二十 半导体与二极管Microsoft PowerPoint 演示文稿

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半导体二极管及基本电路PPT课件

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• 基础知识 • 半导体二极管 • 二极管基本电路及分析方法 • 稳压二极管及电路分析方法
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1.1 半导体的基础知识
一.半导体
• 按物体的导电性能,可将物体分为导体、绝缘 体和半导体三类。
① 导体:电阻率很低、电流易通过、导电性强的 物体。
② 绝缘体:电阻率很高、电流不通过、无导电能 力的物体。
• 一般情况下,锗管反向电流I R>硅管I R反向电流。
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综述:
• 1)二极管的 V—A 特性为非线性;
• 2)当 导通;
时,且 U D >U T ,则 D
• 3)当 -U BR < U D < U T ,有I R ≈0,则 D 截 止;
• 4)当
时,且 绝对值U R > U
BR ,则反向击穿烧坏。
一、课程的性质及任务
• 1. 本课程是一门电子技术方面的入门技术基础课,是研究各种半导体器件、 电子线路及应用的一门学科。
• 2. 学生通过本课程的学习,掌握一些有关电子技术的基本理论、基本知识, 为今后进一步学习打下一定的基础。
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• 二 研究对象
• 1.电子器件的特性、参数; • 2.电子线路分析的基本方法:即模拟电路和数字电路的分析方法。 • 3.有关应用。
由此得知: • 1)稳压管的 V—A 特性为非线性,且反向特性
很陡,; • 2)稳压管有导通、截止、击穿三个状态,常工作
于反向击穿状态。
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二. 主要参数
1). 稳定电压 UZ
• DZ在正常工作下管子两端的电压,也就是它 的反向击穿电压。
2). 稳定电流 IZ

《半导体二极管》PPT课件 (2)

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U
二极管方程:I IS (eUT 1)
式中: IS为反向饱和电流
量,
UT 是温度电压当
若|U| >> UT则 I ≈ 若- UIS>> UT U
则 I ISeUT
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三、二极管的主要参数
♥ 最大整流电流 IF
指二极管长期运行时, 允许通过管子的最大正向平均电流。
IF的数值是由二极管允许的温升所限定。 ♥ 最高反向工作电压 UR
第二节 半导体二极管
PN结及其单向导电性 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 稳压管
下页 总目录
一、PN结及其单向导电性
1. PN结中载流子的运动
又称耗尽层,即PN结。
- - - - + +++ - - - - ++++ - - - - ++++
空间电荷区 扩散
漂移
内电场又称阻挡层,阻止扩散 运动,却有利于漂移运动。
- - - - ++++
+E U R
-
内电场
外电场削弱了内电场有利于扩 散运动,不利于漂移运动。
外电场
Uho - U
PN结处于正向导通(on)状态,正向等效电阻较小。
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☻ 加反向电压
空间电荷区
反向
称为反向接法或反向偏置 (简称反偏)
电流
- - - - + + ++ I - - - - ++++
cathode
阴极 对应N区
从管子的结构分:
二极管的符号

半导体二极管培训教程模版(PPT45张)

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+4
+4
+4


+4


+4
+4
+4


图1–1 硅和锗简化原子
结构模型
+4
+4
+4
图 1 – 2 本征半导体共价键晶体结构示意图
共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量, 其 中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子, 同时必然
在共价键中留下空位, 称为空穴。空穴带正电, 如图 1-3所
示。
外加的正向电压有一部 分降落在PN结区,方向与 PN结内电场方向相反,削弱 了内电场。于是,内电场对 多子扩散运动的阻碍减弱, 扩散电流加大。扩散电流远 大于漂移电流,可忽略漂移 电流的影响,PN结呈现低阻 性。
图1-7 PN结加正向电压 时的导电情况
(2) PN结加反向电压时的导电情况
PN结加反向电压时的导电情况如图1-8所示。
图1-6 PN结的形成过程
二、 PN结的单向导电性
PN结具有单向导电性,若外加电压使电流从P区流到 N区, PN结呈低阻性,所以电流大;反之是高阻性,电 流小。
如果外加电压使PN结中: P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正 偏;
P区的电位低于N区的电位,称为加反向电压, 简称反偏。
(1) PN结加正向电压时的导电情况 PN结加正向电压时的导电情况如图1-7所示。
1.1.1 本征半导体
纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导 体材料是硅和锗, 它们都是四价元素, 在原子结构中最外层 轨道上有四个价电子。为便于讨论, 采用图 1-1 所示的简 化原子结构模型。把硅或锗材料拉制成单晶体时, 相邻两个 原子的一对最外层电子(价电子)成为共有电子, 它们一方面 围绕自身的原子核运动, 另一方面又出现在相邻原子所属的 轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的作用, 同时还受到 相邻原子核的吸引。于是, 两个相邻的原子共有一对价电子, 组成共价键结构。故晶体中, 每个原子都和周围的4个原子 用共价键的形式互相紧密地联系起来,如图1 - 2所示。

半导体二极管ppt课件

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形形色色的二极管
高频二极管
阻尼二极管
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发光二极管
形形色色的二极管
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5
发光二极管
形形色色的二极管
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形形色色的二极管
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7
快 恢 复 二 极 管
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形形色色的二极管
肖 特 基 二 极 管
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管加反向电压,反向电流很小。
当温度升高时,半导体中本征激发 UBR 增加,是少数载流子增多,故反向 B 电流增大,特性曲线向下降。
A
iD
D
C
o
uD
3 反向击穿特性
BA段称为反向击穿特性
当二极管外加反向电压大于一定数值时,反向电流 突然剧增,称为二极管反向击穿。
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半导体二极管
小结:二极管的伏安特性
硅正(向Si)特性曲≈线0.向5 左移,0反.6~向1 特性曲线向下<0移.1。
锗(Ge) ≈0.1
0.2~0.5
几十
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参数
半导体 二极管 的主要 参数
对器件性能的定量描述 器件使用的极限条件
两大类
最大整流电流IF 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压UR 管子使用时允许加的最大反向电压。
硅平面型二极管特点:结面积大的可用于大功率整流;结
面积小的,结电容大,适用于脉冲数字电路,作为开关管 使用。
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D
P
N
正向电流
R RW
V

半导体二极管公开课课件ppt

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在同一片半导体基片上,分别制造P 型半导 体和N 型半导体,经过载流子的扩散,在它们 的交界面处就形成了PN 结。
阳极 阴极
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
2.半导体二极管的特性
思考:在电路中,串联进去一个二极管后,小灯泡是否发亮? 二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二 极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这 种连接方式,称为反向偏置。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
接上电源之后的二极管
二极管的一种类型
二极管在日常的应用
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
1.半导体二极管的结构
一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装 起来,就构成了半导体二极管,简称二极管。
思考:在电路中,串联进去一个二极管后,小灯泡是否发亮? 将二极管的正极接在电源的正极,负极接在电源的负极, 二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置 。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
4.思考题
例1 二极管构成如图所示电路,设V1、V2均为理想二
极管,当输入电压UA、UB为分别未 0V 和5V 的不同 组合时,求输出电压 UO 的值。

半导体二极管及其基本电路ppt课件

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二者产生的电流大小相等,方向相反。因此,在相对
平衡时,流过PN结的电流为0。
空穴空间电荷区ຫໍສະໝຸດ 耗尽层电子P区内电场
N区
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PN结的形成
对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形 成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区,由于缺少 多子,所以也称耗尽层。由于耗尽层的存在,PN结的 电阻很大。
不导电。只有在激发下,本征半导体才能导电。
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3. 电子与空穴
当导体处于热 力 学 温 度 0K 时 ,
自由电子
空穴
束缚电子
导体中没有自由电
子。当温度升高或

受到光的照射时, 价电子能量增高,
+4
+4


有的价电子可以挣
脱原子核的束缚,
而参与导电,成为
+4
+4
自由电子。 这一现象称为本征激发,也称热激发。
第二章 半导体二极管及其基本电路
半导体基本知识 PN结及其特性 半导体二极管特性及其应用 稳压二极管
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§2.1 半导体基础知识
2.1.1 概念
根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分 导体、绝缘体和半导体。
1. 导体:容易导电的物体。如:铁、铜等
2. 绝缘体:几乎不导电的物体。 如:橡胶等
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2.1.3 杂质半导体
(1) N型半导体 (2) P型半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可 使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是 三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半 导体。
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参考p182
关于二极管伏安特性曲线的分析: 分两大部分:A正向特性 死区 正向特性 B反向特性 反向截止区 反向击穿区

各部分的形状 意思 为什么 Oa段 较水平,贴近x轴,在x轴上方 意味着,U增,I不增。称为 死区 Ab段 较陡峭 意味着 U增,I也大增加了 OC段 较水平 贴近x轴,在x轴下方 意味着 U绝对值增加 I绝对值不 增加
锗管 5特性:单向导电 正偏导通,反偏 截止。 6代号:V

空穴:共价键后,还少一电子的空坐位。 好比一个空坐位。 自由电子:共价键后,还多出了一个电子。 好比没有坐位的电子。 电路图符号:



5伏安特性: 特性: 伏安特性:Iv=f(Uv) 伏安特性曲线:Iv=f(Uv)的函数 图象。如下图
P179§7.1与7.2半导体与二 极管
P179§7.1二极管
1半导体 导电能力介于导体与绝缘体之 间的元素。如硅,锗。 半导体特性:有光敏性,热敏性,杂敏性 三性。 为何半导体导电能力比金属差,比绝缘体 好?这是因为,半导体最外层电子是四个, 而金属最外层电子是一至三个,而绝缘体 最外层电子是五至八个。

2N型半导体:掺了五价元素,多了许多自 由电子,的半导体。 3P型半导体:掺了三价元素,多了许多空 穴的的半导体。 4PN结 一块半导体,左边做成N型,右这做成P型, 两型的交界区域。

PN结特点: 宽度会变的,有单向导电性 正偏:电路上正极接PN结的正极. (P极) 电路上负极接PN结的负极. (N极) 反偏:电路上正极接PN结的负极. (P极) 电路上负极接PN结的正极. (N极)

Hale Waihona Puke 作业: 1、什么叫半导体?半导体有什么
特性?半导体为什么导电性能比导 体差比绝缘体好? 2、什么叫P型半导体?什么叫N型 半导体? 3、什么叫PN结? PN结有什么特 点?为什么有这个特点? 4、什么叫正偏?什么叫反偏?

5、半导体与金属有什么区别?
半导体是温度增高,电阻率变小,

CD段: 形状陡峭 意味着U绝对值增加 I绝对值也大大增加了。此时称为 击穿了。

6参数
(1)最大整流电流
几何意义: 正向曲线中点的纵坐标。 (2)反向工作峰值电压 击穿电 压的1/2或2/3处。

几何意义,反向曲线水平段中点的横
坐标。 (3)反向饱和电流 反向饱和电流。 几何意义 反 向曲线水平段的纵坐标。
作业: 1.什么叫二极管?二极管的特性是 什么? 2.默画一条二极管的伏安特性曲线, 在曲线上标出最大整流电流,反向 工作峰值电压,反向饱和电流三个 参数。试分析四段的形状,与意味。

而金属是温度增高,电阻率变大。 半导体同时存在着两种载流子:自 由电子和空穴。金属只有自由电子 一种载流子。
二· p185§7· 2· 3二极管的外特性:
1二极管:一种常见的具有单向导电
性的元件。 2结构:一个PN结,两端各加一根导 线,装上玻璃外壳做成。 3实物观看。
4种类:硅管
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