单结晶体管结构及测试教案

任务二调试单结晶体管触发电路
子任务1单结晶体管结构及测试
1、单结晶体管结构
单结晶体管的外形图如图1所示。

在一个低掺杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成PN结，就构成单结晶体管(UJT)。

其结构如图2(a)，P型半导体引出的电极为发射极E；N型半导体的两端引出两个电极，分别为基极B1和基极B2，B1和B2之间的N型区域可以等效为一个纯电阻，即基区电阻RBB。

该电阻的阻值随着发射极电流的变化而改变。

单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。

其符号如图2(b)所示。

2、单结晶体管的伏安特性
可图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：
r bb=r b1+r b2
式中：r b1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流I e而变化，r b2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与I e无关；发射结是PN结，与二极管等效。

若在两个基极b2、b1间加上正电压V bb，则A点电压为：
V A=[r b1/(r b1+r b2)]v bb=(r b1/r bb)v bb=ηV bb
式中：η----称为分压比，其值一般在0.5-0.9之间，如果发射极电压V E由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性。

2、单结晶体管的伏安特性。