晶体结构缺陷-第6讲
高政祥固体物理讲义
a1
=
a 2
(
i
+
j
−
k)
a2
=
a(
2
j+k −i)
a3
=
a 2
(
k
+
i
−
j)
1
面心立方晶格的原胞和基矢
在面心立方晶格中,通常由一个立方顶点到三个相邻的面心的矢量作为晶格基矢:
a1
=
a 2
(
i
+
j)
a2
=
a(
2
j + k)
a3
=
a 2
(
k
+
i)
Wigner-Seitz 原胞
作由晶格原点出发的所有晶格矢量的垂直平分面,这些垂直平分面所封闭的包含晶格原点的 最小空间,称为 Wigner-Seitz 原胞。
例题 1.3
在六方晶体中,晶面常用四个指数 (hkil) 表示,它们代表一个晶面在六角形平面基矢 a 1, a 2, a 3 (两两夹角为 120°)轴上的截距为 a1/h, a2/k, a 3/i 的整数倍,在六次轴 c 上的截距为 c/l 的整 数倍。证明: h + k + i = 0。 证明:考虑离原点最近的晶面,在六角形平面基矢 a1, a2, a3 (两两夹角为 120°)轴上的截距为 a1/h, a2/k, a3/i。则矢量 a1/h − a2/k 和矢量 a2/k − a3/i 共线,即(a1/h − a2/k)×(a2/k − a3/i) = 0
3
第二讲:晶体结构下
晶系
如果要具有一定的宏观对称性(32 个点群对称性),晶体单胞轴矢 a, b, c 必须满足怎样的
晶体材料基础---第六、七讲 晶体结构及对称性(5) 单形和聚形
复三方双锥:12
中级晶族各晶系的单形
①柱类:三方柱、复三方柱、四方 柱、复四方柱、六方柱、复六方柱
注意:晶面和交棱都平行于高次轴。
中级晶族各晶系的单形
②单锥类:三方单锥、复三方单锥、 四方单锥、复四方单锥、六方单锥、复 六方单锥
注意:出现在没有对称中心和其它水平对称要素 的对称型中。所有晶面交高次轴于一点。
实例⑴
正交晶系以L22P(mm2)为例:
将L2为Z轴,对称面的法线分别为X、Y轴,进行极射 赤平投影。
在1/4的扇形区域内,原始晶面与对称要素之间的相 对位置关系有7种: 3个角顶(1、2、3号晶面) 3条边上(4、5、6号晶面) 中部(7号晶面)
六 单形的推导
Z Y Y X X
位置1:单面{001} 位置2:平行双面{100} 位置3:平行双面{010} 位置4:双面{h0l} 位置5:双面{0kl} 位置 6:斜方柱{hk0} 位置 7:斜方单锥{hkl}
称型逐一进行推导,能导出146种不同的单
形,称为结晶单形。
实际晶体单形的对称型判断
实际晶体的单形都是结晶单形.可根据晶 面花纹、蚀像、物性等特点判断。 如黄铁矿立方体晶面 上常发育有相互垂直的不是3L44L36L29PC
四 47种几何单形的形态特点
五角十二面体的三个变形
有关单形的几个概念:
⒋左形(left-hand form)和右 形(right-hand form) :形状完全 相同而在空间的取向正好彼此相反 的两个形体,若相互间不能借助于 旋转、但可借助于反映而使两者的 取向达到一致,此二同形反向体即 构成左形和右形。
三方偏方面体 的左形和右形
六四面体:
无机材料化学(第6讲)资料
硅中掺杂形成施主能级和受主能级(统称为杂质能级)
的分子轨道理论解释
原子轨道有效组合形成分子轨道应满足的条件: 能量相近、对称性匹配、最大重叠。
Silicon crystal doped with (a) Arsenic (b) Boron
掺杂半导体导电机制: 跳跃式导电机理
n 型化合物半导体 例如,化合物GaAs中掺Te ,六价的Te 替代五价的As可形成施主能级, 成为n型GaAs杂质半导体。 p型化合物半导体
M+ X
阳离子空位型缺陷结构示意图
例如:Fe1-xO,也可看作 Fe2O3 在 FeO 中 的固溶体,或部分Fe3+ 取代了Fe2+。
2FeFe
1 '' O 2 (g) 2FeFe VFe O O 2
1 '' O 2 (g) 2h VFe O O 2
K [h
在点缺陷上的电荷,具有一系列分离的允许能级。 这些允许能级相当于在可见光区的光子能级,能 吸收一定波长的光,使材料呈现某种颜色。
色心能级示意图
F色心:阴离子空位捕获1个电子(Vx·+ e’)(缺陷缔合体) 或1个电子占据1个阴离子空位
·+ 2e’) 在氧化物中2个电子占据1个氧空位(Vx·
F’色心:两个电子占据同1个负一价阴离子空位(Vx·+2 e’) ) V色心:空穴占据1个阳离子空位 (VM’ + h·
色心形成对材料性能的影响 F色心中占据阴离子空位的电子是处于半束 缚状态,只需不太大的能量就能使它脱离这
种半束缚(使缺陷缔合体分解),而能在一
定范围内移动,成为可导电的电子,显示出
n型半导体性质。
晶体缺陷
第二章晶体缺陷固体在热力学上最稳定的状态是处于0K温度时的完整晶体状态,此时,其内部能量最低。
晶体中的原子按理想的晶格点阵排列。
实际的真实晶体中,在高于0K的任何温度下,都或多或少的存在着对理想晶体结构的偏离,即存在着结构缺陷。
结构缺陷的存在及其运动规律,对固体的一系列性质和性能有着密切的关系,尤其是新型陶瓷性能的调节和应用功能的开发常常取决于对晶体缺陷类型和缺陷浓度的控制,因此掌握晶体缺陷的知识是掌握材料科学的基础。
晶体缺陷从形成的几何形态上可分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。
其中点缺陷按形成原因又可分为热缺陷、组成缺陷(固溶体)和非化学计量化合物缺陷,点缺陷对材料的动力性质具有重要影响。
本章对点缺陷进行重点研究,对线缺陷的类型和基本运动规律进行简要的介绍,面缺陷的内容放在表面和界面一章中讲解。
第一节热缺陷一.热缺陷定义当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷。
由于质点热运动产生的缺陷称为热缺陷。
二.热缺陷产生的原因当温度高于绝对温度时,晶格中原子热振动,温度是原子平均动能的度量,部分原子的能量较高,大于周围质点的约束力时就可离开其平衡位置,形成缺陷。
三.热缺陷的基本类型1.肖特基缺陷如果表面正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置但并未离开晶体,仅迁移到晶体表面外新表面的一个位置上,在原表面格点上留下空位。
原子的迁移相当于空位的反向迁移,表面的空位移至晶体的内部。
显然,在产生肖特基缺陷晶体会增大体积。
为了维持晶体的电中性,正、负离子空位同时按化学式关系成比例产生。
2.弗伦克尔缺陷晶格热振动时,一些原子离开平衡位置后挤到晶格的间隙位置中形成间隙原子,而原来的结点形成空位。
此过程中,间隙原子与空位成对产生,晶体体积不发生变化。
四 .缺陷化学 1.缺陷表示方法在克劳格.明克符号系统中,用一个主要符号来表明缺陷的种类,用一个下标来表示缺陷的位置,缺陷的有效电荷在符号的上标表示,如“·”表示正电,“’”表示负电,“×”表示中性。
材料科学基础第三章晶体缺陷
够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。
晶体缺陷-线缺陷讲解
(2)刃型位错线可理解为晶体中已滑 移区与未滑移区的边界线;
(3)滑移面必定是同时包含有位错线 和滑移矢量的平面,在其他面上不 A 能滑移;
(4)晶体中存在刃型位错之后,位错 周围的点阵发生弹性畸变;
(5)在位错线周围的过渡区(畸变区 )每个原子具有较大的平均能量。
H D
错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断 地作少量的位移(小于一个原子间距)而逐步实现 的。(刃型位错和螺型位错均可发生) 4.2 位错的攀移
刃型位错在垂直于滑移面的方向上运动,即发 生攀移。实质上就是构成刃型位错的多余半原子面 的扩大或缩小。(螺型位错没有多余的半原子面, 因此不会发生攀移运动)
12
三.柏氏矢量
(a) 实际晶体
(a) 理想晶体
13
三.柏氏矢量
3.2 右手法则(确定刃型位
错的正负): 先人为的规定位错线方向,
用右手的拇指、食指和中指构 成直角坐标,以食指指向位错 线的方向,中指指向柏氏矢量 的方向,则拇指的指向代办多 余半原子面的位向,且规定拇 指向上者为正刃型位错;反之 为负刃型位错。
(2)线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一 个方向上延伸较长。如各种位错;
(3)面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小,另外两 个方向上扩展很大。如晶界、孪晶界等。
5
二.位错(dislocation)
2.1 位错的定义:晶体的线缺陷表现为各种
类型的位错。即晶体中某处一列或若干列原 子有规律的错排。
3.1 柏氏矢量的确定:柏氏矢量可通过
柏氏回路(Burgers circuit)来确定。 在含有位错的实际晶体中作一个包含位 错发生畸变的回路,然后将这同样大小 的回路置于理想晶体中,此时回路将不 能封闭,需引一个额外的矢量b连接回路 ,才能使回路闭合,这个矢量b就是实际 晶体中位错的柏氏矢量。如图所示: a )实际晶体(b) 完整晶体
23晶讲义体的结构缺陷精简
2、线缺陷(Linear defects):在一个方向上的缺陷扩展很 大,其它两个方向上尺寸很小,也称为一维缺陷。主要为位错。
(2)弗伦克耳缺陷体积 不变,肖特基缺陷体积 变大。
无机材料科学基础
缺陷浓度
无机材料科学基础
无论是弗伦克耳缺陷还是肖特基缺陷浓度均为下式: C = ns/N = = exp[-E/(2kT)]
影响缺陷浓度的主要因素:温度和缺陷形成能。 例如:NaCl晶体重形成间隙质点能量为11.22~12.98×10-19J,
• 固溶体即固体溶液。
无机材料科学基础
固溶体、化合物和混合物比较 (以AO溶质溶解在B2O3溶剂中为例)
2AOB2O32AB' VO 2OO
无机材料科学基础
固溶体的分类
1、按溶质和溶剂来划分 • 连续固溶体:溶质和溶剂可以按任意比例互相
固溶 • 不连续固溶体:溶质只能以一定的比例和限度
置,带有一个单位正电荷。
缺陷的有效电荷为(+2) (+1) = +1。如果Ca2+进入间隙
位置,则这种间隙式杂质缺陷表示为
C
a
•• i
。
2)CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置,此缺陷带有二个单
位负电荷。
其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上对应于原阵点位置 的有效电荷来表示相应的带电缺陷。
精品
23晶体的结构缺陷精简
学习内容
2017晶体光学及光性矿物学讲义-6 光性矿物学基础
27
28
碱性长石一般特征
1、透长石、正长石属单斜晶系,其它属三斜晶系,晶体呈板状或它形粒状
2、{010}、{001}两组完全解理,夹角约歪长石为无色或白色,正长石、微斜长石多为肉红色。 镜下无色透明。因绢云母化,高岭土化而浑浊
4、负低突起,糙面不明显
5、最高干涉色I级灰白,单斜者可见平行消光,三斜者均为斜消光
见不规则裂纹
(4)正高-极高突起: 折射率1.6-1.8,随Fe含量增高
而变大,边缘粗、黑
Pl
Ol
Px
Am
21
(5)干涉色:II级橙-III级蓝绿 △Nmax=0.036-0.046,随Fe含量增高而
增高。
(6)平行消光、延性可正可负
(7)光性可正可负,2V>500
随Fe含量而变。
OAP∥(001)。
续),可混入5-10%的An分子
26
长石族矿物共同特征
(1)薄片中无色 (2)折射率与树胶相近,低突起(有正有负)。 (3)△Nmax低,最高干涉色I级灰-灰白,{001} {010}解理完全。
(一) 碱性长石亚族(Alkaline Feldspar)
按化学成分, 可分三类
富钾长石类:正长石、微斜长石、透长石 富钠长石类:钠长石、歪长石 钾钠长石类:条纹长石
二轴(-)
常见蚀变 无 绢云母化、绿帘石化 高岭土化
39
辉石和角闪石的鉴别标志
光性 晶形
解理 颜色
消光 光性 蚀变
角闪石
辉石
长柱状,横切面菱形, 短柱状,横切面正方形,
六边形
八边形
两组,夹角560,1240
两组,夹角870,930
多数颜色较深,明显多 多数无色或呈极淡色调,
金属晶格结构
(二)
晶体中的缺陷
2 线缺陷:线缺陷主要是指各种形式的“位错”。 所谓位错是指晶体中某一列或若干列原子发生有规 律的错排现象。它引起的晶格错线为中心轴的一个 管状区域。 位错有多种。最简单直观的一种称为刃型位错。它 象一个刀刃的切入,故称刃型位错,见图2-11。 晶格中的位错多少,可用位错密度来表示。位错密 度是指单位体积内位错的错线长度,量纲为(cm-2)。 晶体中的位错首先是产生于晶体的结晶过程。 晶体材料的内部的位错在相应的条件下,可以产生 滑移,增值,交割,缠结,攀移等行为。这对金属 的强度、塑性等力学性能有重要影响。金属材料
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(一)基本概念
2 晶胞:晶体中原子排列规律具有明显的周期变化。因此 在晶格中就存在一个能够代表晶格特征的最小几何单元, 称之为晶胞。图2-1c是一个简单的晶胞示意图。晶胞在空 间的重复排列就构成整个晶格。因此,晶胞的特征就可以 反映出晶格和晶体的特征。 3 晶格参数与晶格常数:在晶体学中,用来描述晶胞大小 有形状的几何参数称为晶格参数。包括晶胞的三个棱边的 长度a,,b,c和三个棱边夹角。α ,β ,γ 共六个参数。 其中决定晶胞大小的三个棱长又称为晶格常数。图2-1c
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(2)负电性因素:所谓负电性是指某元素 的原子从其它元素原子夺取电子而变成负 离子的能力。在元素周期表中,两种元素 的位置距离愈远,则其负电性差也愈大。 两元素负电性愈大,则化学亲合的能力也 愈大。它们之间就易于形成化合物,而不 利于形成固溶体,即使形成固溶体其溶解 度也很小。
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(二)
晶体中的缺陷
这里说的缺陷不是指晶体的宏观缺陷,而是指晶体中局 部原子排列不规则的区域。根据晶体缺陷的几何特点和 原子对排列不规则性的影响范围可分为三大类。 1.点缺陷:点缺陷是指以一个点为中心。在它的周围造成 原子排列的不规则,产生晶格的畸变和内应力的晶体缺陷。 主要有间隙原子,置换原子,晶格空位三种,见图2-10。 在晶格的间隙处出现多余的晶体缺陷称为间隙原子;在晶 格的接点处出现缺少原子的晶体称为晶体空格;在晶格的 结点处出现的原子直径不同的异类原子的晶体缺陷称为置 换原子。间隙原子和大径的置换原子会引起一个以一个点 为中心的晶格局部“撑开”现象,称之为正畸变。而晶格 空位和小直径的置换原子会引起一个点为中心的晶格局部 “靠拢”现象,称之为负畸变。 晶体中的点缺陷都是处在不断的变化和运动中,其位置随 时在变。这是金属原子扩散的一种主要方式,也是金属在 固态下“相变”和化学热处理工艺的基础。
常见离子晶体的结构
6. 答案:
(a)由于NixO晶体属于NaCl型, 其密度为: d=4M/(N0·3), 因 a 此可以求出NixO的摩尔质量M, M=70.1 g· -1。 mol M=58.7 · x+16.0=70.1, 得到: x=0.92 。 设0.92mol Ni中有ymol Ni2+, 根据电荷平衡有: 2y+3(0.92y)=2, y=0.76, 所以该NixO的化学式为:
10.钼有一种含氧酸根[MoxOy]z-,式中x、y、z都是正整数; Mo的氧化态为+6,O呈-2。可按下面的步骤来理解该含氧 酸根的结构: (a)所有Mo原子的配位数都是6,形成[MoO6]n-,呈正八面 体.称为“小八面体”(图左1); (b) 6个“小八面体”共棱连接可构成一个“超八面体”(图 左2); (c) 2个”超八面体”共用2个“小八面体”可构成一个“孪 超八面体”(图左3); (d)从一个“挛超八面体”里取走3个“小八面体”,得到的 “缺角孪超八面体”(图左4)便是本题的[MoxOy]z-(图D中用 虚线表示的小八面体是被取走的)。
II III Ni0.76Ni0.16O
(b)O2-为立方最密堆积型式(A1), Ni占据八面体空隙, 只有 率为92% 。 (c)Ni-Ni间的最短距离是:
2 2 a 416 294pm 2 2
7. AgO晶体属于立方晶系, 晶胞中原子的分数坐标为: 1 1 1 O为(0,0,0),( , , ) 2 2 2 1 1 1 3 3 1 3 1 3 1 3 3 Ag为( , , ), ( , , ), ( , , ),( , , ) 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 (a)若把Ag原子放在晶胞原点, 请重新写出原子的分数坐标; (b)说明Ag和O原子的配位数; 答案(a) O为( 1 , 1 , 1 ), ( 3 , 3 , 3 ) 4 4 4 4 4 4 1 1 1 1 1 1 Ag为(0,0,0), ( , ,0), ( ,0, ),(0, , ) 2 2 2 2 2 2 (b) Ag原子的配位数为2, 直线形; O原子的配位数为4, 四面 体形。
第6讲 配位场理论2 颜色成因教学课件
蓝宝石 (2)二者在垂直c轴方向上以棱相接 此时两离子的距离比较大(0.297nm),两离子的分子轨道 的叠加程度变小,结果电荷转移吸收带向红光区移动,吸收 中心在620nm,在非常光中,刚玉呈蓝绿色。
电荷转移类型
M→M:异核原子价态之间
宝石学实例: Fe2+→Ti4+ 蓝色(刚玉、蓝晶石、蓝锥矿、矽线石)、褐色(镁电 气石、钙铁榴石、红柱石、符山石)、黄-黑色(黑榴 石)、绿色(绿柱石) Mn2+→Ti4+ 绿黄色(电气石)
a* 1gb<t1ub<egb<t2g<eg*<a1g*<t1u
配位场例子:六配位的八面体[ML6]
电荷转移:电子从一个分子轨道跃迁到另一个 分子轨道。
在这类跃迁中,电子从主要定域在配体L上的 轨道跃迁到主要定域在金属M上的轨道上,或 相反。
通常电荷迁移跃迁比d-d跃迁具有较高的能量, 吸收峰一般出现在近紫外和紫外区。吸收强度 也比大d-d跃迁大得多。
《宝石颜色成因理论》
第6讲 配位场理论2
石斌 中国地质大学(武汉)珠宝学院
2020/10/3
原子 结构
原子电子轨道
原子轨道理论
物
晶体场理论
质
微
配位场理论
观
结
分子电子轨道
分子轨道理论
构
分子 结构
能带理论 色心
能带(色心)理论
分子振动转动
分子振转理论
在晶体场理论中,它所假设的前提是:在中心阳离子 与配位体之间的化学键是离子键,彼此间不存在电子 轨道的重叠,亦即没有共价键的形成;同时,配位体 被作为点电荷来处理。但这种假定的前提条件在共价 性强的化合物,例如硫化物、含硫盐及其类似化合物 中,显然是不能适用的。
晶体缺陷
5
3 、点缺陷的产生及其运动
(1)点缺陷的产生 平衡点缺陷:热振动中的能力起伏。 过饱和点缺陷:外来作用,如高温淬火、辐照、冷加工等。 (2)点缺陷的运动 (迁移、复合-浓度降低;聚集-浓度升高-塌陷)
6
4 、点缺陷与材料行为
(1)结构变化:晶格畸变(如空位引起晶格收缩,间隙
原子引起晶格膨胀,置换原子可引起收缩或膨胀。)
多个位错的运动导致晶体的宏观变形。 比喻:地毯的挪动、蛇的爬行等。
24
2、位错的滑移
a 滑移:位错沿着滑移面的移动。
刃型位错的滑移:具移方向与位错运动方向一致。
25
不同类型位错的运动方式,运动面及运动方向的关系
位错 类型
b 与ξ,v关系 b ┻ ξ,b // v
28
螺型位错的滑移:具有多个滑移面。
切应力方向与位错线平行; 晶体滑移方向与位错运动方向垂直。
从柏氏矢量角度,对任何位错:
切应力方向与柏氏矢量一致; 晶体滑移与柏氏矢量一致。
29
30
31
判断晶体的滑动方向 (右手定则)
当柏氏矢量为b的位错线沿v方向运动时,以位错运动 面为分界线的那部分晶体必沿着b的方向运动
a 在位错周围沿着点阵结点形成封闭回路。
b 在理想晶体中按同样顺序作同样大小的回路。 c 在理想晶体中从终点到起点的矢量即为――。
15
16
(2)柏氏矢量的表示方法
a 表示: b=a [uvw] /n (可以用矢量加法进行运算)。
b 求模:/b/=a [u2+v2+w2]1/2 /n 。
17
(3)柏氏矢量的物理意义与应用
4
2 、点缺陷的平衡浓度
(1)点缺陷是热力学平衡的缺陷-在一定温度下,晶体 中总是存在着一定数量的点缺陷(空位),这时体系的能 量最低-具有平衡点缺陷的晶体比理想晶体在热力学上更 为稳定。(原因:晶体中形成点缺陷时,体系内能的增加 将使自由能升高,但体系熵值也增加了,这一因素又使自 由能降低。其结果是在G-n曲线上出现了最低值,对应的 n值即为平衡空位数。) (2)点缺陷的平衡浓度 C=Aexp(-∆Ev/kT)
金属氧化物晶体结构缺陷
4.2.1 化学计量氧化物中的点缺陷
(1)点缺陷的表征
点缺陷的符号表征: Kroger-Vink 符号:
氧化物化学计量成分为MO时,缺陷 (内原子错序)存在6种基本类型: ①阴离子与阳离子空位(Vo+Vm); ②同一组分的空位与间隙离子 (Vo+Oi)或(Vm+Mi); ③原子错位(Om+Mo); ④同类原子空位与错位(Vm+Mo); ⑤错位原子与间隙(Mo+Oi); ⑥间隙原子(Mi+Oi)
4.1.4 刚玉结构
A2B3型化合物结构
-Al2O3(刚玉)型结构
属三方晶系,O2-近似作六方紧密堆积,Al3+填充 于2/3八面体空隙。 Al3+的配位数是6 O2-的配位 数是4。每个金属周围有4个氧。
-Al2O3结构
属 于 刚 玉 型 结 构 的 有 α -Fe2O3 、 Cr2O3 、 Ti2O3、V2O3等。此外,FeTiO3、MgTiO3等也 具有刚玉结构,只是刚玉结构中的两个铝
B型:这种晶体结构稀土氧化物较少有Ga203, 2150℃转变为H型。
C型:Sc2O3,Sm2O3,Eu2O31100℃转变为B型, Tb2O3,Dy2O31870℃转变为H型,Y2O32250--3000℃转 变为H型,Ho2O3,Tm2O3,Lu2O3等。
上述氧化物的电导率随原子序数增加而降低,
七
斜晶系、正交
大
晶系、四方晶
晶
系、六角(六
系
方)晶系、三
角(三方)晶
晶体缺陷(知识讲座)
2 晶体缺陷,固溶体合章1、说明以下符号的含义:V Na,V Na’,V Cl•,.(V Na’V Cl•),CaK•,CaCa,Cai••解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正电荷;最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心;Ca2+占据K.位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;Ca2+处于晶格间隙位置。
2、写出以下缺陷反应式:(1)NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体;(2)CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶体;(3)NaCl形成肖脱基缺陷;(4)AgI形成弗仑克尔缺陷(Ag+进入间隙)。
解:〔1〕NaCl Na Ca’+ Cl Cl + V Cl·〔2〕CaCl2CaNa· + 2Cl Cl + V Na’〔3〕O↔V Na’ + V Cl·〔4〕AgAg↔V Ag’ + Ag i·3、弗仑克尔缺陷:晶体内部质点由于热起伏的影响,质点从正常位置位移到晶体内部的间隙位置上,正常位置上出现空位。
4、什么是肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷?他们属于何种缺陷,发生缺陷时位置数是否发生变化?答:肖特基缺陷:晶体的结构基元,从正常的结点位置上位移到晶体的外表而正常位置上出现了空位,这种缺陷即是。
位置数增殖,体积增大。
弗兰克尔缺陷:晶体结构中的结构基元,从正常的结点位置上位移到晶体的间隙位置上,而正常位置上出现了空位,这种缺陷即是。
位置数不增殖,体积不增大。
5、什么是非化学计量化合物:化合物原子数量的比例,不符合定比定律,即非简单的固定比例关系。
6、ZrO2中加入Y2O3形成置换固溶体,写出缺陷反应式?答:Y2O3 -(2ZrO2)-> 2Yzr‘+3Oo+Vo,Y2O3 -(2ZrO2)-> 2YZr3++2e+3Oo+Vo。
7、试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。
第6讲++基片集成波导+II
(2.10)
可见,慢波场的横向分布至少有一个是按双曲函数变化的
,因为双曲函数只有一个零点,这时电场的切向分量不能
同时在所有边界上为零。可见,四壁光滑的导体构成的均
匀传输系统,如波导、同轴线等无论如何也不能传输慢波
。因为这类传输系统所有边界上的电场切向分量均要等于
零。由(2.5)可知,第n次第6空讲+间+基片谐集成波波导的+II 场为
C o n s ts c i o n s(k x x )s c i o n s(k y y )e j t c
(2.6)
并且
kc2kx2ky 2k22( v)21(vvp)2
(2.7)
其中 v 1 。慢波要求vp<v,由上式可知,只有kc为
虚数时才能满足,所以kx和ky中至少有一个是虚数并且 kx2 ky2 0 ,即电磁场在一个传输系统中以慢波传输,必 须满足横向本征值kc(横向即垂直于传播方向的方向)为虚 数的条件。场分量Ψ可以第6讲表++示基片为集成下波导面+II 三式之一:
4.3 周期性结构
慢波特性
C o n s tc s h h(k x x )c s h h (k yy )e j t c
(2.8)
C o n s ts c i o n s(k x x )c s h h (k y y )e j t c (2.9)
C o n s tc s h h (k x x )s c i o n s(k y y )e j t c
第6讲++基片集成波导+II
4.3 周期性结构
Floquet定理
20世纪50年代,因为微波真空管装置中降低电磁波相 速的慢波结构的应用,对周期性结构的研究主要集中在慢 波结构上;
不完善粒的定义标准
不完善粒的定义标准
“不完善粒”(imperfect grain)通常用于描述晶体结构中的缺陷或非完整的晶体结构单位。
在晶体学中,晶体由许多原子或分子按照一定规则排列组成,而不完善粒则指这种规则排列中的不完整部分。
其定义标准如下:
1. 缺陷结构:不完善粒是指晶体中局部区域的结构缺陷,可能是缺失了一些原子、存在原子的错位、杂质原子的插入或晶格畸变等。
2. 局部失序:不完善粒可以导致局部区域的晶体失去了一定的有序性,相对于完美的晶体结构来说,不完善粒处的原子排列会更为混乱或不规则。
3. 性质差异:不完善粒通常会引起晶体局部性质的变化,例如电子结构、热性质或机械性能等方面可能会与晶体其他区域有所不同。
4. 影响晶体整体性质:尽管不完善粒只是晶体结构中的局部缺陷,但其对整体晶体的性质和行为可能产生显著影响,特别是在材料科学和半导体领域。
不完善粒是晶体学中一个重要的概念,其理解有助于研究材料的性质和行为,特别是在研究晶体缺陷、材料改性和性能优化方面有着重要意义。
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定义:固溶体就是原子水平均匀分散的固体溶液。溶质 A进入溶剂B中,或取代溶剂基体中格点上的原子或离子, 或进入溶剂晶格的间隙,但不改变溶剂B原来的晶体结构。
实例:黄铜是锌为溶质铜为溶剂的固溶体,锌原子置 换了部分铜原子 。α-铁是碳为溶质铁为溶剂的固溶体,碳 原子进入铁原子间隙。
总和相同时,才可能满足电中性的要求。等价置换 才能形成连续固溶,非等价置换只能有限固溶。
尺寸因素的Hume-Rothery经验规则:
以r1和r2分别代表半径大和半径小的溶剂 或溶质原
子(或离子)的半径
r=
r1 –r2 r1
小于15% 能形成无限固溶体 介于15%-30% 能形成有限固溶体
大于30%
分类
1. 按照溶质进入溶剂所处的位置分类: 置换式固溶体:
溶质的质点处在溶剂的晶格格点位置,或溶质的 原子或离子置换了溶剂的原子或离子成为置换缺陷。
间隙式固溶体: 溶质的质点处在溶剂晶格的间隙位置,或溶质的原
子或离子进入溶剂的间隙成为间隙缺陷。
分类 2.按照溶质在溶剂中的固溶度(溶解度)分类 无限固溶体: 溶质溶剂完全互溶,溶解度可以是在0-1范围的任意 值。也被称为连续固溶体。只有置换固溶体才会是无限 固溶体。但不是所有置换式固溶体都能无限互溶。 有限固溶体: 溶质溶剂只能有限互溶,溶质在溶剂中的溶解度有 限,溶解度也叫固溶度。间隙式的固溶体都是有限固溶 体,置换式固溶体也有很多是有限互溶的。
(1)离子尺寸因素:
设氧离子半径为r,则按照离子半径比值可知镁离子 、铝离子和铬离子半径分别是0.47r、0.36r和0.40r。按照 Hume-Rothery经验规则:
r
=
r1–r2
r1
=
0.40r-0.36r 0.40r
= 10%
Al2O3-Cr2O3
=
0.47r-0.40r 0.47r
= 15%
2. 晶体(基质)结构:晶体中空隙愈大,结构愈疏松, 易形成固溶体。
由于形成间隙固溶体时会引起交大的主结构晶格畸变 和能量升高,因此,间隙杂质原子的固溶度一般小于间隙 位的10%。
实例
在面心立方结构中,例如MgO中,氧八面体间隙都 已被Mg离子占满,只有氧四面体间隙是空的。在TiO2中, 有二分之一的八面体空隙是空的。在萤石结构中,氟离子 作简单立方排列,而正离子Ca2+只占据了有立方体空隙的 一半,在晶胞中有一个较大的间隙位置。在沸石之类的具 有网状结构的硅酸盐结构中,间隙就更大,具有隧道型空 隙。 因此,对于同样的外来杂质原子,可以预料形成填 隙式固溶体的可能性或固溶度大小的顺序将是:
MgO-Al2O3
因此,从离子尺寸上看,Al2O3-Cr2O3可能形成无限固溶 体,而MgO-Al2O3则可能形成有限固溶体。
(2)晶体结构因素: Al2O3-Cr2O3具有相同的晶体结构,易于形成连续固
溶体;而MgO-Al2O3具有不同的晶体结构,不易形成连续 固溶体。
(3)化学键性因素: Al2O3-Cr2O3具有更接近的化学键性质,易于形成连
Pd-H系统(储氢材料)、NaCl-KCl系统、MgO-CaO系统,
ZrO2-CaO系统、MgO-Al2O3系统等。
形成置换型固溶体的条件(经验规则)
相似相溶
1. 原子或离子尺寸:原子或离子尺寸相近易于置换 2. 晶体结构类型 :晶体结构类型相似易于置换 3. 离子类型和键性:化学键性质相近易于置换 4. 电价因素:只有在离子价相同或同号离子的离子价
不能形成固溶体
注意:只是必要条件而不是充分条件
实例
1. NiO-MgO的Δr<15%,且都具有面心立方结构,离子 等价置换,可形成连续固溶体。
2. Co-Fe两两结构不同,只能形成有限型固溶体或不形 成固溶体。
3. Al-O键与Si-O键性质相似,所以常有Al置换Si形成铝 硅酸盐,例如钙长石Ca[Al2Si2O8]。
实例
无限互溶实例: Cu-Ni 系、C,分子式可写为MgxNi1-xO,x=0~1 。 PbTiO3 与 PbZrO3 , 分 子 式 可 写 成 : Pb ( ZrxTi1-x ) O3 ,
x=0~1
为什么?
有限互溶实例: Cu-Zn系统、Cu-Sn系统、Fe-C系统、
沸石>萤石>TiO2>MgO.实验证明是符合的。
随堂练习:
1. 对于 MgO、Al2O3、Cr2O3,其正负离子半径比分别为 0.47、0.36和0.40,则Al2O3、Cr2O3 有无可能形成连续固溶 体?MgO和Al2O3有无可能形成连续固溶体?
答: 以上三个物质形成的必然是置换型固溶体(结构紧 凑),因此可按照置换式固溶体形成条件中离子尺寸是否 接近、晶体结构是否相似、化学键性质是否接近、离子电 价是否相同或是否满足电中性要求四个方面来分析。
续固溶体;而MgO-Al2O3相对前者差异稍大,不易形成连 续固溶体。
(4)离子电价因素: Al2O3-Cr2O3为阳离子电价相同(等价置换),易于
形成连续固溶体;而MgO-Al2O3阳离子电价不同(非等价 置换),只能形成有限固溶体。
随堂练习:
实例 置换式实例:金属和金属形成的固溶体都是置换式的。
如,Cu-Zn系中的α和η固溶体都是置换式固溶体。在金属 氧化物中,主要发生在金属离子位置上的置换,如:MgOCaO,MgO-CoO,PbZrO3-PbTiO3,Al2O3-Cr2O3等。
间隙式实例:金属和非金属元素H、B、C、N等形成 的固溶体都是间隙式的。如,在Fe-C系的α固溶体中,碳原 子就位于铁原子的BCC(体心立方)点阵的八面体间隙中。
4. 简单等价置换的例子:NiO-MgO、Cr2O3–Al2O3。 复合等价置换的例子:Ca[Al2Si2O8]和Na[AlSi3O8]系 统,无限互溶,其中 Na++Si4+ =Ca2++Al3+ 。 非等价置换的例子:MgO-Al2O3,只能有限固溶。
形成间隙型固溶体的条件(经验规则)
1. 杂质质点大小:添加的原子愈小,越易形成固溶体, 反之亦然(原子直径比小于0.59才能形成)。