高线性度外延及注入GaAs Hall器件
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高线性度外延及注入GaAs Hall器件
郑一阳
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2002(23)5
【摘要】讨论了外延及注入制作的薄层 Ga As Hall器件如何获得高的磁线性
度 .Ga As Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离 ,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿 ,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中 ,可以得到在 2 .5 T的强磁场下,± 0 .0 4
【总页数】4页(P505-508)
【关键词】Hall器件;霍尔器件;砷化镓;线性度
【作者】郑一阳
【作者单位】中国科学院半导体研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN382
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