电子科大考研微电子器件2014真题及答案

2014年电子科技大学微机原理复试真题

2014年电⼦科技⼤学微机原理复试真题共5页第1页电⼦科技⼤学硕⼠研究⽣⼊学考试复试笔试试题《微机原理与应⽤》试题卷(120分钟) 考试形式：闭卷考试⽇期： 2014年 3⽉⽇⼀、选择题（每题2分，共50分）1. ⽚内AMBA 总线中，APB 桥是（）。

A 、⽀持突发传输数据的B 、AHB ⾼性能系统的中枢C 、APB 中的唯⼀总线主设备D 、⼀种总线仲裁器2. 超标量微处理器的特点有（）。

A 、不仅能进⾏32位运算，也能进⾏64位运算B 、内部含有多条指令流⽔线和多个执⾏部件C 、数据传输速度很快，每个总线周期最⾼能传送4个64位数据D 、芯⽚内部集成的晶体管数超过100万个，功耗很⼤ 3. RISC 执⾏程序的速度优于CISC 的主要原因是（）。

A 、RISC 的指令数较少B 、程序在RISC 上编译的⽬标程序较短 C 、RISC 只允许Load/Store 指令访存D 、RISC 的指令平均周期数较少4. 以下ARM 指令中，（）的源操作数采⽤了相对寻址⽅式。

A 、MOV R0,#2 B 、LDR R0,[R1]C 、BL SUB1D 、ADD R0,R1,R2,LSL #15. ⽤于存放待执⾏指令所在地址的是（）。

A 、程序计数器B 、数据指针C 、指令寄存器D 、地址寄存器6. 在某64位总线系统中，若时钟频率为1GHz ，传送⼀个字需要5个时钟周期，则该总线的带宽为（）MB/s 。

A 、400B 、800C 、1600D 、32007. ARM 处理器中⽤于反映其⼯作状态的是CPSR 寄存器中的（）。

A 、I 位B 、T 位C 、F 位D 、C 位8. 某系统的总线操作时序如下图所⽰。

可知：该系统的最⼤寻址空间为（①）；数据线D0~7上传送的是（②）信息；总线可能采⽤了（③）时序控制⽅式。

① A 、1KB B 、2KB C 、4KB D 、8KB ② A 、写存储器 B 、写端⼝ C 、读存储器 D 、读端⼝③ A 、异步B 、同步C 、周期挪⽤D 、以上都不对9. 下列关于DMA 的说法中，错误的是（）。

(完整版)电子科技大学微电子器件习题

第二章 PN 结填空题1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 N A =1.5 ×1016cm -3 ，则室温下该区的平衡多子浓度 p p0与平衡少子浓度 n p0分别为（）和（）。

2、在 PN 结的空间电荷区中， P 区一侧带（）电荷， N 区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时， N 型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、 PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势 V bi 就越（），反向饱和电流 I 0就越（），势垒电容 C T 就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势 V bi 可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为（）。

若P 型区的掺杂浓度 N A =1.5 ×1017cm -3，外加电压 V= 0.52V ，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n p 为（）。

9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、 PN 结的正向电流由（电流三部分所组成。

11、 PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）； PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

电子科技大学微电子器件习题

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：241法语（二外）注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、用括号中动词的正确形式填空。

（每空1分，共10分）1. Plusieurs éléments (rendre) ____________ maintenant la situation grave.2. Je vais vous inscrire. (donner) ____________ -moi votre passeport.3. Au début du 20e siècle, la télévision (être) ____________ en noir et blanc.4. Hier après-midi, je (dormir) ____________ pendant trois heures.5. Ne dépassez pas les limites de vitesse ou vous (avoir) ___________ une amende.6. Je voudrais simplement que la vous (savoir) ___________ la réalité.7. Si le voyage n’était pas si long, nous (aller) __________ plus souvent en Bretagne.8. Si tu (réviser) _______________ tes cours, tu aurais réussi ton examen.9. Il est furieux de (rater) __________________ son train.10. Il écoute France Inter à la radio (préparer) __________________ le repas.二、选择填空。

电子科技大学微电子器件 (习题解答)

s Emax
qND
在
x
xi2 处，E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得：xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结,
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
E3
q
s
NA(x
xp )
在
x
0 处，电场达到最大， Emax
q
s
ND xn
q
s
NA xp
E
Emax
E1
E3
x
0
表面上，两种结构的 Emax 的表达式相同，但由于两种结构的掺杂相同，因而Vbi 相同（即电场曲线与横轴所围面积相同），所以两种结构的 xn、xp与 Emax 并不相同。
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区，VA
WB dWB dVCE
式中，dWB dxdB , VCE VCB VBE
因
VBE
保持不变，所以 dVCE
dVCB ,
于是：VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入，得： 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），

电子科技大学微电子器件习题

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

桂林电子科技大学2014年考研试题817电子技术综合(2014-A)

Rc 3kΩ
饱和管压降UCES 0.6V ，当输入信号幅度增大到一定值时，电路 C1
将首先出现（）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部
B. 饱和；顶部
ui
VCC (12V)
C2
RL 3kΩ
uO
C. 截止；底部
D. 截止；顶部
图2
2 、某差分放大器的差模电压增益为 1000 ，共模抑制比为 100dB ，则共模电压增益为
A、J=D,K= D
B、K=D,J= D
C、J=K=D
D、J=K= D
）位。
五、化简逻辑函数（每题 5 分，共 10 分）
1．用公式法化简 Y
A B BD
DCE
D
A
，化为最简与或表达式。
2．用卡诺图化简Y ( A, B, C , D ) （3，5，6，7，10）＋（0，1，2，4，8），化为最简与或表达式。
）。
A、乘法电路
B、加法电路
C、积分电路
D、电压比较电路
10、在负反馈电路中自激振荡的平衡条件是（
）。
A、附加相移 2n , A F 1
B、附加相移 2(n 1) , A F 1
C、附加相移 2n , A F 1
D、附加相移 2(n 1) , A F 1
二、填空题（每空 1 分共 15 分）
4、下列描述不正确的是（）
A．触发器具有两种状态，当 Q=1 时触发器处于 1 态
B．时序电路必然存在状态循环
C．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢
D．边沿触发器具有前沿触发和后沿触发两种方式，能有效克服同步触发器的空翻现象

电子科技大学微电子器件习题

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=×1017cm-3，外加电压V= ，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

微电子学考试题库及答案

微电子学考试题库及答案1、PN结电容可分为过渡区电容和扩散电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT 的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。

5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。

8、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。

答案：见最后附件9、PN结电击穿的产生机构两种；（答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。

）10、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；（答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。

）11、晶体管特征频率定义；（答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数下降为时所对应的频率，称作特征频率。

）12、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；（答案：）13、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；（答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。

）15、MOSFET短沟道效应种类；（答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。

）16、扩散电容与过渡区电容区别。

（答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。

）。

2、截止频率fT答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。

3、耗尽层宽度W。

答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

2014年电子科技大学820计算机专业基础考研真题

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：820计算机专业基础注所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

《计算机操作系统》一、填空题（10分，每空2分）1.现有3个同时到达的作业J1、J2和J3它们的执行时间分别为T1、T2和T3，且T1<T3<T2若这三个作业在同一台处理器上以单道方式运行则平均周转时间最小的执行顺序是____2.若一个信号量的初值是5，经过多次P、V操作以后，其值变为-3则此时等待进入临界区的进程数目是____3.某基本分页存储管理系统具有快表，内存访问时间为2sµ，检索快表的时间为0.5sµ若快表的命中率为80%且忽略快表更新时间，则有效访问时间是____sµ4.在段页式存储管理系统中，若不考虑快表，为获得一条指令或数据至少需要访问_____次内存。

5.某虚拟存储器中的用户空间共有32个页面每页1KB主存16KB假设某时刻系统为用户的第0、1、2、3页分别分配的物理块为5、10、4、7，则虚拟地址0A6F对应的物理地址是_______（请使用十六进制表示）二、选择题（14分，每题2分）1.现代操作系统中最基本的两个特征是（）A共享和不确定B并发和虚拟C并发和共享D虚拟和不确定2.引入多道程序技术的前提条件之一是系统具有（）A分时功能B中断功能C多CPU技术D SPOOL ng技术3.操作系统是根据（）来对并发执行的进程进行控制和管理的。

A进程的基本状态B进程调度算法C进程的优先级D进程控制块4.在段页式存储管理系统中，地址映射表是（）A每个进程一张段表，一张页表。

B每个进程一张段表，每个段一张页表。

C每个进程的每个段一张段表，一张页表。

D每个进程的每个段一张段表，多张页表。

共4页第1页5.为使虚拟存储管理系统具有良好的性能应用程序应具备的特征是（）A程序模块化程度高由许多小模块组成B程序应具备良好的局部性特征C程序的I/O操作较少D程序实际大小应小于实际物理内存容量6.( )的基本含义是指应用程序独立于具体使用的物理设备A设备独立性B设备共享性C可扩展性D SPOOL ng技术7.从用户的角度看文件系统主要是实现( )A数据存储B数据保护C数据共享D按名存取三、分析计算题（30分）1.某操作系统的文件系统采用混合索引分配方式，索引节点中包含文件的物理结构数组addr[10]。

2014年电子科技大学832微电子器件考研真题

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。

2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。

3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。

同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。

（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。

（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。

6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。

栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。

（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。

（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。

在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。

9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。

电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】840专业课真题

共5页第4页
x
k1
θ
z
o
θ
k2
(3) 若这两束自然光光强不相等，设 I1=2I2, 也考虑光束夹角对光矢量振动方向的影响，求干涉条纹的可见度。（10 分）
3. 用白色平行光正入射到透射式夫琅禾费衍射光栅上，在 300 衍射角上方向上观测到 600nm 的第 2 级主极大，但在该方向上 400nm 的主极大缺级。若该光栅刚好能分辨第 2 级光谱中在 600nm 附近波长差为 0.005nm 的两条谱线。求(1) 光栅常数; (2) 光栅的总宽度; (3) 狭缝的可能最小宽度。（10 分）
A. 光源的横向宽度限制双缝的最大距离。
B. 光源的谱宽限制观察屏上干涉条纹的横向范围。
C. 条纹可见度整体随光源谱宽增大而降低。
D. 在光源临界宽度范围内，条纹可见度整体随光源宽度增大而降低。
13. 迈克耳逊干涉仪中补偿板的作用是
。
A. 消除两光路的不对称性
B. 补偿两光路的光程差
C. 在使用白色光源时补偿分光板的色散
B. 当 k 沿光轴时，S 与 k 的方向一致。
C. 当 k 沿光轴时，D 的方向无限制。
D. 当 k 沿主轴时，S 与 k 的方向一致。
22. 为使光正入射到单轴晶体内能获得最大的离散角，光轴与通光面的夹角β应满足
。
A. tgβ = ne / no
B. tgβ = no / ne
( ) C. tgβ = ne2 − no2 2neno
D．散射
25. 关于色散，下列说法中不正确的是
。
A. 正常色散发生在介质的透明区。
B. 反常色散发生在介质固有频率附近。
C. 正常色散是折射率随波长增加而减小的色散。 D. 反常色散是色散率为负的色散。

2014年电子科技大学836信号与系统和数字电路考研真题

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：836信号与系统和数字电路注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

信号与系统一：选择题（18分）请选择一个正确的答案写在答题纸上（注意标注好题号），多选不得分。

（1）已知系统输入[]f n 和输出[]y n 间关系为[]2[1]y n f n =+１）请问系统是否线性系统？是否稳定系统？（）。

A 、线性，非稳定；B 、非线性，非稳定；C 、非线性，稳定；D 、线性，稳定。

２）该系统冲激响应为（）。

A 、[]2[1]h n n δ=+；B 、[]2[1]h n n δ=+；C 、[]2[1]h n n δ=−+；D 、不能确定。

３）对任意输入[]f n ，系统输出[]y n 可表示为（）。

A 、[]2[1][]y n n f n δ=−+∗；B 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；C 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；D 、答案Ａ，Ｂ，Ｃ均不对。

（2） “对连续时间系统，若系统函数()H s 的收敛域包含虚轴则系统稳定”，该说法适合（）系统。

A 、线性；B 、时不变；C 、线性时不变；D 、任意。

（3）已知信号()f t 的频谱如图1所示，用周期冲激串()() k p t t kT δ∞=−∞=−∑进行采样，为使采样后的信号频谱不混叠，则最小采样角频率应满足（）。

图1，第1-（3）题图A 、8s ωπ>；B 、6s ωπ>；C 、4s ωπ>；D 、2s ωπ>（4）对连续时间周期信号()f t ，其傅里叶变换和拉普拉斯变换说法正确的是（）。

A 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。

B 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。

C 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。

D 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。

桂林电子科技大学2014级硕硕士研究生考研初试真题904微机原理及应用(B2)

桂林电子科技大学2014年研究生统一入学考试试题科目代码：904 科目名称：微机原理及应用（B2）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。

用。

（）5. 使用EQU语句定义的符号在同一个程序模块中，允许重新定义。

（）6. 主存储器由ROM、RAM、Cache以及硬盘构成，也称为内存，用（）7.（）8. 在8086/8088中断系统中，其中断向量表可存放256个中断向量。

（）9. RS-232C标准是EIA制定的串行总线标准，主要适合于数据传（）10. 直接存储器访问方式是一种不需要CPU干预，也不需要软件介（）4、分析简答题（本题共6小题，每小题5分，共30分）1. 已知DS=2000H，ES=3000H，SS=1500H，BX=0200H，BP=5000H，SI=0E50H，求出下列指令中，源操作数采用哪种寻址方式？物理地址各是多少？（1） MOV AX, [1000H]；（2） MOV AX，[BP]；（3） MOV AX，[BX][SI]；2. 已知AX=3600H，BX=4800H，CX=5010H，分析程序段执行后，寄存器AX,BX,CX的值。

PUSH AXPUSH BXPUSH CXXOR AX, AXNOT CXXCHG BH, CHPOP CXPOP BXPOP AX（1）用计数器0输出频率为1KHz的方波，二进制计数，给出初始化程序段；（5分）（2）要读出计数器1的当前计数值，存放到BX寄存器，给出相应程序段。

（5分）4. ADC0809通过并行接口8255A与系统总线连接，如图所示，已知缓冲区BUFFER已定义，大小为100个字节，现要求从ADC0809通道3（IN3）中，采用查询方式，采集100个数据，送到BUFFER缓冲区保存；A/D转换启动命令为START为高电平，EOC为高电平表示转换结束。

完成相关程序段。

8255A的端口地址范围是 60H--63H。

电子科技大学微电子器件习题

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

《微电子器件》大学题集

《微电子器件》题集一、选择题（每题2分，共20分）1.微电子技术的核心是基于哪种材料的半导体器件？（）A. 硅（Si）B. 锗（Ge）C. 砷化镓（GaAs）D. 氮化硅（Si₃N₃）2.在CMOS集成电路中，NMOS和PMOS晶体管的主要作用是？（）A. 分别实现逻辑“1”和逻辑“0”的输出B. 作为开关控制电流的通断C. 用于构成存储单元D. 提供稳定的电压基准3.下列哪项不是PN结二极管的主要特性？（）A. 单向导电性B. 击穿电压高C. 温度稳定性好D. 具有放大功能4.在MOSFET中，栅极电压对沟道电流的控制是通过什么机制实现的？（）A. 改变沟道宽度B. 改变耗尽层宽度C. 改变载流子浓度D. 改变源漏间电阻5.双极型晶体管（BJT）在放大区工作时，集电极电流与基极电流的比值称为？（）A. 放大倍数B. 电流增益C. 电压增益D. 功耗比6.下列哪种材料常用于制作微电子器件中的绝缘层？（）A. 二氧化硅（SiO₃）B. 氧化铝（Al₃O₃）C. 氮化硼（BN）D. 碳化硅（SiC）7.在集成电路制造过程中，光刻技术的关键步骤是？（）A. 涂胶B. 曝光C. 显影D. 以上都是8.下列哪项技术用于提高集成电路的集成度？（）A. 减小特征尺寸B. 增加芯片面积C. 使用更厚的衬底D. 降低工作温度9.微电子器件中的金属-氧化物-半导体（MOS）结构，其氧化物层的主要作用是？（）A. 提供导电通道B. 隔绝栅极与沟道C. 存储电荷D. 增强电场效应10.在CMOS逻辑电路中，静态功耗主要由什么因素决定？（）A. 漏电流B. 开关频率C. 逻辑门数量D. 电源电压与漏电流的共同作用二、填空题（每题2分，共20分）1.微电子器件的基本单元是_______，它通过控制_______来实现对电流的调控。

2.在PN结正向偏置时，_______区的多数载流子向_______区扩散，形成正向电流。

3.MOSFET的阈值电压是指使沟道开始形成_______的最小栅极电压。

电子科大考研微电子器件2014真题及答案

电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao，@我没逗你玩儿
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