硅中与钼有关能级的研究

硅中与钼有关能级的研究
周洁;卢励吾;韩志勇;吴汲安
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】1992(13)1
【摘要】利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,并通过电子辐照、等时热退火等物理过程,鉴别了Si中与钼有关能级的本质.钼在Si中产生两个主要能级E(0.53)和H(0.36),前者为受主态,后者为施主态,这两个能级都与替位Mo原子有关.
【总页数】6页(P8-13)
【关键词】硅;钼;能级;能级瞬态谱;电子辐照
【作者】周洁;卢励吾;韩志勇;吴汲安
【作者单位】超晶格微结构国家实验室;中国科学院半导体研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.12
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