三极管结构、符号1汇总.
三极管
Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变 化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。
三极管种类、符号、参数、结构、原理知识要点汇总
三极管种类、符号、参数、结构、原理知识要点汇总
三极管的种类
1）低频小功率三极管
特征频率在3MHz以下，功率小于1W，一般作为小信号放大用；
2）高频小功率三极管
特征频率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高频振荡、放大电路；
3）低频大功率三极管
特征频率小于3MHz，功率大于1W，低频大功率三极管品种较多，主要用于电子音响设备的低频功率放大电路，在各种大电流输出稳压电源中作为调整管。
4）高频大功率三极管
特征频率大于3MHz，功率大于1W，主要用于通信等设备中进行功率驱动、放大；
5）开关三极管
利用控制饱和区、截止区相互转换而工作的。
开关三极管的开关需要一定的响应时间，开关响应时间的长短表示了三极管开关特性的好坏。
6）差分对管
把两只性能一致的三极管封装在一起，能以最简单的方式构成性能优良的差分放大器；7）复合三级管
复合三级管是分别选用各种极性的三极管进行连接，在组成复合三极管时，不管选用什么样的三极管，这些三极管都按照一定的方式连接，可以看成是一个拥有更高放大倍数的三极管。
组合复合三级管时，应注意第一只管子的发射极电流方向必须与第二只管子的基极电流方向一致。
复合三级管的极性取决以第一只管子。
复合三级管的最大特点是电流放大倍数很高，多用于较大功率输出电路。
三极管的外形、结构及图形符号
管和硅三极管。
16
di
er zhang jie
第二章 节
2.1 放大的概念
电流放大示意图
三极管的电流放大并不是指其自身能 把小电流变成大电流，它仅仅是起着一种
控制作用，控制着电路中的电源，使其按 确定的比例向三极管提供ＩaＩb和Ｉc把 三个电流。电流的这种控制作用就好比图
中所示的水流控制。
15
2.1 放大的概念
任务一 电路连接
ＩＢ
ＩC ＩE
三极管的电流放大电路
任务二 数据测量
调节电位器ＲＰ,以改变基极电流ＩＢ;用电流表得相应的ＩＢ Ｉ ＣＩＥ的数值如下表。 其中１mＡ＝１０３µＡ＝１０００µＡ
电 流 第一次 第二次 第三次 第四次 第五次
ＩＢ(µＡ） ＩＣ(mＡ）
0 40 46
50
56
0 8.084 9.099 9.803 10.85
2组
计算出
Ｉc１ 0
Ｉc２ Ｉc３ Ｉc４ Ｉc５
202
197
181
193
Ｉb１ Ｉb２ Ｉb３ Ｉb４ Ｉb５
3组
计算出
ic ib
=
Ｉc2－Ｉc1 Ｉb2 Ｉb1
202
Ｉc3－Ｉc2 Ｉb3 Ｉb2
165
Ｉc４－Ｉ c３ 176 Ｉb４Ｉb３
Ｉc５－Ｉ c４ 174.5 Ｉb５Ｉb４
任务四 数据分析
对于ＰＮP型三极 管，三个电极电流 的方向为 e→b→c, 电位关系为 VE>VB>VC
16
练习一
2.3 课堂练习
测得工作在放大状态的某三极管两个
电极的电流如图所示：（5分）
求：（１）第三个电极电流的大小、
常用三极管数据
常用三极管数据三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
下面是常用三极管的一些基本数据和特性介绍。
1. 三极管的分类根据不同的工作方式和结构特点，三极管可以分为NPN型和PNP型两种。
NPN型三极管的电流流向是从发射极到基极，再到集电极；PNP型三极管的电流流向则相反。
2. 三极管的符号表示三极管的符号表示如下：NPN型：发射极为箭头指向基极的一侧，集电极在箭头的另一侧。
PNP型：发射极为箭头指向基极的一侧，集电极在箭头的另一侧。
3. 三极管的主要参数和特性常用的三极管具有以下几个主要参数和特性：3.1 最大集电极电流（ICmax）最大集电极电流是指在特定工作条件下，三极管能够承受的最大集电极电流。
通常以单位安培（A）表示。
3.2 最大集电极-发射极电压（VCEO）最大集电极-发射极电压是指在特定工作条件下，三极管能够承受的最大集电极-发射极电压。
通常以单位伏特（V）表示。
3.3 最大功耗（Pmax）最大功耗是指在特定工作条件下，三极管能够承受的最大功耗。
通常以单位瓦特（W）表示。
3.4 最大集电极-基极电压（VCBO）最大集电极-基极电压是指在特定工作条件下，三极管能够承受的最大集电极-基极电压。
通常以单位伏特（V）表示。
3.5 最大发射极-基极电压（VEBO）最大发射极-基极电压是指在特定工作条件下，三极管能够承受的最大发射极-基极电压。
通常以单位伏特（V）表示。
3.6 最大集电极电流增益（hFE）最大集电极电流增益是指在特定工作条件下，三极管的集电极电流与基极电流之间的比值。
它反映了三极管的放大能力。
4. 三极管的应用三极管作为一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子电路中。
它可以用作放大器、开关、稳压器等功能。
在放大器电路中，三极管可以放大电信号，增强电路的输出功率。
在开关电路中，三极管可以控制电路的开关状态，实现电路的开关功能。
在稳压器电路中，三极管可以实现对电压的稳定控制。
总结：三极管是一种常用的电子元件，具有NPN型和PNP型两种类型。
三极管电路图形符号
三极管电路图形符号
1．两种极性三极管电路图形符号
(1) NPN型三极管电路图形符号。
图14-3所⽰是NPN型三极管电路图形符号，电路图形符号表⽰了三极管的3个电极，⽤VT1表⽰三极管，过去⽤T表⽰。
(2) PNP型三极管电路图形符号。
S21MD4T图14-4所⽰是PNP型三极管电路图形符号，它与NPN型三极管电路图形符号的不同之处是发射极箭头⽅向不同。
2．三极管电路图形符号中的识图信息说明
图14-5所⽰是根据三极管电路图形符号记忆3个电极的⽅法。
(1) NPN型三极管电路图形符号识图信息。
图14-6所⽰是NPN型三极管电路图形符号识图信息⽰意图，电路图形符号中发射极箭头的⽅向指明了三极管3个电极的电流⽅向，分析三极管直流电压时，这个箭头指⽰⽅向⾮常有⽤。
(2) PNP型三极管电路图形符号识图信息。
图14-7所⽰是PNP型三极管电路图形符号识图信息⽰意图，根据电路图形符号中的发射极箭头⽅向可以判断出3个电极的电流⽅向。
三极管参数符号汇总
三极管参数符号汇总Diode肖特基二极管 (Schottky Diode)Symbol Para m eterV RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流Current 反向电流I R ReverseI FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流Voltage 正向直流电压V F ForwardC j Typical Junction Capactiance 结电容Dissipation 耗散功率P D PowerT j Operating Junction Temperature 工作结温T stg Storage Temperature Range 存储温度R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管 (Pin Diode)Symbol Para m eterV R Continuous reverse voltage 反向直流电压I F Continuous forward current 正向直流电流voltage 正向电压V F Forwardcurrent 反向电流I R Reversecapacitance 二极管电容C d dioder d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗T emperature 结温T j Junction temperature 存储温度T stg storageTVS二极管 (TVS Diode)Symbol Para m eterI PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流voltage 钳位电压V C ClamplingI R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流voltage 击穿电压V(BR) BreakdownV RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forwardvoltage 正向电压current 正向电流I F Forwardcurrent 测试电流I T Test可控硅(SCR)Symbol Para m eterV DRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压I T(RMS)RMS On-state current 额定通态电流I TSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流I GM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流V TM peak forward on-state voltage 通态峰值电压I GT Gate trigger current 控制极触发直流电流V GT Gate trigger voltage 控制极触发电压current 维持电流I H HoldingI DRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流I RRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流P G(AV)Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度稳压管(Three Terminal Voltage Regulator)Symbol Para m eterV I inputvoltage 输入电压Vo outputvoltage 输出电压ΔVo Loadregulation 输出调整率ΔVo Lineregulation 输入调整率Iq quiescentcurrent 偏置电流ΔIq quiescent current change 偏置电流变化量V N Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripplerejection 纹波抑制比Vd dropoutvoltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peakcurrent 峰值输出电流T opr operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Para m eterV KA Cathodevoltage 阴极电压I K Cathode current range(continous) 阴极电流I ref Reference input current range,continous 基准输入电流P D Powerdissipation 耗散功率R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻T opr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度V ref Reference input voltage 基准输入电压ΔV ref(dev)Deviation of reference input voltage over fulltemperature range全温度范围内基准输入电压的偏差ΔV ref/ΔV KA Ratio of change in reference input voltage to the changein cathode voltage基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比ΔI ref(dev)Deviation of reference input current over fulltemperature range全温度范围内基准输入电流的偏差I min Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流I off Off-state cathode current 关断状态阴极电流|Z KA| Dynamicimpedance 动态阻抗普通晶体管 (T ransistor)Symbol Para m etervoltage 发射极开路,集电极-基极电压V CBO Collector-Basevoltage 基极开路,集电极-发射极电压V CEO Collector-emitter voltage 集电极开路,发射极-基极电压V EBO Emitter-basecurrent 集电极电流I C CollectorP C Collector power dissipation 集电极耗散功率temperature 结温T j JunctionT stg storagetemperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压breakdownvoltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)CEO Collector-emitterV(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压I CBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流current 集电极开路,发射极-基极截止电流cut-offI EBO EmitterI CEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流h FE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值saturation voltage 集电极-发射极饱和电压V CEsat Collector-emittersaturation voltage 基极-发射极饱和电压V BEsat Base-emitter voltage 基极-发射极电压V BE Base-emitterf T Transitionfrequency 特征频率C obo Collector output capacitance 共基极输出电容C ibo Collector input capacitance 共基极输入电容figure 噪声系数F Noisetime 开通时间t on Turn-ontime 关断时间t off Turn-offtime 上升时间t r Risetime 存储时间t s Storagetime 下降时间t f Falltime 延迟时间t d Delay数字晶体管(Digital Transistor) Symbol Para m eter voltage 直流电压V CC Supplyvoltage 输入电压V IN inputcurrent 输出电流I O outputdissipation 功率损耗P D Powervoltage 输入截止电压V I(off) Input-offvoltage 输入开启电压V I(on) Input-onvoltage 输出电压V O(on) outputcurrent 输入电流I I inputcurrent 输出截止电流I O(off) outputG I DC current gain 直流增益R1 Inputresistance 输入电阻ratio 电阻率R2/R1 Resistancefrequency 传输频率f T Transitiontemperature 结温T j junctionT stg storage temperature range 存储温度voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压V CBO Collector-baseV CEO Collector-emittervoltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压V EBO Emitter-baseMOS管(MOSFET)Symbol Para m eterI D Continousdraincurrent 漏极直流电流V GS Gate-sourcevoltage 栅-源电压V DS Drain-sourcevoltage 漏-源电压E AS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻R th(j-c)Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压I GSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流I DSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流r DS(on) Drain-sourceon-resistance 漏源通态电阻g fs Forwardtransconductance 跨导V SD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降C iss Inputcapacitance 栅-源电容C oss Outputcapacitance 漏-源电容C rss Reverse transfer capacitance 反向传输电容R g Gate resistance 栅极电阻t d(on)Turn-on delay time 开通延迟时间t r Risetime 上升时间t d(off)Turn-off delay time 关断延迟时间t f Falltime 下降时间I DM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流P D Power dissipation 耗散功率T j operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度。
PNP NPN 三极管
结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极管的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的耗散区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC 接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情况下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB?E（这部分是三极管作用不需要的部分）。
三极管
输出特性曲线上一般可分为三个区：
IC /mA 饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 IB=100 A 4 时，三极管处于饱和 0.3V，锗管约为0.1V, 状态。此时集电极电 管子深度饱和时，硅管的VCE约为 80 A 3 流IC与基极电流IB之 由于深度饱和时 VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个 间不再成比例关系， 闭合的开关。 放 60 A 2.3 IB的变化对IC的影响 2 大 40 A 很小。 截止区。当基极电 IB=0 流IB等于0时，晶体 UCE / V 0 管处于截止状态。 实际上当发射结电 此时 UCE小于UBE,规定： UCE=UBE晶体管工作在放大状态时，发射结正 时， 压处在正向死区范 VCC VCES I CS VCC / RC 围时，晶体管就已 偏，集电结反偏。在放大区，集电极电 为临近饱和状态，用 UCES（0.3 或 RC 经截止，为让其可 流与基极电流之间成β倍的数量关系， 0.1）表示，此时集电极临近饱和 靠截止，常使UBE 小于和等于零。 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。 临近饱和基极电流 I BS I CS / 电流是
ΔIC
当IB一定时，从发射区扩散到基区 的电子数大致一定。当UCE超过1V以 后，这些电子的绝大部分被拉入集 电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
UCE / V
0
当IB增大时，相应IC也增大，输出特性曲线上移， 且IC增大的 幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。 从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数β。 取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差； 再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA； 于是我们可得到三极管的电流放大倍数： β=ΔIC/ΔIB=1.3÷0.04=32.5
三级管
18任务二半导体三极管及其应用半导体三极管又叫晶体三极管，由于它在工作时半导体中的电子和空穴两种载流子都起作用，因此属于双极型器件，也叫做BJT （Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管），它是放大电路的重要元件。
照明电灯开关在我们的生活中司空见惯，一般用的是机械开关，如图1—21a 所示，随着电子技术的发展，声控、光控和遥控电灯开关也相继出现，极大地方便了人们的生活，如图1 —21b 所示为遥控电灯开关，在这些新型的电灯开关电路中有的就使用了三极管驱动电路，其电原理图如图1—22所示，电路板实物图如图1—23所示。
a）墙壁电灯开关b ）遥控电灯开关图1 —21 电灯开关1．掌握三极管的符号和工作特点，了解三极管的主要参数。
2．熟悉三极管的识别方法。
3．熟悉三极管的分类，了解它的实际应用。
19图1 —22 三极管驱动电路图1 —23 三极管驱动电路板什么是三极管？它有哪些工作特点？在三极管驱动电路中起什么作用？本任务的目标就是认识三极管，熟悉三极管的检测方法，了解三极管驱动电路中它所起到的作用。
一、三极管结构和图形符号及其分类三极管是一个三层结构、内部具有两个PN 结的器件，它的中间层称为基区，基区的两边分别称为发射区和集电区，三极管的发射区和集电区是同类型的半导体，所以三极管有两种半导体类型，如图1—24 所示，三极管的基区半导体类型与发射区和集电区不同，所以在基区与发射区，基区和集电区之间分别形成两个PN 结，发射区与基区之间的PN 结称为发射结，而集电区与基区之间的PN 结称为集电结，三个区引出的电极分别称为基20极B（b）、发射极E（e ）和集电极C （c）。
NPN型：结构符号PNP 型：结构符号NNP集电区基区发射区BEC集电结发射结集电极发射极基极V VPPN集电区基区发射区BEC集电结发射结集电极发射极基极CCB BEEa) b)图1 —24 三极管的结构和图形符号三极管符号中发射极的箭头表示发射结加正向电压时电流方向，三极管的文字符号为V。
三极管的结构及电路符号
三极管的结构及电路符号
三极管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路中。
它由三个不同掺杂的半导体层组成，通常是两个互相夹在中间的N型半导体层夹在两个P型半导体层之间。
三极管的结构分为以下三个区域：
1. 基区（Base Region）：夹在N型半导体层中间的窄区域，掺杂浓度较低。
2. 发射区（Emitter Region）：与N型基区相连的P型半导体层，掺杂浓度较高。
3. 集电区（Collector Region）：与N型基区相连的另一端的P型半导体层，掺杂浓度较高。
三极管的电路符号如下：
\[
\begin{matrix}
& \text{基(B)} & \text{发射(E)} & \text{集电(C)} \\
NPN & \text{箭头指向基区} & \text{箭头指出} & \text{箭头指入} \\
PNP & \text{箭头指出} & \text{箭头指向基区} & \text{箭头指入}
\end{matrix}
\]
在电路中，三极管可以用作放大器、开关和其他电路应用中的控制元件。
晶体三极管的电路符号
晶体三极管的电路符号晶体三极管（Transistor）是一种非常重要的电子器件，被广泛应用于各种电路中。
它是一种半导体器件，由三个区域组成：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
晶体三极管可以分为NPN型和PNP型两种类型。
晶体三极管的电路符号是用来表示晶体三极管在电路中的位置和连接方式的图形符号。
它是通过一组特定的线段和箭头来表示不同的引脚和连接关系。
晶体三极管的电路符号可以帮助工程师和技术人员更好地理解和设计电路。
NPN型晶体三极管的发射极和基极之间有一个箭头，箭头指向发射极，表示电流流动的方向。
集电极和基极之间没有箭头。
PNP型晶体三极管的发射极和基极之间没有箭头，集电极和基极之间有一个箭头，箭头指向集电极，表示电流流动的方向。
晶体三极管的电路符号中，发射极通常用一个箭头来表示，这是因为发射极是控制电流流动的重要部分。
当正向偏置施加在基极和发射极之间时，发射极会发射出大量的载流子（电子或空穴），从而形成电流。
而集电极则负责收集这些载流子，并将其引入集电区。
基极是晶体三极管中的控制端，它决定了晶体三极管的工作状态。
当在基极和发射极之间施加一个适当的电压时，可以控制大量载流子从发射极流向集电极，从而实现对电流的控制。
晶体三极管的电路符号中，集电极是负责收集载流子的地方。
它通常与其他元件连接在一起，形成各种不同类型的电路，实现不同的功能。
通过晶体三极管的电路符号，我们可以清楚地了解晶体三极管在电路中的位置和连接方式。
这对于理解和设计电路非常重要。
在实际应用中，我们可以根据需要选择合适的晶体三极管类型，并根据电路需求进行正确的连接和使用。
电力三极管符号
电力三极管符号电力三极管，也称为功率三极管，是一种常用的电子器件。
它是由指导级、基极和发射级组成的，符号上用三个箭头表示。
三极管是一种电子管的发展，它能够放大电流和电压，广泛应用于放大、开关和稳压电路中。
电力三极管的指导级（G）是控制电流的引脚，它决定了三极管的工作状态。
基极（B）是控制电流的电极，通过外部电压的变化，可以改变三极管的导通状态。
发射级（E）则是电流的输出口，它用于连接负载电阻，将放大后的信号输出。
电力三极管可以将弱信号放大几百倍，使得电子设备能够处理微弱的信号并进行适当的控制。
在放大电路中，三极管作为放大器被广泛应用。
通过合理的电路设计，可以将输入信号的幅度放大到适合负载电阻的范围，从而实现信号的传输和处理。
除了放大电路，电力三极管还被广泛应用于开关电路。
通过控制基极电流的大小，可以将三极管的导通状态调整为开或关。
这种特性使得三极管可以在数字电路和高频电路中起到开关的作用，从而实现了信号的选择和切换。
电力三极管还常常用于稳压电路中。
通过在三极管上加上适当的负载电阻，可以将输出电压保持在稳定的范围内。
这种稳压特性使得电力三极管非常适合用于电源管理电路和电源适配器等场景中，可以有效地保护电子设备免受过高或过低的电压影响。
在选用电力三极管时，需要根据具体的应用需求进行选择。
不同的三极管具有不同的最大功率、最大电压和最大电流等参数，需要根据电路设计的要求进行匹配。
此外，还需要考虑三极管的可靠性和散热性能，以确保其在长时间工作时不会过热或损坏。
总之，电力三极管作为一种常用的电子器件，在现代电子技术中扮演着重要的角色。
它可以放大电流和电压，使得电子设备能够处理微弱的信号，并且可以在开关电路和稳压电路中发挥关键作用。
合理选择和使用电力三极管，可以提高电路的性能和可靠性，实现电子设备的高效运行。
二极管及三极管电路符号大全(2021年整理)
二极管及三极管电路符号大全（2021年整理）
二极管是一种电子元器件，也称为半导体管、两极管，由N型和P型半导体材料制成，常用于流动电路中，被广泛应用于电子设备的功率控制、信号变换等领域。
二极管电路符
号以一个长方形，连接着圆形一（正启动极）和另一端圆形二（负标记极）为标志，两头
穿越的小直线表示连接的点。
三极管是一种电子元件，也称为三极二极管、晶体管，三极管电路符号于二极管电路
符号类似，也是一个长方形，但它的极性比二极管多一个收集器（C）极，极性的标记有：正启动极（B），负标记极（E）和收集器极（C）。
有源三极管在特定工作条件下，有自
己的电源而无需外部补偿信号驱动；放大管则是一类三极管，可以放大信号。
npn三极管的符号
npn三极管的符号
摘要：
1.NPN 三极管的概念
2.NPN 三极管的结构
3.NPN 三极管的符号表示
4.NPN 三极管符号的重要性
5.总结
正文：
1.NPN 三极管的概念
PN 三极管是一种双极型晶体管，由两个n 型半导体（发射极和集电极）和一个p 型半导体（基极）组成。
它是电子电路中常用的基本元件之一，具有电流放大和开关等功能。
2.NPN 三极管的结构
PN 三极管的结构从上到下分别是：发射极（Emitter，E）、基极（Base，B）和集电极（Collector，C）。
发射极和集电极由n 型半导体制成，而基极由p 型半导体制成。
发射极和集电极之间的电流可以通过改变基极电流来控制，从而实现信号放大和开关等功能。
3.NPN 三极管的符号表示
PN 三极管的符号表示如图所示：一个表示n 型半导体的长方形代表发射极，一个表示p 型半导体的长方形代表基极，一个表示n 型半导体的长方形代表集电极。
发射极、基极和集电极之间的连接线分别用箭头表示，箭头方向表示电流的流动方向。
4.NPN 三极管符号的重要性
PN 三极管符号是电子电路设计、分析和维修过程中必不可少的工具。
通过符号，工程师可以快速了解三极管的结构、电流流向以及功能，从而正确地设计和分析电路。
此外，符号还可以方便地表示三极管与其他元件的连接关系，提高电路的可读性和可维护性。
5.总结
PN 三极管是一种重要的双极型晶体管，具有电流放大和开关等功能。
了解NPN 三极管的结构和符号表示对于电子电路的设计、分析和维修具有重要意义。
光电三极管符号
光电三极管符号
光电三极管（Phototransistor）是一种光敏半导体器件，它结合了光电二极管和晶体管的特性。
光电三极管的符号通常由三个部分组成：
1. 发射极（Emitter）：表示电流从这个端口流出。
在光电三极管的符号中，发射极通常用一个三角形表示。
2. 集电极（Collector）：表示电流流入这个端口。
在光电三极管的符号中，集电极通常用一个矩形表示。
3. 基极（Base）：表示控制电流的端口。
在光电三极管的符号中，基极通常用一个圆形表示。
光电三极管的符号可能因制造商和封装类型而略有不同，但基本元素都是相同的。
在实际应用中，你需要根据具体的数据手册或电路图来确定光电三极管的引脚功能。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
机电三科：相昌霞
复习回顾
具有单向导电性的半导体器件是什么？
讲授新课------半导体三极管
一、基本结构与分类
二、三极管的电流放大作用
1、外形
三个电极、塑料封装和金属封装
2、基本结构
集电极C
集电结
基极B
发射结
发射极E 3、符号
NPN型
PNP型
4、分类
（1）按半导体内部结构不同分 （2）按管芯所用半导体材料分
Ιc(mA)
ΙE (mA)
0.01 0.01
ΙB(mA)
0
0.01 0.56 0.57
0.02 1.14 1.16
0.03 1.74 1.77
0.04 2.33 2.37
0.05 2.91 2.96
Ιc(mA) ΙE(mA)
0.01 0.01
（3）结论：
ΙE=ΙB+Ιc
三极管的电流分配规律：发射极电流等于基极电流 和集电极电流之和。 2、电流放大作用 基极电流的微小变化控制了集电极电流较大的 变化。
NPN型和PNP型
锗管和硅管 低频管和高频管
（3）按工作频率分：
（4）按功率分： （5）按结构工艺分：
小功率管和大功率管 合金管和平面管 放大管和开关管
（6）按用途分：）实验电路
IC
IB
IE
（2）实验数据 ΙB(mA)
0 0.01 0.56 0.57 0.02 1.14 1.16 0.03 1.74 1.77 0.04 2.33 2.37 0.05 2.91 2.96
小结： 1、三极管的结构和符号 2、三极管的电流放大作用
作业： 1、画出NPN型和PNP型三极管的符 号，并标注各电极名称。 2、课后6题
一、基础知识小测试： 1、三极管有三个电极，分别是（ ）、（ ） 、（ ）。 2、三极管有两个PN结，分别是（ ）结和 （ ）结。 3、三极管有两种结构形式，分别是（ ）型和 （ ）型，试画出它们的符号。 4、三极管内各电极电流的分配关系是怎样的？ 二、知识拓展： 1、已知某三极管的集电极电流IC=2.4mA, 基极电 流IB=0.06mA，求发射极电流。 如果已知基极电流IB=40μA，发射极电流IE=2.6mA ，求集电极电流。 2、你如何理解三极管的电流放大作用？