武汉理工材料考研习题集锦
武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案-第7套
第七套试卷武汉理工大学考试试题（材料科学基础）共3页，共十题，答题时不必抄题，标明题目序号，相图不必重画，直接做在试题纸上）一、判断下列叙述是否正确？若不正确，请改正（30分）1．结晶学晶胞是反映晶体结构周期性的最小重复单元。
2．热缺陷是溢度高于绝对零度时，由于晶体组成上的不纯净性所产生的种缺陷。
3．晶面指数通常用晶面在晶轴上截距的质整数比来表示。
4．固溶体是在固态条件下，种物质以原子尺寸溶解在另种物质中所形成的单相均匀的固体5．扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度处向低浓度处扩散。
6．初次再结晶的推动力是晶界过剩的自由焓。
7．在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是一个相、一个液相和一个气相。
8．临界冷却速率是形成玻璃所需要的最小冷却速率，临界冷却速率越大越容易形成非9．马氏体相变是种无扩散性相变，相变时成分发生变化但结构不变10．在临界温度、临界压力时，化学势及其阶偏导数连续，“阶偏导数不连续的相变为级相变，发生：一级相变时，体系的体积和热焓发生突变。
11．驰豫表面是指在平行于表面的方向上原子间距不同于该方向上晶格内部原子间距的表面。
12．固态反应包括界面化学反应和反应物通过产物层的扩散等过程，若化学反应速率远大于扩散速率，则动力学上处于化学动力学范围。
二、ZnS的种结构为闪锌矿型结构，已知锌离子和硫离子半径分别为2+Zn 0.068nmr=2 S 0.156nmr−=，原子质量分别为65.38和32.06。
1．画出其品胞结构投影图2．计算ZnS的晶格常数3．试计算ZnS的晶体的理论密度。
（15分）武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案第七套试卷参考答案及评分标准一、2.5×12=301．不正确。
结晶学晶胞是反映晶体结构周期性和对称性的最小重复单元。
2．不正确。
热缺陷是温度高于绝对岺度时，由于晶体晶格热振动（或热起伏或温度波动）所产生的种缺陷3．不正确。
武汉理工材料考研习题集锦
试题一一. 图1是Na2O的理想晶胞结构示意图，试回答：1．晶胞分子数是多少；2．结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例是多少；3．结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；4．计算说明O2-的电价是否饱和；5．画出Na2O结构在（001）面上的投影图。
二. 图2是高岭石(Al2O3·2SiO2·2H2O)结构示意图，试回答：1．请以结构式写法写出高岭石的化学式；2．高岭石属于哪种硅酸盐结构类型；3．分析层的构成和层的堆积方向；4．分析结构中的作用力；5．根据其结构特点推测高岭石具有什么性质。
三. 简答题：1.晶体中的结构缺陷按几何尺寸可分为哪几类？2.什么是负扩散？3．烧结初期的特征是什么？4.硅酸盐晶体的分类原则是什么？5.烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移？6.相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？四. 出下列缺陷反应式：1.NaCl形成肖特基缺陷；2.AgI形成弗仑克尔缺陷（Ag+进入间隙）；3.TiO2掺入到Nb2O3中，请写出二个合理的方程，并判断可能成立的方程是哪一种？再写出每个方程的固溶体的化学式。
4.NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体五. 表面力的存在使固体表面处于高能量状态，然而，能量愈高系统愈不稳定，那么固体是通过何种方式降低其过剩的表面能以达到热力学稳定状态的。
六.粒径为1μ的球状Al2O3由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，在恒定温度下，第一个小时有20%的Al2O3起了反应，计算完全反应的时间：⑴用杨德方程计算；⑵用金斯特林格方程计算。
七.请分析熔体结构中负离子团的堆积方式、聚合度及对称性等与玻璃形成之关系。
八.试从结构和能量的观点解释为什么D晶界>D晶内？九.试分析二次再结晶过程对材料性能有何影响？工艺上如何防止或延缓二次再结晶的发生？十.图3是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题：1．写出点P，R，S的成分；2．设有2kgP，问需要多少何种成分的合金Z才可混熔成6kg成分为R的合金。
武汉理工大学824材料力学历年考研真题汇编
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目录
2010年武汉理工大学824材料力学考研真题
2009年武汉理工大学824材料力学考研真题
2008年武汉理工大学824材料力学考研真题
2007年武汉理工大学402材料力学考研真题
2006年武汉理工大学402材料力学考研真题
2005年武汉理工大学402材料力学考研真题
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材料工程基础__武汉理工大学(2)--模拟试题1的标准答案和评分标准
武汉理工大学 试题标准答案及评分标准一、填空题：1、浓度梯度；2、（煤中的碳=烟气中的碳+灰渣中的碳）3、（从上往下流动）；4、对数平均温差；5、使需要的启动功率最小；6、1.005×10—6(m 2.S)； 7.a； 8.c； 9.错二、简答题1、写出加强对流换热可采取的两个措施。
（1）提高气流体的流动速度（2）增大换热物体之间的温度差（3）增加各个换热物体的换热面积。
①可以增大换热物体的面积；②通过改变换热物体的放置位置，增加换热面积（4）改变流体与固体之间的接触角度，减少边界层厚度2、简述2个减少流动阻力损失的措施（1）降低流体的黏度（2）在满足流体输送的前提下，尽可能地降低流动速度（3）在考虑工艺要求的成本的基础上，尽可能地缩短管路的长度（4）采用尽量平滑的进口和出口（5）采用曲率半径的弯管（6）尽量采用逐扩管或阶梯型变化管道3、简述提高实际燃烧温度的主要途径。
（1）选用高发热值的燃料（2）控制适当的空气过剩系数（3）预热空气或燃料（4）减少向外界的散失的热量三、解：两水池的能量方程：we h H H +=吸入管流动阻力系数:()8.2662.04.425.0825,025.010827.010827.042111411=⎪⎭⎫ ⎝⎛++⨯⨯⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ζζλd l d s压出管综合阻力系数: 6.35405.05.52.05025,02.010827.010827.044322422=⎪⎭⎫ ⎝⎛++⨯⨯⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ζζλd l d s 则: )(3.1306.0)8.2666.3540()(222212O mH V s s sV h w =⨯+=+==水泵的扬程: )(75.182575.02O mH H He =⨯==η将以上计算结果代入能量方程,提升高度: )(45.53.1375.18m h H H w e =-=-=四、解：由于三个基准不能同时转换，所以分两步进行：（1）先由干燥无灰基转换为干燥基dafd d C A C )100(100-=89.724.791002.8100100100=⨯-=-=daf d d C A C （2）由干燥基转换为收到基dar ar C M C )100(100-=34.7089.721005.3100100100=⨯-=-=d ar ar C M C 五、解：气体--热电偶—管道的热平衡关系式：rw net r g q t t -=-,)(α热电偶—管道间换热量：w w w rw r r wr r w net F F F E E Q εεϕεε-++--=-111,由于F r ＜＜F w ，φrw =1，有εrw =ε)(,w r rw rw net E E q -=ε)/(4.3551009827310018027315.0669.5100100244440,m w T T C q w r rw rw net =⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎪⎭⎫ ⎝⎛+-⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎪⎭⎫ ⎝⎛-⎪⎭⎫ ⎝⎛=ε代入热平衡式：得热电偶测量误差：2.4854.355,===-αrw net r g q t t 气体的真实温度：2.1842.41802.4=+=+=r g t t ℃六、题、解)21(1.0049.04/24/)/(22=<=+==M M d ld ld A V Bi πππλαλα∴可以采用集总参数法求解。
2010-2020年的武理833材基真题汇总
833材料科学基础 武理
20127相变势垒的推导为什么立方晶核的相变势垒大于球形的20117均态成核临界晶核半径，临界晶核原子数非均态成核临界晶核原子数20105临界晶核半径、核化势垒比较不同组成的临界晶核大小、并说明原因比较不同组成的晶核的生长速率、并说明原因20208题：金斯特林格方程，产物层厚度变化速率dx/dt=k/[i(1-i)]，i=x/R0，如图为i→dx/dt 当i=0时为什么dx/dt→∞反应初期当i很小时，dx/dt为什么会减少？与杨德方程相比金的优势是，为什么20186一般动力学推导20177设计实验用NaCO3-SiO2验证杨德20158一般动力学推导20149金斯特林计算从提高反应速率的角度出发选原料20135ZnO与Fe2O3固相反应6个阶段三个笔经阶段20129金、杨的计算金、杨的计算结果为什么有差别20108.2金、杨的计算判断金、杨哪个更接近实际情况、为什么加速固态反应的措施20207烧结是颗粒的接触、键合、重排与物质的传递过程，以扩散传质为例说明烧结基本20187烧结为什么在气孔率5%停止烧结为什么达不到理论密度，措施二次结晶能否使胚体致密20178陶瓷材料晶粒大小与什么因素有关如何细化晶粒20167烧结推动力烧结传质20168加入矿化剂促进烧结的4个因素
20159陶瓷的微观结构烧结影响陶瓷微观结构的因素
20148刚玉烧结采取什么途径增大烧结速率与强度
20136烧结前中后特点与晶粒大小作用控制晶粒大小
201210烧结中MgO加入FeO在H2气氛中，O2的分压高促进、低阻为什么H2促进致密、N2阻碍致密
20118为什么与烧结物能生成固溶体的添加物能促进烧结Al2O3加入TiO2或Cr2O3促进烧结Al2O3加入TiO2可更加降低烧结温度
20108.1烧结的影响因素
9
10。
武汉理工材科试题4
一、填空题（2×10=20分）1、依据（）之间关系的不同，可以把所有晶体的空间点阵划归为七类，即（）晶系、单斜晶系、（）晶系、三方晶系、正方晶系、六方晶系和（）晶系。
2、扩散的基本推动力是（），一般情况下以（）等形式（列出一种即可）表现出来，扩散常伴随着物质的（）。
3、晶面族是指（）的一组晶面，同一晶面族中，不同晶面的指数的（）相同，只是（）不同。
4、向MgO、沸石、TiO2、萤石中，加入同样的外来杂质原子，可以预料形成间隙型固溶体的固溶度大小的顺序将是（）。
5、烧结过程可以分为（）三个阶段，在烧结的中后期，与烧结同时进行的过程是（）。
6、液体表面能和表面张力数值相等、量纲相同，而固体则不同，这种说法（是/否）正确，因为（）。
7、驰豫表面是指（），NaCl单晶的表面是（）。
8、一般的固态反应包括（）两个过程，化学动力学范围是指（）。
9、从熔体结构角度，估计长石、辉石(MgO?SiO2)、镁橄榄石三种矿物的高温熔体表面张力大小顺序（）。
10、刃性位错的柏氏矢量与位错线呈（）关系，而螺位错两者呈（）关系。
二、Zn2+在ZnS中扩散时，563℃时的扩散系数为3×10-14cm2/sec，450℃时的扩散系数为1.0×10-14cm2/sec,（10分）求:(1) 扩散的活化能和D；(2) 750℃时的扩散系数。
三、根据Mg2[SiO4]在(110)面的投影图回答（10分）：(1) 结构中有几种配位多面体，各配位多面体间的连接方式怎样?(2) O2-的电价是否饱和? (3) 晶胞的分子数是多少?(4) Si4+和Mg2+所占的四面体空隙和八面体空隙的分数是多少?黑球：Si小白球：大白球：图 2四、铜在过冷的液体中均匀形核，设晶胚为球状，半径为r。
已知△Gv=—3.6×106J/cm3；液固界面的界面能为σ=0.15J/cm2；铜为面心立方结构，其点阵常数a=0.361nm,1nm=10-7cm。
武汉理工大学材料科学基础06研究生入学考试试题
课程材料科学基础（共3页，共十题，答题时不必抄题，标明题目序号，相图不必重画,直接做在试卷上）一、填空题（1.5×20=30分）1. 结晶学晶胞是（）。
2. 扩散的基本推动力是（），一般情况下以（）形式表现出来，扩散常伴随着物质的（）。
3. 晶面族是指（）的一组晶面，同一晶面族中，不同晶面的（）。
4. 向MgO、沸石、TiO2、萤石中，加入同样的外来杂质原子，可以预料形成间隙型固溶体的固溶度大小的顺序将是（）。
5. 根据烧结时有无液相出现，烧结可分为（），在烧结的中后期，与烧结同时进行的过程是（）。
6. 依据硅酸盐晶体化学式中（）不同，硅酸盐晶体结构类型主要有（）。
7. 液体表面能和表面张力数值相等、量纲相同，而固体则不同，这种说法是（）的，因为（）。
8. 二级相变是指（），发生二级相变时，体系的（）发生突变。
9. 驰豫表面是指（），NaCl单晶的表面属于是（）。
10. 固态反应包括（），化学动力学范围是指（）。
11．从熔体结构角度，估计a长石、b辉石(MgO·SiO2)、c镁橄榄石三种矿物的高温熔体表面张力大小顺序（）。
二、CaTiO3结构中，已知钛离子、钙离子和氧离子半径分别为0.068nm，0.099nm，0.132nm。
（15分）1. 晶胞中心的钛离子是否会在八面体空隙中“晃动”；2. 计算TiCaO3的晶格常数；3. 钛酸钙晶体是否存在自发极化现象，为什么？三、在还原气氛中烧结含有TiO2的陶瓷时，会得到灰黑色的TiO2-x：（15分）1．写出产生TiO2-x的反应式；2．随还原气氛分压的变化，该陶瓷材料的电导率和密度如何变化？3．从化学的观点解释该陶瓷材料为什么是一种n型半导体。
四、选择题：下列2题任选1题（12分）1. 简述金属材料、无机非金属材料以及高分析材料腐蚀的特点。
2. 试述材料疲劳失效的含义及特点。
五、现有三种陶瓷材料，它们的主要使用性能如下：（15分）在烧结过程中希望材料获得预期的显微结构以使材料最佳性能充分发挥，在控制显微结构因素和工艺条件上应主要考虑哪些相关因素？六、熔体结晶时：（1）图示核化速率-温度、晶化速率-温度关系及其对总结晶速率的的影响；（2）核化速率与晶化速率的不同对新相的显微结构有何影响，为什么？（3）指出在哪一温度范围内对形成玻璃有利，为什么？（12分）七、X射线给出立方MgO的晶胞参数是0.4211nm，它的密度是3.6g/cm3。
武汉理工大学 材料科学基础考研真题
武汉理工大学2002年研究生入学考试试题第一部分必做题一、下图是立方晶胞示意图，其中I位于HA的中点，J、K、L分别是BCFE、CDGF、EFGH 三个面的中心：（12分）1.请你在图上标出或分别写出BCFE CDGF EFGH BCI BDGE ACG 六个晶面的晶面指数（密勒指数）。
2.写出AB AC AE AF AG AJ AK AL 八个晶向的晶向指数。
3.写出{111}晶面族的所有等价晶面。
二、Na2O晶体结构属于萤石型结构。
（15分）1.试画出Na2O的晶胞结构图。
2.根据晶胞结构指出3离子的配位数。
3.该结构存在解理现象吗？请说明理由。
4. Na2O晶体在扩散温度范围进行扩散处理时，结构中易出现何种机制的扩散？为什么？5.在Na2OcaOSiO2系统玻璃中，Na2O对该体系玻璃的电导率和化学稳定性有什么影响？怎样抑制其不利影响？三、（16分）1.写出如下杂质进入基质晶体后可能出项的典型的缺陷反应方程式（即对应典型的置换型固溶体和间隙型固溶体的形成过程的方程式）。
（1）MgO加入Al2O3中；（2）TiO2加入Al2O3中；2.据此总结书写组成缺陷反应方程式的规律性。
3.烧结Al2O3陶瓷时经常加入MgO或TiO2以降低烧结温度，根据缺陷化学原理说明加入哪一种外加剂更能促进烧结。
四、下图是ABC三元系统相图，其中有二个二元化合物D F及一个三元化合物G。
根据此相图完成下列问题：（20分）1.划分副三角形，用剪头表示界线上温度下降的方向（包括各二元系统）。
2.写出M点配料的熔体平衡冷却析晶时固、液相组成的变化过程。
3.计算熔体M结晶结束时，各相的百分含量（以线段比表示）。
若液相组成刚到达该结晶结束点时，各相的百分含量又为若干（同样以线段表示）？4.加热组成为P Q 的物料，在什么温度下开始出现液相，到什么温度时完全熔融？五、叙述相变的总体分类方法：从热力学分来，可以细分为哪几类？并举例说明。
【2024版】武汉理工大学材料科学基础真题
解：(1)几何条件满足，b12+b22=3a2/2，b32=a2满足能量 条件，反应可以进行 （2）几何条件满足，b12=a2/2，b22+b32=a2/3满足能量条 件，反应可以进行
3. 假设某面心立方晶体可以开动的滑移系为(11`1)、 [011] ，请回答： 1) 给出滑移位错的单位位错柏氏矢量； 2）若滑移位错为纯刃位错，请指出其位错线方向；若滑 移位错为纯螺位错，其位错线方向又如何？
答：（ 1 ）单位位错的柏氏矢量 （ 2 ）纯刃位错的位错线方向与 b 垂直，且位于滑 移面上， 为[`21`1] ；纯螺位错的位错线与 b 平行， 为 [011]。
4. 试计算 BCC 晶体最密排面的堆积密度。(2006)
答： BCC 密排面为｛ 110 ｝面，其面积为： ｛ 110 ｝ 面上被原子占据的面积为（两个原子）：
（2） % 57 50 100% 66.7%
57 46.5
10、在Al单晶中，（111）面上有一位错b1=a/2[10`1] ， (11`1)面上另一位错b2=a/2[011] 。若两位错发生反 应，请绘出新位错，并判断其性质。
解：新位错为b3=a/2[110] ，位错线为 （111）面与 (11`1) 面的交线[`110] 。两者垂直，因此是刃型位 错。
5.70g
• cm3
8、一个FCC晶体在[`123]方向在2MPa正应力下屈服，已 测得开动的滑移系是(111)[`101]，请确定使该滑移系开动 的分切应力τ。
解：
s cos cos
cos
[123] [111]
| [123] | | [111] |
4 14
0.617 3
cos
1、在面心立方晶体中，分别画出(101) 、[10`1] 、(`1`1`1)、 [`110]和(111)、[0`11]，指出哪些是滑移面、滑移方向，并 就图中情况分析它们能否构成滑移系？若外力方向为
武汉理工大学 材料科学基础考研五套题5
[1/4]试题五一、填空题1，密排六方结构（等径球堆积）单位晶胞中分子数是（）配位数是（）。
2，Fick扩散第二定律的一维表达式为（）。
3，当晶核剂和晶核具有（）时，对核化最有利。
4，广义材料腐蚀是指材料由于（）而引起的破坏和变质过程。
5，烧结中后期所伴随的（）等，决定了材料显微结构的形成，也决定了材料最终的性质或性能。
6，固态物质的反应活性通常（）当反应之一存在多晶转变时则转变温度通常也是（）。
7，从熔融态向玻璃态转化的过程是可逆的和渐变的，是在（）范围内完成，无固定熔点。
8，刃位错的柏氏矢量与位错线呈（）关系。
二、晶体结构-性质关系1，根据下图的萤石结构图回答下列问题：（1）指出萤石结构中正负离子堆积方式（两种方式）；（2）写出结构中正负离子的配位数及其配位多面体；[2/4]（3）Ca2+离子的配位多面体之间是如何连接的？（4）在结构中标示相互平行的同号离子层，分析萤石晶体的解理性。
2、根据Si/O比例不同划分硅酸盐结构类型。
三、晶体结构缺陷1，晶体A属于体心立方空间点阵，若原子B溶入A晶格的定点位置形成置换型固溶体（全部取代），那么其成分可能是AB还是AB3？为什么？2，Al2O3掺入到MgO中，请写出两个合理的方程，并写出对应的固溶体化学式。
四、从熔体结构角度，估计长石、辉石（Mg.SiO2）、美橄榄石三种矿石的高温熔体表面张力大小顺序，并分析它们形成玻璃的能力。
五、1，氧化铝瓷件表面上涂银后，烧到1000度时，已知r(Al2O3，固)=1J/m2;r(Ag，液)=0.92J/m2；r(Ag，液/Al2O3，固)=1.77J/m2，试问液态银能否润湿氧化铝瓷件表面？可以用什么方法改善它们之间的润湿性？[3/4]请提出一种最有可能实现的措施。
2，根据威尔的表面双电层理论，某些化合物表面可能由负离子组成，正离子被负离子所屏蔽。
已知PbI2的表面能为1.3X10-5J/cm2，CaF2的表面能为2.5X10-4J/cm2，请断PbI2和CaF2表面双电层厚度的大小，并解释产生的原因。
武汉理工大学考研习题及答案 材料科学基础科目
武汉理工大学考研习题及答案材料科学基础科目武汉理工大学考研习题及答案--材料科学基础科目第1页共27页第1页共27页材料科学基础习题1．固体硫有两种晶型(单斜硫、斜方硫)，因此硫系统可能有四个相，如果某人实验得到这四个相平衡共存，试判断这个实验有无问题。
2．图（1）就是具备多晶转型的某物质的波谱，其中def线就是熔体的冷却曲线。
ke 就是晶型i的升华曲线；gf就是晶型ii的升华曲线；jg就是晶型ⅲ的升华曲线，提问以下问题：(1)在图中标明各相的相区，并把图中各无变点的平衡特征用式子表示出来。
(2)系统中哪种晶型为稳定相?那种晶型为介稳相?(3)各晶型之间的转变是单向转变还是双向转变?3．在sio2系统波谱中，找到两个对称多晶转型和两个不可逆多晶转型的例子。
4．根据al2o3―sio2系统波谱表明：(1)铝硅质耐火材料，硅砖(含sio2>98％)、粘土砖(含al2o335～50％)、高铝砖(含al2o360～90％)、刚玉砖(含al2o3>90％)内，各有哪些主要的晶相。
(2)为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意什么?(3)若耐火材料出现40％液相便软化不能使用，试计算含40(mol)al2o3的粘土砖的最高使用温度。
5．在cao-sio2系统与al2o3-sio2系统中sio2的液相线都很陡峭，为什么在硅砖中可以拌人约2％的cao作矿化剂而不能减少硅砖的耐火度，但在硅砖中却必须严苛避免原料中混进al2o3否则可以并使硅砖耐火度大大上升。
6．冷却粘土矿物高岭石(al2o32sio22h2o)至600℃时，高岭石水解为水蒸气和al2o32sio2，稳步冷却至1595℃时会出现什么变化？在这温度下长时间保温达至均衡，系统的二者共同组成如何？当系统生成40％液相时，应当达至什么温度？在什么温度下用粘土全然熔融?7．图（２）就是最简单的三元系统投影图，图中等温线从高温至低温的次序就是t6>t5>t4>t3>t2>t1根据此投影图提问：(1)三个组分a、b、c熔点的高低次序是怎样排列的。
武汉理工大学《材料科学基础》考研核心题库及答案
材科基础核心题一、填空题0001.烧结过程的主要传质机制有_____、_____、_____ 、_____，当烧结分别进行四种传质时，颈部增长x/r与时间t的关系分别是_____、_____、_____ 、_____。
0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_____、_____、_____ 、_____ ，含有平移操作的对称要素种类有_____ 、_____ 。
0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是 _____、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 。
0004.晶体有两种理想形态，分别是 _____和 _____。
0005.晶体是指内部质点排列的固体。
0006.以NaCl晶胞中（001）面心的一个球（Cl-离子）为例，属于这个球的八面体空隙数为，所以属于这个球的四面体空隙数为。
0007.与非晶体比较晶体具有自限性、、、、和稳定性。
0008.一个立方晶系晶胞中，一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a，其晶面的晶面指数是。
0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性，当真实接触角θ时，粗糙度越大，表面接触角，就越容易湿润；当θ，则粗糙度，越不利于湿润。
0010.硼酸盐玻璃中，随着Na2O（R2O）含量的增加，桥氧数，热膨胀系数逐渐下降。
当Na2O含量达到15%—16%时，桥氧又开始，热膨胀系数重新上升，这种反常现象就是硼反常现象。
0011.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种，CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为。
0012.固体质点扩散的推动力是________。
0013.本征扩散是指__________，其扩散系数D＝_________,其扩散活化能由________和_________ 组成。
0014.析晶过程分两个阶段，先______后______。
0015.晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积_________，晶体密度_________；而有Schtty缺陷时，晶体体积_________,晶体密度_________。
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试题一一. 图1是Na2O的理想晶胞结构示意图，试回答：1．晶胞分子数是多少；2．结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例是多少；3．结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；4．计算说明O2-的电价是否饱和；5．画出Na2O结构在（001）面上的投影图。
二. 图2是高岭石(Al2O3·2SiO2·2H2O)结构示意图，试回答：1．请以结构式写法写出高岭石的化学式；2．高岭石属于哪种硅酸盐结构类型；3．分析层的构成和层的堆积方向；4．分析结构中的作用力；5．根据其结构特点推测高岭石具有什么性质。
三. 简答题：1.晶体中的结构缺陷按几何尺寸可分为哪几类？2.什么是负扩散？3．烧结初期的特征是什么？4.硅酸盐晶体的分类原则是什么？5.烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移？6.相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？四. 出下列缺陷反应式：1.NaCl形成肖特基缺陷；2.AgI形成弗仑克尔缺陷（Ag+进入间隙）；3.TiO2掺入到Nb2O3中，请写出二个合理的方程，并判断可能成立的方程是哪一种？再写出每个方程的固溶体的化学式。
4.NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体五. 表面力的存在使固体表面处于高能量状态，然而，能量愈高系统愈不稳定，那么固体是通过何种方式降低其过剩的表面能以达到热力学稳定状态的。
六.粒径为1μ的球状Al2O3由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，在恒定温度下，第一个小时有20%的Al2O3起了反应，计算完全反应的时间：⑴用杨德方程计算；⑵用金斯特林格方程计算。
七.请分析熔体结构中负离子团的堆积方式、聚合度及对称性等与玻璃形成之关系。
八.试从结构和能量的观点解释为什么D晶界>D晶内？九.试分析二次再结晶过程对材料性能有何影响？工艺上如何防止或延缓二次再结晶的发生？十.图3是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题：1．写出点P，R，S的成分；2．设有2kgP，问需要多少何种成分的合金Z才可混熔成6kg成分为R的合金。
十一.图4是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题：1．在图上划分副三角形、用箭头表示各条线上温度下降方向及界线的性质；2．判断化合物D、F的性质；3．写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；4．写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程；5．写出组成点H在完全平衡条件下的冷却结晶过程，写出当液相组成点刚刚到达E4点和结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）。
参考答案：一、1：4；2：O2-离子做面心立方密堆积，Na+填全部四面体空隙；3：=4CN O2-=8 [NaO4][ONa8]；4：O2-电价饱和，因为O2-的电价=（Na+的电价/Na+的配位数）×O2的配位数； 5：二、1：Al4[Si4O10](OH)8；2：单网层状结构；3：一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积；4：层内是共价键，层间是氢键；5：片状微晶解理。
三、1：点缺陷，线缺陷，面缺陷；2：由低浓度向高浓度的扩散；3：坯体间颗粒重排，接触处产生键合，大气孔消失，但固-气总表面积变化不大；4：按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类；5：表面能的降低，流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质；6：随自由能的变化而发生的相的结构的变化，一级相变、二级相变和三级相变。
四、 1：O←→VNa ′+VCl˙2：AgAg→Agi˙+VAg′3：3TiO23TiNb˙+VNb˙+6OO2TiO22TiNb˙+Oi′′+3ONb2-x Ti3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x4：NaCl NaCa′+ClCl+VCl˙五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能，二是通过吸附来降低表面能。
1：t=195h2：t=68h七、当O/Si由2→4时，熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状，负离子团的聚合度相应的降至最低。
一般情况下，熔体中负离子团的聚合度越高，特别是形成三维架状的空间网络时，这些大的聚合离子团位移、转动、重排都比较困难，故质点不易调整成规则排列的晶体结构，易形成玻璃。
熔体中负离子团的对称性越好，转变成晶体越容易，则形成玻璃愈难，反之亦然。
八、晶界上质点排列结构不同于内部，较晶体内疏松，原子排列混乱，存在着许多空位、位错、键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态，具有较高能量，质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小，扩散系数为大。
九、二次再结晶出现后，由于个别晶粒异常长大，使气孔不能排除，坯体不在致密，加之大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易出现隐裂纹，继续烧结时坯体易膨胀而开裂，使烧结体的机械、电学性能下降。
工艺上常采用引入适当的添加剂，以减缓晶界的移动速度，使气孔及时沿晶界排除，从而防止或延缓二次再结晶的发生。
十、P R S ZωA20 10 45 5ωB10 60 45 85ωC70 30 10 10十一、略试题二一、(1)（12分）根据CaTiO3晶胞图（见图1）回答下列问题：1.晶面BCGF、DEG的晶面指数；晶向DF、HA的晶向指数。
2.结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；3.晶胞分子数是多少？何种离子添何种空隙，空隙利用率是多少？4.结构中是否存在TiO32-离子，为什么？(2)（11分）图2是镁橄榄石(Mg2[SiO4])结构示意图，试回答：1．镁橄榄石属于哪种硅酸盐结构类型；2．计算说明O2-的电价是否饱和；3．结构中有几种配位多而体，各配位多面体间的连接方式怎样?4．镁橄榄石是否容易形成玻璃，为什么？图1 图2二、（10分）写出下列缺陷反应式：1.NaCl形成肖脱基缺陷。
2.AgI形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）3.TiO2掺入到Nb2O3中，请写出二个合理的方程，写出固溶体的化学式，并判断可能成立的方程是哪一种？三、（10分）判断下列叙述是否正确？若不正确，请改正。
1.Na2O-SiO2系统中随SiO2含量的增加，熔体的粘度将降低。
2.扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度处向低浓度处扩散。
3.晶粒正常长大是小晶粒吞食大晶粒，反常长大是大晶粒吞食小晶粒。
4.固溶体是在固态条件下，一种物质以原子尺寸溶解在另一种物质中形成的单相均匀的固体。
5.在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是一个固相、一个液相和一个气相。
四、（6分）什么叫弛豫表面？NaCl单晶表面具有什么样的结构特点？五、（6分）巳知Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的自扩散系数与温度的关系分别为1.试求1403K时Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的扩散系数。
2.将细铂丝涂在两种氧化物ZnO和Cr2O3的分界线上，然后将这些压制成型的样品进行扩散退火。
（标记物铂丝非常细，不影响离子在不同氧化物之间的扩散）。
根据所得数据判断铂丝将向哪一方向移动？六、（6分）为什么在成核一生成机理相变中，要有一点过冷或过热才能发生相变?什么情况下需过冷，什么情况下需过热，各举一个例子。
七、（6分）粒径为1μ球状Al2O3由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，在恒定温度下，第一个小时有20%的Al2O3起了反应，分别用扬德方程、金斯特林格方程计算完全反应的时间，对计算结果进行比较并说明为什么？八、（6分）陶瓷材料中晶粒的大小与什么有关？工艺上如何控制晶粒尺寸（请列出三种途径）？九、（26分）图3 是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题：1．在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的性质；2．判断化合物D、M的性质；3．写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；4．写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程；5．写出组成点H在完全平衡条件下进行加热时，开始出现液相的温度和完全熔融的温度；写出完全平衡条件下进行冷却，结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）。
图3参考答案一、(1)1、（010）（111） [111][101]；(4分)3、1；Ti4+添八面体空隙，八面体空隙利用率1/4，四八面体空隙全；(3分)4、否，因为Ti4+和O2-间没有明显的共价键成分。
(2分)(2)1、岛状结构；(1分)；2、O2-与一个[SiO4]、三个 [MgO6]配位：4/4×1+2／6×3=2= O2-的电价，O2-的电价(2分)；3、结构中有两种配位多面体[SiO4]、[MgO6] (2分)；[SiO4]呈孤立的岛状，中间被[MgO6]隔开，SiO4]与 [MgO6]之间共顶或共棱连接，同层的[MgO6]之间共棱、不同层的[MgO6]之间共顶连接；(4分)4、不易，因为镁橄榄石的Si/O=1/4，最低，网络连接程度弱，结构中络阴离子团尺寸小，迁移阻力小，熔体的粘度低，冷却过程中结构调整速率很快。
(2分)二、写出下列缺陷反应式（10）：1、O?VNa ′+VCl˙2、AgAg →AAi+VAg′3、3TiO23TiNb˙+VNb′′′+6O2TiO22TiNb˙+Oi′′+3ONb2-x Ti3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x三、1．(2分)粘度增加；2．(2分)扩散也可以从低浓度向高浓度进行；3．(2分)都是晶界移动的结果。
正常长大是晶粒平均尺寸增加，反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。
4．(2分)正确5．(2分)两个固相和一个液相四、表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移，称为表面弛豫。
(2分)NaCl单晶中处于表面层的负离子只受到上下和内侧正离子的作用，而外侧是不饱和的。
电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形，使该负离子诱导成偶极子。
这样就降低了晶体表面的负电场。
接着，表面层离子开始重排以使之在能量上趋于稳定。
为此，表面的负离子被推向外侧，正离子被拉向内侧从而形成了表面双电层。
(4分)五、(2分)(2分)因为<,所以铂丝向Cr2O3方向移动。
(2分)六、由热力学可知，在等温、等压下有在平衡条件下，，则有式中：Ｔ0是相变的平衡温度；为相变热。
若在任意温度的不平衡条件下，则有若与不随温度而变化，将上式代入上式得：可见，相变过程要自发进行，必须有，则。
(1)若相变过程放热（如凝聚、结晶等）。
要使，必须有，，即，这表明系统必须“过冷”。
(2)若相变过程吸热（如蒸发、熔融等），要满足这一条件则必须，即，这表明系统要自发相变则必须“过热”。
七、扬德方程[1—（1—G）1/3]2=K4t t=194.6h(2分)金斯特林格方程1—2/3G—（1-G）2/3=K6t t=68.1t=68.1(2分)扬德方程假设反应过程中扩散截面不变，而金斯特林格方程考虑了反应中扩散截面的变化。