一种纳米级氮化钛-氮化硅复合材料的制备方法[发明专利]
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专利名称：一种纳米级氮化钛－氮化硅复合材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：高濂,李景国
申请号：CN02150906.9
申请日：20021128
公开号：CN1417163A
公开日：
20030514
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种纳米级高强度、导电性TiO－SiN复合材料的制备方法，其特征在于首先用非均相沉淀法制备锐钛矿型纳米TiO－SiN复合粉体，由纳米TiO－SiN复合粉体原位氮化制成氧化钛－氮化硅复合粉体，然后原位氮化制成TiN－SiN复合粉体，加入YO、AlO添加剂，制成TiN－SiN－AlO－YO复合粉体，将TiN－SiN－AlO－YO的复合粉体热压烧结而制成高强度、导电性的TiO－SiN 复合材料；复合材料中TiN/SiN=5/87～25/67，AlO为3，YO为5(均为vol％)。
本发明提供的方法制备的TiN－SiN中TiN/SiN=5/87～25/67(vol％)，在TiN含量为20－25vol％导电性最高，原位氮化后TiN颗均匀包裹在SiN颗粒表面，晶粒尺寸为40－50纳米；比文献报道的(30－50)vol％TiN含量低。
申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所
地址：200050 上海市定西路1295号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：潘振甦
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