电子技术复习题(1)。

电子技术总复习

一、填空

1．P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。

2．半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V，死区电压为（0.5 ）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V，死区电压为（0.1 ）V。

3．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V。

4．某稳压管的稳定电压U Z=5V，最大耗散功率P ZM=100mW，则其最大稳电流I ZM=（20）mA。

5．某稳压管的稳定电压U Z=6V，最大稳定电流I ZM=20mA，则其最大耗散功率P ZM=（120）mW。

6．晶体管有（集电）极、（基）极和（发射）极三个电极，分别用字母（ C ）、（ B ）和（E ）表示。

7．晶体管的输出特性曲线可分为（放大）区、（截止）区和（饱和）区。晶体管处于放大区的条件是发射结（正）向偏置，集电结（反）向偏置。

8．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝a﹞工作于（饱和）状态，晶体管﹝b﹞工作于（截止）状态，晶体管﹝c﹞工作于（放大）状态。

9．放大电路如图﹝a﹞所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示，图中Q为静态工作点。则晶体管β=（50），静态I C=（2mA），U CE=5V，电阻R B≈（250kΩ），R C=（2.5kΩ），最大不失真输出电压U om=（3V）。

10．理想运算放大器的理想化条件是A uo →（∞ ），r id →（∞ ），r od →（ 0 ），K CMRR →（ ∞ ）。

11．负反馈放大电路有（串联电压 ）负反馈、（ 串联电流 ）负反馈、（ 并联电压 ）负反馈和（ 并联电流 ）负反馈四种类型。

12．正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是：（1）（相位 ）条件，即必须是（ 正 ）反馈；（2）（幅度 ）条件，即 F A u （ 1 ）。

13．在单相半波整流电路中，设整流变压器副边电压有效值为10V ，则整流电压的平均为（ 4.5 ）V ，二极管承受的最大反相电压为（ 14.1 ）V ，若负载电流平均值为2A ，则流过二极管的电流平均值为（4.44 ）A 。

14．设整流变压器副边电压有效值为U 。单相半波整流电路整流电压的平均值为（ 0.45 ）U ，二极管承受的最大反相电压为（ √2 ）U ；单相全波整流电路整流电压的平均值为（ 0.9 ）U ，二极管承受的最大反相电压为（ 2 √2 ）U ；单相桥式整流电路整流电压的平均值为（ 0.9 ）U ，二极管承受的最大反相电压为（ √2 ）U 。157页

15．在图1.1（a ）的串联型稳压电路中，已知U Z =5V ，晶体管T 的U BE =0.7V ，则U O =（ 4.3 ）V 。在图1.1（b ）的串联型稳压电路中，已知U Z =5V ，U XX =5V ，则U O =（ 10）V 。

16．有0出1，全1出0是（ 与非 ）门的逻辑特点。

17．将逻辑式B A

A

Y+

=化简后的结果为Y=（ A ）。

18．将十进制数（27）10转换为二进制数为（11011 ）。

19．在决定一件事情的条件中，全部条件满足结果才发生的逻辑关系称为（与门）逻辑。

20．在决定一件事情的条件中，只要有一个条件满足结果就发生的逻辑关系称为（或门）逻辑。

21．测得某逻辑电路的输入变量A、B和输出变量Y的波形如图1.2所示，则Y=（AB ）。

22．触发器有单稳态触发器、双稳态触发器和无稳态触发器之分。D 触发器属于（双稳态）触发器，JK触发器属于（双稳态）触发器，时钟脉冲发生器属于（无稳态）触发器。

二、选择

1．对半导体而言，其正确的说法是（C））。

A．P型半导体由于多数载流子为空穴，所以它带正电；

B．N型半导体由于多数载流子为自由电子，所以它带负电；

C．P型半导体和N型半导体本身都不带电。

2．附图所示电路的二极管是理想器件，AO两端的电压U AO为（ C ）。

A．4V；B．-4V；C．-10V；D．14V。

A

O

3．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ B ）。

A．D1、D2截止，D3导通B．D1导通，D2、D3截止C．D1、D2、D3均导通D．D1、D2、D3均截止

4．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。

A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止

C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止

5．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，稳压管的正向压降忽略不计，则U O=（ A ）。

A．5V B．7V C．0V

6．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，正向压降忽略不计，则U O=（ A ）。

A．5V B．7V C．0V

7．NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位（ A ）。

A ．V C ＞V

B ＞V E B ．V

C ＜V B ＜V E C ．V C ＞V B ＜V E

8．PNP 型晶体管处于放大状态的条件是（ B ）。

A ．V C ＞V

B ＞V E B ．V

C ＜V B ＜V E C ．V C ＞V B ＜V E

9．测得某放大电路中某PNP 晶体管三个极的电为分别为-9V ，-6.2V ，-6V ，则-6.2的那个极为（ B ）极。

A ．集电极；

B ．基极；

C ．发射极；

10．测得某放大电路中的某NPN 晶体管三个极的电位分别为9V ，

2.5V ，

3.1V ，则这三个极分别为（D ）。

A ．C ，

B ，E ； B ．E ，B ，

C ； C ．E ，C ，B ；

D ．C ，

E ，B 。

11．对某电路中一个NPN 晶体管进行测试，测得U BE ＞0，U BC ＜0，U CE ＞0，则该管工作在（A ）。

A ．放大区；

B ．饱和区；

C ．截止区。

12．晶体管的控制方式为（D ）。

A ．输入电压控制输出电压；

B ．输入电压控制输出电流；

C ．输入电流控制输出电压。

D ．输入电流控制输出电流。

13．在固定偏置共发射极放大电路中，当减小R B 时，（ C ）。

A ．集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的静态电压减小；

B ．集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的静态电压增大；

C ．集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压减小；

D ．集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压增大。

14．射极输出器（A ）。

A ．有电流放大作用，没有电压放大作用；

B ．有电压放大作用，没有电流放大作用；

C ．有电流放大作用，也有电压放大作用；

D ．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。

15．若将分压式偏置放大电路中的发射极旁路电容去掉，则其交流电压放大倍数的绝对值（ B ）。

A ．增大；

B ．减小；

C ．不变。

16．采用差动放大电路的目的是为了（ B ）。

A ．电压放大

B ．抑制零漂

C ．增强带负载能力

17．图2.1所示的差分放大电路的电压放大倍数A d =i

o u u 为（ A ）。 A ．be C r R β- B ．be C r R β C ．be C 2r R β- D ．be

C 2r R β