是有效硬化层深度？72、有效硬化层深度过深的原因及措施？73、有效硬化层深度过浅的原因及措施？74、心部硬度高产生的原因及措施？75、表面硬度高产生的原因及措施？二、热处理知识问题答案1、什么是晶体？什么是非晶体？答：晶体是内部原子呈规律性排列的物质，如固态金属。
单晶培养的一些问题
单晶培养的一些问题1.单晶培养的方法多种多样，我们没必要掌握那些难以操作的，如升华法、共结晶法等。
最简单的最实用。
常用的有1.溶剂缓慢挥发法；2.液相扩散法；3.气相扩散法。
99％的单晶是用以上三种方法培养出来的。
2.单晶培养所需样品用量。
一般以10－25mg为佳，如果你只有2mg左右样品，也没关系，但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法，不能使用溶剂缓慢挥发法。
3.单晶培养的样品的预处理。
样品溶解后一定要过滤，不能用滤纸，而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部，不要塞太紧，否则流的太慢。
样品当然是越纯越好，不过如果实在没办法弄纯也没关系，培养一次就相当于提纯了一次，我经常用一些TLC显示有杂点的东西长单晶，但得多养几次。
4.一定要做好记录。
一次就得到单晶的可能性比较小。
因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候，采取少量多溶剂体系的办法。
如果你有50mg样品，建议你以5mg为一单位，这样你可以同时实验10种溶剂体系，而不是选两种溶剂体系，每个体系25mg。
这是做好记录就特别重要，以免下次又采用已经失败的溶剂体系，而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。
5.培养单晶时，最好放到没人碰的地方，这点大家都知道。
我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里5，6天不管。
也许有的溶剂体系一天就析出了晶体，结果5天后，溶剂全干了。
一般一天看一次合适，看的时候不要动它。
明显不行的体系（如析出絮状固体）就要重新用别的溶剂体系再重新培养。
6.液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1：2－1：4。
7.烷基链超过4个碳的很难培养单晶。
8.分子中最好不要有叔丁基，因为容易无序，影响单晶解析的质量。
9.含氯的取代基一般容易长单晶，如4－氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单晶体培养步骤：一支管法：在单晶制备时，经常会发现配位一发生，产生大量的微晶，再去挥发母液，怎么都长不大，以前听人说可用扩散法，但受到文献启示，可以找一根长玻璃管，底下注入盐的溶液，上面加一个纯溶剂缓冲层（可长可短），最上面注入（先慢后快）配体溶液，两三个小时或两三天就搞定了。
单晶结构分析讲座
单晶结构分析讲座单晶结构分析是材料科学领域的一项重要研究内容，通过对材料中的单晶结构进行分析，可以了解其晶体中的原子排列方式、晶格常数、结晶度、晶体缺陷等信息，从而深入理解材料的性质和行为。
本次讲座将介绍单晶结构分析的基本原理、常用的实验方法和分析技术，并结合实例进行具体讲解。
首先，我们需要了解什么是单晶结构。
在材料科学中，晶体是指具有有序周期性排列的原子或分子的固体物质。
而单晶是指晶体中仅有一个晶体结构。
相比之下，多晶体中有很多个晶体并存，每个晶体的晶格方向可能不同。
单晶具有一致的晶体结构，因此具有更好的物理性能和化学稳定性，被广泛应用于材料科学和领域。
为了得到单晶样品进行分析，有多种实验方法可以选择。
最常见的方法是X射线衍射（XRD）。
X射线是一种电磁波，其波长与晶格常数相当，因此能够通过晶体结构产生衍射现象。
通过观察样品衍射出的条纹图案，我们可以推断出晶体的结构信息。
X射线衍射还可以用于测量晶体的晶格常数、晶体缺陷等参数，并可以与理论计算进行比较。
此外，还有电子衍射和中子衍射等方法也可以用于单晶结构分析。
电子衍射使用电子束而不是X射线，可以获得更高的分辨率和更详细的信息。
中子衍射则利用中子束进行衍射，对于有机物质和含有氢原子的材料有一定的优势。
在进行单晶结构分析时，还需要进行数据处理和结构模型建立。
数据处理方面，可以使用衍射数据的峰位和强度进行峰位拟合、样品定位、岛压缩等操作，在提取样品结构信息时起到辅助作用。
结构模型建立方面，可以利用已知的结构信息进行模型匹配，或者通过实验数据进行晶体结构的直接解析。
在实际的单晶结构分析中，还需要克服一些挑战和困难。
首先，进行单晶样品的制备十分关键，需要得到高质量的单晶样品。
其次，不同晶体结构之间差异较大，无法使用通用的方法进行分析。
因此，需要不同的实验和计算方法进行分析。
另外，对于非常复杂的晶体结构，可能需要使用高级的分析技术，如采用高分辨率的XRD仪器或者利用同步辐射源，以获取更详细的结构信息。
直拉硅单晶生产过程中可能遇到的问题和解决方法
直拉硅单晶生产过程中可能遇到的问题和解决方法摘要：直拉硅单晶生产是一项复杂的工艺，其中可能会出现各种问题。
解决这些问题对于确保生产质量和效率至关重要。
在本文中，将介绍直拉硅单晶生产过程中常见的问题，并提供相应的解决方法。
关键词：直拉硅单晶；生产过程；问题；解决方法引言直拉硅单晶是用于制造太阳能电池和集成电路等高科技产品的重要材料。
在生产过程中，可能会遇到一些问题，影响生产效率和质量。
本文将讨论一些常见的问题，并提供相应的解决方法。
1直拉硅单晶概述1.1直拉硅单晶直拉硅单晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路和其他高科技产品的制造中。
它具有优异的电学性能和热学特性，因此成为现代电子行业不可或缺的材料之一。
直拉硅单晶的生产是通过熔化高纯度多晶硅，然后在适当的温度和拉力下，将硅熔体从凝固器底部向上拉扯，形成连续的硅单晶柱。
这个过程中需要精确控制温度、拉力和拉速等参数，以确保晶体的质量和尺寸一致性。
1.2直拉硅单晶特点1.2.1高纯度直拉硅单晶的纯度非常高，其中杂质含量非常低，可以满足高要求的电子器件制造。
1.2.2大尺寸直拉硅单晶可以得到较大尺寸的硅片，可以实现更多的芯片制造和太阳能电池面积。
1.2.3优异的光电特性直拉硅单晶具有良好的光电转换效率和光损耗特性，适用于制造高效的太阳能电池。
1.2.4结构均匀性由于直拉过程的控制和优化，直拉硅单晶的晶体结构相对均匀，减少了晶界和位错等缺陷。
2直拉硅单晶生产过程中遇到的问题2.1晶体断裂或受损在拉晶过程中，晶体可能会因为拉力不均匀、温度变化或材料缺陷等原因而出现断裂或受损。
2.2晶体表面污染晶体的表面可能会受到氧化物、杂质或其他污染物的影响，导致晶体纯度降低或者局部区域的电性能下降。
2.3晶体尺寸和形状不均匀直拉过程中，如果拉力、温度或其他关键参数控制不当，可能导致晶体尺寸和形状的不均匀性，影响后续工序的加工精度和产品一致性。
2.4晶体结构缺陷晶体内部可能存在晶界、位错和点缺陷等问题，这些缺陷可能对晶体的电学性能和可靠性产生不利影响。
单晶硅位错 -回复
单晶硅位错-回复什么是单晶硅位错？单晶硅位错是指单晶硅晶体中的晶格缺陷，即原子的错位或错位带。
由于晶格中存在一些不规则的原子排列，它们可能对晶体的物理和化学性质产生重要影响。
在晶体学中，位错是晶体材料中常见的缺陷，对其结构和性质具有重要影响。
单晶硅是一种高纯度的硅材料，由于其具有优异的电学特性和良好的光学特性等优点，被广泛应用于半导体和太阳能电池等领域。
然而，单晶硅在生长和制备过程中难免会产生位错，这些位错可能会影响其功能和性能。
位错的形成通常是由于晶体原子的错位、缺损或非均匀排列引起的。
单晶硅中常见的位错类型包括线位错和面位错。
线位错是由于晶体中某些原子排列不规则，形成了错位带，而面位错则是由于晶体的晶面之间存在错位。
位错带来的影响可以通过不同的观测和分析方法来研究。
例如，透射电子显微镜（TEM）和扫描电子显微镜（SEM）可以用来观察位错的形貌和位置。
X射线衍射和拉曼光谱分析可以用来研究位错对晶体结构和晶格振动的影响。
位错的存在可能会导致单晶硅的电性能下降或光学性能受损。
位错可能会形成电子能级，导致能带结构的变化，从而影响材料的导电性能。
此外，位错还可以影响光的传播和吸收特性，降低材料的透光率和光学效能。
为了减少位错的产生以及其对单晶硅材料性能的影响，研究人员采取了一系列的措施。
首先，通过精细控制单晶硅的生长和制备过程，来减少位错的产生。
其次，在材料制备过程中应用高温、高压等条件，可以促使位错的形成和排列调整，从而改善晶体的质量。
此外，选择合适的掺杂物和添加剂，也可以改变位错的生成和移动机制，提高单晶硅的质量和性能。
总结起来，单晶硅位错是单晶硅晶体中晶格缺陷的形成，其所引起的一系列问题对其性能具有重要影响。
研究人员采取了一系列措施来减少位错的产生以及对晶体材料的影响，从而提高单晶硅的质量和性能。
这将有助于单晶硅在半导体和太阳能电池等领域的应用。
单晶结构解析过程
单晶结构解析过程
单晶结构解析过程是指通过实验和数据分析来确定晶体中原子的位置、晶格参数和晶体结构的方法。
下面是单晶结构解析的常见步骤：
1. 晶体生长：首先需要获得足够大的单晶样品。
这可以通过各种方法实现，如溶液法、气相法或熔融法。
2. 数据收集：使用X射线衍射技术或中子衍射技术，将单晶样品放置在仪器中，并记录衍射图案。
这些衍射数据包含了不同角度的散射强度和相位信息。
3. 数据处理：对收集到的衍射数据进行处理和分析。
其中一个关键步骤是解析Laue图或斑图，确定晶体的晶系和对称性。
4. 相位问题：由于晶体中的散射信息只包含幅度而没有相位，所以需要采用一些方法来解决相位问题。
常见的方法包括多晶片、重组法、直接法和Patterson法等。
5. 结构求解：根据已解决的相位问题，借助计算机软件或手动计算，进行晶体结构求解。
这个过程包括模型建立、参数优化和误差分析等。
6. 结构修正：对求解得到的初始结构进行修正和调整。
这可能涉及到原子位置的微调、氢原子的添加、电荷密度修正等。
7. 结果验证：最后，通过一系列实验数据和计算方法来验证所得到的晶体结构。
这些包括衍射数据与计算模型之间的比较，键长和键角的合理性，以及物理化学性质的一致性等。
晶体化学教学中单晶结构解析存在的问题
晶体化学教学中单晶结构解析存在的问题作者：魏振宏陈超丁顺民来源：《教师博览·科研版》2019年第08期[摘要] 晶体是由原子、分子或离子在三维空间按一定规则呈周期性排列而成，在外形上表现为具有一定形状的几何多面体。
晶体内部结构可以通过X-射线单晶衍射实验及相应的程序解析获得，但除了经验丰富的晶体学家，一般的科研工作者对单晶解析都感到束手无策。
晶体化学中，要顺利解析出单晶结构，关键在于初始套的确定、无序的精修、加氢三个方面。
[关键词] 晶体化学;晶体结构;单晶解析晶体化学是研究晶体在原子水平上的结构，揭示晶体的化学组成、结构和性能三者之间内在联系的学科。
自1966年以后，由于计算机控制的自动单晶衍射仪和与之匹配的晶体结构分析软件的迅速发展和普及，X-射线单晶衍射测试成为获取分子立体结构和键参数最权威的技术手段。
截至目前，剑桥晶体数据库（CCDC）已收录的无机化合物、有机化合物和金属配合物的晶体结构数量已超过100万种，并且仍以每年超过5万的数量在增加。
这些大量的晶体化学结构信息为广大科研工作者深入研究反应机理、指导合成和深入探讨物质分子构型与分子化学活性间的内在联系提供了可靠的依据。
目前，国内高校和科研机构已经基本配备了X-射线单晶衍射仪，势必要求每位与之相关的研究人员都掌握X-射线单晶结构的解析方法，因此晶体化学成为高校化学专业研究生的选修课程。
然而，一线科研工作者，特别是初学者，在解析晶体结构时经常感到困惑，不知从何下手。
其实，我们知道解析晶体结构是一门经验技术活，教师除了需要在课堂上详细介绍教材上的晶体解析的步骤和方法外，还需要把自己多年在解析单晶时积累的经验、技巧和心得告诉学生。
通过最近几年晶体化学的教学，我们发现研究生经常对初始套的解析、无序的精修和如何加氢感到困难重重，因此，我们有必要将这些问题进行归纳总结，希望利用积累的经验帮学生熟练掌握晶体解析这门技术。
一、初始套的确定在解析结构前，我们需要评判衍射数据的好坏。
单晶结构解析常见问题问答
1.为什么要提高空间群的对称性？有时候在对称性较高的空间群内不容易解得初结构，在这种情况下可以降低对称性来解，但是解完以后还要把空间群转换回去。
1．1 先安装Platon从其主页上下载/~louis/software/platon//~louis/software/platon/pwt_setup.zip/~louis/software/platon/platon.zipDownload the PLA TON for Windows Taskbar 和Download the PLA TON executable.然后解压安装，首先安装pwt，安装时需设定系统环境变量，安装后再将platon解压后复制到pwt的安装目录内即可。
1.2 运行pwt.exe点击File－－Select Data File，选择要升高对称性的结构文件*.res或者*.ins。
再点击Publish－addsym 系统显示检查画面，如提示有更高对称性的空间群，则原先空间群有误，需要进行转化。
再点击Publish－addsym shelx，可以生成一个新的同名*.res文件，此res文件会将原先的res文件覆盖，在此文件的基础上继续精修即可。
应该没有任何问题，已经试过很多次了！最好用xp打开此res文件，然后再file一次，再作经修2. 在xp中, 用mpln定义平面,仔细看那个方程(大家用xp操作时不要太快,因为那个方程第一个出来,一块就找不到了),方程的等号右边有一个常数,你算第一个平面时将它记下,不过最好将望着的方程记下,然后再算第二个平面,又有一个方程,记下常数项,然后二者一减就是二者的距离,不过平面越是完全平行这个值越接近他俩的真实距离,平行与否可以看大家都能看到的那个夹角,另外也可以看刚才的方程的系数,系数相同或者成线形比例,就平行.3．我的CIF文件里的对称代码2_556 1_545 请问这些对称代码是如何算出来的？？在考虑对称单元的时候，在ShelxTl里面考虑x，y，z均为9个单胞的范围，并且把N_555规定为最初的单胞，即此单胞内的原子坐标均小于1，如果一个对称单元出现的下（x＋1，y，z）的那个那个单胞内，则相应的堆成码就变成了N_655，其他的如此类推，比如在（x－2，y＋1，z＋2）的单胞内，对称码就为N_367，总之都是以N_555为最中心做相应的加减，这应该比较好理解。
单晶的结构分析若干问题
有问题的结构： 难解结构是极少数
P-1以及某些没有平移对称性的空间群，往往会出现固定原点的困难。一
个诀窍是用一比较小的起始套以消除一些特别强的衍射点。 另一办法：认为降低对称性,解出结构后，在转回正确的空间群。 如何转回正确的空间群： 简单例子：P1 中，原子成对出现，M1坐标为(x1, y1, z1), M2坐标为(x2, y2, z2), ■对称中心在[(x1-x2)/2, (y1-y2)/2, (z1-z2)/2] = (x0, y0, z0)
Lattice type P chosen
Volume:
------------------------------------------------------------------------------Tolerances changed: Maximum deviation (deg.) in higher symmetry cell search = Threshold (deg.) for terminating search = 0.050 R(int) maximum for terminating cell search = 0.050 R(int) maximum for space group determination = 0.100 Minimum number of data in group for syst. absence test = Maximum mean I/sigma(I) for systematic absences = 4.000 Minimum I/sigma gap between absences and rest = 4.000 1.000
a , b , c , ,空 间 群 系 列 h k l, |F o |, (F o )
有关单晶培养和解析的一些资料
有关单晶培养的问题 １．单晶培养的方法多种多样，我们没必要掌握那些难以操作的，如升华法、共结晶法等。
最简单的最实用。
常用的有１．溶剂缓慢挥发法；２．液相扩散法；３．气相扩散法。
９９％的单晶是用以上三种方法培养出来的。
２．单晶培养所需样品用量 一般以１０－２５ｍｇ为佳，如果你只有２ｍｇ左右样品，也没关系，但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法，不能使用溶剂缓慢挥发法。
３．单晶培养的样品的预处理 样品溶解后一定要过滤，不能用滤纸，而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部，不要塞太紧，否则流的太慢。
样品当然是越纯越好，不过如果实在没办法弄纯也没关系，培养一次就相当于提纯了一次，我经常用一些ＴＬＣ显示有杂点的东西长单晶，但得多养几次。
４．一定要做好记录 一次就得到单晶的可能性比较小。
因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候，采取少量多溶剂体系的办法。
如果你有５０ｍｇ样品，建议你以５ｍｇ为一单位，这样你可以同时实验１０种溶剂体系，而不是选两种溶剂体系，每个体系２５ｍｇ。
这是做好记录就特别重要，以免下次又采用已经失败的溶剂体系，而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。
５．培养单晶时，最好放到没人碰的地方，这点大家都知道。
我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里５，６天不管。
也许有的溶剂体系一天就析出了晶体，结果５天后，溶剂全干了。
一般一天看一次合适，看的时候不要动它。
明显不行的体系（如析出絮状固体）就要重新用别的溶剂体系再重新培养。
６．液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为１：２－１：４。
７．烷基链超过４个碳的很难培养单晶。
８．分子中最好不要有叔丁基，因为容易无序，影响单晶解析的质量。
９．含氯的取代基一般容易长单晶，如４－氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单晶。
晶体结构解析步骤。
一支管法：在单晶制备时，经常会发现配位一发生，产生大量的微晶，再去挥发母液，怎么都长不大，以前听人说可用扩散法，但受到文献启示，可以找一根长玻璃管，底下注入盐的溶液，上面加一个纯溶剂缓冲层（可长可短），最上面注入（先慢后快）配体溶液，两三个小时或两三天就搞定了。
单晶应知应会基础理论知识
单晶应知应会基础理论知识单晶拉制应知应会基础理论知识1、半导体的基本知识随着世界范围内的能源紧张，在可以预计的将来，⽯油和煤炭将资源枯竭，同时那种既消耗资源⼜产⽣污染的能源⽣产⽅法最终将被⼈类所淘汰，太阳能这种取之不尽，⽤之不竭的新型能源已经被⼈类所认识和发展。
近年来，世界各国都已将太阳能光伏产业作为新型能源来发展，我们国家近年来也涌现出许多从事研究和⽣产太阳能光伏产业的企业。
⽬前，⽤于⽣产太阳能电池的主要材料为单晶硅，俗称太阳能单晶硅。
下⾯就半导体单晶硅的⼀些基本知识作如下讲述：1-1、导体，绝缘体，半导体的区别在⽇常⽣活和应⽤中，⼈们⼀般将物质按导电性能来区分为三种。
1、导体——凡能导电的物质均为导体，如⾦属类物质，常有的为⾦、银、铜、铁、铝等,它们的电阻率⼀般在10*E-4欧姆厘⽶以下。
2、绝缘体——凡不能导电的物质均为绝缘体，⽣活中常有的物质有橡胶，塑料，⽊材，玻璃，陶瓷等都是不能导电的绝缘体，它们的电阻率在10*E9欧姆厘⽶以上3、半导体——在导体和绝缘体之间还有⼀种被称为半导体的物质。
主要有硅、锗、砷化镓、锑化锢、磷化镓、磷化锢等。
其中硅和锗为单⼀元素的半导体，⽽砷化镓等为化合物半导体。
1-2、半导体的特征（以硅为例）半导体具有以下⼀些特征：1、半导体的导电性能可以通过掺⼊微量的杂质（简称“掺杂”）来控制，加⼊微量杂质能显著改变半导体的导电能⼒，这是半导体能够制成各种器件，从⽽获得⼴泛应⽤的⼀个重要原因。
为了说明微量杂质对半导体导电能⼒的影响，现举例说明：如我们要拉制⽬标电阻率为P型0.5～2的太阳能单晶，采⽤原料为N型电阻率⼤于20，投料80kg，母合⾦电阻率为10E-3，经计算80kg投料需要掺⼊母合⾦数量为10.32g。
2、温度光照和电阻变化对半导体的导电性能起着很⼤的作⽤。
3、硅的熔点1420℃4、硅的⽐重为2.33克/⽴⽅厘⽶5、本征——指半导体本⾝的性质以区别于外来掺杂的影响，⽽完全靠半导体本⾝提供载流⼦的状况，理论上本征半导体是纯净的，事实上在未掺杂的半导体中，纯只是相对的。
单晶技能操作测试题解答
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籽晶质量有关）。 6. 温控时液面严重晃动（除气流、机械震动）的原因有连杆和底盘装偏
摩擦、连杆下部有料、托身裂和加热器磨擦（伴随打火）、坩埚变形、 连杆没上紧（机械部分为磁流体老化或传动皮带损伤\伺服电机损坏 等。 7. 放肩时出现晶体断棱，而且形状不规则是晶转和埚转转向相同的原 因。 8. 造成晶体变形的原因有拉速过快、液面和导流筒的位置太远、拉第二 段时长度没加、转肩时温度没控制好。 9. 等经过程中影响晶体外观直径因素有PID值设定、导流筒尺寸、拉速、 温控（埚随比调校）等因素引起。 10.等经过程中发现埚升无反应是连杆中心轴有杂物卡住，埚升限位到 底，控制锅升驱动器造故障等因素引起。 11.等经过程中发现晶体晃动是氩气流量太大，埚拉太近，气体方向不 对，埚转快，机器水平度不好等因素引起。 12.在料少的情况下，为了防止收尾结晶，需注意补温度不能太快，拉 速也不能太快。 二：问答题： 1． 造成漏料的原因有哪些？如何避免？
一： 坩埚质量的问题。 二：装料时操作不当。 三：熔料时操作不当。 四：其它额外因素。 在装料前需仔细检查坩埚，如有较大的气泡及凹点都不能使用。 装料时应把较大料装在中下部（装料大小位置均匀避免翻料），坩 埚弧度处也应装表面光滑或有弧度的一些料。 熔料时料下去后坩埚能升起尽量的升起，还有不要长时间的把功率
单晶技能操作测试题 一:填空题 1. 引晶时拉速的最佳范围2-4mm。 2. 晶体发白或变色的原因有真空度不好、拉晶时断氩气、漏油。 3. 坩锅变形的原因有熔料功率太高、坩埚质量不好、拉晶时间过长装料
过挤\装料方法。 4. 引晶时籽晶发黑的原因有漏水、真空度不好。 5. 表面棱转向的原因是料内有杂质（棱线偏移一般为晶向偏差较大，和
单位mm）
单晶问题探讨
1、为什么单晶炉的电流那么大，而电压那么小，P=U*I 为什么单晶炉的电流那么大（一千五百多安），而电压那么小（三十多伏）？答：加热器电极因为通冷却水的缘故,两极之间电阻一般在8000欧姆以上(自来水).所以石墨热场要保证很低的电阻防止功率过多损失. 根据公式W=I*I*R*t 在电阻R一定时增大电流可以得到双倍的收益。
所以，单晶炉为了保证发热功率一般采用低阻低压高电流的加热方法。
2、以下有关石英坩埚变形资料均引自本论坛Photovoltaik Solar Forum 。
特向这些朋友表示感谢！茫然回首变形是和熔料、装料、料种类有关！uioka针对现在国内的这些石英坩埚都有变形的现象，有的还会底部凸起，有的里面人工石英涂层还会掉进料里，但变型我个人认为，是我个人认为，可能也不全对，大家交流一下，一是装料，二就是化料水平了，三是石墨坩埚和坩埚的底托了，如果这三个都没有问题，还是变形，那就是他的质量有问题了，因为石墨坩埚的设计样子和石英坩埚变型有很大的关系，我们现在很少出现变形的情况了。
killer_3935一装料坩埚上沿部门装的料块的粒度太小块（小于30MM 的）容易粘但要不高温烤料不容易使埚变形；太大块不易粘但一但粘上很容易使石英坩埚变形。
料块与埚壁的接触面积越小越好也就是装料时尽量使一块料与埚接触的面积要最小（当然可能有别的原因制约做不到最小但要尽量少）二化料化料时间与装料多少有关一般建议60KG 投料量4~4.5小时；80KG 5个小时左右熔料过快就意味着熔料的功率高温度也高石英坩埚高温下易变形熔料过慢意味着温度较低但虽然温度较低石英埚也是处于软化状态硅料块似熔非熔状态也是较“粘”粘在埚壁由于料块自身重力加之石英埚目前本身也较软造成变形目前国内流行的热场的配置都很相似大多是熔料开始时候石英埚处于加热器最低或很低的位置（升不高因为埚内装了硅料堆成小山状又有热场的导流罩限制最高位置）这时石英埚上沿一般都处于加热器的中部或中上部这个位置是温度最高的地方待熔化一段时间后硅料下塌了埚的位置就可以在升高一些尽量使埚上沿脱离开加热器的高温区。
单晶结构解析技巧
单晶结构解析技巧1. 通常，H原子的处理方法作者要给出:(1)一般通过理论加H，其温度因子为固定值，可通过INS等文件查看(2) 水分子上H原子可通过Fourier syntheses得到(3)检查理论加上的H原子是否正确，主要看H原子的方向。
若不正确则删去再通过Fourier syntheses合成得到(4) 检查H原子的键长、键角、温度因子等参数是否正常。
通过检查分子间或分子内的H键是否合理最易看出H键的合理性(5) 技巧：有时通过Fourier syntheses得到的H原子是正确的，可一计算其温度因子等参就变得不正常，则可以固定其参数后再精修（如在INS中的该H原子前用afix 1,其后加afix 0）(6) 各位来说说方法与心得？2.胡老师，下面的问题怎么解决啊？谢谢您。
220_ALERT_2_B Large Non-Solvent C Ueq(max)/Ueq(min) ... 3.70 Ratio222_ALERT_3_B Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 4.97 Ratio342_ALERT_3_B Low Bond Precision on C-C bonds (x 1000) Ang (49)B 级提示当然得重视了。
建议你先把H撤消，精修到C的热椭球不太变形和键长趋正常。
如做不到就要看空间群？衍射点变量比太小？以至追查到原始数据的录取参数和处理等。
这些粗略意见仅供参考，如何？3.在XP中画图时，只有一部分，想长出另外的对称部分。
我是envi完了，然后sgen长出来的，可是和symm显示的对称信息不一样。
比如：我根据envi的结果用sgen O1 4555得到的是O1A而不是O1D，这跟文献中标注的不一样啊，怎么统一呢？很困扰，忘达人指教。
xp里是按顺序编号的，第一个sgen出的的统一为A,依次标号。
你如果想一开始就统一D的话，重新name一下4.高氯酸根怎么精修呀？我用的SHETXL6.1版的，最好告诉我怎么用其中的XSHELL来做，我觉得他好用！Method 1DFIXDfix 1.42 0.02 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4Dfix 1.42 0.02 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3O2 O4O3 O4Method 2SADISadi 0.01 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4Sadi 0.01 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3 O2 O4 O3 O45. 晶体的无序是怎么造成的呀，是晶体培养的问题吗？如果无序太多，在解单晶的时候怎么办？我指的是很多的点，没有结构，他们的峰值都大于了0.5大于0.5没什么的，解完后都在1以下就可以了。
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1.为什么要提高空间群的对称性？有时候在对称性较高的空间群内不容易解得初结构，在这种情况下可以降低对称性来解，但是解完以后还要把空间群转换回去。
1．1 先安装Platon从其主页上下载/~louis/software/platon//~louis/software/platon/pwt_setup.zip/~louis/software/platon/platon.zipDownload the PLA TON for Windows Taskbar 和Download the PLA TON executable.然后解压安装，首先安装pwt，安装时需设定系统环境变量，安装后再将platon解压后复制到pwt的安装目录内即可。
1.2 运行pwt.exe点击File－－Select Data File，选择要升高对称性的结构文件*.res或者*.ins。
再点击Publish－addsym 系统显示检查画面，如提示有更高对称性的空间群，则原先空间群有误，需要进行转化。
再点击Publish－addsym shelx，可以生成一个新的同名*.res文件，此res文件会将原先的res文件覆盖，在此文件的基础上继续精修即可。
应该没有任何问题，已经试过很多次了！最好用xp打开此res文件，然后再file一次，再作经修2. 在xp中, 用mpln定义平面,仔细看那个方程(大家用xp操作时不要太快,因为那个方程第一个出来,一块就找不到了),方程的等号右边有一个常数,你算第一个平面时将它记下,不过最好将望着的方程记下,然后再算第二个平面,又有一个方程,记下常数项,然后二者一减就是二者的距离,不过平面越是完全平行这个值越接近他俩的真实距离,平行与否可以看大家都能看到的那个夹角,另外也可以看刚才的方程的系数,系数相同或者成线形比例,就平行.3．我的CIF文件里的对称代码2_556 1_545 请问这些对称代码是如何算出来的？？在考虑对称单元的时候，在ShelxTl里面考虑x，y，z均为9个单胞的范围，并且把N_555规定为最初的单胞，即此单胞内的原子坐标均小于1，如果一个对称单元出现的下（x＋1，y，z）的那个那个单胞内，则相应的堆成码就变成了N_655，其他的如此类推，比如在（x－2，y＋1，z＋2）的单胞内，对称码就为N_367，总之都是以N_555为最中心做相应的加减，这应该比较好理解。
在那么大的范围内，我们希望长出来的对称单元应该都可以长出来了。
我们常见的对称码都在N_555附近，很少有大于N_777的和小于N_333的。
下面再来说前面的N_555中的“N”的含义，它表示对称操作（symmetry operators）的类型，它可以在XP界面下由SYMM命令得到，第几个对称操作，N就相应是几了。
N在不同空间群内代表的对称操作是不一样的。
欢迎大家继续讨论。
4. （１）画堆积图是是按什么原则的？（２）在堆积图中我找到两个分子有堆积作用，但是我如何知道这两个分子是按什么对称代码得到的。
也就是说我要得到这样的两个分子，采用什么代码画出来？在xp 中用envi ##找出与第一个分子有作用的原子sgen/mgen##生长5. 我看见一些高手在解晶体时，时不时地查一下国际表。
我是个新手，请问哪位高人告诉我国际表究竟能给出啥信息？对解晶体到底有什么帮助？严格意义上，解晶体要知道等效位置的分布情况。
高手会手工导出，但推导很费时，所以才有捷径--查表。
常用的目的有三：一是等效位置点，对一个晶体，不对称单元的原子一般要位于晶胞内靠近原点的等效点上，这是经常查表的理由之一。
不过，现在这一工作可在解完后交由PLA TON协助处理，但高手是在解的过程中就将这一问题解决了。
二是空间群的合理性，这要结合LST得知的衍射反常点情况进行判断。
这点程序XPREP尽管有提供，但程序常常不尽合理，它只取前N个数据点处理。
不过，由消光规律得出可能的空间群所需的知识很少。
大家应该掌握！三是空间群的提高和降低问题，就是子群、同构群和母群问题。
这点即便是非常的高手也是要经常查表的原因。
另外，从子群、同构群和母群的关系也可以解释U因子为什么在某方向大、在某方向小，同时也可预期晶体可能具有的功能性。
建议在你开始时，补充一下这方面的知识。
这是解结构应该要尽可能具备的技能。
6. C110.1216520.2460270.442076 21.0000000.069420C210.0601250.2501560.502590 21.0000000.089850O140.7411930.4207370.921086 11.0000000.0971900.042270 =0.0433100.0344000.0039900.026710O240.5685630.2915490.810126 11.0000000.0610800.056650 =0.0444600.023300 -0.0006300.023610如上是INS文件中的数据,请问第六列的21.000000何解, 多谢通常21与-21成对出现，这表示一个原子统计在两个位置上，期占有率之和为1。
比如FV AR0.168320.7534PART 1C2A10.2559050.173582-0.00134421.000000.04351PART 2C2B10.2993730.178166-0.015708-21.000000.03516PART 0这表示C2占据A和B两个位置，PART 1的部分一般为21，PART 2的部分为－21，FV AR变量的第二个数字（0.7534）表示A位置（21）的实际占有率，而（1－0.7534）则表示B位置（－21）的实际占有率。
7. 哦，看来是我是用Xshell时产生的可不可以设置让一个PART的占有率自动精修，怎样实现，谢谢如果想对某个原子的占有率进行精修，可以把它的占有率改为1.000，然后精修，Xl以后会发现1.000有所改变.8. 我是这样做的，可是发现本应该占位几率一样的一组原子被精修的占位不一样了，虽然相差不是很大，但R值下不去，所以我想可能就是因为这个不一样所导致的。
不知道是不是有让这一组原子在占位大小一样的情况下精修占位度。
可能说不不太明白，是这样：As1 As2 As3 As4As5 As6 As7 As8这是赤道皇冠形宠状多酸球里的二组As占位序列，每组里的As占位应该是一样的，但不确定各组占位是多少，最理想当然是各组0.50000，但是好象不是这样的你也可以把精修后的占有率固定，比较接近的占有率固定成一样的，但是要保证2个原子的占有率之和要等于1，试试看，统计和无序是最难精修的，可以参见如下网页：http://shelx.uni-ac.gwdg.de/~peterm/tutorial/do-intro.htm9. 如何根据对称代码来画图？？我画了C-H...O氢键图，可编辑说我图画的不对！，提了如下意见：The first problem is that the molecules drawn in the Figuredoes not correspond to the symmetry codes given in Table 2.In Table 2, C-H...O hydrogen bonds are shown between the molecules with symmetrycodes,1_555 and 2_576, and between the molecules with symmetry codes, 1_555 and 2_577,while you drew the C-H...O hydrogen bondsbetween 2_666 and 1_645, and between 2_666 and 1_644.Of course, relative positions between 1_555 and 2_576 and between 2_666 and1_645 are equal,but for reader of your manuscript,I I think that the Figure should be drawn according to the symmetry codes givenin Table 2.The second problem is that not all C-H...O hydrogen bonds are drawn in theFigure.For example, you drew a C-H...O hydrogen bond,C23(2_666)-H27A(2_666)...O5(1_645).This causes automatically (through symmetry relation) another C-H...O hydrogenbond,C23(1_645)-H27A(1_645)...O5(2_666),that you failed to draw.该如何解决！！求大家帮忙！！第一,所有的质子给体的对称代码一般都应该为1555.第二,然后才能根据给体划受体.最后,所有的氢键都可以从不对称单元中找到给体,不然就不叫不对称单元.从你的问题看,主要的原因好像就是没有把所有的给体的对称代码给成1555.10. 那怎样把给体的对称代码给成1555,我的图只是在XP中画的,没有考虑什么对称代码!!我用proj 作图,删掉多余的分子形成的!!谢谢!!在XP下,先用ENVI找出对称原子,然后用SGEN命令完成对称原子都把对称码转化为155511. 关于对称代码代表的操作？作图时，用了sgen 4565 ，但不知4565对应的具体坐标是什么，如#1 1/2-x, 3/2-y, -z; #2 x, 1+y,z ; 如何才能得到这样的具体坐标形式？谢谢！/kastner/xp/xp.htm谢谢，明白了不少12. 芳环堆积平面间距离计算如果两个平面完全平行，他们的方程系数应该一样或者成比例变化（这是数学上的），那么既然这一方程表示的是你选的原子的最小二乘面，而且系数相同，从数学知识可以肯定它们的常数项差的绝对值应该是两个平面间的距离，这勿庸置疑。
至于俩个平面有夹角，它们就不存在平面间的距离，只能说一个大概的数值，因为如果俩个平面有夹角，那么它肯定会相交的，就不存在距离，这是数学上的说法，而现在为晶体学，我们讨论的平面是有限的，而不是无限的，所以我觉得可以按平行的那样去处理，不过要加一些参数，比如说两个平面的夹角。
因为，我们之所以说有芳香堆积，那么俩个环的平面夹角应该比较小。