高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进任铮;石艳玲;胡少坚;金蒙;朱骏;陈寿面;赵宇航
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2006(27)6
【摘要】针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.【总页数】5页(P1073-1077)
【关键词】BSIM3模型;SPICE;HV;MOS晶体管;参数提取;曲线拟合
【作者】任铮;石艳玲;胡少坚;金蒙;朱骏;陈寿面;赵宇航
【作者单位】华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系;上海集成电路研发中心
【正文语种】中文
【中图分类】TN386.1
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