一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路[发明专利]

专利名称：一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路专利类型：发明专利
发明人：刘平,李海鹏,黄守道,陈梓健,陈常乐
申请号：CN201911116005.X
申请日：20191115
公开号：CN110838787A
公开日：
20200225
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路，本发明引入了漏极电流I和漏源极电压V的瞬时变化状态对SiC MOSFET的开关过程状态进行判断，通过逻辑判断得到作为中间量的开通过程检测判断信号和关断过程检测判断信号，并最终对驱动电流注入控制电路和驱动电流分流电路进行控制，在不同的阶段注入驱动电流I或分流驱动电流I，配合主驱动电路输出的驱动电流I得到多种栅极的驱动电流I的控制效果，从而使得本发明的主动驱动电路能够在抑制电压电流过冲的同时，保持开关损耗不增加，并使得SiC MOSFET的开关速度基本不受影响。

申请人：湖南大学
地址：410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
国籍：CN
代理机构：长沙智路知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：张毅
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