早发精神分裂症的钩束磁共振弥散张量FA值变化及意义

早发精神分裂症的钩束磁共振弥散张量FA值变化及意义杨毅;何明颖;黄莹;钱绍文;陈自谦
【期刊名称】《功能与分子医学影像学杂志（电子版）》
【年(卷),期】2017(006)003
【摘要】目的应用磁共振弥散张量成像(DTI)对早发精神分裂症(EOS)患者的脑部钩束进行研究,探讨其白质微结构改变与临床症状的关系.方法使用西门子3.0 T磁共振对25例EOS患者和18例正常人进行脑部DTI检查,将得到的双侧钩束的部分各向异性(FA)值进行统计学分析.结果 EOS患者左右侧钩束的FA值分别为0.55±0.14和0.57±0.13.相比对照组,EOS组左右钩束FA值显著增加(左
侧:P=0.001,右侧:P=0.002).结论钩束的FA值异常有助于早发精神分裂症的早期诊断和鉴别.
【总页数】4页(P1244-1247)
【作者】杨毅;何明颖;黄莹;钱绍文;陈自谦
【作者单位】350108 福州福建医科大学;解放军第一八○医院影像科;解放军第一八○医院影像科;解放军第一八○医院影像科;解放军第一八○医院影像科;福建医科大学福总临床医学院影像科
【正文语种】中文
【中图分类】R445.2;R749.3
【相关文献】
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