计算机组成原理习题 第三章存储系统

计算机组成原理习题第三章存储系统
第三章习题
一、填空题：
1. 广泛使用的A.______和B.______都是半导体随机读写存储器。

前者速度比后者
C.______，集成度不如后者高。

2. CPU能直接访问A.______和B.______,但不能直接访问磁盘和光盘。

3. 广泛使用的 ______和 ______都是半导体随机读写存储器,前者比后者
速度快, ___ ___不如后者高。

它们断电后都不能保存信息。

4. 由于存储器芯片的容量有限，所以往往需要在A.______和B.______两方面进行扩
充才能满足实际需求。

5. Cache是一种A______存储器，是为了解决CPU和主存之间B______不匹配而采用
的一项重要的硬件技术。

6. 虚拟存贮器通常由主存和A______两级存贮系统组成。

为了在一台特定的机器上执行程序，必须把B______映射到这台机器主存贮器的C______空间上，这个过程称为地址
映射。

7. 半导体SRAM靠A______存贮信息，半导体DRAM则是靠B______存贮信息。

8. 主存储器的性能指标主要是存储容量，A.______和B.______。

9. 由于存储器芯片的容量有限，所以往往需要在A.______和B.______两方面进行扩
充才能满足实际需求。

10. 存储器和CPU连接时，要完成A.______的连接；B.______的连接和C.______的
连接，方能正常工作。

11. 广泛使用的A.______和B.______都是半导体随机读写存储器，它们共同的特点
是C.______。

12. 对存储器的要求是A.______，B.______，C.______，为了解决这三个方面的矛盾。

计算机采用多级存储器体系结构。

13. 虚拟存贮器通常由主存和A______两级存贮系统组成。

为了在一台特定的机器上
执行程序，必须把B______映射到这台机器主存贮器的C______空间上，这个过程称为地
址映射。

14. 多个用户共享主存时，系统应提供A______。

通常采用的方法是B______保
护和C______保护，并用硬件来实现。

15. 由于存储器芯片的容量有限，所以往往需要在A.______和B.______两方面进行
扩充才能满足实际需求。

16. 相联存储器是按A.______访问的存储器，在cache中用来存放B.______，在虚
拟存储器中用来存放C.______。

在这两种应用中，都需要D.______查找。

17. DRAM存储器的刷新一般有A.___,B.___,C.___三种方式。

18. 并行处理技术已成为计算计技术发展的主流。

它可贯穿于信息加工的各个步骤和
阶段。

概括起来，主要有三种形式A. ______并行；B. ______并行；C. ______并行。

19. 主存与cache的地址映射有A. ______、B. ______、C. ______三种方式。

其中______方
式适度地兼顾了前二者的优点，又尽量避免其缺点，从灵活性、命中率、硬件投资来说
较为理想。

20. 动态半导体存贮器的刷新一般有A.______、B.______和C.______三种方式。

21. 根据地址格式不同，虚拟存贮器分为A______、B______和C______三种。

二、选择题：
1. EPROM是指______。

A. 读写存储器
B. 只读存储器
C. 可编程的只读存储器
D. 光擦除可编程的只读存储器 2. 在
主存和CPU之间增加cache存储器的目的是______。

A. 增加内存容量
B. 提高内存可靠性
C. 解决CPU和主存之间的速度匹配问题
D. 增加内存容量，同时加快存取速度 3. 采用虚拟存储器的主要目的是______。

A. 提高主存储器的存取速度
B. 扩大存储器空间，并能进行自动管理
C. 提高外存储器的存取速度
D. 扩大外存储器的存储空间 4. 存储器是计算机系
统的记忆设备，主要用于______。

A. 存放程序
B. 存放软件
C. 存放微程序
D. 存放程序和数据
5. 在______的计算机系统中，外设可以和主存储器单元统一编址，因此可以不使用
I/O指令。

A. 单总线
B. 双总线
C. 三总线
D. 多总线
6. CD-ROM光盘是______型光盘，可用做计算机的______存储器和数字化多媒体
设备。

A. 重写，内
B. 只读，外
C. 一次，外
D. 只读，内 7. 在主存和CPU
之间增加cache存储器的目的是______。

A. 增加内存容量
B. 提高内存可靠性
C. 解决CPU和主存
之间的速度匹配问题 D. 增加内存容量，同时加快存取速度 8. 某机字长32位，存储
容量1MB。

若按字编址，它的寻址范围是______。

A. 0~1M B. 0~512KB C.
0~256K D. 0~256KB 9. 计算机的存储器系统是指______。

A. RAM存储器
B. ROM存储器
C. 主存储器
D. cache，主存储器和外存储器 10. 某存
储器芯片的存储容量为8K×1位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为______
A. 12
B. 13
C. 14
D. 15 11. 存储周期是指______。

A．存储器的读出时间 B．存储器的写入时间
C．存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔 D．存储器进行连续写操作
所允许的最短时间间隔
12. 某存储器芯片的存储容量为8K×8位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为
______。

A. 21
B. 20
C. 18
D. 16 13. 某计算机字长为32位，其存储
器容量为16MB，若按字编址，它的寻址范围是______。

A. 0~8MB
B. 0~4M
C. 0~4MB
D. 0~8M
14. 某存储器芯片的存储容量为8K×8位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为
______。

A. 21
B. 20
C. 18
D. 16 15. 某计算机字长32位，其存储容
量为32KB，若按字编址，那么它的寻址范围是______。

A. 0~32K B. 0~16K C. 0~8K D. 0~32KB
16. 常用的虚拟存储系统由______两级存储器组成，其中______是大容量的磁表面存
储器。

A. 快存－辅存，辅存
B. 主存－辅存，辅存
C. 快存－主存，辅存
D. 通用寄存器－主存，主存 17. 某一
RAM 芯片，其容量为1024�w8位，其数据线和地址线分别为______。

A. 3，10 B. 10，3 C. 8，10 D. 10，8 18. 和内存储器相比，外存储器的特点是
______。

A. 容量大，速度快，成本低
B. 容量大，速度慢，成本低
C. 容量小，速
度快，成本高 D. 容量小，速度快，成本低
19. 某一SRAM芯片，其容量为1024×8位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的
最小数目应为______。

A. 13
B. 15
C. 18
D. 20
20. 某计算机字长16位，其存储容量为2MB，若按半字编址，它的寻址范围是______。

A. 0―8M
B. 0―4M
C. 0―2M
D. 0―1M
21. 某RAM芯片，其存储容量为1024×16位，该芯片的地址线和数据线数目为
______。

A. 20，16 B. 20，4 C. 1024，4 D. 1024，16 22. 某计算机字
长32位，存储容量是8MB，若按双字编址，那么它的寻址范围是______。

A. 0―256K B. 0―512K C. 0―1M D. 0―2M 23. 和外存储器相比，内存储器的特点是______。

A．容量大、速度快、成本低 B．容量大、速度慢、成本高 C．容量小、速
度快、成本高 D．容量小、速度快、成本低
24. 一个256KB的存储器，其地址线和数据线总和为______。

A.16
B.18
C.26
D.20 25. 某存储器芯片的
存储容量为8K×1位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为____。

A.11 B.12 C.13 D.14
26. 机器字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是______。

A．0 - 1M B．0 - 1MB C．0 - 4M D．0 - 4MB
27. 某一SRAM芯片，其容量为512×8位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的
最小数目应为______。

A.23
B.25
C.50
D.19
28. 某SRAM芯片，其存储容量为64��16位，该芯片的地址线和数据线数目为
______。

A. 64，16 B. 16，64 C. 64，8 D. 16，6 29. 计算机的存储器系统是指______。

A．RAM存储器 B．ROM存储器 C．主存储器 D．主存储器和外存储
器
30. 某计算机字长16位，它的存储容量是64K,若按字节编址，那么它的寻址范围是
______。

A. 0―64K
B. 0―32K
C. 0―64KB
D. 0―32KB
31. 存储器是计算机系统的记忆设备，主要用于______。

A. 存放程序
B. 存放软件
C. 存放微程序
D. 存放程序和数据 32. CPU读/写控制信号的作用是______。

A. 决定数据总线上的数据流方向
B. 控制存储器操作（R/W）的类型
C. 控制流入、流出存储器信息的方向
D. 以上任一作用
33. 双端口存储器和多模块交叉存储器属于A.______存储器结构。

前者采用
B.______技术，后者采用
C.______技术。

34. 双端口存储器所以能高速进行读写，是因为采用______。

A．高速芯片 B．两套相互独立的读写电路 C．流水技术 D．新型器件 35. 相联存储器是按______ 进行寻址的存储器。

A．地址指定方式 B．堆栈存取方式
C．内容指定方式 D。

地址指定与堆栈存取方式结合 36. 在虚拟存储
器中，当程序正在执行时，由______完成地址映射。

A. 程序员
B. 编译器
C. 装入程序
D. 操作系统 37. 下列有关存储器的描述中，不正确的是______。

A. 多体交叉存储器主要解决扩充容量问题
B. 访问存储器的请求是由CPU发出的
C. cache与主存统一编址，即主存空间的某一部分属于cache
D. cache的功能全由
硬件实现
38. 模4交叉存储器有4个存储模块，它们有各自的______。

A. 地址寄存器
B. 地址寄存器和指令寄存器
C. 地址寄存器和数据缓冲寄存器
D. 地址寄存器、数据缓冲寄存器和指令寄存器
39. 双端口存储器之所以能高速进行读/写，是因为采用______。

A. 新型器件
B. 流水技术
C. 两套相互独立的读写电路
D. 高速芯片 40. 交叉存储器实质上是一种___存储器，它能___执行___独立的读写操作。

A. 模快式，并行，多个
B.模快式，串行，多个
C. 整体式，并行，一
个 D.整体式，串行，多个 41. 双端口存储器在___情况下会发生读/写冲突。

A．左端口与右端口的地址码不同 B.左端口与右端口的地址码相同 C．左端
口与右端口的数据码相同 D.左端口与右端口的数据码不同 42. 没有外存贮器的
计算机监控程序可以存放在______。

A RAM B ROM C RAM 和 ROM D CPU 43. 在多级存储体系中，“cache―主存”结构的作用是解决______的问题。

A.主存容量不足
B.主存与辅存速度不匹配
C.辅存与CPU速度不匹配
D.主
存与CPU速度不匹配 44. 下面的描述中有错误的是______。

A．主存和CPU是通过数据通道存取数据 B．主存和CPU是通过系统总路线存取数据
C．CPU和外存是通过I/O接口存取数据 D．外存和CPU是通过数据通道存取数据45. EEPROM是指______。

A. 读写存储器
B. 只读存储器
C. 电擦除可编程的只读存储器
D. 光擦除可编程的只读存储器 46. 在下列
因素下，与cache的命中率无关的是____。

A.主存的存取时间
B.块的大小
C.cache的组织方式
D.cache的容量
47. 虚拟段页式存储管理方案的特点为______。

A. 空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、不能动态连接
B. 空间浪费小、存
储共享容易、存储保护不易、不能动态连接 C. 空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、能动态连接 D. 空间浪费大、存储共享容易、存储保护容易、能动态连接
48. 在cache的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到cache内的任意一块的位置上，则这种方法称为_____。

A.全相联映射
B.直接映射
C.组相联映射
D.混合映射
三、简答题：
1. DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？
2. 现有一64K×2位的存储器芯片，欲设计具有同样存储容量的芯片，应如何安排地址线和数据线引脚的数目，使两者之和最小。

并说明有几种解答。

3. 已知某8位机的主存采用半导体存储器，地址码为18位，采用4K×4位的SRAM
芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块条形式，问：若每个模块条为32K×8位，共需几个模块条？每个模块条内有多少片RAM芯片?主存共需多少RAM芯片？CPU需使用几根地址线来选择各模块？使用何种译码器？
4. 请说明SRAM的组成结构，与SRAM相比，DRAM在电路组成上有什么不同之处？
5. 什么是存储保护？通常采用什么方法？
6. 试述ROM和RAM的区别?
7. 试述两种地址译码方式的特点与区别?
8. 试述存储器芯片地址选择方法的分类及特点?
9. 何谓SRAM？何谓DRAM？它们在使用上有何特点？两者有何区别？各自的使用场合
是什么？
10. 只读存储器从功能和制造工艺可发为哪几种？各种只读存储器的特点是什么？
11. 动态存储器为什么要进行刷新？刷新过程和CPU正常读/写操作有何差别？ 12. 微机
系统中存储器与CPU连接时应考虑哪几方面的问题？
四、计算题：
1. 有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。

问：总共需要多少DRAM芯片。

2. 要求用128K×16位的SRAM芯片设计512K×16位的存储器，SRAM芯片有两个控制端：当 CS 有效时该片选中。

当W/R=1时执行读操作，当W/R=0时执行写操作。

用
64K×16位的EPROM芯片组成128K×16位的只读存储器。

试问：。

<1> 数据寄存器多少位？ <2> 地址寄存器多少位？ <3> 共需多少片EPROM? <4> 画出此存储器组成框图。

3. 用8K×8位的ROM芯片和8K×8位的RAM芯片组成一个32K×8位的存储器，其中RAM地址占24K（地址为2000H～7FFFH），ROM地址占8K（地址为0000H～1FFFH）。

RAM
芯片有两个输入端：当CS有效时，该片选中，当W／R=1时，执行读操作；当W／R=0时，执行写操作。

ROM芯片只有一个控制输入端――片选CS。

要求画出此存储器组成结构图。

（包括与CPU的连接）。

感谢您的阅读，祝您生活愉快。