PC1D参数设置

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1.front surface charge--
那就是看你的表面有没有净的体电荷咯，没有就是neutral。

因为表面富集电荷可以引起能带弯曲，反之亦然，所以有净电荷的话你可以选择charged,或者是barrier两种方式描述。

区别呢就是前者会把你的电荷密度当作一个常数，后者把你的表面电场当作常数。

如果你一开始就play的话，不妨设成neutral好了
2.emitter contact enabled--
这个是要设的。

里面的默认值是对于一般的器件而言的0.3的emitter resistance，位置在0（前面）；0.1的base resistance，位置在10000（就是在后面的意思。

凡是数值大于器件厚度的就默认是在底。

）你尝试的时候，就打这两个勾用这个典型数值好了。

事实上的情况比这个麻烦。

因为你doping的时候（不管是background doping,还是diffusion形成emitter）,都会改变各自的resistance。

麻烦过两天等我空了的时候再来专门写怎么设这个。

3.internal shunt elements--
这个默认是没有的。

如果你不能确定是不是有内部分流，或者你本来模拟的就是理想的metallization很好的器件，你也不用管它。

但是还是比较有趣可以说一下。

你可以设置分流的位置，不用说了。

你可以设置分流的描述方式，用电阻，电容，或者是一个反置的二极管。

你理解的时候，就想成在理想器件的旁边并联一个上述的东西。

电阻就是电池内部一根导线把两个极一连不停的消耗产生的电能别的什么都不干；电容就像是内部一个电荷收集器一样的东西，充满了（饱和）就不再消耗电能了；反置二极管很有意思，因为它的意思是不停的提供反向电流，所以它可以用来模拟载流子复合，如果你需要的话。

这种方法虽然想起来很巧，但是事实上比较容易发散。

4.光学角度设置:
有一个优化值。

比方你如果设成89度的织构，不但起不到效果还有反作用。

一般自然角度是54.74。

其二，有一个trade-off。

虽然你织构增强了光吸收，但是你扩大了表面积导致了载流子在表面复合增强，影响了效率。

这种情况我并没有遇见过，但是是可能的。

我建议你可以在加了织构层以后手动调一下复合率把它调小一点，看看到底是不是这个原因引起的。

1．在设置表面发射率的时候，想导入自己测量的反射率曲线，但是我们测量得到的文件格式不是以ref为后缀，如何才能导进去。

2。

如何设置铝背场的反射率，是ext erior rear refleatance 还是在internal optical refectance 里面设置。

请顺便解释一下这两者的意义。

3。

铝背场是否可以模拟为背面扩散。

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1 在我的印象中好像txt也可以。

如果不行你就把后缀名改成
ref好了。

要求只有一个，就是每行两个数据，中间用空格隔
开就可以i了。

2 PC1D可以设置两面光照，可能是为了模拟那种bificial的设
计把。

所以ext erior rear refleatance 其实是指对从后面外面照进来的光的反射。

我想internal optical refectance才是你想要的吧？这个是指在cell里面反来反去。

3 这个问题没怎么看明白，不过不知道2是否能够回答你3的
问题？
5. emitter contact enabled--这个是要设的。

里面的默认值是对于一般的器件而言的0.3的emitter resistance，位置在0（前面）；
0.1的base resistance，位置在10000（就是在后面的意思。

凡是数值大于器件厚度的就默认是在底。

）你尝试的时候，就打这两个勾用这个典型数值好了。

事实上的情况比这个麻烦。

因为你doping的时候（不管是background doping,还是diffusion形成emitter）,都会改变各自的resistance。

麻烦过两天等我空了的时候再来专门写怎么设
这个。

我的好像不是这个值啊默认1e-006 ohms,是不是版本太老了，5。

0的[size=1][/size]
6. 当你emitter设定doping属性的时候，会得到一个sheet resistance
的值，你需要用这个值去计算contact里面emitter的internal series （我也不知道为什么不自己给改了），也就是Rs=1000Rsh/3。

输入进去OK。

7. 而真正的分流电阻的模拟，需要在Device-->internal elements里面设置。

8.金属发射率: 这个看你怎么用了。

当你的电池面积是1，你的金属finger和busbar的面积是0。

1的时候，你的broadband reflection就是10%
9. 你说的那几个参数不需要去设置，直接设置junction depth and sheet resistance的值就好了；你说的那几个参数我也不清楚，;疑问
10. 单位为微米的PEAK是峰值掺杂浓度的位置，一般为0；Depth factor字面意思就是深度因子，如果用Uniform的掺杂方式，其值与结深Junction Depth相同。