采用全栅型CSTBTM和镜像发射极检测技术的V1系列IPM
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采用全栅型CSTBTM和镜像发射极检测技术的V1系列IPM Marco Honsberg;Thomas Radke;Nishida Nobuya;Uota Shiori
【期刊名称】《电力电子技术》
【年(卷),期】2010(044)009
【摘要】为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率.V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kv,电流等级为
200A/300A/450A,以及电压等级为600V.电流为400A/600A.硅片技术和结构的改善有效地降低了V1系列IPM的结温,从而增加功率循环和热循环能力.同时,V1系列IPM的引脚与之前的2单元v系列IPM兼容.
【总页数】3页(P106-108)
【作者】Marco Honsberg;Thomas Radke;Nishida Nobuya;Uota Shiori
【作者单位】三菱电机欧洲,德国杜塞尔多夫 1548;三菱电机欧洲,德国杜塞尔多夫1548;三菱电机功率器件福岡制作所,日本福岡 819-0192;三菱电机功率器件福岡制作所,日本福岡 819-0192
【正文语种】中文
【中图分类】TN86
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