半导体二极管及其基本应用

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第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路自测题判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。

(?)2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。

(√)3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。

(?)4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

(√)5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

(√)选择填空1. N型半导体中多数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是B。

A.自由电子 B.空穴2. N型半导体C;P型半导体C。

A.带正电 B.带负电 C.呈电中性3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于B,而少子的浓度则受 A 的影响很大。

A.温度 B.掺杂浓度 C.掺杂工艺 D.晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是A;漂移电流方向是B。

A.从P区到N区 B.从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流C飘移电流。

A.大于 B.小于 C.等于6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。

A.大于 B.小于 C.等于D.变宽 E.变窄 F.不变7. 二极管的正向电阻B,反向电阻A。

A.大 B.小8. 当温度升高时,二极管的正向电压B,反向电流A。

A.增大 B.减小 C.基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。

比较而言,哪个管子的性能最好【解】:二极管在外加相同的正向电压下电流越大,其正向电阻越小;反向电流越小,其单向导电性越好。

所以B管的性能最好。

题习题1试求图所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。

5VVD+-3k ΩU OVD7V5V +-3k ΩU O5V1VVD +-3k ΩU O(a ) (b ) (c )10V5VVD3k Ω+._O U 2k Ω6V9VVD VD +-123k ΩU OVD VD 5V7V+-123k ΩU O(d ) (e ) (f )图【解】:二极管电路,通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。

模拟电子技能技术总结习题及答案

模拟电子技能技术总结习题及答案

精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

456781.1A2.A3A4A5A1.12341.1值。

解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U=(6—0.7)V=5.3V。

(b)令二极管断开,可得UP =6V、UN=10V,UP<UN,所以二极管反向偏压而截止,U=10V。

(c)令V1、V2均断开,UN1=0V、UN2=6V、UP=10V,UP—UN1>Up—UN2,故V1优先导通后,V2截止,所以输出电压U=0.7V。

2.电路如图T1.2所示,二极管具有理想特性,已知ui=(sinωt)V,试对应画出ui 、u、iD的波形。

解:输入电压ui 为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零,即u=0,而流过二极管的电流iD =ui/R,为半波正弦波,其最大值IDm=10V/1kΩ=10mA;当ui为负半周时,二极管反偏截止,iD =0,u=ui为半波正弦波。

因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。

3.稳压二极管电路如图T1.3所示,已知UZ =5V,IZ=5mA,电压表中流过的电流忽略不计。

试求当开关s断开和闭合时,电压表和电流表、读数分别为多大?解:当开关S断开,R2支路不通,IA2=0,此时R1与稳压二极管V相串联,因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为5V。

当开关S闭合,令稳压二极管开路,可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,R1、R2构成串联电路,电流表A1、A2的读数相同,即而电压表的读数,即R2两端压降为3.6V。

第2章半导体三极管及其基本应用2.1填空题12种载流子参与导电。

第二章 半导体二极管及其应用

第二章  半导体二极管及其应用
ui R ui t VD1 UREF=5V VD2 uo uo UREF+0.7V 0 −(UREF+0.7V) t
0
图2-12 双向限幅电路
开关作用 电子开关电路。在自动化控制电路和数字电路中有广泛地应 用。电子开关比机械开关的开关速度快得多,可达一秒钟上万 次,且无触点的颤动引起的火花,安全可靠。 图2-13所示的两个电路。
我们将在下一节详细讨论。
2. 检波 通常,无线电波中含有复杂的多种频率成分, 调幅收音机必须从中挑选出需要的音频信号, 为此要设置检波电路。半导体二极管检波电 路如图2-11所示。其中VD是检波二极管,C1 是高频滤波电容,R是检波电路负载电阻, C2是与下一级电路的耦合电容。

ui 调频 信号 VD C1
N型半导体和 P 型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素), 形成杂质半导体。 在常温下即可 变为自由电子 掺入五价元素 掺杂后自由电子数目 Si Si 多 余 大量增加,自由电子导电 电 成为这种半导体的主要导 S p+ Si 子 电方式,称为电子半导体 i 动画 或N型半导体。 失去一个 电子变为 正离子 磷原子 在N 型半导体中自由电子 是多数载流子,空穴是少数 载流子。
二极管电路定性分析
导通 截止 若二极管是理想的,正向导通时正向管压降为零, 反向截止时二极管相当于断开。
定性分析:判断二极管的工作状态
否则,正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 ),二极管导通 若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 ),二极管截止
N型半导体和 P 型半导体

半导体二极管在电子电路中的基本作用

半导体二极管在电子电路中的基本作用

半导体二极管在电子电路中的基本作用半导体二极管是一种重要的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。

它具有诸多独特的性质和功能,可以起到多种作用。

本文将从基本原理、特点和应用领域等方面,详细介绍半导体二极管在电子电路中的基本作用。

半导体二极管是一种两端具有PN结的二极管,由p型和n型半导体材料组成。

它有一个主要的特点,即只能从p端流向n端的方向导通电流,而反向时截止电流。

这种非线性特性使得二极管在电子电路中具有独特的应用价值。

首先,半导体二极管常用作整流器。

整流器是将交流信号转换为直流信号的重要电子元件。

半导体二极管具有只能单向传导电流的特性,可以有效地将交流信号中的负半周去除,只保留正半周,从而实现整流的功能。

这在电源、通信和音频等领域的电路中经常需要。

其次,半导体二极管广泛应用于电路的保护功能。

例如,在电路中加入一个二极管,可以实现过压保护。

当电路中出现过高的电压时,二极管会在达到其击穿电压时变为导通状态,将超出范围的电压引到地或其他处,从而保护其他电子元件不受损坏。

类似地,二极管还可以用于过流保护、过温保护和反向电压保护等,保障电路的安全运行。

此外,半导体二极管还可用作电压参考源。

例如,锂电池充电、开关电源和运算放大器等电子电路中,通常需要一个稳定的参考电压。

半导体二极管的正向电压降通常比较稳定,因此可以将其作为稳定的参考电压源使用。

通过合理设计与连接,可以在电路中产生精确的参考电压,确保其他电子元件的工作稳定和准确。

同时,半导体二极管在信号混频中具有重要的作用。

信号混频是将两个频率不同的信号混合在一起,得到频率和幅度均不同于原信号的新信号。

在混频电路中,半导体二极管常常作为非线性元件被使用。

通过合理选择和连接二极管,可以实现不同种类的混频电路,从而实现频率合成、调制解调等功能,广泛应用于无线通信和广播电视等领域。

此外,半导体二极管还可用作电路中的开关元件。

在数字电路中,常常需要将信号进行开关控制。

半导体二极管及其基本应用

半导体二极管及其基本应用

半导体二极管及其基本应用1. 二极管是什么?说到二极管,大家可能会想,“这玩意儿是什么?吃的吗?”其实,二极管是个小小的电子元件,但它的作用可大得很!简而言之,二极管就像个单行道,电流只能朝一个方向走,通俗点说,它让电流变得有规矩。

不论是在家里的电子产品里,还是在我们身边的各种科技设备中,二极管几乎无处不在。

听起来神秘,其实它在我们生活中默默无闻地工作着。

那么,二极管是怎么工作的呢?想象一下,一个人站在一个门口,门只能向一个方向打开,外面的人想进来,就得从这扇门走,反之则不行。

这就是二极管的基本原理。

它能让电流顺利通过,但一旦反向,它就会坚决拒绝,像个守门员一样把电流挡在外面。

1.1 二极管的类型当然,二极管可不是单一品种,市场上有各种各样的二极管,就像水果摊上的水果一样多。

例如,有普通的硅二极管,广泛应用于各种电路中;还有整流二极管,专门负责把交流电转换成直流电,就像把河水引入小渠里,确保水流顺畅。

再比如发光二极管(LED),它不仅能导电,还能发光,真是个“能发光的好家伙”,让我们的小夜灯亮起来,简直是黑夜里的小明星。

1.2 二极管的特点谈到二极管的特点,首先要提的是它的“单向导电性”。

就像一个不喜欢麻烦的人,只有在合适的情况下才会敞开心扉。

其次,二极管的反向击穿电压也很有意思。

当电压达到某个临界值时,二极管就像忍不住了,突然间放开了电流,虽然这在大多数情况下不是好事,但有时候却能拯救一些电路的生命。

还有,就是它的“恢复时间”,二极管在电流切换时的表现,也决定了它的应用场合。

2. 二极管的基本应用说了这么多,二极管到底有什么用呢?这可是个大问题,接下来我们就来聊聊它的一些基本应用。

2.1 整流电路首先要提的就是整流电路。

整流电路的任务就是把交流电转换成直流电。

你知道吗,家里的电器大部分都需要直流电,比如手机充电器、电脑等。

如果没有二极管,交流电就会让这些电器“崩溃”,简直就是电器界的“天塌下来了”。

半导体二极管及其应用习题解答

半导体二极管及其应用习题解答

半导体二极管及其应用习题解答Document number:NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。

教学内容与教学要求如表所示。

要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。

主要掌握半导体二极管在电路中的应用。

表第1章教学内容与要求内容提要1.2.1半导体的基础知识1.本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。

常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。

本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。

自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。

本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。

但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差,2.杂质半导体(1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N 型半导体,N 型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。

N 型半导体呈电中性。

(2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P 型半导体。

P 型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。

P 型半导体呈电中性。

在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。

而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。

1.2.2 PN 结及其特性1.PN 结的形成在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。

PN 结是构成其它半导体器件的基础。

2.PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。

外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。

半导体二极管及其应用

半导体二极管及其应用

半导体二极管的应用
激光二极管
激光二极管是一种特 殊的半导体二极管, 它能够产生激光。激 光二极管具有高效率 、低阈值、以及可调 谐的优点,被广泛应 用于各种领域,如通 信、医疗、军事等
5
总结
总结
1
2
3
4
半导体二极管作为 电子学中的基础元 件,具有广泛的应
用领域
从整流器到开关, 从保护电路到激光 二极管,二极管都 发挥着关键的作用
7
结论
2024/7/2
结论
半导体二极管作为电子学中的基础元件,已经经历了漫长的发展历程。 从最初的硅发展到锗,再到现在的硅锗合金等新型材料;从简单的整 流器发展到激光二极管、太阳能电池等多元化领域。这些发展和变化 不仅反映了人类对电子学认识的不断深入,也展示了半导体二极管在 推动科技进步和经济发展中的重要作用
半导体二极管的历史与发展
发展
随着半导体技术的不断进步,半导体二极管的性能也不断提高。材料方面,从早期的硅发 展到锗,再到现在的硅锗合金等新型材料;结构方面,从早期的点接触式发展到肖特基势 垒、PN结等结构;应用方面,从简单的整流器发展到激光二极管、太阳能电池等多元化领 域 同时,人们也在不断探索新的二极管材料和结构,如碳化硅、氮化镓等新型半导体材料, 以及超导二极管等新型结构。这些新型材料和结构的应用将进一步推动半导体二极管的发 展,并带来更多的应用领域和市场机会
整流器
整流器是二极管的基本应用之一。通过利用 二极管的整流效应,可以将交流电转换为直 流电
半导体二极管的应用
开关
二极管可以作为开关 使用,用于控制电路 的通断。其快速的开 关速度和低功耗使得 它在各种开关电路中 得到广泛应用
半导体二极管的应用

半导体二极管及其基本应用电路(12)

半导体二极管及其基本应用电路(12)

2021/3/6
3
1.1 半导体二极管
1)本征半导体中的两种载流子——电子和空穴
在室温下,本征半导体中少数价电子因受热而获得能量 ,摆脱原子核的束缚,从共价键中挣脱出来,成为自由电 子。与此同时,失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留 下了一个空位,这个空位称为空穴。由于本征硅或锗每产 生一个自由电子必然会有一个空穴出现,即电子与空穴成 对出现,称为电子空穴对。
• 1.4.5 激光二极管
• 激光是英文Laser的意译,音译为“镭射”。激光是 由激光器产生的。激光器有固体激光器、气体激光 器、半导体激光器等。半导体激光器是所有激光器 中效率最高、体积最小的一种,而比较成熟且实用 的半导体激光器是砷化镓激光器,即激光二极管。
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• 图1-3-10为倍压整流电路,该电路是用n个整流二极管和n 个电容组成n倍压整流电路。从图1-3-10中a、c两端取出电 压为nU2 ,其中n为偶数;而从b、d两端取出电压为nU2 , 其中n为奇数。可以根据需要选择输出电压。在电路中,除 了电容C1承受电压为U2外,其他电容上承受的电压均为 2U2,每个整流管的反向电压为2U2。该电路虽可得到较高 的直流输出电压,但它的输出特性很差,所以只适用于负 载电流很小,且负载基本上不变的场合。
• 二极管的主要特性是单向导电。二极管的特性可用伏安特性曲线来描 述。
• 1.二极管的伏安特性曲线 • 二极管的种类虽然很多,但它们都具有相似的伏安特性。所谓二极管
伏安特性曲线就是流过二极管的电流I与加在二极管两端电压U之间的
关系曲线。图1-1-13 所示为硅和锗二极管伏安特性曲线,
2021/3/6
第 1章
半导体二极管及其基本应用电路

(二极管及其应用)

(二极管及其应用)

t t
u2负半周时: D2、D4 导通, D1 、D3截止
+
220V u1
+
D4
u2 3
+ D3
2
4
D1
1
D2
+
+
RL u L
-
+
u2
t
uL
t
(3)主要参数:
输出电压平均值:Uo=0.9u2 输出电流平均值:Io= Uo/Ro=0.9 u2 / RL
(4) 最高工作频率
是二极管工作fM的上限频率。它主要由PN结的结电
f
容大小决定。信号频率超过此值时,二极管的单向导电 M性将变差。应该指出,由于制造工艺的限制,即使是同
一型号的器件,其参数的离散性也很大,因此,手册上
常常给出参数的范围。另一方面,器件手册上给出的参
数是在一定测试条件下测得的,若条件改变,相应的参 数值也会变化。
内电场 E
EW
R
(2) 加反向电压——电源正极接N区,负极接P区
外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动>扩散运动
→少子漂移形成反向电流I R
P
空间电 荷区
N
在一定的温度- 下- - -
++ ++
,由本征激发产-生的- - -
++ ++
少子浓度是一定的, 故IR基本上与外-加反- - -
本征激发
+4 空穴 +4
+4
+4
+4 +4
+4
+4
自由电子

模拟电子技术基础-自测题答案

模拟电子技术基础-自测题答案

第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,假设掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;假设掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。

5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。

1.2 单项选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B )。

A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。

A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作(D )。

、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

(√)2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(×)3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

(×)4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

(×)第2章半导体三极管及其基本应用2.1 填空题1.晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型,它工作时有2种载流子参与导电。

2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。

3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止。

4.当温度升高时,晶体管的参数β增大,I CBO增大,导通电压U BE 减小。

半导体二极管及其应用习题解答..

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第1章半导体二极管及其基本电路1.1 教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。

教学内容与教学要求如表1.1所示。

要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。

主要掌握半导体二极管在电路中的应用。

表1.1 第1章教学内容与要求1.2 内容提要1.2.1半导体的基础知识1.本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。

常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。

本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。

自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。

本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。

但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差,2.杂质半导体(1) N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。

N型半导体呈电中性。

(2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。

P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。

P型半导体呈电中性。

在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。

而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。

1.2.2 PN结及其特性1.PN结的形成在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。

PN 结是构成其它半导体器件的基础。

2.PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。

外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。

3. PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性: )1(TS -=U U eI I式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。

模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解

模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解

模拟电子技术胡宴如(第3版)自测题第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。

5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。

1.2 单选题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由(D )构成。

A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B )。

A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。

A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作(D )。

、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

( √)2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

( ×)4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

( ×)1.4 分析计算题1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。

解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U0=(6—0.7)V=5.3 V。

第二章 半导体二极管及其应用电路

第二章 半导体二极管及其应用电路
由于半导体的电阻率对温度特别灵敏,利用这种特性就可以做 成各种热敏元件。
2.光敏特性 许多半导体受到光照辐射,电阻率下降。利
用这种特性可制成各种光电元件。
3.掺杂特性 在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后,
它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。利用这种特性就 可制成各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管 晶闸管、场效应管等。
直流工作电流 I D
ID
US1 U F RS(6 Nhomakorabea0.7)V 1k
5.3mA
二极管的动态电阻
26mV 26mV
rd
ID
4.9
5.3mA
再令 US1 0 ,利用二极管的微变模型,求出流过二极管的交
流电流 id
id
us2 RD rd
0.2sin 3140 tV (1 4.9 10 3 )kΩ
2. P型半导体
在四价晶体中掺入微量的三价元素,这种杂质半导体中, 空穴浓度远大于自由电子浓度,空穴为多子,自由电子为少子。 这种半导体的导电主要依靠空穴,称其为P型半导体(P-type semiconductor)或空穴型半导体。
2021/3/2
7
需要指出的是:
不论是N型还是P型半导体,整个晶体仍然呈中性。
描述稳压管特性的主要参数为稳定电压值 U Z 和
最大稳定电流 2021/3/2
I Zmax。
26
参数简介:
是指稳压管正常工作时的额定电压值。由
稳定电压U Z : 于半导体生产的离散性,手册中的往往给出的
是一个电压范围值。
最大稳定电
是稳压管的最大允许工作电流。在使用时,
流 I Zmax:
实际工作电流不得超过该值,超过此值时,稳压 管将出现热击穿而损坏。

半导体二极管及其应用电路

半导体二极管及其应用电路
半导体二极管是一种电子元 件由两个PN结组成
具有开关特性可以用于控制 电路的开关状态
具有整流特性可以用于将交 流电转换为直流电
半导体二极管的结构
半导体材料:硅、锗等 结构类型:PN结、PIN结等 工作原理:利用半导体材料的单向导电性 应用领域:电子、通信、电力等
半导体二极管的特性
单向导电性:二极管只允许电流在一个方向通过
汽车安全系统:用于安全气 囊、防抱死系统(BS)、 电子稳定程序(ESP)等
汽车辅助驾驶系统:用于自 适应巡航控制(CC)、车道 保持辅助系统(LKS)等
电动汽车充电系统:用于电 动汽车的充电控制和保护
06
半导体二极管的发展趋 势和挑战
发展趋势
技术进步:半导 体二极管性能不 断提高功耗降低 可靠性增强
通信领域
半导体二极管在通 信领域的应用广泛 如手机、电脑、路 由器等设备中都有 使用。
半导体二极管在通 信领域中主要起到 信号放大、调制解 调、滤波等作用。
半导体二极管在通 信领域中的主要应 用包括:射频电路、 功率放大器、调制 解调器等。
半导体二极管在通 信领域中的发展趋 势是朝着更高频率、 更大功率、更小体 积的方向发展。
反向击穿:当二极管两端电压大于击穿电压时二极管被击穿电流急剧增大
温度影响:温度升高二极管正向导通电压降低反向截止电压升高反向击穿 电压降低
半导体二极管的温度特性
温度对半导体二极管特性的影响 温度对半导体二极管导通电压的影响 温度对半导体二极管反向漏电流的影响 温度对半导体二极管开关速度的影响
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限幅电路的组成: 二极管、电阻、电 容等
限幅电路的工作原 理:利用二极管的 单向导电性将信号 限制在一定范围内
限幅电路的应用: 音频放大器、电源 保护电路、信号处 理电路等

模拟电子技术教案-第1章 半导体二极管及其基本应用

模拟电子技术教案-第1章 半导体二极管及其基本应用

模拟电子技术主编第1章半导体二极管及其基本应用1.1.1 半导体的基础知识本证半导体1.定义:纯净的单晶半导体称为本征半导体。

2.本征半导体的原子结构及共价键:共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成,称为束缚电子。

3.本征激发和两种载流子:——自由电子和空穴受温度的影响,束缚电子脱离共价键成为自由电子,在原来的位置留有一个空位,称此空位为空穴。

在本征半导体中,自由电子和空穴成对出现,数目相同。

复合现象:空穴出现以后,邻近的束缚电子可能获取足够的能量来填补这个空穴,而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空位,另一个束缚电子又会填补这个新的空位,这样就形成束缚电子填补空穴的运动。

为了区别自由电子的运动,称此束缚电子填补空穴的运动为空穴运动。

4. 结论(1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。

(2)本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。

(3)一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。

(4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。

这是半导体和导体在导电机制的本质差异。

另一方面,空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。

杂质半导体1.定义:为了提高半导体的导电能力可在本征半导体中掺入微量杂质元素,该半导体称为杂质半导体。

2.半导体分类在本征半导体中有意识加入微量的三价元素或五价元素等杂质原子,可使其导电性能显著改变。

根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(N 型)半导体和空穴型(P 型)半导体。

(1)N 型半导体在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素,如磷(P)、砷(As)等,则构成N 型半导体。

五价的元素具有五个价电子,它们进入由硅(或锗)组成的半导体晶体中,五价的原子取代四价的硅(或锗)原子,在与相邻的硅(或锗)原子组成共价键时,因为多一个价电子不受共价键的束缚,很容易成为自由电子,于是半导体中自由电子的数目大量增加。

1章半导体二极管及应用

1章半导体二极管及应用

4.最高工作频率fM
保证二极管具有单向导电作用时允许的最高工作频率。fM主要决定于 PN结电容的大小,结电容越小,fM越大。点接触型二极管的最高工作 频率可达数百兆赫,而面接触型二极管(如整流二极管)最高工作频 率只有3kHz左右。
1.2.4 二极管的等效电路
能在一定条件下近似模拟二极管特性的线性电路称为 二极管的等效电路(或等效模型)。 i
VD IO + UI R 2k UO _ UI R 2k
UD(ON) =0 IO
+ UO _
UD(ON) =0.7V IO _ +
UI R 2k
+ UO _
( a)
( b)
(c)
图1-19
例1.2图
解:将二极管用理想模型和恒压降模型分别代入计算式中。 (1) 当UI = 2 V时,由图1-19(b)可得UO =2V,IO=UO/R=1mA 由图1-19(c)可得:UO =UI - UD(ON) =1.3V,IO=UO /R=0.65mA (2) 当UI =20 V时,由图1-19(b)可得UO=20V,IO= UI/R=10mA 由图1-19(c)可得:UO= UI - UD(ON) =19.3V,IO=UO/R=9.65mA
1.1.1 本征半导体
1. 本征半导体 2. 本征激发与复合 3. 本征浓度
4. 本征半导体的导电特性
1.1.1 本征半导体
1.本征半导体
纯净的、晶体结构、 排列整齐的半导体叫 做本征半导体。 将硅或锗材料提纯便 形成单晶体,它的原 子结构为共价键结构。
+4
共 价 键
+4
+4
价 电 子
+4
+4
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P型半导体的结构示意图

上:
本征半导体中掺入微量杂质元素构成杂质半导体。 在常温下,杂质原子均已电离,载流子浓度就大大增加, 使半导体的导电能力大大提高。
掺杂是提高半导体导电能力的有效方法。
在杂质半导体中:
多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度;
而少数载流子的浓度主要取决于温度。
杂质半导体小结:
1、两种杂质半导体: N型——本征硅或锗掺微量五价杂质元素 P型——本征硅或锗掺微量三价杂质元素 2、两种浓度不等的载流子: 多子——由掺杂形成(主要取决于掺入的杂质浓度) 少子——由热激发形成(主要取决于温度) N型半导体中,多子为自由电子,少子为空穴; P型半导体中,多子为空穴,少子为自由电子。 3、微量掺杂就可形成大量的多子。故杂质半导体导电率高。 4、杂质半导体呈电中性。 在N型半导体中, 自由电子数(掺杂+热激发)=空穴数(热激发)+正离子数 在P型半导体中, 空穴数(掺杂+热激发)=自由电子数(热激发)+负离子数

载流子的浓度
当温度一定时,激发和复合会达到动态平衡。 这时,载流子的浓度可用公式表示为: 3 EG 0 2 kT 2 1 i i
n =p =K T e
T为热力学温度,k为玻尔兹曼常数,EG0为热力学零度时破坏共价 键所需的能量,K1为与半导体材料载流子有效质量、有效能级 密度有关的常量
可见本征载流子浓度和温度有关,温度升高,本征载 流子浓度就增加,当温度一定时,对固定的一块半导 体材料,本征载流子浓度是一定的。
反向击穿类型:
电击穿 — PN 结未损坏,断电即恢复。 热击穿 — PN 结烧毁。
反向击穿原因:
齐纳击穿: 反向电场太强,将电子强行拉出共价键。 (掺杂浓度高,击穿电压 < 6 V,负温度系数) 雪崩击穿: 反向电场使电子加速,动能增大,撞击 使自由电子数突增。 (掺杂浓度低,击穿电压 > 6 V,正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时,温度系数趋近零。
在一定的温度条件下,
PN结加反向电压时的导电情况
(动画1-5)
由本征激发决定的少子浓 度是一定的,故少子形成 的漂移电流是恒定的,基 本上与所加反向电压的大 小无关,这个电流也称为
反向饱和电流。
PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有 较大的正向扩散电流,PN处于导通状态;
PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很
当外加正向电压时:
外电场削弱了内电场 PN结导通 PN结 多子的扩散运动加强
b、 PN结加反向电压时的导电情况
PN结加反向电压时的导电情况
(动画1-5)
当外加反向电压时:
外电场加强了内电场 PN结截止
外加的反向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内 电场方向相同,加强 了内电场,内电场对 多子扩散运动的阻碍 增强,扩散电流大大 减小。此时PN结区的 少子在内电场的作用 下形成的漂移电流大 于扩散电流,可忽略 扩散电流,PN结呈现 PN结加反向电压时的导电情况 高阻性 (动画1-5) PN结 少子的漂移运动进行
本征激发小结:
(1)空穴与电子成对出现。 (2)自由电子在晶格中运动,空穴在共价键内运动。 (3)温度一定时,激发和复合达到动态平衡。 (4)温度升高时,载流子浓度增大,导电能力增强, 因此,本征半导体可以制成热敏元件和光敏元件。
1.1.2 杂质半导体
N型半导体 P型半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面, 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。空间电 荷区也称耗尽层。
PN结的形成过程 在出现了空间电荷区后, 由于正负电荷间的相互作用, 在空间电荷区中形成了一个电场,称为内电场,其方向是 从带正电的N区指向带负电的P区。
4. 学习方法
重点掌握基本概念、基本电路的结构、基本分析方法,在此基础 上拓展知识面,拓宽思路。 抓住“模电”的几个特点,可以事半功倍: 线性要求和非线性器件的矛盾(概念、分析方法) 器件少、电路多(找出各电路之间的规律,可举一反三) 工程估算 ④分立是基础、集成是应用
5. 教材及参考书
教材:胡宴如,《模拟电子技术基础》(第四版), 高等教育出版社 参考书:康华光主编,《电子技术基础》(模拟部分) (第四版) , 高等教育出版社
扩散运动:由浓度高到浓度低 (多子的运动) 漂移运动:载流子在电场作用下的定向运动(少子 的运动) PN结:稳定后的空间电荷区
2、PN结的单向导电性
a、 PN结加正向电压时的导电情况
PN结加正向电压 时的导电情况
(动画1-4)
外加的正向电压有一部
PN结加正向电压 时的导电情况
(动画1-4)
分降落在PN结区,方向与PN 结内电场方向相反,削弱了 内电场。于是,内电场对多子 扩散运动的阻碍减弱,扩散 电流加大。扩散电流远大于 漂移电流,可忽略漂移电流 的影响,PN结呈现低阻性。
2、半导体的特殊性质
热敏性:半导体受热时,其导电能力增强。 光敏性:半导体净的半导体材料中,掺杂微量杂质,其导电能
力大大增强。(可增加几十万至几百万倍)
二、半导体的导电机理
制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到 99.9999999%,常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。
小的反向漂移电流, PN处于截止状态。
结 论:PN结具有单向导电性。
3、PN结的伏安特性及其表达式
根据半导体物理的原理,从理论上可分析得到PN结的
伏安特性表达式:
I I S (e
U
UT
1)
式中IS 在数值上等于反向饱和电流,U为PN结 所加端电压,UT =kT/q 称为温度电压当量,k为玻耳 兹曼常数,q 为电子电荷量,T 为热力学温度。对于 室温(相当T=300 K),则有UT=26 mV。
课程教学内容简介
1 常用半导体器件 2 基本放大电路 3 多级放大电路 9 功率放大电路 5 放大电路的频率响应 4 集成运算放大电路 6 放大电路中的反馈 7 信号的运算和处理 8 波形的发生和信号的转换 10 直流电源
要求:
* 认真听讲,有问题及时提出
* 按时独立完成作业,答题须有解题步骤,一周交
自由电子的定向运动 形成了 电子电流 ,空穴的
定向运动形成空穴电流,
它们的方向相反。只不过 空穴的运动是靠相邻共价 键中的价电子依次充填空 穴来实现的。 空穴的移动
(动画1-2)
空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填
空穴来实现的。为了区别于自由电子的运动,就把价
电子的运动虚拟为空穴运动,且运动方向相反。从这
数字电路:处理数字信号的电子电路 数字信号:一种离散的信号(包括时间离散和 幅值离散两种情况)
电子信息系统
模拟电路
信号 提取 信号的 预处理 信号的 加工 信号的驱 动与执行
传感器、 接收器
A/D 转换
计算机或 其它数字 处理系统
D/A 转换
提取出的信号:弱信号、噪声大、易受干扰。 数字电路 预处理:隔离、滤波、阻抗变换、放大。 加 工:运算、转换、比较等。 驱动与执行:功率放大、阻抗匹配、负载驱动。
本征半导体——化学成分纯净的、具有单晶体 结构的半导体。
本征半导体的导电机理
原子由带正电荷的原子核和分层围绕原子核运动的
电子组成。其中处于最外层的电子称为价电子,它受原子 核的束缚力最小。 价电子数决定了物质的化学性质。 半导体的导电性质也与价电子数有关。
惯性核
本征半导体的导电机理 硅和锗是四价元素,在原子最外层轨道上的四个电
1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结
1.1.1 本征半导体
概论 半导体的导电机理 一、 概论
根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝 缘体和半导体。
1、定义: 半导体——导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
半导体的电阻率为10-3~109 cm。典型的半导体有 硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
2. 研究内容
以器件为基础、以“放大”为主线,以传递“模拟信号”为目的, 研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。 电子元器件的工作原理(二极管、三极管和集成运放) 基本单元电路-放大器的构成原理及互联 电子电路的分析方法
3. 教学目标
能够对一般性的、常用的电子电路进行分析,同时对较简单的单 元电路进行设计。
提供自由电子的五价杂质 原子因带正电荷而成为正 离子,因此五价杂质原子 也称为施主杂质。
(2) P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓、 铟等形成了P型半导体,也称为空穴型半导体。 P型半导体中空穴是多数载流子,主要由掺杂形成; 电子是少数载流子,由本征激发形成。
空穴很容易俘获电子,使 杂质原子成为负离子。三 价杂质 因而也称为受主杂 质。
一次作业(每周二交)
* 认真做好试验,充分利用实验来消化、理解课程
的理论内容
课时安排: 总课时:64 学时 其中: 理论课:56学时 实 验:8学时 课程总成绩组成: 期末考85%+实验成绩15% 考试方式:闭卷
1.1 半导体基础知识
1.2 半导体二极管
1.3 晶体三极管 1.4 场效应管
1.1 半导体基础知识
主讲:XXX
(邵阳学院电气工程系) 办公室: 电 话: E-mail:
导言
1. 本课程的性质
是一门技术基础课
工程性质、 实践性很强
2. 研究内容
模拟电子电路
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路 什么是模拟信号?
模拟信号:时间连续、数值连续的信号
模拟信号举例:
u
0
u t
0
t
u
u
0
t
0
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