常用场效应管参数及代换

常用场效应管参数及代换
场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用来放大和控制
电流的电子元件。

它是由一个金属门极与两个半导体区域（源极和漏极）
组成。

在常见的场效应管中，有三种主要类型：结型场效应管（JFET），
增强型场效应管（MOSFET）和绝缘栅极场效应管（IGBT）。

本文将重点介
绍增强型场效应管（MOSFET）的常用参数及其代换方法。

一、常用参数
1.电流参数
(i)静态漏极电流（IDSS）：在门极电压VGS=0时，漏极电流的值。

(ii) 静态漏极电流温度系数：静态漏极电流随温度变化的变化率。

(iii) 动态漏极电流（ID）：在特定的电压和温度条件下，从漏极流
出的电流的值。

2.电压参数
(i)额定漏极到源极电压（VDS）：漏极和源极之间的最大电压。

(ii) 额定源极到栅极电压（VGS）：源极和栅极之间的最大电压。

(iii) 阈值电压（VT）：当栅极电压超过阈值电压时，通道开始导电。

(iv) 栅极欠压（VGS（th））：栅极电压低于这个电压时，场效应管
处于截止区。

(v) 漏极饱和电压（VDS（sat））：漏极电压达到饱和时，在这个电
压下，漏极与源极之间的电流达到最大值。

(vi) 最大可承受漏极电流（IDM）：超过这个电流值时，场效应管可能损坏。

3.输入参数
(i) 栅极输入电容（Cgs）：栅极和源极之间的电容。

(ii) 栅极反向传导（gfs）：源极电流变化与栅极电压变化之间的比例关系。

4.输出参数
(i) 漏极输出电容（Cds）：漏极和源极之间的电容。

(ii) 漏极跟随导纳（gd）：漏极电流变化与漏极电压变化之间的比例关系。

5.尺寸参数
(i)源极宽度（W）：源极沿着通道长度方向的尺寸。

(ii) 通道长度（L）：源极和漏极之间的距离。

二、代换方法
1.输出导纳代换
场效应管的漏极跟随导纳gd可以用其中一个公式进行代换：
gd ≈ 2IDSS/VGS（th）
2.输出电容代换
输出电容Cds可以用其中一个公式进行代换：
Cds ≈ CM + CGS x VDS/VGS
其中CM是一个常数，等于通道本身的电容，CGS是栅极和源极之间
的电容。

3.输入电容代换
输入电容Cgs可以用其中一个公式进行代换：
Cgs ≈ CGD + COSS x VDS/VGS
其中CGD是栅极和漏极之间的电容，COSS是漏极和源极之间的电容。

4.动态漏极电流代换
场效应管的动态漏极电流ID可以用其中一个公式进行代换：
ID ≈ gm x (VGS - VGS（th）) - gd x VDS
其中gm是透过的功率传递系统的前向传导导纳。

5.阈值电压代换
场效应管的阈值电压VT可以用其中一个公式进行代换：
VT ≈ VGS（th）+ γ x (VDS - VGS（th）)
其中γ是一个常数。

以上是常用的增强型场效应管参数及其代换方法。

理解这些参数和代
换方法有助于设计和优化场效应管的应用。