计组成原理实验报告昆工信息工程与自动化学院 (2)

实验一：数码管显示一、实验目地
（1）了解可编程外围接口芯片8255
(2) 理解数码显示译码器的作用。

(3)了解数据输入输出。

(4) 学会使用数码管的检测及显示译码器的使用。

(5) 掌握七段显示译码器的设计。

二、实验原理及基本技术路线图（方框原理图）
三、所用仪器、材料（设备名称、型号、规格等）
TDN-CM+或TDN-CM++教学实验系统一台。

四、实验方法、步骤
（1）按实验原理电路图连接好电路，确认无误后打开电源。

（2）打开数据开关三态门（SW-B=0），在input device 单元中输入对应的二进制数据，打开LED片选（LED-B=0），拨动LED的W/R控制信号做1→0→1动作，产生一个上升沿将总线上的数据打入到LED中，这时在output device单元中数码管上显示的数据即为相应的十六进制形式。

五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)
在输入单元输入二进制数据00010111，然后打开数据开关三态门（SW-B=0），打开LED片选（LED-B=0），拨动LED的W/R控制信号做1→0→1动作，产生一个上升沿，这时数码管上会显示对应的十进制数，即17。

六、实验结果、分析和结论
引入总线，大大方便了各种设备进行数据传输，输入/输出设备挂在总线上，能提高信息的交换量及CPU的运行速度，输入设备发出指令，得到总线使用权，输出设备发出读的请求，控制总线发出控制信号，将控制权交给输出设备，这样输出设备就能读取到总线上的数据，数码显示管就能显示输入的数据。

在这个实验中，我已大体了解数据输入如何输出、数码显示译码器的作用、学会使用数码管的检测及显示译码器的使用和大体上已基本掌握七段显示译码器的设计，此次实验学到了很多东西，使之以后的学习更加的方便。

实验二：运算器
一、实验目的
（1）了解运算器的组成结构。

（2）掌握运算器的工作原理。

（3）学习运算器的设计方法。

（4）掌握简单运算器的数据传输通路。

（5）验证运算功能发生器74LS181的组合功能。

二、实验原理及基本技术路线图（方框原理图）
实验中所用的运算器数据通路如图图 2.6-1所示，其中运算器由两片74LS181以并/串形式构成8位字长的ALU。

运算器的输出经过一个三态门（74LS245）和数据总线相连，运算器的两个数据输入端分别由两个锁存器（74LS273）锁存，锁存器的输入连至数据总线，数据开关（“INPUT DEVICE”）用来给出参与运算的数据，并经过一三态门（74LS245）和数据总线相连，数据显示灯（“BUS UNIT”）已和数据总线相连，用来显示数据总线内容。

图中已将用户需要连接的控制信号用圆圈标明，其中除T4为脉冲信号，其他均为电平信号。

由于实验电路中的时序信号均已接至“W/R UNIT”的相应时序信号引出端，因此，在进行实验时，只需将“W/R UNIT”的T4接至“STATE UNIT”的微动开关KK2输出端，按动微动开关，即可获得实验所需的单脉冲，而S3、S2、S1、S0、Cn、M、LDDR1、LDDR2、ALU—B、SW—B各电平控制信号用“SWITCH UNIT”中的二进制数据开关来模拟，其中Cn、ALU—B、SW—B为低电平有效，LDDR1、LDDR2为高电平有效。

图①运算器通路图
为控制运算器向内总线上输出运算结果，在其输出端连接了一个三态门。

若要将运算结果输出到总线上，则要将三态门74LS245的控制端ALU—B置低电平。

否则输出高阻态。

数据输入单元用以给出参与运算的数据，其中，输入开关经过一个三态门和内总线相连，该三态门的控制信号SW-B取低电平时，开关上的数据就通过三态门而送入总线上。

总线数据显示灯与美总线相连，用来显示内总线上的数据。

控制信号中除T4为脉冲信号外，其他均为电平信号。

由于实验电路中的时序信号均已连至W/R NUIT单元中的相对应时序信号引出端，因此，需要将单元中的T4接至START NUIT 单元中的微动开关KK2的输出端。

在进行实验时，按动微动开关，即可获得实验所需的单脉冲。

对于单总线数据通路，做实验时就要分时控制总线，即当向DR1、DR2工作暂存器打入数据时，数据开关三态门打开，这时应保证运算器输出三态门关闭，同样，当运算器输出结果至总线时也应保证数据输入三态门是关闭状态。

三、所用仪器、材料（设备名称、型号、规格等）
ZY15Comp12BB 计算机组成原理教学实验系统一台，排线若干
四、实验方法、步骤
（1）按图②算术逻辑实验接线图连接实验线路，仔细检查无误后，接通电源。

（2）打开电源开关。

（3）用输入开关项暂存器DR1置数。

①拨动输入开关形成二进制数01100101。

（数据显示：灯亮为0，灭为1） ②使SWITCH NUIT 单元中的开关SW-B=0、ALU-B=1、LDDR1=1、LDDR2=0。

③按动微动开关KK2，则将二进制数01100101置入DR1中。

（4）用输入开关向暂存器DR2置数。

①拨动数输入开关形成二进制数10100111
②SW-B=0、ALU-B=1保持不变，改变LDDR1
、LDDR2、使LDDR1=0、LDDR2=1。

图② 算术逻辑实验接线图
③拨动微动开关KK2，则将二进制数10100111置入DR2中。

（5）检验DR1和DR2中的数是否正确。

①关闭数据输入三态门，打开ALU 输出三态门，并使LDDR1=0、LDDR2=0，关闭寄存器。

②置S3、S2、S1、S0、M 为1、1、1、1、1，总线显示灯显示DR1 中的数。

③置S3、S2、S1、S0、M 为1、0、1、0、1，总线显示灯显示DR2中的数。

（6）改变运算器的功能设置，观察运算器的输出。

①SW-B=1、ALU-B=0保持不变。

②按表置S3、S2、S1、S0、M 、CN 的数，并观察总线显示灯显示的结果。

例如：
置S3、S2、S1、S0、M 、CN 为1、0、0、1、0、1，运算器进行加法运算。

置S3、S2、S1、S0、M 、CN 为0、1、1、0、0、0，运算器进行减法运算。

（7）验证74LS181的算术运算和逻辑运算功能。

五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)
DR1
DR2
S3 S2 S1 S0
M=0 （算术运算） M=1 逻辑运算
Cn=1 无进位
Cn=0 有进位 65 65 65
A7 A7 A7
0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1
F=（65） F=（E7） F=（7D ） F=（FF ） F=（A5） F=（27） F=（BD ） F=（3F ）
F=（66） F=（E8） F=(7E) F=(00) F=(A6) F=(28) F=(BE) F=(40)
F=(9A) F=(18) F=(82) F=(00) F=(0A) F=(58) F=(C2) F=(40)
1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 F=（3A）
F=（OC）
F=（A2）
F=（24）
F=（CA）
F=（4C）
F=（E2）
F=（64）
F=(8B)
F=(OD)
F=(A3)
F=(25)
F=(CB)
F=(4B)
F=(E3)
F=(65)
F=(BF)
F=(3D)
F=(A7)
F=(25)
F=(FF)
F=(70)
F=(E7)
F=(65)
六、实验结果、分析和结论
我们熟悉并且懂得运算器的工作原理及控制这中运算的方法，这个实验使用的是二进制运算器，可进行二进制代码的16种逻辑运算，通过将S3、S2、S1、S0、M、CN置不同的值，我们验证了它的16种逻辑功能，运算器可以实现加、减、乘、除四则运算，还可以实现与、或、非、异或等逻辑操作，以及移位、求补等操作，运算器处理的数据来自存储器，处理后的结果数据通常送回存储器，或暂时寄存在运算器中。

从输入单元输入数据，分别寄存在暂存器中，然后输入到74LS181发生器中，实现各种运算功能。

实验三：存储器
一、实验目的
掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法
二、实验设备
TDN-CM+或TDN-CM++教学实验系统一台
三、实验原理
实验所用的半导体静态存储器电路原理如图①所示，实验中的静态存储器由一片6116（2K*8）芯片构成，其数据线连接至总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。

地址灯AD0~AD7与地址线相连，显示地址状况。

数据开关经一个三态门（74LS245）连接至数据总线，分时给出地址和数据。

因地址寄存器为8位，所以接入6116芯片的地址为A7~A0，而最高3位A8~A10接地，所以其实际容量只有256字节。

6116芯片有三个控制线：CE(片选线)、OE(读线)、WE(写线)。

当片选有效(CE=0)、OE=0时进行读操作，WE=9时进行写操作。

本实验中将OE 常接地，在此情况下，当CE=0、WE=0时进行读操作, 当CE=0、WE=1时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。

实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3响应插孔中，其脉冲宽度可调，其他电平控制信号由“SWITCH UNIT ”单元的的二进制开
CE WE
数据灯
OE D7 ··· D0 6116 A10···A8 A7··· A0
AR （273）
三态门
数据开关
AND2
地
址 灯
AD7 ··· AD0
NAND2
CE WE T3 LDAR T3
SW-B
图③
存储器实验原理图
关模拟，期中SW-B 为低电平有效,LDAR 为高电平有效。

四、实验方法、步骤
(1) 形成时钟脉冲信号T3。

具体接线方法和操作步骤如下：
① 接通电源，用示波器接到反波信号源的输出擦插孔H23调节电位器W1及W2，使H23端输出实验所期望的频率和占空比的方波。

② 将时序电路模块（STATE UNIT ）单元中的和信号单元（SIGNAL UNIT ）中的H23排针相连。

③ 在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP ”和“STEP ”。

将“STOP ”开关置为“RUN ”状态，“STEP ”开关置为“EXEC ”状态时，按动微动开关“START ”,则TS3端输出连续的方波信号，此时调节电位器W1，使T3啊输出实验要求的脉冲信号。

当“STOP ” 开关置为“RUN ”状态,“STEP ” 开关置为“STEP ”状态时，每按动一次微动开关START ，则T3输出一个单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。

(2) 按图④连接实验线路，仔细检查无误后接通电源。

SIGNAL UNIT
STA TE UNIT
W/R UNIT
图④
静态随机存储器实验接线
MAIN MEN
ADJ5
D7 ··· D0
A7 ··· A0 B7···B0
AD0···AD7 W/R
ADDRESS UNIT
SWJ3 SW-B
INPUT DEVICE
SW-B LDAR
CE WE
SWITCH UNIT LDAR
WE
H23
TS3
T3
CE
W/R
（3）写存储器。

给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11H 、12H 、13H 、14H 、15H 。

由上面的存储实验原理图（图3.6-2）看出，由于数据和地址全由一个数据开关给出，因此要分时的给出。

下面的写存储器要分两个步骤：第一步写入地址，先关掉存储器的片选（CE=1）,打开地址锁存器门控信号（LDAR=0）,打开数据开关三态门（SW-B=0）,由开关给出要写入的存储单元地址，按动START 产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器；第二步写数据，关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0）,打开存储器片选，使之处于写状态（CE=0,WE=1）,由开关给出此单元要写入的数据，按动START 产生T3脉冲将数据写入到当前的地址单元中，写其他单元依次循环上述步骤。

写存储器流程如图③所示（以向00号单元写入11H 为例）。

SW-B=0 SW-B=1 SW-B=0 CE=1 CE=1 LDAR=1 T3=
SW-B=0 SW-B=0 SW-B=1 CE=0 WE=0 LDAR=0 LDAR=0 T3=
（4）读存储器。

依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。

同写操作类似，读每个单元也需要两步：第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1）,打开地址锁存器门控制信号（LDAR=1）,打开
数据开关
（00000000）
三态门 地址寄存器AR （00000000）
存储器RAM （00010001） 三态门 数据开关 （00010001）
数据开关三态门（SW-B=0）,由开关给出要写存储单元的地址，按动START 产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器；第二步读存储器，关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0）,关掉数据开关三态门（SW-B=1）,片选存储器，使它处于读状态（CE=0、WE=0）,此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。

读其他单元依次循环上述步骤。

读存储器操作流程如下图所示（以从00号单元读出11H 数据为例）。

SW-B=1 SW-B=0 SW-B=0 SW-B=1 CE=1 CE=1 CE=0 WE=0
LDAR=1 LDAR=0 T3=
五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)
写入第一个地址时，在输入单元给出二进制地址00000000，打开地址锁存器，便可把地址打入地址锁存器，地址灯显示为00000000，然后输入该单元存入的数据00010001（11H ），总线数据显示灯应显示为00010001，打开存储器片选，使之处于写操作，这样11H 便存入00号单元，依此类推，可将12H 、13H 、14H 、15H 分别存入01、02、03、04地址单元，地址灯和总线数据显示灯都分别显示出结果。

读存储器时，当用开关给出存储单元地址时，地址灯会显示，这时，打开存储器片选，使之处于读状态，此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。

六、实验结果、分析和结论
首先在做实验时，不能有一点的马虎，只要连错一根线就会导致你的错误，所以要非常的细心。

通过该实验，我已大体掌握静态随机存储器RAM 工作特性及数据的读/写方法。

同时还了解到储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS 晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。

由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。

一个存储器中所数据开关 （00000000） 三态门 地址寄存器AR （00000000） 存储器RAM （00010001）
有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量，给出地址指令，就可以将数据存入指定的地址单元。

实验四：总线传输实验
一、实验目的
（1）理解总线的概念及其特性
（2）掌握总线传输控制特性
二、实验原理及基本技术路线图（方框原理图）
总线传输框如图5.4-1所示，他将几种不同的设备挂至总线上，有存储器、输入设备、输出设备、寄存器。

这些设备都需要三态输出控制，按照传输要求恰当有序的控制它们，就可实现总线信息传输。

图5.4-1 总线传输实验框图
基本实验要求如下：
根据挂起在总线上的几个基本条件，设计一个简单的流程；
1）
输入设备将一个数打入R0寄存器。

2）
输入设备将另一个数打入地址寄存器。

3）
将R0寄存器中的数写入带当前的地址的寄存器中。

4） 将当前地址的寄存器中的数用LE 数码管显示。

三、所用仪器、材料（设备名称、型号、规格等）
地址寄存器 AR 存储器 RAM 数码管显示 LED R0 寄存器 数据输入开关
SW-B LDA CS W/R LED-W/R R0-LDR0
TDN-CM+或TDN-CM++教学实验系统一台
四、实验方法、步骤
1)按照图⑤试验接线图进行连线。

（2）实验的具体操作步骤图如图⑤所示。

首先应关闭所有三态门（SW-B=1，R0-B=1，LED-B=1）,并将关联的信号置为LDAR=0，LDR0=0，W/R(LED)=1，W/R(LED)=1.然后参照如下操作流程，先将数据开关打入到R0中；然后继续给开关置数，拨动LDR0控制信号做0→1→0动作，产生一个上升沿将数据打入到R0中；然后继续给数据开关置数，拨动LDAR控制信号做0→1→0动作产生一个上升沿将数据打入到AR中；关闭数据开关三态门，
打开R0寄存器输出控制，使寄存器输出，使寄存器处于写状态（W/R=0，CS=0），将R0中的数写到存储器中；关闭存储器片选，关闭R0寄存器输出，使存储器处于读状态（W/R=1，CS=0），打开LED片选，拨动LED的W/R控制信号1→0→1动作，产生一个上升沿将数据打入到LED中。

五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)
打开输出三态门，在输入单元由开关给出要保存的数据00010111（17H），拨动控制信号LDR0，可将数据打入到寄存器R0中，继续给数据开关置数，这时给出地址00000010（02H），拨动LDAR控制信号，变将数据打入了地址寄存器AR 中，之后打开R0的输出开关，将寄存器中的数据写入到02单元的存储器中，使存储器处于读状态，已读出该存储器中的数据，打开LED片选，拨动W/R信号，这时数码显示管上会显示出17，即输入到存储器02单元保持的数据，
六、实验结果、分析和结论
该实验我们做了，但是还有很多地方完成的不是很好，希望以后多加学习，它将几种不同的设备挂至总线上，有存储器、输入设备、输出设备、寄存器。

这些设备都需要有三态输出控制，按照传输要求恰当有序的控制它们，就可实现总线信息传输。

在这个实验中，总线具有数据存在总线上的特性，总线传输主要有三态门控制，在相应的操作下实现数据的输入和读取，在输入数据要有脉冲控制，总线包含三个基本结构：地址总线、数据总线、控制总线。

传递数据的过程是先寻址，再传递数据。

即先送一个地址信息，由寄存器根据这个地址，把微处理器要读取的数据写到总线上，微处理器再读取这个数据。

整个过程由控制总线控制。

所以每次读的数据是针对那个地址对应的寄存器操作的，写数据时一样，先寻址，再写数据，数据就写入刚才寻址时的地址对应的那个寄存器里去了。

当总线空闲（其他器件都以高阻态形式连接在总线上）且一个器件要与目的器件通信时，发起通信的器件驱动总线，发出地址和数据。

其他以高阻态形式连接在总线上的器件如果收到（或能够收到）与自己相符的地址信息后，即接收总线上的数据。

发送器件完成通信，将总线让出（输出变为高阻态）。

采用总线结构不仅简化了硬件的设计、简化了系统结构，还使系统扩充性、更新性能更好。

实验五：考核综合实验
一、实验目的
（1）掌握运算器和存储器的工作原理
（2）学习设计运算器和存储器的综合电路图
（3）掌握简单运算器的数据传输及静态随机存储器的数据的读/写方法（4）将运算器和存储器的功能结合起来，以实现数据的存储及运算二、实验原理及基本技术路线图（方框原理图）
实验中所用的运算器数据通路及半导体静态存储器电路原理如图⑥所示，静态存储器数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器给出，地址灯显示地址线状况，数据开关经一个三态门连至数据总线，分时给出地址和数据。

寄存器、输出设备挂至总线上，需要有三态输出控制，当总线上有数据时，就可以将总线上的数据打入R0寄存器或是用LED数码管显示。

用两片74LS181芯片来实现运算功能，右方为低4位运算芯片，左方为高4位运算芯片，低位芯片的进位输出端C （n+4）与高位芯片的进位输入端Cn相连，使低4位产生的进位送进搞4位运算中，两个芯片的控制端S0～S3和M各自相连。

6116芯片有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、WE（写线），实验中将OE常接地，当CE=0、WE=0时进行读操作，CE=0、WE=1时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致，将T3脉冲接至时序电路模块的TS3，总线数据显示灯已与内总线相连，用来显示内总线上的数据。

R0-B和LDR0控制R0寄存器，LED-B和W/R控制LED数码管的显示。

利用地址取出存储器中的两个数据，分别用两个数据暂存器DR1、DR2来锁存，要将内总线上的数据锁存到DR1或DR2中，则锁存器的控制端LDDR1或LDDR2须为高电平，当T4脉冲到来时，总线上的数据就被锁存进DR1或DR2中了，要获得所需单脉冲，要将“W/R UNIT”单元中的T4接至“STATE UNIT”开关KK2的输出端，单元中的输出端连接一个三态门，控制运算器将结果输出到总线上，
此时要使控制端ALU-B置低电平，否则输出高阻。

对于单总线数据通路，要分时控制总线，即当向DR1、DR2工作暂存器打入数据时，数据开关三态门打开，这时应保证运算器输出三态门关闭；同样，当运算器输出结果至总线时也应保证数据输入三态门是关闭状态。

SW-B、LDAR、CE、WE、R0-B、LDR0、LED-B、W/R、S3、S2、S1、S0、Cn、M、LDDR1、LDDR2、ALU-B各电平控制信号使用“SWITCH UNIT”单元中的二进制数据开关来模拟，其中SW-B、R0-B、LED-B、Cn、ALU-B为低电平有效， LDAR、LDDR1、LDDR2为高电平有效。

三、所用仪器、材料（设备名称、型号、规格等）
TDN-CM+或TDN-CM++教学实验系统一套
四、实验方法、步骤
（1）按图6.4-2连接实验线路，因“SWITCH UNIT”中的二进制数据开关
有限，因此用CLR控制LED的W/R，仔细查线无误后接通电源。

（2）写存储器。

给存储器的03、05地址单元中分别写入数据21、43。

首先应关闭所有三态门（SW-B=1，CE=1，RO-B=1，LED-B=1），并将关联的
信号置为LDAR=0，LDR0=0，WE=1，W/R=1。

由于数据和地址全由一个数据开关给出，因此要分时地给出。

第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写入的存储单元的地址，按动STATE产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器；
第二步写数据，关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），打开存储器片选，使之处于写状态（CE=0，WE=1），由开关给出此单元要写入的数据，按动STATE产生T3脉冲将数据写入到当前的地址单元中。

打开LED片选（LED-B=0），拨动LED 的W/R控制信号做1→0→1动作，产生一个上升沿将总线上的数据打入到LED 中，这是数码管上显示的数据即为当前送入到第00单元的指令。

写其他单元依次循环上述步骤。

（2）读存储器，将第03号单元中的数据送入寄存器R0
先读出第03号单元中的内容，第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1），
打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写入的存储单元的地址，按动STATE产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器；第二步读存储器，关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），关掉数据开关三态门（SW-B=1）,片选存储器，使它处于读状态（CE=0，WE=0），此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。

然后拨动LDR0控制信号做0→1→0动作，产生一个上升沿将总线上的数据打入到R0中，关闭存储器片选，打开R0寄存器输出控制（P0-B=0），打开LED 片选（LED-B=0），拨动LED的W/R控制信号做1→0→1动作，产生一个上升沿将R0中的数打入到LED中，用数码管显示出第00号地址单元中的数据。

（3）将第03号单元内容打入暂存器DR1,05号单元的内容打入暂存器DR2 紧跟着步骤（2），关闭LED片选（LED-B=1），使ALU-B=1（关闭ALU输出三态门）、LDDR1=1、LDDR2=0，按动微动开关KK2，将此时总线上的数据置入DR1；重复步骤（2），从存储器的第04号单元中读出其存储的数据， ALU-B=1保持不变，改变LDDR1、LDDR2，使LDDR1=0、LDDR2=1，按动微动开关KK2，将此时总线上的数据置入DR2。

(5)将DR1和DR2中的数据相加，然后用数码管显示运算，并打入存储器的第07号单元中
关闭数据输入三态门（SW-B=1），打开ALU输出三态门（ALU-B=0），并使LDDR1=0、LDDR2=0，关闭寄存器，置S3、S2、S1、S0、M、Cn为1、0、0、1、0、1，运算器进行加法运算，打开LED片选（LED-B=0），拨动LED的W/R控制信号做1→0→1动作，产生一个上升沿将ALU输出三态门输出的数据打入到LED中，用数码管显示出DR1和DR2中数据相加的结果。

五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)
将第一个地址打入到地址锁存器时，地址灯显示为00000011，然后输入11号单元的数据21，总线数据显示灯显示为00100001，此时我们可以在电路板上读出地址和地址中存储的数据，数码管上显示的结果也为21，将43存入第05号单元和将21存入第03号单元，出现的结果和上述一样。

当输入地址00000011时，从第03号地址单元中读出的数据会显示在总线数据显示灯上，即为00100001，同时数码管显示的数据也为33，同时读出05号单元的数据时，总线
数据显示灯会出现01000011，这时不需要在数码管上显示出来。

当把03号单元的数据21打入暂存器DR0，将05号单元的数据43打入到暂存器DR1之后，进行加法运算，然后将结果通过三态门输出，这时总线数据显示灯显示的结果为01100100，数码管上显示的数字为64（21+43），即21与43相加的结果，相加结果存入07号单元，减法运算步骤类似，结果存入DR2。

六、实验结果、分析和结论
该实验是比较的综合的实验，是对前面的知识的一个概括，刚开始，要理解他的工作原理，怎样设计，要有一个大体的思路，但是我对于实验原理不够理解，迟迟无法想出出综合实验的原理图，没有太多的头绪，只知道里面的一点，之后，老师讲解了一点，给我们一些思路，我们脑海里面开始有思路，有一个基本框图，它是分块完成的，每个块是相互结合的，总线具有数据存在总线上的特性，总线传输主要有三态门控制，在相应的操作下实现数据的输入和读取，在输入数据要有脉冲控制，经过此实验，我将在今后的学习中加深理解。