共射极放大电路的低频响应(三极管)
三极管放大电路的频率响应
• GH=20lgAuH= 20lgAum-3dB • GL=20lgAuL= 20lgAum-3dB
• 故又称H点和L点为-3dB点，BW为-3dB带宽。
12
二、实际旳频率特征及通频带定义
• 中频区增益与通频带是放大器旳二个主要指标，而 且这两者往往又是一对矛盾旳指标，所以引进增益带宽 乘积来表征放大器旳性能：
16
三、RC电路旳频率响应
• 1、高通电路
• RC高通电路如图所示：
•
•
Au
UO
•
Ui
1 R R 1
jC
1 1
jRC
17
三、RC电路旳频率响应
• 式中为输入信号旳角频率，RC为回路旳时间常数，
令：
L
1 RC
1
fL
L 2
1
2
1
2RC
f
j
•
Au
1
1 L
1
1
f
L
1
fL jf
j
jf
fL
18
三、RC电路旳频率响应
• 上限截止频率ƒH定义为高频区放大倍数下降为中频区旳 1/2时所相应旳频率，即：
AuH
1 2
Aum
0.707 Aum
• 同理，下限截止频率ƒL为：
AuL
1 2
Aum
0.707 Aum
• 通频带为：
BW= ƒH- ƒL ƒH
11
二、实际旳频率特征及通频带定义
• 上、下限截止频率所相应旳H点和L点又称为半功率点 （因为功率与电压平方成正比）。
15
三、RC电路旳频率响应
• 与耦合电容相反，因为半导体管极间电容旳存在， 对信号构成了低通电路，即对于频率足够低旳信号相 当于开路，对电路不产生影响；而当信号频率高到一 定程度时，极间电容将分流，从而造成放大倍数旳数 值减小且产生相移。
(完整版)三极管及放大电路原理
测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。
由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。
根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
共射极放大器原理
Q′
IC
Q
0
t
0
Ib = 0 Q
ib2
0 u ce2 u ce
t
为了使放大电路的输出电压幅度 尽可能大，而非线性失真小一般将静 态工作点设置在交流负载线中段稍下 一点。
二、稳定工作点的偏置电路
在共射基本放大器中，IBQ
=
EC
UBEQ Rb
EC Rb
是固定不变的，叫固定偏置电路，其温度稳
性很差，当温度变化时，三极管的反向饱和
0
u ce
(d)
0
UBE U beq
u BE
+
t0
t0
t
IB Ibq
iB
+
t0
t
0
t
IC Icq
iC
+0
t
t0
t
UCE Uceq
u CE
+
t0
t0
t
由图可得:
基极总电压是静态电压 UBE 和信号电
压 ui 的叠加，
即： uCE = UBEQ ui
同理，基极总电流也是静态基极电流 IBQ 和交变信号电流 Ib 的叠加.
(IBQ<<I1)
C1
则基极电位为： ui I2
IBQ b c
V
e
R
U
b2
E
Re
u0
UB
=
Rb2 R b1 R b2
EC
分压式偏置稳定电路
(2)、利用发射极电阻 Re 来获得直流负 反馈，稳定静态工作点。过程如下：
T(C) ICEO ICQ UE UBE IBQ ICQ
通常，UB>>UBE 所以发射极电流为：
三极管共射极放大电路
03
三极管共射极放大电路 的应用
音频信号放大
总结词
三极管共射极放大电路在音频信号放大方面具有重要作用，能够将微弱的音频信号放大，满足音频处理和播放的 需求。
详细描述
三极管共射极放大电路具有较高的电压放大倍数和电流放大倍数，适用于音频信号的放大。在音响设备、麦克风、 录音设备等音频处理和播放设备中，三极管共射极放大电路被广泛应用，以提高音频信号的幅度和音质。
用于调节三极管的工作点、偏置电路和信 号的输入输出，包括基极偏置电阻、集电 极负载电阻和发射极电阻。
用于将信号传输到三极管输入端，同时隔 断电路中的直流成分。
放大倍数与输入输出电阻
01
02
03
放大倍数
由三极管的电流放大倍数 和电路参数决定，是衡量 放大电路性能的重要指标。
输入电阻
反映放大电路对信号源的 负载能力，较高的输入电 阻可以提高信号源的利用 率。
输出电阻
反映放大电路带负载的能 力，较低的输出电阻可以 保证在负载变化时输出信 号的稳定性。
02
三极管共射极放大电路 的特性
电压放大特性
总结词
三极管共射极放大电路具有显著的电压放大能力，能够将输入信号的微小变化放 大成较大的输出信号。
详细描述
三极管共射极放大电路通过控制基极和集电极之间的电压差，实现对输入信号的 电压放大。在合适的偏置条件下，三极管能够将输入信号的电压幅度放大数倍至 数百倍，以满足各种电路应用的需求。
工作原理
在共射极放大电路中，输入信号通过基极与发射极之间的电压差控制三极管的 电流，从而控制集电极与发射极之间的输出信号。通过改变三极管的工作点， 可以实现对输入信号的放大。
电路组成
电源
3第三节 单管共射放大电路的频率响应
Ib rbb´ + Rb Ub´e -
b´
C´
c
Ic + 1-K C b´e K
+
Ui -
rb´e
gmUb´e e
Rc Uo
-
高频等效电路
一般情况下，输出回路的时间常数比输入回路的小得多，
因此，输出回路的电容可忽略不计。输入回路可简化。
开路电压： 等效电阻：
Us rbe Ri Us Rs Ri rbe
f
阻容耦合单管共射放大电路的波特图
11
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第三节 单管共射放大电路的频率响应
5. 增益带宽积
20lg|Au|/dB
20lg|Ausm|
O
0.1fL
fL
10fL 0.1fH
fH 10fH
f f
O 90 0 1350 1800 1350 2700
Ausm f H
rbe Ri 1 1 g m Rc Rs Ri rbe 2πR C 2π Rs rbb Cbe
7
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第三节 单管共射放大电路的频率响应
2. 低频段
Rs + Us +
Ui -
C1 b
Ib
rbb´
b +´
c
Ic +
Rb
Ub´e rb´e
gmUb´e
Rc Uo -
e 低频等效电路
U o gmU b / e Rc
rb / e Ri g rbe rb´e Ub´e Uce gmUb´e e 混合П参数与h参数之间的关系
26(mV) rbb´ + rb´e = rbe = rbb´ +（1+ β ） IEQ rbb´ = rbe - rb´e 26(mV) 可得： rb´e =（1+ β ） gm IEQ Cb´e≈ gmUb´e = gm Ibrb´e = βIb 2πfT
三极管放大电路的频率响应
补例
.
1000
画出函数
Au
(1
j 10)(1 f
j
100 )(1 f
j
f 105
)(1
j
f 107
旳幅频 )
特征渐近波特图，并求上限频率、下限频率、通频带。
解：
.
Au / dB
60
– 20 dB/十倍频
40
20 dB/十倍频
– 40 dB/十倍频
20
40 dB/十倍频
O
10 102 103 104 105 106 107 108 f / Hz
解：1. 求三极管混合型等效电路 参数
I BQ
VCC
U BEQ RB
10 0.7 mA 0.03 mA 310
ICQ 0 IBQ 65 0.03mA 1.95mA
U CEQ VCC I CQ RC (10 1.95 1)V 8.05V
可见放大电路工作点合适，故可求得
gm
I EQ UT
0.1fL
10fH
例 5.2.1 解续：
4. 作放大电路旳渐近波特图
幅频特征
+20dB/十倍频
-20dB/十倍频
-45°/十倍频
相频特征
-45°/十倍频
补例
已知某放大器旳幅频特征如图所示。试求该放大器旳 中频增益、fH、fL及通频带BW。若输入信号 ui=[5sin(2π×107t)+10sin(2π×105t)+20sin(2π×103t)]m V，阐明输出有无频率失真？
UT I EQ
(1 0 )re
0 为低频共发射极电流放大系数
低频跨导 gm
Ic
.
.
三极管及其放大电路 ppt课件
② 基区：很薄（通常为几微米～几十微米），低
掺杂浓度；(薄牛肉)
c
③ 集电区： 掺杂浓度要比发 射区低；
面积比发射区大；
N
b
P
N
e
ppt课件
7
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.1.2 BJT的电流放大作用
1.三极管的偏置 为实现放大，必须满足三极管的内部结构和外部 条件两方面的要求。
c
N
输出特性曲线可以划分为三个区域： 饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的 数值较小。此时Je正偏，Jc正偏
iC /mA
pp2t课5件℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /2V0
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小。此时Je正偏，Jc正偏。
2.极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允 许的最大电流。
ppt课件
27
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
（1）集电极最大允许电流ICM
指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。
（2）集电极最大允许功率损耗PCM
表示集电极上
过流区
允许损耗功率
Ii
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
Vo
RL
-
-
Ri
Ri决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大
小，即它决定了放大电路对信号源的要求。
Ri越大，Ii就越小，放大电路从信号源索取的电流越
小。放大电路所得到的输入电压Vi越接近信号源电压Vs。
三极管ppt课件
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体三极管放大电路的频率响应及耦合方式
晶体三极管放大电路的频率响应及耦合方式（1）放大器的幅频特性和相频特性上述放大器的微变等效电路和性能，都是在中频区进行分析的，当频率降低时，耦合电容的容抗增大，使放大器增益降低，因而在低频区应包含耦合电容的影响；相反，当频率真升高时，器件极间电容的容抗变小，分流作用增大，也使放大器增益降低，因而在高频区应当包含极间电容的影响。
所以在宽频率范围内讨论放大器性能时，都变为频率函数，增益表达式写成如下形式式中增益的幅模A（W）和相角（W）都是频率的函数，它们随频率的变化关系分别为幅频特性和相频特性，统称放大器频率特性或频率响应，表示在图5.2-2。
FLF为3DB带宽的下限截止频率，FH为上限截止频率，通频带（或频带宽度，简称带宽）为（2）三种组态放大器的频率响应1）共发射极放大电路的低频响应当忽略偏置电阻RB||RB2和晶体管参数TB'0、TCO的影响后，阻容耦合分压式偏置共发射极放大电路（参阅表5.2-6第一个图）在低频的等效电路如图5.2-4所示。
电压增益函数式中AAM为中频源电压增益。
2）三种组态放大器的高频响应7、级间信号的传递方式实际应用中为了得到高增益或是高功率，总是把基本放大电路级联成多级放大器，信号通过各级放大到负载端。
前级输出信号通过一定方式传递给下一级称之耦合，信号源与放大级、级与级、放大级与负载之间的互相影响必须通过合理设计耦合方式来解决。
耦合方式通常有以下三种。
1）阻容耦合例如两级阻容耦合放大器，第一级的负载电阻便是第二级的输入电阻，两级之间通过电容和负载电阻连接起来的方式称为阻容耦合。
其优点隔断级间的直流通路，各级静态工作点是相互独立、互不影响的，从而给电路设计、调整带来方便，只要信号频率不太低，足够大的耦合电容可使信号顺利通过，因而阻容耦合放大器应用广泛。
但是，对缓慢变化信号。
要求耦合电容太大以致无法实现，因而必须采用下面一种耦合方式，即直接耦合方式。
2）直接耦合在信号源与放大电路的输入端、放大级各级间、末级放大与负载间采用导线、电阻、二极管、稳压管等直流电流可以通过的元件来实现信号传输的电路，也能放大交变信号，显然信号能够顺利传递，其关健是各级要设置合适的静态工作点。
三极管低频小信号电压放大电路级间耦合方式
三极管低频小信号电压放大电路级间耦合方
式
三极管低频小信号电压放大电路级间耦合方式是电子电路中常见
的一种设计方法。
它通过将信号源与放大器级之间的耦合电容连接，
实现信号的传输和放大。
这种耦合方式可以有效地将信号传递到放大
器级，从而实现信号的放大和处理。
在三极管低频小信号电压放大电路中，一般使用电容来实现级间
的耦合。
这种耦合方式常见的有直接耦合和交流耦合两种。
首先，直接耦合方式是将信号源直接与放大器级间的电容相连接。
这种方式简单直接，适用于频率较低的信号放大。
在直接耦合方式下，耦合电容的选择需要考虑信号频率、放大倍数等因素，以保证信号传
输的可靠性和放大电路的稳定性。
其次，交流耦合方式是利用耦合电容和耦合电阻来实现级间的耦合。
在交流耦合方式下，信号源与放大器级之间通过耦合电容连接，
同时在耦合电容两端连接一个阻值适当的电阻。
这种方式可有效隔离
放大器级的直流偏置，使其具有较好的直流工作状态，并提高了放大
器对不同频率信号的传输能力。
需要注意的是，无论是直接耦合还是交流耦合，耦合电容的选择
都非常重要。
合适的耦合电容能够提供良好的信号传输效果，而选择
不当的耦合电容可能会导致信号失真、频率响应不均匀等问题。
综上所述，三极管低频小信号电压放大电路级间耦合方式是一种常见的电路设计方法。
通过选取合适的耦合电容和耦合电阻，可以实现信号的可靠传输和放大。
在实际应用中，我们需要根据具体的信号特点和电路要求来选择合适的耦合方式和参数，以达到最佳的放大效果。
模电第三章之 放大电路的频率响应
C1 + +
+
+
3.3.1 混合 型等效电路
一、混合 型等效电路cBiblioteka brbcrbb
+
b
Ib U be rb b
b
C bc
Ic c
+
gmU be
b
rbe
U be
rbe
C be
e
U ce
(a)三极管结构示意图
e
(b)等效电路
特点：（1）体现了三极管的电容效应 . .
10 f
f
图 3.2.1 的波特图
3.2.1 共射截止频率 f
值下降到 0.707 (即 1 0 )时的频率。 0 2
当 f = f 时，
1 0 0.707 0 2
20 lg 20 lg 0 - 20 lg 2 20 lg 0 - 3(dB )
对数幅频特性：
20 lg Au / dB
实际幅频特性曲线：
0.1 fL fL 10 fL f
0 3dB -20
高通特性：
-20dB/十倍频
-40
当 f ≥ fL(高频)，
幅频特性
Au 1
图 3.1.4(a)
当 f < fL (低频)， Au 1
且频率愈低，Au 的值愈小，
最大误差为 3 dB， 发生在 f = fL处
2
-20 lg 1 f L 20 lg Au f
2
则有：
当 f f L 时， Au 0 dB 20lg
f f 当 f f L 时， lg Au -20 lg L 20 lg 20 f fL
下限截止频率
第2章 三极管及其放大电路
图2.50 (a)幅频失真
频率失真 (b)相频失真
4
2.8放大电路的频率响应 4. 高通电路
第2章 三极管及其放大电路
图2—51高通电路及其频率响应
在图2—51(a)所示高通电路中，设输出电压 ，则 与输入电压之比为 A u
U Au o Ui R 1 R jC 1 1 1 jRC
高通电路的对数幅频特性为：
fL 20 lg | Au | 20 lg 1 f
2
低通电路的对数幅频特性为：
f 20 lg | Au | 20 lg 1 f H
2
10
2.8放大电路的频率响应
第2章 三极管及其放大电路
Cb 'e
gm 2f T
可以利用米勒定理简化等效模型，即把Cb‘c折合成两个电容，这两个 电容分别接在b’、e两端和c、e两端，它们的容值分别为（1+K）Cb‘c以 K 1 及 K Cb 'c，其中 K g m ( RC // R1 ) 。最后得到的单向化的等效电路如图 2.53所示，电路中的 C Cb'e (1 K )Cb'c。
2.8放大电路的频率响应
第2章 三极管及其放大电路
2.8.1 频率响应概述
在放大电路中，由于耦合电容的存在，对信号构成了高通 电路，即对于频率足够高的信号，电容相当于短路，信号几乎 毫无损失地通过；而当信号频率低到一定程度时，电容的容抗 不可忽略，信号将在其上产生压降，从而导致放大倍数的数值 减小且产生相移。与耦合电容相反，由于半导体三极管极间电 容的存在，对信号构成了低通电路，即对于频率足够低的信号 相当于开路，对电路不产生影响；而当信号频率高到一定程度 时，极间电容将分流，从而导致放大倍数的数值减小且产生相 移。
三极管放大电路的频率响应(课堂PPT)
• GH=20lgAuH= 20lgAum-3dB • GL=20lgAuL= 20lgAum-3dB
• 故又称H点和L点为-3dB点，BW为-3dB带宽。
.
12
二、实际的频率特性及通频带定义
• 中频区增益与通频带是放大器的二个重要指标，而 且这两者往往又是一对矛盾的指标，所以引进增益带宽 乘积来表征放大器的性能：
G •B W A u• m B W A u• m fH
•
人们总是希望放大器具有尽可能大的增益带宽乘积。
.
13
二、实际的频率特性及通频带定义
•
关于通频带的选择，要根据信号的频谱而定。
例如，心电图的最高频率分量约为100Hz，那么通
频带设计为0~100Hz左右即可。语音信号的频谱约 为10Hz~20KHz左右，而电视图象信号的频带要求为 0~6MHz左右。
• 上限截止频率ƒH定义为高频区放大倍数下降为中频区的 1/2时所对应的频率，即：
AuH12Aum0.70A7 um
• 同理，下限截止频率ƒL为：
AuL 12Aum0.70A7um
• 通频带为：
BW= ƒH- ƒL ƒH
.
11
二、实际的频率特性及通频带定义
• 上、下限截止频率所对应的H点和L点又称为半功率点 （因为功率与电压平方成正比）。
.
16
三、RC电路的频率响应
• 1、高通电路
• RC高通电路如图所示：
•
•
Au
U•O Ui
1RR1
jC
1 1
jRC
.
17
三、RC电路的频率响应
• 式中为输入信号的角频率，RC为回路的时间常数，
三极管放大电路
三极管放大电路一/共基极（Common-Base Configuration）的基本放大电路，如图1所示，图 1主要应用在高频放大或振荡电路，其低输入阻抗及高输出阻抗的特性也可作阻抗匹配用。
电路特性归纳如下：输入端（EB之间）为正向偏压，因此输入阻抗低（约20～200 ）；输出端（CB之间）为反向偏压，因此输出阻抗高（约100k～1M ）。
电流增益：虽然A I小于1，但是R L / R i很大，因此电压增益相当高。
功率增益，由于A I小于1，所以功率增益不大。
二/共发射极放大电路与特性图2共发射极放大组态的简化电路，共射极（Common-Emitter的放大电路，如图2所示。
图 2因具有电流与电压放大增益，所以广泛应用在放大器电路。
其电路特性归纳如下：输入与输出阻抗中等（Ri约1k～5k ；RO约50k）。
电流增益：电压增益：负号表示输出信号与输入信号反相（相位差180°）。
功率增益：功率增益在三种接法中最大。
三/共集电极（Common-Collector）接法的放大电路，如图3所示，图 3高输入阻抗及低输出阻抗的特性可作阻抗匹配用，以改善电压信号的负载效应。
其电路特性归纳如下：输入阻抗高（Ri约20 k ）；输出阻抗低（RO约20 ）。
电流增益：电压增益：电压增益等于1，表示射极的输出信号追随着基极的输入信号，所以共集极放大器又称为射极随耦器（emitter follower）。
功率增益Ap = AI × Av≈β，功率增益低。
图4自给偏压方式此电路不稳定，又称为基极偏压电路最简单的偏压电路，容易受β值的变动影响，温度每升高10°C时，逆向饱和电流ICO增加一倍，温度每升高1°C时，基射电压VBE减少2.5mV ，β随温度升高而增加(影响最大)图5射极加上电流反馈电阻改善特性自给偏压方式但还是不太稳定图6此为标准低频信号放大原理图电路路,见图6，其R1（下拉电阻）及R2为三极管偏压电阻（这种偏压叫做分压式偏置）为三极管基极提供必要偏置电流,R3为负载电阻，R4为电流反馈电阻（改善特性），C3为旁路电容，C1及C3为三极管输入及输出隔直流电容（直流电受到阻碍）,信号放大值则为R3/R4倍数.设计上注意: 三极管Ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意C1及C3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在R4并联一个C2，放大倍数就会变大。
放大电路的频率特性分析解析
fL
10fL
-90°
-135°
f
0.01fL
0.1fL
fL
10fL
20dB/十倍频
在高频段，耦合电容C1、C2可以可视为短路，三极管的极间电容不能忽略。 这时要用混合π等效电路，画出高频等效电路如图所示。
3. 高频段
用“密勒定理”将集电结电容单向化。
用“密勒定理”将集电结电容单向化：
定义当 下降为中频α0的0.707倍时的频率fα为共基极截止频率。
(3-7)
fα、fβ、 fT之间有何关系? 将式(3 - 3)代入式(3 - 7)得
一.BJT的混合π型模型
混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的。
rbb' ——基区的体电阻
1.BJT的混合π型模型
rb‘e——发射结电阻
b'是假想的基区内的一个点。
Cb‘e——发射结电容
rb‘c——集电结电阻
Cb‘c——集电结电容
——受控电流源，代替了
3.3 单管共射极放大电路的频率特性
（2）用 代替了 。因为β本身就与频率有关，而gm与频率无关。
2.BJT的混合π等效电路
放大电路对不同频率信号的相移不同，使输出波形产生失真 －－相位频率失真（相频失真）
图 频率失真
4、分析方法
由对数幅频特性和对数相频特性两部分组成; 横轴 f 采用对数坐标 ; 幅频特性的纵轴采用20lg|Àu|，单位是分贝(dB); 相频特性的纵轴仍用表示。
用近似折线代替实际曲线画出的频率特性曲线称为波特图，是分析放大电路频率响应的重要手段。
相频响应 ：
f
0.1fH
-180°
fH
10fH
课件：共射极放大电路的低频响应
1
4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应
5. 共射极放大电路的低频响应
①低频等效电路
假设 Rb=（Rb1||Rb2）远大于Ri
1
Ce Re
Ce折算到基极回路为
Ce 1 β
Ri
再与Cb1串联，得
C1
Cb1[Ce /(1 β)] Cb1 Ce /(1 β)
Cb1Ce
(1 β)Cb1 Ce
4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应
5. 共射极放大电路的低频响应
①低频等效电路
Rb1
Cb1 + b
Rs
+
Rb2
vi
VCC
Rc c + Cb2 +
T e
vo RL
Re
+ Ce
共射放大电路
Cb1 b Ib
Rs +
V s
rbe e
Rb
Re
c Ib
Rc Ce
低频小信号等效电路
Cb2
+ RL Vo
华中科技大学电信系 张林
AVSM
βRL Rs rbe
中频区(即通带内)源电压增益
f L1
1 2πC1 ( Rs
rbe
)
f L2
1 2πCb2 ( Rc
RL )
则
AVSL
[1
j(
f
AVSM L1/f )][1
j(
f
L2 /f
)]
若 fL1 4 fL2 则下限频率取决于fL1
华中科技大学电信系 张林
3
4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应
20lg AVSL /dB
2200llgg| AVVSSMM|
共发射极放大电路小信号模型分析法电子技术
共放射极放大电路小信号模型分析法 - 电子技术1、三极管的小信号模型（1）从输入端看，即B、E之间看。
由输入特性曲线，当输入电压ui变化时，即uBE变化ΔuBE时，会引起基极电流iB的变化ΔiB，由于输入变化ΔuBE一般很微小，在其变化范围内输入特性曲线近似线性，则输入端B、E之间可用一动态电阻rbe来等效，即等效电阻rbe的估算公式为：，其量级从几百欧到几千欧。
（2）从输出端看，即C、E之间看。
我们认为输出特性曲线在放大区域内呈水平线，则集电极电流的沟通重量ic与基极电流的沟通重量ib成线性关系，即ic=βib，故输出端可等效为一个受ib把握的电流源。
（用菱形框表示，它是受控电流源的表示符号，表示ic受ib把握）最终，我们可以得到三极管的小信号模型：其中2、放大电路的微变等效电路（1）画沟通通路放大电路加入沟通信号以后，电路中的电压和电流都是直流量和沟通量的叠加。
直流量可以通过直流通路分析计算静态值求得，对于沟通量我们可以通过沟通通路进行计算。
画沟通通路的原则：（a）耦合电容C1，C2很大，隔直通交，对沟通信号短路。
（b）直流电压源置零。
由于直流电压源一端接地，所以直流电压源对地短路。
（2）画出放大电路的微变等效电路在沟通通路中，把三极管用小信号模型代替，得到放大电路的微变等效电路。
3、计算放大电路的性能指标（1）电压放大倍数Au负号表示输出和输入反相。
（2）输入电阻ri（Rb：几百千欧至几千千欧，rbe：几百至几千欧）（3）输出电阻ro依据输出电阻的定义，输入侧、RL=∞，在外加测试电压作用下，产生相应的测试电流，。
由于，则，，C、E之间相当于开路，所以（留意不包含负载电阻RL）。
三极管的低频等效电路模型
三极管的低频等效电路模型三极管是一种常用的电子元件，广泛应用在电子设备中。
它的基本原理是利用控制电流来控制电压，具有放大、开关等作用。
对于三极管的研究，一项重要的内容就是其低频等效电路模型。
三极管的低频等效电路模型包括了三个要素：电阻、电容和电流源。
下面分步骤介绍三极管的低频等效电路模型。
1. 静态特性三极管的静态特性是指在没有交变信号时，三极管所呈现出的电阻、电压等参数。
首先来看三极管的两种工作状态：放大状态和截止状态。
在放大状态中，基极电流ib和集电极电流ic都有一定的数值。
因此，可以表示出基极-发射极j-e的电阻re和集电极-发射极j-e的电阻（dynamioc resistance）ro。
对于放大状态的低频等效电路模型，可以将re和ro分别表示为两个电阻。
在截止状态中，基极电流为0，集电极电流也为0。
此时三极管相当于一个开路电路，因此可以将其等效为一个高电阻，称之为输入电阻ri。
ri与re和ro的计算方式不同，可以根据三极管的参数手册进行计算。
2. 动态特性三极管的动态特性是指在外加交变信号时，三极管所出现的行为和效应。
在交变信号的作用下，三极管的负载线（load line）也会发生变化。
负载线是指三极管的负载所表现出的意义。
在负载线图像中，横坐标表示集电极电压，纵坐标表示集电极电流。
绘制负载线实际上是绘制出一个DC电路上的稳定点，以及三极管的直流放大倍数。
在负载线图像中，最终确定的DC工作点（即交点）是由电路设计者确定的，通常为三极管特性曲线中的某个点。
如果外加的AC信号超过了一定阈值，交点就会向上或向下偏移，导致交流输出信号出现畸变。
3. 输入电容在交流电路中，输入电容也是三极管建模中的一个关键片段。
因为输入电容可以过滤掉输入信号的高频部分，从而保证信号传递的频率范围。
三极管的输入电容通常是由基极-发射极之间的原有结构引起的，通常称之为Cje。
输入电容对于三极管的放大行为有着较为显著的影响，因此一定要考虑到它的性质。
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K
VO Vi
gmRLVbe Vbe
g m RL
解：
Z1
Z 1 K
2fCbc
1 gm RL
1
2f (1 gmRL )Cbc
CM1 (1 gmRL )Cbc
1
Z2
Z
1
1 K
2fCbc
1 1 g m R
2f
(1
1 1
gm RL
)Cbc
CM2
(1
1 g m RL
)Cbc Cbc
Cbc
CM1 CM 2
Re + Ce
2.7k
1.8k 50
例6.3.2
设共射放大电路在室温下运行，其参数为： rbe 1.5k ， 80，
忽略 Rb Re的影响试计算它源电压增益的下限频率。
解:
C1为Cb1和
Ce
(1
)
的串联
C1
(1
Cb1Ce
)Cb1
Ce
3050 F 0.6F
81 30 50
f L1
1 2πC1 ( Rs
]Ib
AvsL
V0 Vs
R'L
Rs rbe
•
1
1
j
C1
1
Rs
rbe
•
1
1
j
Cb2
1
Rc
RL
AvsM
•
1
1 j
f L1
•
1
1 j fL2
f
f
1
f
L1 2C1 Rs rbe
1
f
L2 2Cb2 Rc RL
6.3.2 共射极放大电路的低频响应
4、低频响应
AVSL
[1
j
f
A VSM L1 ][1
Cb1和
Ce 1
串联后，为
C1
输出回路： Ie Ic ，Ce>>Cb2
6.3.2 共射极放大电路的低频响应
3、低频源电压增益和下限频率
V0
RC
RL RL
1
jCb2
Ib RC
1 j
Ib RL
1
Cb2 (RC
RL
)
Vs
(Rs
rbe
1
jC1
)
Ib
(
Rs
rbe )[1
j
(Rs
1
rbe
)C1
1
1
jRc
f
H
1 2πRC
上限频率
A vsM 1 j f fH
中频源电 压增益
中频增益或通 带源电压增益
6.4.4 共射放大电路的高频响应
②高频响应 共射放大电路高频源电压增益
和RC低通电路相似
[ AvH
1
1 j( f
/
] fH )
A vsH A vsM 1
j(
1 f
/
fH )
幅频响应
20 lg |A vsH | 20 lg |A vsM |
rbe )
1 2 3.14 0.6 106 (50 1500 )
Hz 171.2HZ
f L2
1 2πCb2 (Rc
RL )
2 3.14
1 110 6 (4
2.7) 103
Hz
23.8HZ
所以该电路源电压增益的下限频率为 171.2HZ Rb1 110k
Rc 4k Cb2
+
Vcc +15V
20 lg
1
1 ( f / fH)2
相频响应 ＝－180－arctg(f/fH)
[实验二 频率特性研究]
设共射放大电路在室温下运行，其参数为：
rbb 100 ，0 100，fT 400MHz ，Cbc 0.5pF， VBEQ 0.7V
1、求静态工作点: VBQ VEQ VCQ I BQ ICQ I EQ 2、试计算它的中频源电压增益，并用分贝数表示；
6.4.4 共射放大电路的高频响应
3、等效图的进一步简化
CM2≈ Cb'c可以忽略，等 效图可进一步简化
b
rbb
b'
I Cbc
Cbc c I RL
+
+
+
g mVb ' e
Rs
Vi
Rb Vbe rbe
Cbe
+
Vo
VS
RL
--
-
e
-
C Cbe CM1 Cbe (1 gmRL )Cbc
Rs Rs
①高频源电压增益
Vs
rb'e rbe
•
Rb // rbe Rs Rb // rbe
Vs
A vsH
Vo Vs
Vo Vbe
Vbe Vs
Vs Vs
gm RLVbe Vbe
1
R
jc
1
rb'e Rb // rbe rbe Rs Rb // rbe
jc
g
m
R'L
rb'e rbe
Rb // rbe Rs Rb // rbe
b 和c之间的电压传输系数
K
VO Vi
gmRLVbe Vbe
gmRL
目标：断开输入输出之间的连接
CM1 CM 2
自我检查题
阅读教材P552-P553,了解密勒定理。电压传输系数为 求密勒电容 CM1 CM2
K
VO Vi
gmRLVbe Vbe
g m RL
Cbc
CM 1
CM 2
自我检查题
求密勒电容 CM1 C1M2
Vs
rb'e rbb rbe
• Vi
rb'e rbb rbe
•
Rb // rbe Rs Rb // rbe
Vs
rb'e rbe
•
Rb // rbe Rs Rb // rbe
Vs
R (Rs // Rb rbb ) // rbe
C Cbe CM1
6.4.4 共射放大电路的高频响应
5、高频响应和上限频率
Cb+1
1
RS
30
vi
50
Rb2
33k
vo RL
Re + Ce
2.7k
1.8k 50
6.4.4 共射放大电路的高频响应
1.共射放大电路的高频等效电路
C
rbc
Cbc
B rbb B
Cbe
rbe
E
共射电路原理图
高频小信号等效电路
6.4.4 共射放大电路的高频响应
2、求密勒电容 CM1 CM2
由于输出回路电流比较大，所以可以忽略 cbc 的分流，得 Vo gm RL Vbe
j
fL2
]
f
f
当 fL1 4时fL2，
下限频率取决于 fL1
例6.3.2
设共射放大电路在室温下运行，其参数为： rbe 1.5k ， 80，
忽略 Rb Re的影响试计算它源电压增益的下限频率。
Rb1 110k
Cb+1
RS
30
vi
50
Rb2
33k
Rc 4k Cb2
+
1
Vcc +15V
vo RL
3、试计算它源电压增益的上限频率;
4、忽略Rb Re试计算它源电压增益的下限频率。
Rb1
91k
RS
1k vi
Cb+ 10
Rb2 24k
Rc 5.1k +Cc
10
Vcc +12V
vo RL
++
b
b
r rbb bb
b' b'
++
++
Vi Vi Rb Rb
V r V r bbee bebe
Cbe
ICM 1
CHale Waihona Puke M1VS VS- - --
--
ee
c
c IRL
++
g mVb ' e
g V I m b'e CM2
CM2
VoVo
RRL L
-
--
6.4.4 共射放大电路的高频响应
4、利用戴维宁定理，简化信号源
6.3.2 共射极放大电路的低频响应
1、共射极放大电路的低频等效电路
f (Hz)
10 1k 10k
c 10F
zc
1 2fc
()
1592
15.92
1.592
6.3.2 共射极放大电路的低频响应
2、低频等效电路的简化
输入回路：Re
1 Ce
Rb ( R1 // R2 )很大
X Ce
(1 ) 1 2fC e