掺杂与费米能级的关系

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

掺杂与费米能级的关系
掺杂是指向半导体材料中引入杂质元素或者一些外部因素,比如
温度等,以改变其电性质的一种方法。

掺杂可以改变半导体材料的导
电性能,而费米能级可以很好地解释此现象。

第一步:理解费米能级
费米能级又称费米面,是指一个系统中所有电子能量的平均数,
且只有所有具有比费米能级低的能量的电子可以占据费米能级。

费米
能级可以用来描述金属、半导体和绝缘体中的电子行为。

在一个理想的半导体材料中,所有价带(valence band)的能量
都被占据了,而所有导带(conduction band)的能量都空着。

半导体
材料的导电特性就是由能带(band)之间的禁带(band gap)决定的。

在绝缘体中,禁带的能量非常高,电子没有足够的能量从价带向导带
跃迁,所以绝缘体不能导电。

在金属中,禁带的能量非常低,电子可
以很容易地离开价带进入导带,因此金属能够导电。

第二步:了解掺杂对费米能级的影响
当半导体材料被掺杂时,也就是引入少量杂质元素,会导致新的
能级被引入,并且这个能级应该比原来的禁带能量还要低。

这就意味
着更多的电子能够从价带跃迁到导带,导致半导体材料的导电能力增强。

在n型半导体中,掺杂的杂质元素有多余的电子,这些电子被引
入半导体中,会占据新引入的能级。

由于新能级比禁带能量低,这些
电子将成为导电的自由电子。

在p型半导体中,掺杂的杂质元素缺少
电子。

在这种情况下,半导体中的空穴(holes)跳到杂质元素上,形
成留有正电荷的空穴,这些空穴将产生电子空穴对(electron-hole pairs),从而导致半导体材料导电。

第三步:结论
通过在半导体材料中的掺杂,可以更改费米能级,进而影响材料
的导电能力。

n型和p型半导体是非常重要的器件,例如场效应晶体管,
二极管等器件都是由n型和p型半导体组成。

理解费米能级和掺杂的关系是要成为一名合格电子工程师的基本要求。

相关文档
最新文档