清华大学自动化系罗予频计原作业答案一
《电路原理》作业答案解析
uR(0+)=－uL(0+)=5iL(0+)=5V uL(0+)=－5ViL(0+)=iR(0+)=1A
7-8题7-8图所示电路开关原合在位置1，t=0时开关由位置1合向位置2，求t0时电感电压 。
求得uc(0+)后，应用替代定理，用电压等于Uc(0+)=10V的电压源代替电容元件，画出0+时刻等效电路如图（a2）所示，由0+等效电路计算得ic(0+)=－(10+5)/10=－1.5A
uR(0+)=10ic(0+)=－15V
(2)首先根据开关S动作前的电路求电感电流iL(0-).由于开关S动作前，电路处于稳定状态，对直流电路有diL/dt=0,故uL=0,电感可看作短路，t=0-时电路如题解7-1图（b1）所示，由（b1）得iL(0-)=10/(5+5)=1A。t=0时开关动作,由于换路时，电感电流iL不跃变，
（a）（b）
题3-1图
解:(1)每个元件作为一条支路处理时，图(a)和(b)所示电路的图分别为题解3-1图(a1)和(b1)。
图(a1)中节点数 ，支路数
图(b1)中节点数 ，支路数
(2)电压源和电阻的串联组合，电流源和电阻的并联组合作为一条支路处理时，图(a)和图(b)所示电路的图分别为题解图(a2)和(b2)。
图(a2)中节点数 ，支路数
图(b2)中节点数 ，支路数
3-2指出题3-1中两种情况下，KCL、KVL独立方程各为多少？
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
清华大学电工跟电子技术作业习题文档
第1章 电路理论及分析方法习题(共9题)（注：英文习题采用美国电路符号）1.1（直流电源功率）图1.1所示电路，求各电流源的端电压和功率，并判断出哪个电流源输出功率，哪个电流源吸收功率。
已知：I S1=1 A, I S2=3A, R 1=5Ω, R 2=10Ω。
（答案：U S1= -10V , U S2=40V , P S1=10W, P S2= -120W ）1.2 图1.2所示电路，求8Ω电阻两端的电压U R 和恒流源的端电压U S 各是多少。
（答案： U R = -32V ，U S = -40V ）1.3 图1.3所示电路，求2A 恒流源的功率。
（答案： P = -24W ）1.4 (仿真习题)用仿真的方法求图1.4所示电路中的I 1 和I 2 。
（答案：I 1=0.5A 、I 2=2A ）说明：1、要求自己下载Multisim 仿真软件，可以是Multisim2001、V7~V10等版本中的任一种。
2、自学第10章 Multisim 电路仿真有关内容。
3、仿真题作业要求有仿真电路图和仿真的数据结果，图和数据结果可以打印 也可以手写。
图1.1 习题1.1的图 RI S2 U S1 图1.4 习题1.4的图18V图1.2 习题1.2的图 20 V + -U R 图1.3 习题1.3的图 8 V1.5 (电源模型的等效互换法)Use source transformations to find the voltage U across the 2mA current source for the circuit shown in Figure 1.5. (Answer: U = 1.8 V)1.6 (戴维宁定理)Using Thevenin’s theorem, find the current I through the 2V voltage source for the circuit shown in Figure 1.6.（Answer ： I=5A ）1.7 （戴维宁定理，结点电位法）图1.7所示电路，已知 R 1=1k Ω, R 2=2k Ω, R 3=6k Ω, R 4=2k Ω, R 5=4k Ω,。
2016年清华大学自动化考研,复试真题,参考答案,考研参考书,复习方法,考研资料
清华考研详解与指导复试过程：初试过后，我估分为370~400，因为今年电路比去年电路简单不少，所以觉得复试线可能会涨，我就在复试线附近徘徊，很可能就进不去复试，所以寒假在家期间并没有怎么看自控，回到学校后才认真看清华那两本教材。
后面知道分数了380+，只比去年高几分，心里依旧悬着，不过还是看自控准备复试。
复试有笔试和面试两个环节今年自控笔试题目比较简单，计算量小。
第一大题为10个判断问答题，主要考察基本概念掌握，比较灵活；第二大题为6个小型计算题，后面是四道大题，考到的有比例校正、求能控标准型、极点配置、最优控制等，有些记不大清楚了。
面试是最重要的，共有4个环节。
我上午的面试情况可以说很糟糕，第一个环节是自我介绍，一分钟左右，要展示自己的亮点。
当时我以为老师会拿着我的自述材料看，那上面写了我大学的成绩排名、竞赛获奖和项目等比较硬性的东西，所以自我介绍时我主要说了自己的性格之类的，但是后来聊天时老师问我是不是党员，我就愣住了，我的自述材料第一部分就写着自己在什么时候加入了中国共产党，可能老师就没看我的自述材料。
第二个环节是考察英语能力，给一段专业文章然后先让你看一下，然后读一遍再翻译，一般会有几个短句一个长句。
我当时确实有些紧张，没能静下心来仔细理解，所以读的还可以，但翻译却是草草了事。
第三个环节是抽题，我们这组和往年一样，至少要回答3道题，最多抽4道，其中可以放弃一道，每门科目最多抽两道，但后来听说今年其它一些组每门科目只能抽一道题了。
我之前在网上和辅导机构里看过一些，但是一道都没能碰上。
我先抽了两道数学题，特别简单1）已知A特征值为u，求A’、A^2、A^(-1)的特征值；2）问一个数列的收敛性，就是p级数的正负交错。
后面我抽的是自控，但是答的很差：1）奈奎斯特判据是什么？能否用它来判断复平面上某一局部极点的个数？这个题第一问还好说，但第二问我没见过这么问的，所以当时脑袋就卡壳了，我说我试着回答一下，然后说第一问刚说个开头，语言没怎么组织，老师便说你再选一道吧！我就又选了一道自控。
模拟电路童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
电路原理习题及答案
电路原理习题习题作业1一、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的括号中。
(本大题共3小题，总计29分) 1、(本小题6分)电路如图所示, 若R 、U S 、I S 均大于零，, 则电路的功率情况为 A. 电阻吸收功率, 电压源与电流源供出功率 B. 电阻与电压源吸收功率, 电流源供出功率 C.电阻与电流源吸收功率, 电压源供出功率D. 电阻吸收功率, 电流源供出功率，电压源无法确定答( )U I S2、(本小题9分)若电流表A 读数为零, 则R 与I 的值分别为 A. 6 Ω, 2.5 A B. 8 Ω, -2.5 A C. 6 Ω, 1 A D. 0.66 Ω, 15 A 答()ab3、(本小题14分)用叠加定理可求得图示电路中ab 端的开路电压U ab 为A. 8.5 VB. 7.5 VC. 6 VD. 6.5 V答( )ab-二、填充题：在下列各题中，请将题止所要求的解答填入题干中的各横线上方内。
(本大题共2小题，总计31分) 1、(本小题12分)图示电路中的电流=I A ,电压=U V .105Ao2、(本小题19分)图示正弦交流电路，已知t u 310cos 2100=V ，电源向电路提供功率P =200W ，L u 的有效值为50V ，求R 和L 。
Lu + 三、非客观题( 本 大 题40分 )电路及外施电压波形如图所示，求电感贮能的最大值，并表明t >2s 时电阻所消耗的能量等于该值。
t s习题作业2一、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的括号中。
(本大题共3小题，总计34分) 1、(本小题9分)电路如图所示, 若R 、U S 、I S 均大于零，, 则电路的功率情况为 A. 电阻吸收功率, 电压源与电流源供出功率 B. 电阻与电流源吸收功率, 电压源供出功率 C. 电阻与电压源吸收功率, 电流源供出功率 D. 电阻吸收功率，供出功率无法确定答( )U I S2、(本小题8分)用叠加定理可求得图示电路中电压u 为A. ()1+cos t VB. ()5-cos t VC. ()53-cos t VD. 513-⎛⎝ ⎫⎭⎪cos t V答( )3、(本小题17分)图示电路中a 、b 端的等效电阻R ab 为A. 83 ΩB. 3 ΩC. 4 ΩD. 6 Ω答()二、填充题：在下列各题中，请将题止所要求的解答填入题干中的各横线上方内。
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步)
习题
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
2.1.3重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD＝0.7V。
解：UO1≈1.3V（二极管正向导通），UO2＝0（二极管反向截止），UO3≈－1.3V（二极管正向导通），UO4≈2V（二极管反向截止），UO5≈1.3V（二极管正向导通），
UO6≈－2V（二极管反向截止）。
2.1.4设题图2.1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出 、 两端电压 。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
2.1.2写出题图2.1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。
解：VO1≈2V（二极管正向导通），VO2＝0（二极管反向截止），VO3≈－2V（二极管正向导通），VO4≈2V（二极管反向截止），VO5≈2V（二极管正向导通），VO6≈－2V（二极管反向截止）。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
自动控制原理课后习题答案清华大学出版社
2-1 什么是系统的数学模型?在自动控制系统中常见的数学模型形式有哪些? 用来描述系统因果关系的数学表达式，称为系统的数学模型。
常见的数学模型形式有：微分方程、传递函数、状态方程、传递矩阵、结构框图和信号流图。
2-2 简要说明用解析法编写自动控制系统动态微分方程的步骤。
2-3 什么是小偏差线性化？这种方法能够解决哪类问题？在非线性曲线（方程）中的某一个工作点附近，取工作点的一阶导数，作为直线的斜率，来线性化非线性曲线的方法。
2-4 什么是传递函数？定义传递函数的前提条件是什么？为什么要附加这个条件？传递函数有哪些特点？传递函数：在零初始条件下，输出量的拉氏变换与输入量的拉氏变换之比。
定义传递函数的前提条件：当初始条件为零。
为什么要附加这个条件：在零初始条件下，传递函数与微分方程一致。
传递函数有哪些特点：1．传递函数是复变量S 的有理真分式，具有复变函数的所有性质；n m ≤且所有系数均为实数。
2．传递函数是一种有系统参数表示输出量与输入量之间关系的表达式，它只取决于系统或元件的结构和参数，而与输入量的形式无关，也不反映系统内部的任何信息。
3．传递函数与微分方程有相通性。
4．传递函数)(s W 的拉氏反变换是系统的单位脉冲响应。
2-5 列写出传递函数三种常用的表达形式。
并说明什么是系统的阶数、零点、极点和放大倍数。
nn n n mm m m a s a s a s a b s b s b s b s W ++++++++=----11101110)(ΛΛ ()()∏∏==++=nj jmi i s T s T K s W 1111)( 其中nma b K =()()∏∏==++=nj jm i i g p s z s K s W 11)( 其中0a b K g =传递函数分母S 的最高阶次即为系统的阶数，i z -为系统的零点，j p -为系统的极点。
K 为传递函数的放大倍数，g K 为传递函数的根轨迹放大倍数。
清华大学《大学物理》习题库试题及答案--08-电学习题答案
清华大学《大学物理》习题库试题及答案--08-电学习题答案work Information Technology Company.2020YEAR一、选择题1．1003：下列几个说法中哪一个是正确的？(A) 电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向(B) 在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同 (C) 场强可由定出，其中q 为试验电荷，q 可正、可负，为试验电荷所受的电场力(D) 以上说法都不正确［ ］2．1405：设有一“无限大”均匀带正电荷的平面。
取x 轴垂直带电平面，坐标原点在带电平面上，则其周围空间各点的电场强度随距离平面的位置坐标x 变化的关系曲线为(规定场强方向沿x 轴正向为正、反之为负)： ［ ］3．1551：关于电场强度定义式(A) 场强的大小与试探电荷q 0的大小成反比 (B) 对场中某点，试探电荷受力与q 0的比值不因q 0而变 (C) 试探电荷受力的方向就是场强的方向 (D) 若场中某点不放试探电荷q 0，则＝0，从而＝0［ ］4．1558：下面列出的真空中静电场的场强公式，其中哪个是正确的？［ ］(A)点电荷q 的电场：(r 为点电荷到场点的距离)(B)“无限长”均匀带电直线(电荷线密度)的电场：电直线到场点的垂直于直线的矢量) (C)“无限大”均匀带电平面(电荷面密度)的电场：(D) 半径为R 的均匀带电球面(电荷面密度)外的电场：(为球心到场点的矢量)5．1035：有一边长为a 的正方形平面，在其中垂线上距中心O 点a /2处，有一电荷为q 的正点电荷，如图所示，则通过该平面的电场强度通量为(A) (B) (C) (D) ［ ］q F E / =F E 0/q E F F E F E 204r q E επ= λr r E 302ελπ=r σ02εσ=E σr E 30εσ=r 03εq 04επq 03επq 06εq( x q 1035图6．1056：点电荷Q 被曲面S 所包围，从无穷远处引入另一点电荷q 至曲面外一点，如图所示，则引入前后： (A) 曲面S 的电场强度通量不变，曲面上各点场强不变 (B) 曲面S 的电场强度通量变化，曲面上各点场强不变(C) 曲面S 的电场强度通量变化，曲面上各点场强变化(D) 曲面S 的电场强度通量不变，曲面上各点场强变化 ［7．1255：图示为一具有球对称性分布的静电场的E ～r 关系曲线。
自动控制原理_清华大学出版社课后习题答案
第一章习题答案1.自动控制：就是在人不直接参与的情况下，依靠外加装置或设备(称为控制装置或控制器)，使机械、设备或生产过程(称为被控对象)的某个工作状态或参数(称为被控量)自动地按照预定的规律运行，或使某个被控制的参数按预定要求变化。
给定量：它是人们期望系统输出按照这种输入的要求而变化的控制量。
故一般又称给定输入或简称输入。
上例中的调节器的给定值u g 即是给定输入。
扰动量：它是一种人们所不希望的﹑影响系统输出使之偏离了给定作用的控制量。
上例中给水压力变化或蒸汽负荷变化都属于扰动。
开环控制：指控制装置与被控对象之间只有顺向作用而没有反向联系的控制过程，按这种方式组成的系统称为开环控制系统，其特点是系统的输出量不会对系统的输入量产生影响。
闭环控制：按照偏差进行控制的，其特点是不论什么原因使被控量偏离期望而出现偏差时，必定会产生一个相应的控制作用去减小或消除这个偏差，使被控量与期望值趋于一致。
复合控制：将闭环控制系统和开环控制系统结合在一起构成的开环-闭环相结合的控制系统，称为复合控制恒值控制：给定量是一定的，控制任务是保持被控量为一不变常数，在发生扰动时尽快地使被控量恢复为给定值。
随动控制：给定量是按照事先不知道的时间函数变化的，要求输出跟随给定量变化。
2.7. 自动控制系统的性能的要求：稳定性、快速性、准确性。
自动控制系统的性能的最基本要求：稳定性 第二章习题答案1. (a) 22()()1()()d y t f dy t k y t t dt m dt m m++=F （b ）1211212()()()()k k k dy t y t t dt f k k k k +=++F （c ）42422()2()()dy t k dy t kt dt m dt m+=F2. (a) 22211221122122112()d u du dvR C R C R C R C R C u R C v dt dt dt ++++=+（b ）233112*********()d u duR C R C R C R C R C u dt dt++++2112211222()d v dvR C R C R C R C v dt dt=+++（c ）222220.25 1.5d u du dv u v dt dt dt++=+ 3. (a)2111212()(1)()c r U s R R C s U s R R CR R s+=++ （b ）222222()21()31c r U s C R s RCs U s C R s RCs ++=++ （c ）2211212()()()c r U s R U s R LCs L R R C s R R =++++ 4. (a) 21212121221212212121()1()()()1f f f fs s k k k k Y s f f f f f X s s s k k k k k +++=++++ （b ）21212112221212112212()()1()()1c r U s R R C C s R C R C s U s R R C C s R C R C R C s +++=++++ 5. 0.085d d i u ∆= 6. r d h Sh Q dt ∆+=∆ 7．2232(),()432t t s G s g t e e s s --+==-++ 8. 2()142tty t ee e --=-+9.（a ）21()()c r U s RU s R =- （b ）112212()(1)(1)()c r U s R C s R C s U s R C s++=- （c ）212()()(1)c r U s R U s R R Cs =-+ 10.(1) 012180,3,211k k k π︒==-=-； (2) 略；(3)系统的闭环传递函数22301230123()11()1c M t M r M MQ s k k k k T Q s s s k k k k k k k k k k =+++11.闭环传递函数32()0.7(6)()(0.90.7)(1.180.42)0.68c r Q s s Q s s K s K s +=+++++ 12.闭环传递函数12342363451234712348()()1G G G G C s R s G G G G G G G G G G G G G G G G =+++- 13.传递函数21221)()(T s T s s K K s R s C +++=，2121)1()()(T s T s T s s s N s C ++-+= 14.传递函数333222()1()561c r U s U s R C s R C s RCs =+++。
2023清华附高三物理寒假作业电学基础知识巩固训练 40道电学选择题含答案
清华附中高20级物理统练电学基础知识强化练习考试时间：12月27日 16:30-18:00（90分钟，满分100分）一、本题共 40小题，每小题 2.5 分，共 100分。
在每小题给出的四个选项中，有的小题只有一个选项是正确的，有的小题有多个选项是正确的。
全部选对的得 2.5 分，选不全的得 1.5 分，有选错或不答的得 0 分。
1.用比值法定义的物理概念在物理学中占有相当大的比例，比值定义法，就是在定义一个物理量的时候采取比值的形式定义，被定义的物理量往往是反映物质的最本质的属性，它不随定义所用的物理量的大小取舍而改变，下列选项中所列各物理量的关系式，全部用到了比值定义法的有( )A.v =xt ，a =Δx Δt，I =U R B.φ=E p q，E =F 电q ，B =F 安ILC.C =Q U ，I =qt ，R =ρLS D.R =UI ，g =Gm，a =F 合m2.有M 、N 两条导线，它们与大地之间的电压随时间变化的规律如图所示。
已知我国民用电压为220V 。
则关于这两个交变电压的说法正确的是( )A.导线M 、N 交变电压的频率不相同B.导线N 的电压可以作为民用电压C.导线N 交变电压的方向每秒变化50次D.用多用表的交流挡测导线N 对地电压，读数为311V3.如图甲所示，单匝矩形线框在匀强磁场B 中，绕与磁场B 垂直的轴OO′匀速转动。
已知线框电阻为R ，转动周期为T ，穿过线框的磁通量Φ与时间t 的关系图，如图乙所示。
则下列说法错误的是( )A. T2时刻，线框平面与中性面垂直B.感应电流的有效值为√2πΦmRTC. T 4到34T 过程中，线框中平均感应电动势为零 D.线框转动一周，线框中产生的热量为2π2Φm2RT4.如图所示为远距离输电的示意图，升压变压器、降压变压器均为理想变压器，升压变压器的输出电压为 U 、输出功率为P ，输电线电阻为R ，则( )A.U 一定时，增加用户的用电器，输电线路输送效率减小B.U 一定时，R 减小，其消耗的功率增大C.P 一定时，U 减小，输电线路输送效率增大D.P 一定时，U 升高，R 消耗的功率增大5.一个带正电荷q 的粒子仅在电场力作用下沿图中的曲线由O 经P 点运动到Q 点，轨迹如图，以下说法正确的是（ ）A.若虚线是电场线，则从O 到Q 粒子的电势减小B.若虚线是电场线，则从O 到Q 粒子的电势增加C.若虚线是等势面，则从O 到Q 粒子的电势减小D.若虚线是等势面，则从O 到Q粒子的电势增加2023清华附高三物理寒假作业电学基础知识巩固训练 40道电学选择题6. 纸面内固定有两个等量异种点电荷，a、b两点的位置如图所示，O既是两点电荷的中点，也是a、b连线的中点。
清华大学考研自动化真题
清华大学考研自动化真题清华大学考研自动化真题是考生备战考研的重要资料之一。
通过解析和分析这些真题，考生可以了解考试的难度、题型和出题思路，为备考提供有力的参考。
本文将从不同角度对清华大学考研自动化真题进行探讨，帮助考生更好地应对考试。
首先，我们来分析清华大学考研自动化真题的难度。
清华大学自动化专业一直以来都是国内自动化领域的翘楚，因此其考研真题的难度相对较高。
在过去的几年中，考生普遍反映清华大学考研自动化真题的难度逐年增加，需要对相关知识点进行深入的理解和掌握。
因此，考生在备考过程中要注重对基础知识的学习和理解，并进行大量的练习和模拟考试，以提高解题能力和应试水平。
其次，我们来分析清华大学考研自动化真题的题型。
根据过去几年的真题分析，清华大学考研自动化真题主要包括选择题和大题两种题型。
选择题主要考察考生对基础知识的掌握程度，题目相对较为简单，但需要考生具备较快的答题速度和准确性。
大题则更加注重考生对问题的分析和解决能力，需要考生具备较强的综合应用能力和创新思维。
因此，考生在备考过程中要注重对选择题的基础知识的掌握和对大题的解题思路的培养，以应对考试中的各种题型。
接下来，我们来分析清华大学考研自动化真题的出题思路。
清华大学考研自动化真题的出题思路主要体现在对知识点的深度和广度的考察上。
考生需要对相关知识点进行深入的理解和掌握，同时还需要具备较强的分析和解决问题的能力。
因此，在备考过程中，考生要注重对知识点的理解和应用能力的培养，通过大量的练习和模拟考试来提高解题的能力和应试的水平。
另外，考生还要注重对考试大纲的研究和分析，了解考试的重点和难点，有针对性地进行备考。
最后，我们来总结一下清华大学考研自动化真题的备考策略。
首先，考生要注重对基础知识的学习和理解，建立扎实的知识体系。
其次，考生要进行大量的练习和模拟考试，提高解题能力和应试水平。
同时，考生还要注重对考试大纲的研究和分析，了解考试的重点和难点，有针对性地进行备考。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。
1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
模拟电子技术基础第四版习题解答
补充 4.电路如补图 P4 所示，试问 β 大于多少时晶体管饱和？
解：取UCES UBE ，若管子饱和，
12
则 VCC UBE Rb
VCC UBE Rc
,
即 Rb
Rc
(a)
(b)
(c)
补图 P1
解：波形如下图所示
补充 2.在温度 20oC 时某晶体管的 ICBO 2 A, 试问温度是 60oC 时的 ICBO ？ 解: ICBO60 ICBO20 24 2 24 32 A 。 补充 3.有两只晶体管，一只的 β=200 , ICEO 200 A ；另一只的 β=100 , ICEO 10 A ，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 解：选用 β=100 , ICEO 10 A 的管子，因其 β 适中, ICEO 较小，因而温度稳定
放大倍数分别为 a 1mA/10 A 100 和 b 5mA/100 A 50
1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 P1.9 所示。在圆圈中画出管子， 并说明它们是硅管还是锗管。
解:如解图 1.9。
图 P1.9
解图 1.9
1.10 电路如图 P1.10 所示，晶体管导通时UBE 0.7V ，β=50。试分析VBB 为 0V、
解： ui 与 uo 的波形如解图 Pl.2 所示。
解图 P1.2
1.3 电路如图 P1.3 所示，已知 ui 5sint (V)，二极管导通电压 UD=0.7V。试画 出 ui 与 uo 的波形图，并标出幅值。
5
图 P1.3 解：波形如解图 Pl.3 所示。
解图 P1.3
1.4 电路如图 P1.4 所示, 二极管导通电压 UD=0.7V,常温下UT 26mV ，电容 C 对 交流信号可视为短路； ui 为正弦波，有效值为 10mV。试问二极管中流过的交流电流 的有效值为多少？
清华大学《大学物理》习题库试题及答案__08_电学习题答案
一、选择题1．1003：下列几个说法中哪一个是正确的？(A) 电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向 (B) 在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同(C) 场强可由q F E / =定出，其中q 为试验电荷，q 可正、可负，F 为试验电荷所受的电场力(D) 以上说法都不正确2．1405：设有一“无限大”均匀带正电荷的平面。
取x 轴垂直带电平面，坐标原点在带电平面上，则其周围空间各点的电场强度E随距离平面的位置坐标x 变化的关系曲线为(规定场强方向沿x 轴正向为正、反之为负)：3．1551：关于电场强度定义式0/q F E=，下列说法中哪个是正确的？(A) 场强E的大小与试探电荷q 0的大小成反比(B) 对场中某点，试探电荷受力F与q 0的比值不因q 0而变(C) 试探电荷受力F 的方向就是场强E的方向(D) 若场中某点不放试探电荷q 0，则F ＝0，从而E＝04．1558：下面列出的真空中静电场的场强公式，其中哪个是正确的？(A)点电荷q 的电场：204r qE επ=(r 为点电荷到场点的距离)(B)“无限长”均匀带电直线(电荷线密度λ)的电场：r r E 302ελπ=(r 为带电直线到场点的垂直于直线的矢量)(C)“无限大”均匀带电平面(电荷面密度σ)的电场：02εσ=E (D) 半径为R 的均匀带电球面(电荷面密度σ)外的电场：r r R E 302εσ=(r 为球心到场点的矢量)5．1035：有一边长为a 的正方形平面，在其中垂线上距中心O 点a /2处，有一电荷为q 的正点电荷，如图所示，则通过该平面的电场强度通量为(A) 03εq (B) 04επq (C) 03επq (D) 06εq6．1056：点电荷Q 被曲面S 所包围，从无穷远处引入另一点电荷q 至曲面外一点，如图所示，则引入前后： q( x q1035图(A) 曲面S 的电场强度通量不变，曲面上各点场强不变 (B) 曲面S 的电场强度通量变化，曲面上各点场强不变 (C) 曲面S 的电场强度通量变化，曲面上各点场强变化 (D) 曲面S 的电场强度通量不变，曲面上各点场强变化7．1255：图示为一具有球对称性分布的静电场的E ～r 关系曲线。
虚拟仪器课后题答案--清华大学出版社
第六章--------第八章6.16.26.3第一个循环开始前读入数据，如2，之后产生100个10显示，循环过程中改变滑钮值对循环无影响。
第二个循环过程中可随时改变，且在循环结束后输出波形。
6.46.56,86.96.106.116.126.136.146.166.196.207.17.27.37.47.57.6（提取子数组函数）7.7.8（注意build的两个功能！下边的是连接功能）7.97.10(按名称解除捆绑)8.1（bundle和chart, graph在这里不行）8.2（bundle和chart）注意：对于下面的程序A(没有问题)B由于循环结束条件是个开关，所以不能正常输出，产生的数据数组放不了。
若是把循环次数给为有限值就行了。
8.68.7(用build,注意build的顺序)。
文案编辑词条B 添加义项?文案，原指放书的桌子，后来指在桌子上写字的人。
现在指的是公司或企业中从事文字工作的职位，就是以文字来表现已经制定的创意策略。
文案它不同于设计师用画面或其他手段的表现手法，它是一个与广告创意先后相继的表现的过程、发展的过程、深化的过程，多存在于广告公司，企业宣传，新闻策划等。
基本信息中文名称文案外文名称Copy目录1发展历程2主要工作3分类构成4基本要求5工作范围6文案写法7实际应用折叠编辑本段发展历程汉字"文案"(wén àn)是指古代官衙中掌管档案、负责起草文书的幕友,亦指官署中的公文、书信等;在现代，文案的称呼主要用在商业领域，其意义与中国古代所说的文案是有区别的。
在中国古代，文案亦作" 文按"。
公文案卷。
《北堂书钞》卷六八引《汉杂事》:"先是公府掾多不视事，但以文案为务。
"《晋书·桓温传》:"机务不可停废，常行文按宜为限日。
" 唐戴叔伦《答崔载华》诗:"文案日成堆，愁眉拽不开。
清华大学本科生考试试题-电工技术
清华大学本科生考试试题专用纸考试课程：电工技术1 （16分）含受控源的电路如图所示，除输入电压U i 外，其它所有的电路参数已经给出。
（1）用节点电位法求此电路中的电压增益：iv U U A 2=。
（2）电路中已经标出了各节点的名称，试用标准SPICE 分析求出此电路的电压增益：iv U U A 2=，试写出标准的SPICE 文件（提示：用TF 分析）。
U i+R 1 R 3 R 5 R 4 E =2U 1 +-+ U 1+U 2R 2 ---1 2341Ω0.5Ω 0.25Ω0.25Ω0.25Ω第1题答案：（1）利用节点电位法分析，选节点0为参考点，列出节点2和节点4的电位V 2和V 4方程如下：⎩⎨⎧-=+-=-42242812447V V V U V V i解出：04.0-=V A（2）使用SPICE 计算此电路的电压增益，必须使用传递函数分析语句(.TF)，按照图中标出的节点名称，写出标准SPICE 电路文件如下：test-1-(2) V0 1 0 dc 1 R1 2 0 0.5 R2 1 2 1 R3 2 4 0.25 R4 3 4 0.25 E 0 3 2 0 2 R5 4 0 0.25 .tf V(4) V0 .end右图是分析结果，供参考：15V + -0.25A0.5A60Ω 10Ω30ΩR L 20ΩI L0 23 1 I S1I S2R 1 R 2 R 3 V 1 + - V m 0V 4使用静态分析语句，写出其电路文件如下：test-2-(2) V1 1 0 dc 15 R1 1 2 60 Is1 3 2 dc 0.5 Is2 0 2 dc 0.25 R2 3 2 10 R3 2 0 30Vmeas 3 4 dc 0 Rl 4 0 20 .op .end右图是分析结果，供参考。
3 （12分）如图电路中，已知直流电压源的电压为V 50=E ，正弦交流电源的电压为V 3000sin 125S t u =，R 1=200Ω，R 2=300Ω,L =1H ，C =1μF 。
清华大学出版社课后习题详细解析
习题4客观检测题一、填空题1. 场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件。
2. 为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加反向电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻小。
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
3. 场效应管漏极电流由多数载流子的漂移运动形成。
N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。
JFET管中的漏极电流不能穿过PN结（能，不能）。
4. 对于耗尽型MOS管，V GS可以为正、负或者零。
I。
5. 对于增强型N型沟道MOS管，V GS只能为正，并且只能当V GS >V TH时，才能形有d6. P沟道增强型MOS管的开启电压为负值。
N沟道增强型MOS管的开启电压为正值。
7. 场效应管与晶体管相比较，其输入电阻高；噪声低；温度稳定性好；饱和压降大；放大能力较差；频率特性较差（工作频率低）；输出功率较小。
8. 场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流控制器件。
9. 场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。
10. 由于晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电，所以将它称为双极型的，由于场效应管只有多数载流子参与导电，所以将其称为单极型的。
g反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力，其单位为 ms(毫西门子) 。
11. 跨导m12. 若耗尽型N沟道MOS管的V GS大于零，其输入电阻不会明显变小。
13. 一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示，则它是N 沟道的效应管，它的夹断电压V p是 4.5V ，饱和漏电流I DSS是 5.4mA 。
题图4.0.1 填空题13图主观检测题4.2.1 已知某结型场效应管的I DSS ＝2mA ，V p ＝－4V ，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。
解：根据方程：GS D DSS Pv i I ()V =-21，逐点求出确定的v GS 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上v GD ＝V p 的点连接起来，便为予夹断线；如图4.2.1所示。
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3. 将下列二进制数转换为十进制数：〈1〉01101100B 〈2〉00101101B 〈3〉0.011B 〈4〉0.01101B 〈5〉1001.1001B 解：〈1〉01101100B＝64+32+8+4＝108D〈2〉00101101B＝32+8+4+1＝45D〈3〉0.011B＝2-2+2-3＝0.375D〈4〉0.01101B＝2-2+2-3+2-5＝0.40625D〈5〉1001.1001B＝8＋1＋0.5＋0.0625＝9.5625D4. 将下列十进制数转换为二进制数：〈1〉17D 〈2〉121D 〈3〉0.4375D 〈4〉0.59375D 〈5〉125.125D解：〈1〉17D ＝24＋20＝10001B〈2〉121D ＝26＋25＋24＋23＋20＝1111001B〈3〉0.4375D ＝2-2＋2-3＋2-4＝0.0111B〈4〉0.59375D ＝2-1＋2-4＋2-5＝0.10011B〈5〉125.125D ＝26＋25＋24＋23＋22＋20＋2-3＝1111101.001B7. 将下列各数转换为十六进制数：〈1〉11010100B 〈2〉00111100B 〈3〉0.0001101B 〈4〉1110101.101111B 〈5〉783D 〈6〉5372D 〈7〉9570D 〈8〉9587D解：〈1〉11010100B＝D4H〈2〉00111100B ＝3CH〈3〉0.0001101B ＝0.1AH〈4〉1110101.101111B＝75.BCH〈5〉783D ＝30FH〈6〉5372D ＝14FCH〈7〉9570D ＝2562H〈8〉9587D ＝2573H8. 将下列十六进制数转换为二进制数：〈1〉2B7CH 〈2〉2EFDH 〈3〉1AB0H 〈4〉0.56F8H 〈5〉4DE.ACH解：〈1〉2B7CH ＝10 1011 0111 1100B〈2〉2EFDH ＝10 1110 1111 1101B〈3〉1AB0H ＝ 1 1010 1011 0000B〈4〉0.56F8H ＝0.0101 0110 1111 1B〈5〉4DE.ACH ＝10011011110.101011B9. 将下列十六进制数转换为十进制数：〈1〉A8CH 〈2〉FFH 〈3〉1000H 〈4〉F001H 〈5〉FFFFH解：〈1〉A8CH ＝10*162 ＋8*16 ＋12 ＝2700D〈2〉FFH ＝15*16＋15 ＝255D〈3〉1000H ＝163 ＝4096D〈4〉F001H＝15*163 ＋ 1 ＝61441D〈5〉FFFFH ＝15*163 ＋15*162＋15*16 ＋15 ＝65535D12. 将下列十进制数分别用八位原码、反码和补码表示：〈1〉+15 〈2〉-15 〈3〉-64 〈4〉+117 〈5〉-6 〈6〉-120解：13. 求下列补码数的十进制值：〈1〉00110011 〈2〉10101011 〈3〉10000101 〈4〉00000101〈5〉11111011 〈6〉00000000 〈7〉11111111 〈8〉10000000解：〈1〉因为00110011是正数，所以补码和原码相等，对应的十进制数为25＋24＋21＋20＝32+16+2+1= +51D〈2〉对应原码为11010101，十进制数为-85D〈3〉对应原码为11111011，十进制数为-123D〈4〉原码与补码相同，十进制数为5D〈5〉因为11111011是负数，所以补码等于反码加1，对应的反码为1111010，对应的原码为1000101，所以其十进制数为– (22＋21＋20) ＝– 5D〈6〉十进制数为0D〈7〉对应原码为10000001，十进制数为-1D〈8〉十进制数为-128D15. 已知X，Y的值如下，求[X ]补，[Y ]补，[X+Y ]补，[X-Y ]补，并说明结果有无溢出，设补码都用八位表示，减法仍直接用减运算。
〈1〉X=45，Y=85 〈2〉X=45,Y=-85 〈3〉X=-45,Y=85 〈4〉X=-45,Y=-8516. 查ASCII代码表，将下列字符转换为8位ASCII代码，并用十六进制表示：〈1〉5 〈2〉A 〈3〉a 〈4〉= 〈5〉?〈6〉*解：查ASCII 代码表得：〈1〉‘5’= 35H = 00110101B〈2〉‘A’= 41H = 01000001B〈3〉‘a’= 61H = 01100001B〈4〉‘=’= 3DH = 00111101B〈5〉‘?’= 3FH = 00111111B〈6〉‘*’= 2AH = 00101010B17. 查ASCII代码表，将下列7位ASCII代码，转换为相应字符(假设最高位都为0)：〈1〉0100001 〈2〉0111001 〈3〉1010111 〈4〉1100101 〈5〉1111011解：查ASCII 代码表得：〈1〉0100001 = 21H =‘!’〈2〉0111001 = 39H =‘9’〈3〉1010111 = 57H =‘W’〈4〉1100101 = 65H =‘e’〈5〉1111011 = 7BH =‘{’18. 写出下列存储器地址的段基址，偏移地址和物理地址：〈1〉2314H：0035H 〈2〉1FD0H：000AH 〈3〉60ADH：DDF6H解：物理地址：〈1〉23175H 〈2〉1FD0AH〈3〉该存储器地址的段基址为60ADH；偏移地址为DDF6H；物理地址为：60AD0H + DDF6H = 6E8C6H19. 某一存储单元的物理地址为12345H，试完成下列不同的逻辑地址表示：〈1〉1234H：H 〈2〉H：0345H解：〈1〉1234H ：0005H 12345 – 12340 =5〈2〉1200H ：0345H 12345 – 345 = 1200020. 假定(DS)=2000H，(ES)=2100H，(SS)=1500H，(SI)=00A0H,(BX)=0100H,(BP)=0010H，数据变量V AL的偏移地址为0050H，试指出下列指令的源操作数是什么寻址方式?若是内存操作数则计算它的物理地址（用十六进制数表示）。
〈1〉MOV AX，0ABH 〈2〉MOV AX，BX 〈3〉MOV AX，[100H ]〈4〉MOV AX，[BP+10H ]〈5〉MOV AX，ES：[BX ]〈6〉MOV AX，[SI ]〈7〉MOV AX，[BP ] 〈8〉MOV AX，V AL [BP ] 〈9〉MOV AX，1100H [BX ] [SI ] 解：（1）立即寻址，没有物理地址（2）寄存器寻址，没有物理地址（3）直接寻址，物理地址＝DS:100H=20100H（4）基址寻址，物理地址＝SS:[BP+10H]=15020H（5）段超越的间址寻址，物理地址＝ES:[BX]=21100H（6）间址寻址，物理地址＝DS:[SI]=200A0H（7）间址寻址，物理地址＝SS:[BP]=15010H（8）基址寻址，物理地址＝SS:[BP+V AL]=15060H（9）基址加变址寻址，物理地址＝DS:[SI+BX]=212A0H21. 假定有关寄存器及存储单元的内容如下：(DS)=2000H, (BX)=0100H,(SI)=0002H, (20100H)=12H,(20101H)=34H,(20102H)=56H,(20103H)=78H,(21200H)=2AH,(21201H)=4CH, (21202H)=0B7H,(21203H)=65H，试指出下列各条指令执行完后AX寄存器的内容。
〈1〉MOV AX，1200H 〈2〉MOV AX，BX 〈3〉MOV AX，[1200H ]〈4〉MOV AX，[BX ] 〈5〉MOV AX，1100H [BX ] 〈6〉MOV AX，1100H [BX ] [SI ] 解：AX寄存器的内容是两个字节！（得到的物理地址是它的低字节地址，高字节地址加1。
）－>事实上，一个字的地址就是其低字节的地址。
（1）(AX)=1200H （2）(AX)=100H （3）(AX)=4C2AH（4）(AX)=3412H （5）(AX)=4C2AH （6）(AX)=65B7H22. 指出下列指令的错误：〈1〉MOV AH，BX 〈2〉MOV [BX ]，[SI ] 〈3〉MOV AX，[SI ] [DI ]〈4〉MOV CS，AX解：（1）错误：数据类型不一致，AH为8位，BX为16位。
（2）错误：源操作数和目标操作数不能同为内存操作数。
（3）错误：不能用两个变址寄存器。
（4）错误：不能给CS赋值。
23. 用几条指令完成下列功能：〈1〉把BX寄存器和DX寄存器的内容相加，结果存入DX寄存器中。
〈2〉用寄存器BX和SI的基址变址寻址方式，把存储器中的一个字节与AL寄存器的内容相加，结果存入AL寄存器中。
〈3〉用寄存器BX和位移量0B2H的基址寻址方式，把存储器中的一个字与(CX)相加，结果送回存储单元中。
〈4〉用位移量0524H的直接寻址方式，把存储器中的一个字与数2A59H相加，并把结果送回存储单元中。
〈5〉把数0B5H与(AL)相加，结果送回AL中。
解：（1）ADD DX, BX（2）ADD AL, BYTE PTR [BX] [SI]（3）ADD WORD PTR 0B2H [BX], CX（4）ADD WORD PTR [524H], 2A59H（5）ADD AL, 0B5H25. 设段寄存器(SS)=3A4BH，程序中要求堆栈长度为200个字节，试计算出堆栈指针SP的初始值(即堆栈中没有数据时)和SP初始值指向的物理地址。
解：因为堆栈长度为200个字节，所以堆栈指针SP的初始值为SP＝200 其初始值指向的物理地址为：3A4B0 H + 200 D= 3A4B0H + C8H = 3A578H27. 指出下列指令哪些是错误的，若有错误请说明错在何处?〈1〉CMP 15H，BX 〈2〉CMP [2000H ]，25 〈3〉CMP [100H ]，[200H ]〈4〉CMP AX，[3050H ]解：（1）错误：目标操作数不能为立即数。
（2）错误：应指明内存操作数的类型（3）错误：不能目标和源同为内存操作数（4）若原来已定义内存操作数为字类型，则没错。
最好显式写出：CMP AX, WORD PTR [3050H]28. 求62A0H分别与下列各数相加的结果，并根据结果设置标志位SF，ZF和OF的值。
〈1〉1234H 〈2〉4321H 〈3〉CFA0H 〈4〉9D60H解：（1）62A0H+1234H = 74D4H SF=0，ZF =0, OF=0（2）62A0H+4321H = A5C1H SF=1，ZF =0, OF=1（3）62A0H+CFA0H =3240H SF=0，ZF =0, OF=0（4）62A0H+9D60H = 0000H SF=0，ZF =1, OF=030. 用两条移位及循环移位指令，将AL中的各位按相反的顺序排列到AH中。