扩散3.1
第三章 扩散61
解扩散方程， Q x2 x2 N( x ) exp( ) N s exp( ) 4 Dt 4 Dt Dt －高斯分布 Q Ns ―表面浓度 Dt NS 1/ 2 结深 x j 2 Dt (ln ) NB
T一定, t ↑ Xj ↑Ns↓; t一定, T ↑ Xj ↑Ns↓; Q不变
质量守恒：单位时间内，相距dx两个平面(单位积)间， 杂质数的变化量等于通过两个平面的流量差。
N ΔJ 2N dx J 2 J 1 ΔJ dx D 2 dx t dx x
故
N 2N D 2 t x
--扩散方程
3.3 扩散杂质的浓度分布
3.3.1 恒定表面源(浓度)扩散
，
N s2
2 N s1
tg (
1
D1 t 1 D2 t 2质分布的其他因素
3.4.1 硅中的点缺陷
缺陷：任何对周期晶格形成扰动都称为“缺陷” ①面缺陷：层错、多晶的晶粒间界等； ②线缺陷：位错等； ③点缺陷：杂质原子产生的缺陷，如空位、间隙、间隙 原子团。 空位缺陷：晶格上缺失一个Si原子。 0 ①中性空位V ②带一个负电荷的空位V ③带两个负 电荷的空位V-- ④带一个正电荷的空位V+
图3.13 硅中空位的能带图
3.4 影响杂质分布的其他因素
3.4.2 扩散系数与杂质浓度的关系
① N<ni,D与N无关，称本征扩散系数Di； ② N>ni,D与N有关，称非本征扩散系数De。 空位浓度与掺杂浓度 ①V0与N无关 ；②高掺杂施主可使V-和V-2浓度增加； ③高掺杂受主可使V+浓度增加。 各种空位以不同方式与离化的掺杂原子相互作用，具 有不同的ΔE和D。 扩散系数与空位浓度成正比
化工原理传质知识点总结
化工原理传质知识点总结一、基本概念1.1 传质的意义传质是指物质在不同相之间的传递过程。
在化工工程中，传质是指溶质在溶剂中的扩散、对流、传热、反应等传输现象。
1.2 传质的分类传质可以根据溶质与溶剂之间的接触方式分为不同的分类：（1）扩散传质：溶质在溶剂中的自由扩散过程，不需要外力的帮助。
（2）对流传质：通过溶剂的对流运动，加快溶质的扩散速率。
（3）辐射传质：发射源释放的辐射物质在空气中传输的过程。
1.3 传质的单位在化工工程中，我们通常使用质量通量或摩尔通量来描述传质的速率。
质量通量用kg/(m^2·s)或g/(cm^2·min)表示，摩尔通量用mol/(m^2·s)或mol/(cm^2·min)表示。
1.4 传质的驱动力传质的驱动力可以通过浓度差、温度差、压力差等来实现。
在传质过程中，驱动力越大，传质速率越快。
1.5 传质的应用传质在化工工程中有着广泛的应用，例如在化学反应中，传质过程可以影响反应速率和产物浓度。
在洗涤、脱水、吸附等过程中，传质也起到重要的作用。
二、传质过程2.1 扩散传质扩散传质是指溶质在溶剂中的自由扩散过程，不需要外力的帮助。
扩散传质的速率与溶质浓度梯度成正比，与扩散距离成反比，与传质物质的性质、温度等因素有关。
2.2 对流传质对流传质是指通过溶剂的对流运动，加快溶质的扩散速率。
对流传质速率与对流速度和溶质浓度梯度成正比，与传质物质的性质、温度等因素有关。
2.3 质量传递系数质量传递系数是评价传质速率的重要参数，表示单位时间内溶质通过单位面积的传质速率。
它与溶质的性质、溶剂的性质、温度、压力等因素有关。
2.4 传质速率传质速率是指单位时间内溶质通过单位面积的传质量。
它由传质物质的性质、浓度梯度、温度、压力等因素决定。
三、传质原理3.1 扩散传质的原理扩散传质的原理是由于溶质在溶剂中的无规则热运动。
在热运动的影响下，溶质会沿着浓度梯度自行扩散，直到浓度均匀。
扩散&离子注入
横向扩散（扩散问题）：
Xj横＝（0.75～0.85）Xj纵
3.3 扩散工艺
1. 扩散方法 根据杂质源的不同进行分类： 1)、固态源扩散
2)、液态源扩散
3)、气态源扩散
3.3 扩散工艺
扩散常用杂质源 杂质 砷（As） 磷（P） 磷（P） 硼（B） 硼（B） 硼（B） 锑（Sb） 杂质源 AsH3 PH3 POCl3 B2H6 BF3 BBr3 SbCl5 化学名称 砷烷（气体） 磷烷（气体） 三氯氧磷（液体） 乙硼烷（气体） 三氟化硼（气体） 三溴化硼（液体） 五氯化锑（固体）
P2O5 ＋ Si → P ＋ SiO2
3.3 扩散工艺
液态源扩散系统
3.3 扩散工艺
3)、气态源扩散
气态杂质源一般先在硅片表面进行化学反应生成 掺杂氧化层，杂质再由氧化层向硅中预扩散。
以B掺杂为例： B2H6+2O2 →B2O3+3H2O 2H2O+Si →SiO2+2H2 2B2O3+3Si →4B+3SiO2
（b）替位式扩散
3.2 扩散原理
杂 质 在 硅 中 的 扩 散
3.2 扩散原理
3. 杂质扩散方程
非克（Fick）第一定律：
J为扩散粒子流密度，定义为单位时间通过单位面 积的粒子数， D为扩散系数，是表征杂质扩散快慢 的系数，N是扩散粒子的浓度。非克第一定律表达 了扩散的本质即温度越高，浓度差越大，扩散就越 快。
3.6 离子注入工艺原理
1. 离子注入参数
1) 注入剂量φ 注入剂量φ是样品表面单位面积注入的离子总数。单位： 离子/cm2 。
I为束流，单位是库仑每秒（安培） t为注入时间，单位是秒 q为电子电荷，等于1.6×10－19库仑 n为每个离子的电荷数 A为注入面积，单位为cm2
硅集成电路工艺基础3.pdf
第三章扩散扩散是微观粒子(原子、分子等)运动的普遍的物理现象。
扩散的动力是浓度的梯度，粒子从高浓度区向低浓度区进行热运动，使浓度分布趋于均匀。
扩散是半导体掺杂的重要方法之一，扩散方法首先由Pfann在1952年提出来，广泛应用于集成电路中，形成晶体管的基极、发射极、集电极，电阻，MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。
硅集成电路工艺中，采用SiO作为掩膜，进行选择性扩散。
2主要内容3.1、杂质扩散机构3.2、扩散系数与扩散方程3.3、扩散杂质的分布3.4、影响杂质分布的其他因素3.5、扩散工艺3.6、扩散工艺的发展3.7、与扩散有关的测量3.1、杂质扩散机构杂质原子的扩散方式有以下几种：①交换式：两相邻原子由于有足够高的能量，互相交换位置。
②空位式：由于有晶格空位，相邻原子能移动过来。
③填隙式：在空隙中的原子挤开晶格原子后占据其位，被挤出的原子再去挤出其他原子。
④在空隙中的原子在晶体的原子间隙中快速移动一段距离后，最终或占据空位，或挤出晶格上原子占据其位。
以上几种形式主要分成两大类：①替位式扩散。
②间隙式扩散。
杂质在硅中的固溶度：在给定温度下的最大杂质浓度P在硅中的扩散曲线B在硅中的扩散曲线多晶硅中的杂质扩散在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进行扩散。
主要有三种扩散模式：①晶粒尺寸较小或晶粒内的扩散较快，以至从两边晶粒间界向晶粒内的扩散相互重叠，形成如图A类分布。
②晶粒较大或晶粒内的扩散较慢，所以离晶粒间界较远处杂质原子很少，形成如图B类分布。
③与晶粒间界扩散相比，晶粒内的扩散可以忽略不计，因此形成如图C类分布。
所以多晶扩散要比单晶扩散快得多，其扩散速度一般要大两个数量级。
间隙式扩散¾间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质。
以间隙形式存在于硅中的杂质，主要是那些半径较小、不容易和硅原子键合的原子。
¾间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置的运动称为间隙式扩散。
2、半导体工艺原理-扩散
薄层电阻Rs（方块电阻） 表面浓度：扩散层表面的杂质浓度。
扩散层质量参数
方块电阻
方块电阻是标志扩散层质量的另一个重要参数， 一般用R□或Rs表示，单位是Ω/□ 。
2、恒定杂质总量扩散
扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散
过程中不再有杂质加入。假定扩散开始时硅片表面极薄一层内
单位面积的杂质总量为 QT ，杂质的扩散长度远大于该层厚度，
则杂质的初始分布可取为 函数，扩散方程的初始条件和边界
条件为
0 N (x, t)dx QT
N (,t) 0
2 NS1
D1t1 D2t2
exp
x
2 j
4 D2t2
NB
即可解得
xj 2
D2t2
ln
2 NS1
NB
1
D1t1 D2t2
2
A
D2t2
掺杂分布控制：
3.3 简单理论的修正
前面得出的扩散后的杂质分布是采用理想化假设的结果， 而实际分布与理论分布之间存在着一定的差异，主要有：
1、二维扩散（横向扩散） 实际扩散中，杂质在通过窗口垂直向硅中扩散的同时，也 将在窗口边缘沿表面进行横向扩散。考虑到横向扩散后，要得 到实际的杂质分布，必须求解二维或三维扩散方程。横向扩散 的距离约为纵向扩散距离的 75% ~ 80% 。由于横向扩散的存在， 实际扩散区域大于由掩模版决定的尺寸，此效应将直接影响到 VLSI 的集成度。
2、杂质浓度对扩散系数的影响
前面的讨论假定扩散系数与杂质浓度无关。实际上只有当 杂质浓度比扩散温度下的本征载流子浓度 ni(T) 低时，才可认 为扩散系数与掺杂浓度无关。在高掺杂浓度下各种空位增多， 扩散系数应为各种电荷态空位的扩散系数的总和。
材料科学基础--扩散
设晶面间距为，则1、2面附近的溶质 体积浓度为 n n
C1
1
; C2
2
;
由于两晶面距离很近
dC C C2 C1 n2 n1 ; 2 dx x dC n2 n1 2 dx
替换n1-n2得
dC J p dx
2
与扩散第一定律比较，得
D p
2 2
间隙扩散激活能是溶质原子跳动时所需的额外 内能。
（3）柯肯达尔效应
Mo 丝 标 记
在黄铜表面，敷上一 750oC加热 Cu+30%Zn 些很细的钼丝，然后 d Cu 在黄铜上镀铜。钼丝 就被包围在铜和α 黄 0.14 铜的分界面上。 将它们放在750℃保温，0.10 使Zn和Cu发生互扩散。0.06 发现钼丝向内移动， 扩散后黄铜界面上有 0.02 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 微孔 加 热 时 间 t1/2 / 天 1/2
2
0
令
0
2
4
x 2 Dt
x 2 Dt 0
c A exp(
2
)d B A
exp( 2 )d B
（3）成为
x C A erf B 2 Dt
利用边界条件，定出积分参数
C1 C2 C1 C2 x C erf 2 2 2 Dt
固态扩散的条件
扩散与原子热运动（点缺陷的运动）相关，因此必须 在满足以下条件才能实现 （1）温度足够高； （2）时间足够长； 对于互扩散，还要满足 （3）扩散原子能固溶； （4）具有驱动力：化学位梯度。
本章主要内容
扩散方程 扩散的微观机制 扩散的热力学 反应扩散 影响扩散系数的因素
扩散工艺
扩散工艺扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。
在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。
但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。
3．1 扩散机构3．1．1 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。
硼、磷、砷等是此种方式。
3．1．2 填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。
镍、铁等重金属元素等是此种方式。
3．2 扩散方程∂N / ∂t = D*2N / ∂x2N=N（x，t）杂质的浓度分布函数，单位是cm-3D：扩散系数，单位是cm2/s加入边界条件和初始条件，对上述方程进行求解，结果如下面两小节所诉。
3．2．1 恒定表面浓度扩散整个扩散过程中，硅片表面浓度NS 保持不变N（x，t）=NSerfc（x/（2*（Dt）1/2））式中erfc称作余误差函数，因此恒定表面浓度扩散分布符合余误差分布。
3．2．2．限定源扩散杂质源限定在硅片表面薄的一层，杂质总量Q是常数。
N（x，t）=（Q/（ Dt）1/2）*exp（-X2/4Dt）exp（-X2/4Dt）是高斯函数，因此限定源扩散时的杂质分布是高斯函数分布。
由以上的求解公式，可以看出扩散系数D以及表面浓度对恒定表面扩散的影响相当大3．2．3 扩散系数扩散系数是描述杂质在硅中扩散快慢的一个参数，用字母D表示。
D大，扩散速率快。
D与扩散温度T、杂质浓度N、衬底浓度N、扩散气氛、衬底晶向、缺陷等因素有关。
Bexp（-E/kT）D=DT：绝对温度；K：波尔兹曼常数；E：扩散激活能D：频率因子3．2．4 杂质在硅中的固溶度杂质扩散进入硅中后，与硅形成固溶体。
分子热运动和扩散现象的区别
分子热运动和扩散现象的区别1. 前言嘿，朋友们！今天咱们聊聊一些在科学课堂上听得头晕脑胀的概念：分子热运动和扩散现象。
听起来像是高大上的东西，其实，别怕！咱们用简单的方式，把它们一一搞明白。
分子热运动就像你我平时在家里打闹，扩散现象呢，像是在厨房里煮饭，香味四溢，邻居都能闻到。
准备好了吗？那就开始吧！2. 分子热运动2.1 什么是分子热运动？首先，分子热运动嘛，简单来说，就是那些小分子在热的情况下，像小朋友一样乱蹦乱跳。
你想象一下，当温度升高的时候，分子们就像喝了兴奋剂一样，活蹦乱跳，根本停不下来。
就好比夏天的孩子们在外面玩耍，根本不想回家吃饭。
这个运动是无处不在的，冰箱里的冰块、煮沸的水、甚至你在喝的饮料，里面的小分子都在不断地运动。
2.2 为啥会有分子热运动？那为什么会有这样的运动呢？嘿，原因可简单了。
其实，分子运动的强弱和温度有直接关系，温度高了，它们就像打了鸡血一样，越动越欢。
而温度低的时候，分子们就像冬天的熊，懒洋洋的，窝在自己的“家”里，根本不想动。
可见，温度和分子的热运动简直就是一对黄金搭档，像老夫老妻一样，不可分割。
3. 扩散现象3.1 扩散是什么？说到扩散现象，你可以把它想象成撒盐的过程。
你在汤里撒点盐，起初盐粒在汤底静静待着，但不久之后，它们就像小鸟一样飞出去了，整个汤都变得咸咸的。
这就是扩散现象，简单来说，就是分子从高浓度的地方向低浓度的地方移动，最终达到均匀分布的状态。
3.2 扩散的例子扩散现象其实随处可见。
比如你在一个密闭的房间里喷香水，起初可能只有香水喷的那一块有香味，但没过多久，整个房间就香飘四溢了。
这就是扩散在起作用！再比如，咱们炒菜的时候，加点醋，醋的味道会迅速在整个锅里传播开来，就像小小的分子们在开party一样，热热闹闹。
4. 分子热运动和扩散的区别4.1 二者的本质不同那么，这分子热运动和扩散现象到底有什么区别呢？首先，分子热运动是一种“内在”的运动，分子们自己在那儿忙活。
扩散率的单位-概述说明以及解释
扩散率的单位-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以根据具体要点进行描述，以下是一种可能的编写方式：概述部分旨在介绍扩散率及其相关概念，为读者提供清晰的背景信息和基础知识。
扩散率作为一个重要的物理量，在许多科学领域具有广泛的应用，例如物理、化学、生物学等领域。
它描述了物质在单位时间内从高浓度区域向低浓度区域的传播速率，被广泛用于研究物质传输、热传导、流体力学等过程。
在实际应用中，为了方便计量和比较，扩散率需要被具体量化并使用特定的单位来表示。
单位是对物理量进行度量、量值表示的标准，使得不同实验结果和理论计算可以统一进行比较和交流。
因此，扩散率的单位是至关重要的。
本文将重点讨论扩散率的单位，并通过详细的说明和示例说明如何计算和使用这些单位。
我们将从国际单位制（SI单位）出发，探讨扩散率的常见单位和其换算关系。
同时，也会介绍某些特定领域中使用的特殊单位，以及它们在该领域中的重要性和实际应用。
通过深入了解扩散率的单位，读者将更好地理解和应用扩散率，进而为相关领域的研究和实践提供科学的依据。
进一步理解和掌握扩散率的单位有助于推动相关学科的发展，并促进科学研究的交流与合作。
1.2 文章结构:本文主要分为三部分进行讨论。
首先，在引言部分（1.1），我将简要介绍扩散率的概念和其在实际应用中的重要性。
接下来，在正文部分（2），我将详细讨论扩散率的定义和计算方法，深入探讨扩散率在不同领域中的应用。
最后，在结论部分（3），我将强调扩散率的重要性，并进一步讨论扩散率的单位。
在正文部分的第一个小节（2.1），我将详细阐述扩散率的定义。
扩散率通常用于描述物质在时间和空间上的传播速率。
我将介绍扩散的基本原理和扩散率的数学定义，以便读者能够对其有一个清晰的了解。
接着，在正文部分的第二个小节（2.2），我将探讨扩散率的计算方法。
扩散率的计算方法因其所描述的系统不同而有所不同。
我将介绍几种常见的计算方法，如Fick定律和Einstein关系，并讨论它们的适用范围和局限性。
化学扩散定义
化学扩散定义【化学扩散定义】**开场白**嘿，朋友们！不知道你们有没有过这样的经历，比如在厨房做菜的时候，能闻到从锅里飘出来的香味慢慢充满整个房间；又或者是把墨水滴到水里，会看到墨水逐渐晕开。
其实呀，这些现象都和化学中的一个重要概念——扩散有关。
那到底什么是化学扩散呢？让咱们一起来探究探究。
**什么是化学扩散？**简单来说，化学扩散就是物质的分子或离子从高浓度区域向低浓度区域移动的过程。
就好像一群小朋友在操场上，人多的地方小朋友会往人少的地方跑，最后大家分布得比较均匀。
比如，在一个瓶子里，一边是浓盐水，一边是清水，如果把中间的隔板抽掉，过一段时间你就会发现盐水和清水混合得差不多了，这就是化学扩散。
但要注意，可别把扩散和简单的混合搞混了。
混合可能是人为的搅拌等外力作用导致的，而扩散是物质自身分子或离子的自发移动。
**关键点解析**3.1 核心特征或要素化学扩散有几个关键的要素。
首先是浓度差，这是扩散发生的动力。
浓度差越大，扩散的速度往往就越快。
就像山坡的坡度越大，球滚下来的速度就越快一样。
其次是分子或离子的热运动。
分子和离子总是在不停地运动着，这就为扩散提供了可能性。
想象一下，在一个热闹的集市上，人们走来走去，总有机会从人多的地方走到人少的地方。
还有就是扩散需要通过一定的介质。
比如气体在空气中扩散，溶质在溶液中扩散。
3.2 容易混淆的概念化学扩散容易和对流搞混。
对流是指通过流体的宏观流动来实现物质的转移。
比如烧开水的时候，热水向上流动，冷水向下流动，这是对流。
而扩散是分子或离子自身的微观运动。
再比如，在风的作用下，花粉从一处被吹到另一处，这是风引起的对流，而不是扩散。
**起源与发展**化学扩散的概念早在 19 世纪就被科学家们提出来了。
随着科学技术的不断进步，人们对扩散的研究也越来越深入。
从最初对简单气体和溶液中的扩散现象的观察，到现在能够在微观层面上研究原子、分子的扩散行为。
这不仅让我们对物质的性质有了更深刻的理解，也在材料科学、生物学等众多领域发挥着重要作用。
水凝胶_扩散_动力学_解释说明以及概述
水凝胶扩散动力学解释说明以及概述1. 引言1.1 概述水凝胶是一种具有高度吸水能力和保水性能的多孔材料，具有广泛的应用前景。
近年来，随着人们对于水凝胶特性及其在不同领域中的作用机制的深入研究，对水凝胶扩散动力学的解释和分析也变得尤为重要。
了解和掌握水凝胶中扩散现象的基本原理以及相关动力学模型对于进一步优化材料性能、开发新型应用具有重要意义。
1.2 文章结构本文将首先介绍水凝胶的特性，包括基本概念、结构与特点以及广泛应用的领域。
接着，我们将详细阐述扩散现象在水凝胶中的解释，包括扩散的基本原理、水凝胶中扩散机制以及影响扩散速率的因素。
随后，我们将介绍针对水凝胶扩散动力学研究所采用的研究方法和实验设计，并提供相应的动力学方程及其参数解释。
最后，我们将展示实验数据分析结果并与模型拟合进行比较，从而得出结论和展望未来的研究方向。
1.3 目的本文的主要目的是通过对水凝胶扩散动力学的解释说明和概述，全面理解水凝胶材料中扩散现象的基本原理及其在实际应用中的意义。
同时，通过对动力学模型进行分析和实验数据进行验证，探索更精确和可靠地预测水凝胶扩散行为的方法和手段。
我们希望该研究能够为水凝胶领域的进一步发展提供参考，并有助于推动材料性能优化与新应用开发。
2. 水凝胶的特性2.1 基本概念水凝胶是一种由水分子网状结构所构成的高分子材料。
它具有高度吸附性和保水能力，在吸水后可以形成稠密的凝胶体。
水凝胶通常由交联聚合物网络构成，其中的交联点可以增加其机械强度和稳定性。
此外，水凝胶还具有开放的孔隙结构，利于溶质分子在凝胶内部进行扩散。
2.2 结构与特点水凝胶的结构主要取决于其组成材料以及交联网络的类型和密度。
常见的水凝胶材料包括丙烯酸钠、聚乙二醇等。
这些材料通过化学反应或物理交联相互连接形成凝胶网络，从而赋予水凝胶其特殊的性质。
水凝胶具有以下几个显著特点：- 高度吸附性：由于其多孔结构和大表面积，水凝胶可以迅速吸收大量液体，并将其储存起来。
扩散理论在消费者行为研究中的应用
扩散理论在消费者行为研究中的应用一、扩散理论概述扩散理论是一种研究信息、产品、服务或创新如何在社会中传播的科学理论。
它起源于20世纪50年代，最初用于解释农业技术在农民中的传播过程。
随着时间的推移，这一理论逐渐被应用于更广泛的领域，包括市场营销、健康传播、教育等。
在消费者行为研究中，扩散理论帮助我们理解消费者如何接受和采纳新产品或服务。
1.1 扩散理论的核心概念扩散理论的核心概念包括创新、传播渠道、接受者和时间。
创新是指任何新的产品、服务或想法。
传播渠道是指信息传播的途径，可以是个人、群体或媒体。
接受者是指那些可能接受创新的个体或群体。
时间则是创新从被引入到被广泛接受所经历的过程。
1.2 扩散理论的应用场景扩散理论的应用场景非常广泛，包括但不限于以下几个方面：- 市场营销：企业通过理解消费者如何接受新产品，制定有效的市场推广策略。
- 健康传播：通过研究健康信息的传播过程，提高公众的健康意识和行为。
- 教育：教育工作者利用扩散理论了解新教育理念或教学方法的传播效果。
- 社会变革：社会活动家利用扩散理论推动社会变革和公众参与。
二、扩散理论的发展历程扩散理论的发展历程可以追溯到20世纪50年代，当时社会学家埃弗雷特·罗杰斯（Everett Rogers）首次系统地研究了农业技术在农民中的传播过程。
随着研究的深入，扩散理论逐渐被应用于更广泛的领域。
2.1 早期的扩散理论早期的扩散理论主要集中在农业技术传播的研究上。
罗杰斯通过对农民的调查和研究，提出了创新的五个关键特征：相对优势、兼容性、复杂性、可试验性和可观察性。
这些特征影响着创新的传播速度和范围。
2.2 扩散理论的扩展随着时间的推移，扩散理论被扩展到其他领域。
研究者开始关注消费者如何接受新产品或服务，以及这一过程中的各种因素。
例如，社会影响、个人态度、文化背景等都可能影响消费者的行为。
2.3 现代扩散理论现代扩散理论不仅关注产品或服务的传播，还关注其对消费者行为的影响。
固体金属的扩散
3.3 扩散的影响因素
由扩散第一定律可以看出，单位时间内扩散的快 慢主要取决于扩散系数D和浓度梯度。浓度梯度取决 于有关条件，因此在一定的条件下，扩散的快慢主要 取决于扩散系数。扩散系数与温度和扩散激活能等有 关，可用下式表示：
D = D0 e
Q / RT
（3-10）
其中，D为扩散系数， D0 为扩散常数，R为气体常数，Q为 扩散激活能，T为绝对温度。这表明，温度和能够改变 D0 、Q 的因素都影响着扩散过程。
= 1.6×1011 m2 / s = 2.08×10 m / s
2 17
D1200 = 4.4×10 e
Ni
表明：间隙原子碳的扩散系数比置换原子镍大的多。 3 晶体结构 不同的晶体结构具有不同的扩散系数。 在具有同素异晶转变的金属中，扩散系数随晶体结
构的改变会有明显的变化。例如铁在912℃时发生
扩散即原子由基态到激活态，并迁移到一定的 位置的现象。 二、固态扩散的类型： 按扩散过程中是否发生浓度变化分为：自扩散和 互扩散，自扩散即不伴随浓度变化的扩散，与浓度 梯度无关，只发生在纯金属和均匀固溶体中（如纯 金属的晶粒长大，大晶粒吞并小晶粒）；互扩散即 伴随有浓度变化的扩散，与异类原子的浓度差有关， 异类原子相互扩散，相互渗透，又称“化学扩散”。 按扩散方向与浓度梯度的方向的关系分为：下坡 扩散和上坡扩散，下坡扩散是沿着浓度降低的方向
D1200 = 2.0 × 10 5 e D1300 = 2.0 × 10 5 e
140 ×10 3 8.31×1200 140 ×10 3 8.31×1300
= 1.6 × 10 11 m 2 / s = 4.8 × 10 11 m 2 / s
结论：温度提高了一百摄氏度，扩散系数增大了 三倍 2 固溶体类型 不同类型的固溶体，原子的扩散机构是 不同的。一般间隙固溶体的扩散激活能比置换固溶体 的扩散激活能小，如碳、氮在钢中组成的间隙固溶体， 其激活能比组成置换固溶体的铬、镍等要小得多
3.1分子扩散基本定律
1
（3）以主体速度表示的质量通量
硅 酸 盐 工 业 热 工 基 础
Au
Bu B (mA mB )
1 C Aum C A C Au A CBuB y A ( N A N B ) C
1 Au A BuB A
与固体结构有关当固体内部孔道的直径d远大于流体分子运动自由程入时一般d100时则扩散时扩散分子之间的碰撞机会远大于与壁面之间的碰撞扩散仍遵循斐克定律称fick型扩散97dzdc根据分子动理论代入得为克努森扩散通量方程当固体内部的孔道直径d小于气体分子运动的平均自由程时一般100d扩散物质a通过孔道的扩散阻力将主要取决于分子与壁面的碰撞阻力此种扩散现象称为克努森扩散
uA u uA um
uA um
绝对速度= 主体流动速度+扩散速度
多元混合物的质量平均速度
iui u i 1
n
1
4．扩散通量
硅 酸 盐 工 业 热 工 基 础
传质通量（又称传质速率）是指在垂直于速度方向上， 单位面积单位时间内所通过的物质的数量，如质量通 量kg/(m2· s)或摩尔通量mol/(m2· s)等。
D2, AB D0, AB
p0 T T p 0
1.75
1
液体
硅 酸 盐 工 业 热 工 基 础
若已知温度为T1、溶剂粘度为 μB1条件下的液体扩散系数 D1,AB， 则可根据下式推算T2与 μB2条件下的D2,AB
D2, AB
B1 T2 D1, AB T B 2 1
nA , nB －－组分A,B在容积V中具有的物质的量
1
扩散系数总结
扩散系数总结1.离⼦液体在其他溶剂中的扩散系数7. 五种1-⼄基-3-甲基咪唑型离⼦液体在⽔溶液中⽆限稀释，温度范围303.2-323.2K下的扩散系数Taylor dispersion method 9. 甲醇/[BMIM][PF6]体系中，25℃下不同[BMIM][PF6]浓度的相互扩散系数42. [C4C1im]BF4, [C4C1im][N(OTf)2]，[C4C1im]PF6三种离⼦液体在甲醇，CH2Cl2中的扩散系数2.其他物质在离⼦液体中的扩散系数2.1 具有氧化还原活性的分⼦在离⼦液体中的扩散系数5. ⽔在离⼦液体[BMIM][TFSI] 中的反常扩散6. 三碘化物在混合离⼦液体中的扩散系数MPII,EMIC,EMIDCA,EMIBF4,EMINTf2 14. CO,DPA,DPCP在不同离⼦液体中的扩散系数17.CO2在离⼦液体中的扩散系数41.⽓体在[BMIM][PF6]中的扩散系数和离⼦液体的⾃扩散系数20. ⽓体在五种鏻型离⼦液体中的扩散系数21. 25℃下三碘化物在两种离⼦液体混合物中的扩散系数43 1,1,1,2-tetrafluoroethane (R-134a)在七种离⼦液体中的扩散系数3.离⼦液体的⾃扩散系数3.1 1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ([emim][BF4]) 和LiBF4混合Li BF4六种不同浓度下离⼦的⾃扩散系数3. EMIBF4，EMITFSI，BPBF4，BPTFSI中阳离⼦和阴离⼦的⾃扩散系数4. 咪唑型离⼦液体分⼦动⼒学模拟⾃扩散8. [BMIM][PF6] （⾃制和购买两种）在不同温度下的⾃扩散系数10. 胍基型离⼦液体的⾃扩散研究模型11. [bmim][PF6]的分⼦动⼒学研究12.N-methyl-N-propyl-pyrrolidinium bis-(trifluoromethanesulfonyl)imide (PYR13TFSI)和LiTFSI混合体系中不同温度和组成下离⼦的⾃扩散系数13.(1? x)(BMITFSI), x LiTFSI x＜0.415. 质⼦传递的离⼦液体的⾃扩散系数16. DEME-TFSA和DEME-TFSA-Li 的⾃扩散系数18 ⽤pulsed field gradient NMR测离⼦液体和离⼦液体混合物的传递性质41.⽓体在[BMIM][PF6]中的扩散系数和离⼦液体的⾃扩散系数25. 离⼦液体不同侧链长度对扩散的影响1. 离⼦液体在其他溶剂中的扩散系数2. 其他物质在离⼦液体中的扩散系数2.1 具有氧化还原活性的分⼦在离⼦液体中的扩散系数离⼦液体1-butyl-3-methylimidazolium bis-(trifluoromethylsulfonyl)amide [BMIM][TFSI] butyltriethylammoniumbis(trifluoromethylsulfonyl)amide) [Et3BuN][TFSI]N-methyl-N-butylpyrrolidinium bis{(trifluoromethyl)sulfonyl}-amide [Pyr][TFSI]被测的氧化还原对Dodzi Zigah, Jalal Ghilane, Corinne Lagrost, and Philippe Hapiot .Variations of diffusion coefficients of redox active molecules in room temperature ionic liquids upon electron transfer. J. Phys. Chem. B, 2008, 112 (47), 14952-14958 3. 离⼦液体的⾃扩散系数3.1 1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ([emim][BF4]) 和LiBF4混合Li BF4六种不同浓度下离⼦的⾃扩散系数Fig.1 Arrhenius plots of the self-diffusion coefficients for (a) Li, (b) BF4, and (c) [emim].在[emim][BF4]中，尽管[emim]分⼦⼤⼩⽐[BF4]⼤，但是[emim]扩散⽐[BF4]稍微快⼀点，说明[BF4]不是以单个离⼦扩散的。
扩散工艺
2020/3/9
• 扩散是向半导体中掺杂的重要方法 之一，也是集成电路制造中的重要工艺。
• 目前扩散工艺以广泛用来形成晶体 管的基极、发射极、集电极，双极器件 中的电阻，在MOS制造中形成源和漏、 互连引线，对多晶硅的掺杂等
随空间变化相同－－连续性方程
N J
t
x
2-2
扩散方程为：
N D 2 N (x, t) 2-3
t 2020/3/9
x2
以上2－1，2－3为Fick’s扩散第 一、第二定律。
考虑施加恒定电场E时：
N t
D
2 N (x, t) x2
E
N (x, t) x
2020/3/9
6
7
3 1
5 4
2
间隙杂质运动
2020/3/9
• 3、间隙杂质要从一个间隙位置运动到 相邻的间隙位置上，必须要越过一个势 垒，势垒高度Wi一般为0.6~1.2ev。
• 4、间隙杂质只能依靠热涨落才能获得 大于Wi的能量，越过势垒跳到近邻的间 隙位置上。
• •
5温、度跳升跃高率时：PPi指i=数v 0e地-w增i/kT加。
2020/3/9
§3.3 扩散杂质的分布
1.恒定表面源扩散 扩散过程中，硅片表面杂质浓度始 终不变这种类型的扩散称为恒定表面源 扩散。 其扩散后杂质浓度分布为余误差函数 分布
2020/3/9
2020/3/9
2. 有限表面源扩散 扩散散前在硅片表面先淀积一层 杂质，在整个过程中，这层杂质作 为扩散源，不再有新源补充，杂质 总量不再变化。这种类型的扩散称 为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数 分布
固体在金属中的扩散
固体在⾦属中的扩散第三章固体⾦属中的扩散物质的迁移可通过对流可扩散两种⽅式进⾏。
在⽓体和液体中物质的迁移⼀般是通过对流和扩散来实现的。
但在固体中不发⽣对流，扩散是唯⼀的物质迁移⽅式，其原⼦或分⼦由于热运动不断地从⼀个位置迁移到另⼀个位置。
扩散是固体材料中的⼀个重要现象，诸如⾦属铸件的凝固及均匀化退⽕，冷变形⾦属的回复和再结晶，陶瓷或粉末冶⾦的烧结，材料的固态相变，⾼温蠕变，以及各种表⾯处理等等，都与扩散密切相关。
要深⼊地了解和控制这些过程，就必须先掌握有关扩散的基本规律。
研究扩散⼀般有两种⽅法：①表象理论——根据所测量的参数描述物质传输的速率和数量等；②原⼦理论——扩散过程中原⼦时如何迁移的。
本章主要讨论固体材料中扩散的⼀般规律、扩散的影响因素和扩散机制等内容。
固体材料设计⾦属、陶瓷和⾼分⼦化合物三类；⾦属中的原⼦结合是以⾦属键⽅式；陶瓷中的原⼦结合主要是以离⼦键⽅式为主；⽽⾼分⼦化合物中的原⼦结合⽅式是共价键或氢键结合，并形成长链结构，这就导致了三种类型固体中原⼦或分⼦扩散的⽅式不同，描述它们各⾃运动⽅式的特征也是本章的主要⽬的之⼀。
3.1扩散定律及其应⽤3.1.1菲克第⼀定律当固体中存在着成分差异时，原⼦将从浓度⾼处向浓度低处扩散。
如何描述原⼦的迁移速率，阿道夫?菲克(Adolf Fick）对此进⾏了研究，并在1855年久得出：扩散中原⼦的通量与质量浓度梯度成正⽐，即该⽅程称为菲克第⼀定律或扩散第⼀定律。
其中，J为扩散通量，表⽰单位时间内通过垂直于扩散⽅向x的单位⾯积的扩散物质质量，其单位为kg⁄(㎡·s)；D为扩散系数，其单位为㎡⁄s；⽽ρ是扩散物质的质量浓度，其单位为kg⁄m3。
式中的负号表⽰物质的扩散⽅向与质量浓度梯度dρ⁄dx⽅向相反，即表⽰物质从⾼的质量浓度区向低的质量浓度区⽅向迁移。
菲克第⼀定律描述了⼀种稳态扩散，即质量浓度不随时间⽽变化。
史密斯(R.P.Smith)在1953年发表了运⽤菲克第⼀定律测定碳在у-Fe中的扩散系数的论⽂，他将⼀个半径为r，长度为l的纯铁空⼼圆筒置于1000℃⾼温中渗碳，即筒内和筒外分别渗碳和脱碳⽓氛，经过⼀定时间后，筒壁内各点的浓度不再随时间⾯变化，满⾜稳态扩散的条件，此时，单位时间内通过管壁的碳量q⁄t为常数。
diffusion原理
Diffusion原理引言Diffusion（扩散）是物理学中的一个基本概念，指的是物质在空间中由高浓度区域向低浓度区域移动的过程。
这个现象广泛应用于自然和人造系统中，如化学反应、热传导、质量传递等。
本文将详细探讨Diffusion原理及其相关概念。
一、Diffusion的定义和特点Diffusion是指物质从高浓度区域向低浓度区域的无序运动。
它有以下特点：1.无需外力推动：Diffusion是一种自发过程，不需要外界施加力或能量来推动物质的传递。
2.高位势向低位势：物质在Diffusion过程中会按照其浓度梯度从高位势区域向低位势区域移动，以达到全局平衡状态。
3.分子间作用：Diffusion的驱动力是分子间的相互作用，如热运动、压力差、电位差等。
4.扩散速率与浓度梯度成正比：Diffusion过程的速率与浓度梯度成正比，浓度梯度越大，扩散速率越快。
二、Diffusion的数学模型Diffusion过程可以通过数学模型来描述，其中最常用的是Fick’s law（费克定律），它可以以数学方程的形式表示为：其中，J表示物质的扩散通量，单位为质量/时间/面积；Δc表示浓度梯度，单位为质量/体积；D表示扩散系数，单位为面积/时间。
Fick’s law告诉我们，Diffusion的速率（扩散通量）正比于浓度梯度，并与扩散系数成反比。
三、Diffusion的应用领域Diffusion原理在许多领域有着广泛的应用，下面列举了其中的几个重要应用领域。
3.1 化学反应Diffusion在化学反应中起着重要的作用。
在反应中，反应物分子会通过Diffusion到达反应的活性中心，使得反应可以进行。
化学反应的速率常常与Diffusion速率有直接关系。
3.2 热传导热传导是指热量从高温区域向低温区域通过Diffusion的方式传递的过程。
热传导广泛应用于材料科学和工程领域，在导热材料的设计和热处理过程中起着重要的作用。
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C1 C 2 Cs 2
②扩散的抛物线规律：如要求距焊接面为x处的浓度达 到C，则所需要的扩散时间可由 计算
x K Dt
K是与晶体结构有关的常数。此式表明，原子的扩散距 离与时间呈抛物线关系。
③应用误差函数去解决扩散问题时，对于初始浓度曲线上 只有一个浓度突变台阶（相当于有一个焊接面），这时可 以将浓度分布函数写成 x C A Berf 2 Dt 然后由具体的初始和边界条件确定出比例常数A和B
§3.2 扩散的微观理论与机制
3.2.1 原子跳动和扩散距离
现象
1 扩散机制 间隙－间隙； （1）间隙机制 平衡位置－间隙－间隙：较困难； 间隙－篡位－结点位置。 （间隙固溶体中间隙原子的扩散机制。）
第三节 扩散的微观机理与现象
（2）空位机制
方式：原子跃迁到与之相邻的空位； 条件：原子近旁存在空位。 （金属和置换固溶体中原子的扩散。）
3 扩散的驱动力与上坡扩散 （1）扩散的驱动力 对于多元体系，设n为组元i的原子数，则在等温 等压条件下，组元i原子的自由能可用化学位表示： μi=G/ni 扩散的驱动力为化学位梯度，即: F=-μi/x 负号表示扩散驱动力指向化学位降低的方向。
第三节 扩散的微观机理与现象
3 扩散的驱动力与上坡扩散
第三节 扩散的微观机理与现象
直接换位 （3）换位机制 环形换位 （所需能量较高）
第三节 扩散的微观机理与现象
2 扩散程度的描述
（1）原子跃迁的距离 R=√Гt R: 扩散距离； Г：原子跃迁的频率（在一定温度下恒定）； : 原子一次跃迁距离（如一个原子间距）。
第三节 扩散的微观机理与现象
在Zn-Cu互扩散中，低熔点组 元Zn和空位的亲和力大，易换 位，这样在扩散过程 中，从Cu 中流入到黄铜中的空位就大于从 黄铜中流入到铜中的空位数量。 换句话说，存在一个从铜到黄铜 的净空位流，结果钼丝向右移动。
2). 该效应说明，在扩散系统中每一种组元都 有自已的扩散系数，由于JZn> JCu，因此 DZn> DCu。注意这里所说的DZn、DCu 均不 同于Fick定律中所用的扩散系数D。
或者简记为
C 2 D C t
3.1.3 扩散第二定律的解及其应用
一、误差函数解 适合于无限长或者半无限长物体的扩散。扩散物体 长度比扩散区长得多 二、高斯函数解 （1）扩散过程中扩散元素质量保持不变 （2）扩散开始时扩散元素集中在表面，象一层薄 膜，也称为薄膜解。
三、正弦解 适用于铸造合金中的晶内偏析
适用条件： 限定扩散源、衰减 薄膜源（扩散物质 总量M不变； t=0,c=0) 例：半导体Si中P 的掺杂。
薄膜扩散源的浓度随距离及时间 的变化，数字表示不同的Dt值
三、正弦解
Cx,t=Cp+A0sin(πx/λ)exp(-π2Dt/λ2)
Cp:平均成分；A0：振幅Cmax- Cp；λ:晶粒间距的一 半。 例：对于均匀化退火，若要求晶粒中心成分偏析 振幅降低到1/100,则： [C(λ／2,t)- Cp]/( Cmax-Cp) =exp(-π2Dt/λ2)=1/100
（2）扩散的热力学因子 组元i的扩散系数可表示为 Di=KTBi(1+lni/lnCi) 其中，(1+lni/lnCi)称为热力学因子。 当(1+ ln i /lnC i )<0 时， D i <0,发生上坡扩散。
第三节 扩散的微观机理与现象
3 扩散的驱动力与上坡扩散
（3）上坡扩散 概念：原子由低浓度处向高浓度处迁移的扩散。 驱动力：化学位梯度。 其它引起上坡扩散的因素： 弹性应力的作用-大直径原子跑向点阵的受拉部分， 小直径原子跑向点阵的受压部分。 晶界的内吸附-某些原子易富集在晶界上。 电场作用-大电场作用可使原子按一定方向扩散。
③当 C / x 0 J = 0，表明在浓度均匀的系统中， 尽管原子的微观运动仍在进行，但是不会产生 宏观的扩散现象，这一结论仅适合于下坡扩散 的情况。 ④ 在扩散第一定律中没有给出扩散与时间的关系， C / 时的稳态扩散， t0 故此定律适合于描述 即在扩散过程中系统各处的浓度不随时间变化。
将坐标原点x＝0选在薄膜处，原子扩散方向x 垂直于薄膜，确定薄膜解的初始和边界条 件分别为 t＝0时： x | 0, C ( x, t ) 0; x 0, C ( x, t ) |
t≥0时：x , C ( x, t ) 0
二、高斯函数解(薄膜解）
x2 C exp( ) 4Dt 2 Dt M
一、误差函数解 （1）无限长长物体的扩散 （2）半无限长物体的扩散
（1）无限长扩散偶的扩散
初始条件和边界条件分别为 t＝0时：
x 0, C C2 ; x 0, C C1
t≥0时：
无限长扩散偶中溶质原子分布
x , C C2 ; x , C C1
C1 C2 C1 C2 x C erf 2 2 2 Dt
3.1 扩散定律及其应用
3.1.1 扩散第一定律 菲克(Fick A)第一定律 （1）第一定律描述： 单位时间内通过垂直于 扩散方向的某一单位面 积截面的扩散物质流量 （扩散通量J）与浓度 梯度成正比。
（2）表达式： J=-D(dc/dx) ----菲克第一定律或称 扩散第一定律
式中， J为扩散通量，表示扩散物质通过单位截面的 流量，单位为物质量/m2.s； x为扩散距离； C为扩散组元的体积浓度，单位为物质量/m3； C / x 为沿x方向的浓度梯度； D为原子的扩散系数，单位为m2/s。 负号表示扩散由高浓度向低浓度方向进行。
第三节 扩散的微观机理与现象
2 扩散程度的描述
（3）扩散激活能 间隙扩散扩散激活能与扩散系数的关系 D=D0exp(-Q/RT) D0：扩散常数。 空位扩散激活能与扩散系数的关系 D=D0exp(-△E/kT) △E=△E f (空位形成功)+△Em（空位迁移激活能）。
第三节 扩散的微观机理与现象
第三章 固体中的扩散
当某些原子具有足够高的能量时，便会离开原 来的位置，跳向邻近的位置，这种由于物质中 原子（或者其他微观粒子）的微观热运动所引 起的宏观迁移现象称为扩散。
物质传输的方式： 1、对流--由内部压力或密度差引起的 2、扩散--由原子热运动引起的 气态和液态物质传输/原子迁移可以通过对流 和扩散两种方式进行，对流要比扩散快得多。
2 扩散程度的描述
（2）扩散系数
D=2PГ 对于立方结构晶体P=1/6, 上式可写为 D= 2Г/6 P为跃迁方向几率； 是常数，对于简单立方结构 ＝a; 对于面向立方结构＝√2a/2; ＝√3a/2。
第三节 扩散的微观机理与现象
2 扩散程度的描述 （3）扩散激活能 扩散激活能Q:原子 跃迁时所需克服周 围原子对其束缚的 势垒。
J x J x x m xAt x 当Δx→0，Δt→0时，上式则为
原子通过微元体的情况
C J t x
将扩散第一方程代入上式，得
菲克第二定律或称扩散第二定律
C C (D ) t x x
C C D 2 t x
2
扩散系数一般是浓度的函数， 当它随浓度变化不大或者浓度很 低时，可视为常数，故可简化为
§3.3柯肯达尔效应
Cu-Zn，Cu-Sn，Cu-Au，Ag-Cu， Ag-Zn，Ni-Co，Ni-Cu，Ni-Ca，Ni-Au等 置换固溶体中部分发生柯肯达尔效应。
该效应揭示了扩散宏观规律与微观机 制的内在联系，具有普遍性。在扩散 理论的形成过程中及生产实践中都有 十分重要的意义： 1). 该效应否定了置换式固溶 体扩散的换位机制，支持了空位的机 制。
⑤ 扩散第一定律不仅适合于固体，也适合于液体 和气体中原子的扩散。
பைடு நூலகம்.1.2 扩散第二定律
但实际的绝大部分扩散属于非稳态扩散
这时系统中的浓度不仅与扩散距离有关， 也与扩散时间有关， 即
C ( x, t ) / t 0
则在Δt时间内微元体中累积的 扩散物质量为：
m ( J x A J xx A)t
（2）半无限长物体的扩散
列出此问题的初始和边界条件分别为 t＝0时：x 0, C C0
x t＞0时： 0, C Cs ; x , C C0
x C C0 (Cs C0 )1 erf 2 Dt
二、高斯函数解(薄膜解）
分析晶体中原子运动的特点
从统计意义上讲，在某一时刻，大 部分原子作振动，个别原子作跳动；对一 个原子来讲，大部分时间它作振动，某一 时刻它发生跳动。显然，晶体中的扩散过 程即是原子在晶体中无规则跳动的结果。 换句话说，只有原子发生从阵点位置到阵 点位置的跳动，才会对扩散过程有直接的 贡献。
假设原子的跳动频率是Г即每秒跳动 Г次，跳动距离为r，则扩散系数 D=α Гr2 α是决定于物质结构的几何参数。 上式称为爱因斯坦方程，它的重要 性在于建立了扩散系数与微观量跳 动频率Г、跳动距离r之间的联系。
固态物质传输/原子迁移的唯一方式是扩散 固态物质中的扩散与温度有很强的依赖关系， 温度越高，原子扩散越快。
本章主要内容:
扩散的宏观规律：扩散物质的浓度分布与 时间的关系 扩散的微观机制：扩散过程中原子或分子 迁移的机制
扩散可以分以下四种类型： ① 化学扩散和自扩散： 扩散系统中存在浓度梯度的扩散称为化学扩散，没有浓度 梯度的扩散称为自扩散，如纯金属的自扩散。 ② 上坡扩散和下坡扩散： 扩散系统中原子由浓度高处向浓度低处的扩散称为下坡扩 散，由浓度低处向浓度高处的扩散称为上坡扩散。 ③ 短路扩散： 原子在晶格内部的扩散称体扩散或晶格扩散，沿晶体中缺 陷进行的扩散称短路扩散。短路扩散比体扩散快得多。 ④ 相变扩散： 原子在扩散过程中由于固溶体过饱和而生成新相的扩散称 为相变扩散或称反应扩散。