带开孔金属腔体内部耦合场强分布的实验研究

合集下载

1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

２１００年９月
带开孔金属腔体内部耦合场强分布的实验研究
夏志勇，辉胡新肖集雄徐晓英王，，，
（武汉理工大学理学院，北武汉１湖４０７；３００２武汉大学电气工程学院，湖北屏蔽效能的研究日益成熟，种有效的提高带开孔金属腔体屏蔽效能的方法关各
作用．
关键词：电磁屏蔽；金属腔体；强分布；场孔缝耦合
中图分类号：４１５Ｏ４．文献标志码：Ａ文章编号：Ｏ０１６（０００ — ０８ — ０１０ — ５５２１）５４１４
ＥｘｒｍｅａｓａｃｎＣｏｐｉｇＦｉｌｓｒｂｕｉｎｉｐｅｉｎｔｌＲｅｅｒｈｏｕｌｎｅｄＤｉｔｉｔｏｎ
第３０卷
第５期
河北大学学报（自然科学版）
ｏｆＪｕｎｌｅｅｎｉｅｓｔ（ａｕａｉｎｃｔｏｎ）ｏｒａＨｂｉＵｖｒｉｙＮｔｒｌＳｃｅｅＥｄｉｉ
Ｖｏｌ３．５＿ＯＮｏ
Ｓｅ２０ｐ．０１
ｉｏｍｅｇｕｉｎｅｆｒｅｅｔｏｃｄｅｉｅｔｅａａｔｏｐａｅｃｒｅｔｙｔｎｇｓｄａｃｏｌｃｒｎｉｖｃｓｗｉｈｍｔｌｃｖｉｙｔｌｃｏｒｃｌｈｅＰＣＢｅｉｉｅｃｍｐ — ｏｒｓｎｓｔｖｏｏ
ｎｅｎｔｓ．
Ｋｅｒｓ：ｌｃｒｍａｙｗｏｄｅｅｔｏｇｎｅｉｈｅｄｉｔｃｓｉｌｎｇ；ｍｅａａｔｔｌｃｖｉｙ；ｆｅｄｄｓｒｂｉｉｌｉｔｉｕｔｏｎ；ａｒｕｒｏｌｎｇｐｅｔｅｃｕｐｉ
摘要：入射频率ｌ０１００ＭＨｚ内通过矩形开孔耦合入金属腔体内部的场强分布进行了实验研对Ｏ～０究，析了矩形开孔尺寸与发生谐振现象时腔体内部场强分布间的关系，从理论角度定量研究腔体内部耦分为合场强分布提供了实验依据，电子设备金属腔体内的ＰＢ板或敏感元器件的放置方式起到一定的指导对Ｃ
ＭｅａｖｔｔｔｌＣａｉｙｗｉｈＡｐｅｔｒｒｕｅ
ＸＩＺｈｉｏｎ，ＷＡＮＧｉＡｙｇＨｕ，ＨＵＸｉ，ＸｌｎＡＯｉｏｎ，ＸＵａｏｙｎＪ— ｘｉｇＸｉ — ｉｇ
（ｈｏｌｏｃｅｅ，ＷｕｎＵｎｉｅｓｔｃ１ＳｃｏｆＳｉｎｃｈａｖｒｉｙｏｆＴｅｈｎｏｏｇｌｙ，Ｗｕｎ４０００，ｈａ３７Ｃｈｉｎａ；２ｃｏｆＥｌｃｒｃｌＥｎｎｅｉｇ，ＷｕｈｎＵｎｉｒｉｙ，Ｗｕｈａ００，．Ｓｈｏｌｏｅｔｉａｇｉｅｒｎａｖｅｓｔｎ４３０７Ｃｈｉ）ｎａ
ｓｐｂｅｗｅｎｔｅｓｚｅｔｎｇｌｐｅｔｒｓａｄｆｅｄｄｓｒｂｉｔｔｉｅｗｈｅｈｅｒｓｎａｃｈｅｏｅｈｉｔｅｈｉｅｏｆｒｃａｅａｒｕｅｎｉｌｉｔｉｕｔｏｎａｈｅｔｍｎｔｅｏｎｅｐｎｍ — ｎｏｓｈａｐｅｄｗａｎｌｅｎｔｓｐａｅ，ａｌｏｉｈｐｒｉｄｅｐｅｉｅａｖｄｎｃＯｑａｉａｉｅｎｗａｐｎｅｓａａｙｚｄｉｈｉｐｒｌｆｗｈｃｏｖｄｅｘｒｍｎｔｌｅｉｅｅｔｕｎｔｔｔｖｓｕｏｕｉｉｌｉｔｉｔｏｎｃｖｔｔｅｔｅｉｈｅｒ．Ｔｈｅｅｐｅｉｎｔｌｓｕｄｉｓａｉ — ｔｄｙｏｎｃｐｌｎｇｆｅｄｄｓｒｂｕｉｎｉａｉｙｗｉｈａｐｒｕｒｎｔｏｙｘｒｍｅａｔｙａｍｔｇｖ
ＡｂｔａｔＴｈｅｆｅｄｄｉｔｉｔｏｈｉｈｃｕｐｅｈｒｕｇｈｅｒｃａｇｌｐｅｔｒｎｏｍｅａａｉｙｗａｅｓｒｃ：ｉｌｓｒｂｕｉｎｗｃｏｌｄｔｏｈｔｅｔｎｅａｒｕｅｉｔｔｌｃｖｔｓｒ — ｓａｃｄａｃｄｉＯｔｘｐｒｍｅｈｉｈｎｉｅｒｑｎｙｒｎｇｓ１０ｔ１００ＨｚＴｈｅｒｌｔｏｎｅｒｈｅｃｏｒｎｇｔｈｅｅｅｉｎｔｗｃｉｃｄｎｔｆｅｕｅｃａｅｗａ０ｏ０Ｍ．ｅａｉ —