晶界的特点
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形成对载流子运动的势垒或势阱;
❖与相邻晶粒的取向差 有关。
当取向差小于10˚时,晶界称为小角晶 界;
当取向大于10˚时晶界称为大角晶界。 实际的多晶材料一般都是大角晶界, 但晶粒内部的亚晶界则是小角晶界。
小角晶界
三、体缺陷
在体缺陷中比较重要的是包裹体。
若使堆垛顺序发生局部变化,形成如下 几种新结构: (1)外层错:插入一密排层,形成
ABCAB(A)CABC……。 (2)内层错:抽去一密排层,形成
ABCABCBCABC……。 (3)孪生:对称密排层,形成
ABCABCABCACBACBA……。
堆垛层错并不改变原子最近邻的关系, 只产生次近邻的错排,而且几乎不产生 畸变,所以是一种低能量的面缺陷。
除密堆积结构外,其它类型的晶体也可 能出现层错,如金刚石结构和闪锌矿结 构的{111}面在外延生长过程中,将可能 出现层错。
二、晶界
多晶是由许多小晶粒组成,晶粒与晶 粒的交界区域称为晶界。
晶界的特点
❖ (1) 晶界是个缺陷密集的过渡区,
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晶界是扩散的快通道;
❖ (2)晶界是杂质的富集区;
❖ (3)晶界可形成离子的聚集或吸附,
包裹体是晶体生长过程中所捕获的夹杂物。 气孔也可以认为是一种包裹体。
包裹体严重影响晶体性质,如造成光散射, 或吸收强光引起发热从而影响晶体的强度。
由于包裹体的热膨胀系数一般与晶体不同, 在单晶体生长的冷却过程中会产生体内应力, 造成大量位错的形成。
透明陶瓷研究
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• 目前制备的透明陶瓷透过率>70%