模拟电路填空题
模拟电子电路填空题及答案
一、填空题(每小题2分,共20 分)1、三极管具有放大作用时,外部电压条件是发射结(正向偏置),集电结(反向偏置)。
2、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。
3、当温度升高时三极管的集电极电流IC 增大,电流放大系数β增大。
4、单相全波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是 1.41U2 。
5、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。
6、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器。
7、差分放大电路能够抑制零点漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
8、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于1 ,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
9、双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。
10、在有源滤波器中,运算放大器工作在线性区;在滞回比较器中,运算放大器工作在非线性区。
1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
模拟电路考试试题10套和答案
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空(本题共20分,每空1分):1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。
二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。
2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。
模拟电路试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a,b。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a,b。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真.5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响.10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为().A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B。
β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D。
β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻 C。
击穿电压 D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C。
利用参数对称的对管子 D。
利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数(). A。
变大 B. 变小 C。
不变 D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一:填空题1.半导体三极管处在饱和状态时,e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极,P 区接电源的负极,则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通,加反偏截止,称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管,知β=50,测得其I E =2.04mA ,忽略穿透电流,则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时,应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的,其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管,知I B =0.02mA,β=50,忽略其穿透电流,则I E =_________mA 。
9.图示电路中,二极管导通时压降为0.7V ,若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时,应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管,当I B =20μA 时,I C =1mA ,当I B =60μA 时,I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路,二极管VD 1,VD 2为理想元件出,则U AB 为_________伏。
二:选择题1.PN 结加反向偏置时,其PN 结的厚度将( ) A .变宽B .变窄C .不变D .不能确定2.理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u 0为( )A .-10VB .-6VC .-4VD .0V3.NPN 型三级管,处在饱和状态时是( ) A .U BE <0,U BC <0 B .U BE >0,U BC >0 C .U BE >0,U BC <0 D .U BE <0,U BC >04.某放大状态的三极管,测得各管脚电位为:①脚电位U 1=2.3V ,②脚电位U 2=3V ,③脚电位U 3=-9V ,则可判定( ) A .Ge 管①为e B .Si 管③为e C .Si 管①为eD .Si 管②为e5、在N 型半导体中,多数载流子为电子,N 型半导体是( ) A )带正电 B )带负电 C )不带电 D )不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( )A )放大状态B )截止状态C )饱和状态D )不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%,流过的电流增大量为( ) A )大于10% B )小于10% C )等于10% D )不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5V,U 3=12V,则( )A.该管为硅管B.1为基极,2为发射极,3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极,2为基极,3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图,该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11.某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在()A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.无法确定伏态12. 对半导体三极管,测得其发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )。
模拟电路试题库及答案
模拟电路试题库及答案一、选择题1. 在模拟电路中,基本放大电路的放大倍数主要由哪个元件决定?A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案:C2. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 低阻抗B. 高阻抗C. 零阻抗D. 无穷大阻抗答案:D3. 以下哪个不是模拟电路中的滤波器类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器答案:D二、填空题4. 一个理想的电压源具有_______的内阻。
答案:零5. 在模拟电路设计中,为了减小电路的噪声,通常采用_______电路。
答案:差分6. 模拟电路中的反馈可以是正反馈也可以是负反馈,其中_______反馈可以提高电路的稳定性。
答案:负三、简答题7. 解释什么是负反馈,并说明其在模拟电路中的作用。
答案:负反馈是指反馈信号与输入信号相位相反的反馈。
在模拟电路中,负反馈可以减小电路的增益,但同时提高电路的稳定性和线性度,减少非线性失真。
8. 描述运算放大器的非理想特性,并说明它们对电路性能的影响。
答案:运算放大器的非理想特性包括有限的增益带宽积、有限的输入阻抗、有限的输出阻抗、存在输入偏置电流和输入偏置电压等。
这些非理想特性会影响电路的放大精度、稳定性、带宽和功耗等性能。
四、计算题9. 给定一个共射放大电路,其基极电流为20μA,基极-发射极电压为0.7V,求该晶体管的直流电流增益。
答案:首先计算集电极电流Ic = β * Ib,其中β为晶体管的直流电流增益。
由于题目中未给出β值,无法直接计算Ic。
但可以通过已知的Ib和Vbe,利用晶体管的直流工作点来估算β值,进而求得Ic。
10. 设计一个低通滤波器,其截止频率为1kHz,求所需的电阻和电容值。
答案:对于一个简单的一阶低通滤波器,截止频率f_c可以通过公式f_c = 1 / (2πRC)计算得出。
将f_c = 1kHz代入公式,解得R和C的值。
例如,如果选择R = 1kΩ,则C = 1/(1kΩ * 2π * 1kHz) ≈ 159μF。
模拟电路经典试题及答案
模拟电路经典试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是什么?A. 信号的调制B. 信号的解调C. 信号的放大D. 信号的滤波答案:C2. 以下哪个不是运算放大器的主要特性?A. 高增益B. 高输入阻抗C. 低输出阻抗D. 低频响应差答案:D3. 在理想运算放大器中,输入偏置电流的大小是:A. 非常大B. 非常小C. 适中D. 无法确定答案:B二、填空题4. 一个理想的放大器应该具有________的输入阻抗和________的输出阻抗。
答案:无穷大;零5. 在模拟电路设计中,________是用来减少噪声和干扰的一种电路。
答案:滤波器三、简答题6. 简述共射放大器的工作原理。
答案:共射放大器是一种使用NPN或PNP型晶体管构成的放大器,其特点是晶体管的发射极作为公共端接地,基极作为输入端,集电极作为输出端。
当基极电压增加时,晶体管导通程度增加,导致集电极电流增加,从而在集电极与电源之间形成电压变化,实现信号的放大。
四、计算题7. 假设有一个共射放大器,其晶体管的β值为100,基极电流为1mA,求集电极电流。
答案:由于基极电流为1mA,根据β值的定义,集电极电流Ic =β * Ib = 100 * 1mA = 100mA。
8. 如果在上述放大器中,集电极电阻Rc的值为1kΩ,求放大器的电压增益。
答案:电压增益Av = -Rc / (β * re),其中re为晶体管的内部电阻。
假设re为β / Ic,则Av = -1kΩ / (100 * (100 / 100mA)) = -1kΩ。
五、分析题9. 分析在模拟电路设计中,为何需要考虑频率响应。
答案:在模拟电路设计中,频率响应是一个重要的考虑因素,因为它决定了电路对不同频率信号的放大能力。
如果电路的频率响应不佳,可能会导致高频信号的损失或失真,影响信号的完整性和质量。
因此,设计时需要确保电路在整个工作频率范围内都能提供稳定的增益和相位特性。
模拟电路课后习题与解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电路电子技术基础考研试题
第一部分:模拟电路一、填空题(共10分,每小题2分)1、由二极管D和正偏直流电源V,交流信号源υs及负载R L构成的串连电路,当V=3V时,测得R L上的交流压降υL=100mV。
若调节V=4V,其他参数不变,则υL100mV。
2、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生失真,这种失真属于失真。
3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。
放大器的噪声系数N F的定义是:。
4、某负反馈放大电路,其开环增益Ag=100mS,反馈系数Fr=10KΩ,开环输入电阻R i=3KΩ,则其闭环输入电阻R if =。
(R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻)5、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由和电路两部分组成。
二、分析与计算题1.(8分)对于增强型n沟MOSFET ,1)写出其在线性区的伏安特性表达式;2)在V DS>>2(V GS-V TH)条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式;3)已知MOSFET的μn·Cox=50μA/V2,V TH=0.7V, 当V GS=2.5V ,求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON=?2.(10分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题1)在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB?2)为保证二级放大器的上限频率为106Hz,下限频率为156Hz,计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少?3.(6分)一理想运算放大器组成的电路如图所示,试求该电路的输入电阻R i表达式。
4. (12分)在下图所示的多级运算放大电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路:1)写出计算υO1、υO2、υO 的表达式2)若 R 3=R 5=R f1=R f2 =200K Ω,R 1=R 2=R 4=R 7=20K Ω,C =5μF ,t =0 时,加入阶跃信号υi 1=-0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC =0,求需经过多长时间使υO =5V ?5.(15分)在下图(a )所示的单极放大电路中,场效应管T 的转移特性如下图(b )所示。
模拟电路考研试题及答案
模拟电路考研试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,晶体管的放大作用主要体现在哪个区?A. 截止区B. 饱和区C. 放大区D. 反向偏置区答案:C2. 下列哪种电路不是运算放大器的基本应用?A. 求和器B. 积分器C. 微分器D. 振荡器答案:D3. 在理想运算放大器中,输入阻抗和输出阻抗分别是多少?A. 无穷大,无穷大B. 无穷大,零C. 零,无穷大D. 零,零答案:B4. 晶体二极管的正向导通电压一般为多少?A. 0.2VB. 0.7VC. 1.5VD. 3V答案:B5. 理想运算放大器的开环增益是多少?A. 100B. 1000C. 10000D. 无穷大答案:D6. 模拟电路中,滤波器的作用是什么?A. 放大信号B. 滤除噪声C. 产生振荡D. 整流信号答案:B7. 在模拟电路中,下列哪个元件不是基本的无源元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 晶体管答案:D8. 模拟电路中,负反馈的作用是什么?A. 增加增益B. 减少增益C. 增加稳定性D. 减少稳定性答案:C9. 在模拟电路设计中,下列哪种方法可以提高电路的线性度?A. 使用高增益元件B. 使用低增益元件C. 使用负反馈D. 使用正反馈答案:C10. 模拟电路中,下列哪种效应会导致晶体管的漏电流增加?A. 温度效应B. 光照效应C. 压力效应D. 湿度效应答案:A二、填空题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,_________效应是导致晶体管漏电流增加的主要原因。
答案:温度2. 理想运算放大器的输入阻抗为_________,输出阻抗为_________。
答案:无穷大,零3. 模拟电路中,_________滤波器可以滤除高频噪声。
答案:低通4. 晶体二极管的正向导通电压约为_________伏特。
答案:0.75. 模拟电路中,_________电路可以用于实现信号的放大。
答案:放大器6. 理想运算放大器的开环增益为_________。
模拟电路考试题及答案
自测题一一、判断题1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。
( F )2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( T )3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
( F )二、单选题1.半导体中的少数载流子产生的原因是( D )。
A .外电场B .内电场C .掺杂D .热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。
A .正、反向电阻相等B .正向电阻大,反向电阻小C .反向电阻比正向电阻大很多倍D .正、反向电阻都等于无穷大3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。
(X 轴为电压)A .右移B .左移C .上移D .下移4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。
A .增大B .减小C .不变D .不确定5.三极管β值是反映( B )能力的参数。
(三极管可改为电流控制电流源)A .电压控制电压B .电流控制电流C .电压控制电流D .电流控制电压6.温度升高时,三极管的β值将( A )。
A .增大B .减少C .不变D .不能确定7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。
A .电流放大系数B .最大整流电流C .集电极最大允许电流D .集电极最大允许耗散功率8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是( B ) 。
A .e, b, cB .b, e, cC .b, c, eD .c, b, e9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。
A .多数载流子B .少数载流子C .扩散D .少数载流子和多数载流子共同10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ,则此三极管是( D )。
(发正偏集反偏)A .PNP 型硅管B .PNP 型锗管C .NPN 型锗管D .NPN 型硅管11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。
模拟电路考试试题套和答案
试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空(本题共20分,每空1分):1.整流电路的任务是_将交流电变成直流电_;滤波电路的任务是__滤除脉动直流电中的交流部分。
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于_载流子浓度差__而产生的,漂移运动是____电场力___作用下产生的。
3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__线性__失真和___非线性__失真。
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__耦合电容和旁路电容___的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的极间电容__的影响。
5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__稳定静态工作点___;引入交流负反馈的作用是稳定增益,改变输出电阻,减小非线性失真,展宽频带,抑制干扰和噪声__。
6.正弦波振荡电路一般由_选频网络__、_放大电路__、__正反馈网络___、__稳幅电路__这四个部分组成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为___100___,总的放大倍数为_105__。
对__差模输入__信号8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻Re的放大无影响,对_共模输入__信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比KCMR 为__差模增益与共模增益__之比。
9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__37__dB。
二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):1、(√)构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。
2、(√)稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、(√)在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、(×)若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。
模拟电路期末考试题
模拟电路期末考试题一、选择题(每题2分,共20分)1. 理想运算放大器的开环增益是:A. 有限的B. 非常大的C. 很小的D. 为零2. 以下哪个不是模拟电路的特点?A. 连续信号B. 线性处理C. 数字信号D. 模拟信号3. 在RC低通滤波器中,截止频率与电容和电阻的关系是:A. 与电容成正比B. 与电阻成正比C. 与电容和电阻的乘积成反比D. 与电容和电阻的乘积成正比4. 放大电路的增益通常由以下哪个元件决定?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 晶体管的β值5. 负反馈在放大电路中的作用不包括:A. 增加增益稳定性B. 减少非线性失真C. 降低输入阻抗D. 提高输出阻抗二、填空题(每空2分,共20分)6. 理想二极管的正向电压-电流特性是_________,反向电压-电流特性是_________。
7. 电压跟随器的输出阻抗是_________,输入阻抗是_________。
8. 运算放大器的输入端通常采用_________配置,以减少输入偏置电流的影响。
9. 电流源的特点是输出电流_________,而电压源的特点是输出电压_________。
10. 模拟乘法器常用于实现_________运算。
三、简答题(每题10分,共30分)11. 解释什么是差分放大电路,并简述其优点。
12. 描述什么是积分器和微分器,并说明它们在电路设计中的应用。
13. 简述负反馈放大器的工作原理及其优点。
四、计算题(每题15分,共30分)14. 给定一个共射放大电路,其β值为100,基极电流为10μA,求该放大电路的电压增益。
15. 设计一个RC低通滤波器,要求截止频率为1kHz,已知电阻值为1kΩ,求需要的电容值。
五、论述题(共10分)16. 论述模拟电路与数字电路在信号处理上的主要区别,并举例说明。
【注意】- 答题前请仔细阅读题目要求。
- 选择题请在答题纸上用2B铅笔填涂正确答案。
- 填空题、简答题和论述题请在答题纸上用黑色字迹的签字笔书写。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电路考试题及答案
模拟电路考试题及答案一、选择题(每题3分,共30分)1. 在模拟电路中,理想运算放大器的输入电阻是:A. 0ΩB. 1ΩC. ∞ΩD. 1kΩ答案:C2. 以下哪个元件不是模拟电路的基本元件?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案:D3. 理想运算放大器的输出电阻是:A. 0ΩB. 1ΩC. ∞ΩD. 1kΩ答案:A4. 在模拟电路中,放大器的增益通常用以下哪个参数表示?A. 电压B. 电流C. 功率D. 阻抗答案:B5. 以下哪个是模拟信号的特点?A. 数字化B. 离散C. 连续D. 量化答案:C6. 模拟电路中的反馈可以分为:A. 正反馈B. 负反馈C. 混合反馈D. 以上都是答案:D7. 在模拟电路中,滤波器的作用是:A. 放大信号B. 滤除噪声C. 改变信号的相位D. 转换信号的频率答案:B8. 模拟电路中的积分器和微分器分别对应于数学上的:A. 积分和微分B. 加法和减法C. 乘法和除法D. 指数和对数答案:A9. 模拟电路中,为了减少噪声,通常采用的措施是:A. 增加电源电压B. 增加信号幅度C. 使用滤波器D. 增加电路复杂度答案:C10. 模拟电路中,为了提高信号的稳定性,通常采用的措施是:A. 增加电源电压B. 增加信号幅度C. 使用负反馈D. 增加电路复杂度答案:C二、填空题(每题4分,共20分)1. 在模拟电路中,理想运算放大器的输入电阻是______Ω。
答案:∞2. 理想运算放大器的输出电阻是______Ω。
答案:03. 模拟电路中的反馈可以分为正反馈和______反馈。
答案:负4. 模拟电路中的积分器对应于数学上的______运算。
答案:积分5. 模拟电路中,为了提高信号的稳定性,通常采用______反馈。
答案:负三、简答题(每题10分,共50分)1. 请简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案:模拟电路处理的是连续变化的信号,而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路中的信号可以是任意值,而数字电路中的信号只有有限的几种状态。
模拟电路考试-题及其答案解析
自测题一一、判断题1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。
( F )2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( T )3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
( F )二、单选题1.半导体中的少数载流子产生的原因是( D )。
A .外电场B .内电场C .掺杂D .热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。
A .正、反向电阻相等B .正向电阻大,反向电阻小C .反向电阻比正向电阻大很多倍D .正、反向电阻都等于无穷大3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。
(X 轴为电压)A .右移B .左移C .上移D .下移4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。
A .增大B .减小C .不变D .不确定5.三极管β值是反映( B )能力的参数。
(三极管可改为电流控制电流源)A .电压控制电压B .电流控制电流C .电压控制电流D .电流控制电压6.温度升高时,三极管的β值将( A )。
A .增大B .减少C .不变D .不能确定7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。
A .电流放大系数B .最大整流电流C .集电极最大允许电流D .集电极最大允许耗散功率8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是( B ) 。
A .e, b, cB .b, e, cC .b, c, eD .c, b, e9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。
A .多数载流子B .少数载流子C .扩散D .少数载流子和多数载流子共同10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ,则此三极管是( D )。
(发正偏集反偏)A .PNP 型硅管B .PNP 型锗管C .NPN 型锗管D .NPN 型硅管11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。
模拟电路基础试题及答案
模拟电路基础试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是什么?A. 信号的滤波B. 信号的放大C. 信号的调制D. 信号的解调答案:B2. 以下哪个不是运算放大器的基本特性?A. 高增益B. 高输入阻抗C. 低输出阻抗D. 低频响应差答案:D3. 什么是共模抑制比(CMRR)?A. 差模信号与共模信号的比值B. 差模信号与噪声的比值C. 共模信号与差模信号的比值D. 共模信号与噪声的比值答案:C二、填空题4. 理想运算放大器的输入阻抗是________,输出阻抗是________。
答案:无穷大;零5. 一个理想的放大器的增益定义为输出电压与输入电压的________。
答案:比值三、简答题6. 简述负反馈在放大器中的作用。
答案:负反馈在放大器中可以提高增益稳定性,减小非线性失真,增加输入阻抗,降低输出阻抗,改善放大器的性能。
7. 什么是差分放大器,其主要优点是什么?答案:差分放大器是一种能够放大两个输入端电压差的放大器。
其主要优点是具有很高的共模抑制比,能够抑制共模干扰,提高信号的信噪比。
四、计算题8. 假设有一个非理想运算放大器,其开环增益为10^3,输入阻抗为1kΩ,输出阻抗为50Ω。
若输入信号为1mV,求输出电压。
答案:由于运算放大器的开环增益很高,可以近似认为输出电压等于输入电压乘以开环增益,即输出电压 = 1mV * 10^3 = 1V。
9. 如果在上题中的运算放大器接入一个反馈电阻Rf=10kΩ,求闭环增益。
答案:闭环增益可以通过公式Av = Vout/Vin = -βAol/(1 + Aol)计算,其中β是反馈系数,Aol是开环增益。
在这里,β =Rf/(Rf+Ri),Ri是输入阻抗。
代入数值得到Av = -10kΩ/(10kΩ+1kΩ) * 10^3 ≈ -100。
五、论述题10. 论述模拟电路与数字电路的区别,并举例说明它们在实际应用中的不同作用。
答案:模拟电路处理的是连续变化的信号,如声音、温度等,而数字电路处理的是离散的数字信号,如计算机中的二进制数据。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是,N型半导体的少子是,PN结具有特性。
2. 在P型半导体中,电子浓度空穴浓度;在N型半导体中,电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于,少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时,耗尽层将,反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种,即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容,分别叫作电容和电容。
7.在PN结形成过程中,载流子扩散运动是由于作用下产生的,漂移运动是由于作用下产生的。
8.当环境温度升高时,二极管的死区电压将,二极管的反向饱和电流将。
9.稳压二极管有作用,在电路中是将其阳极接于电源的极,阴极接于电源的极。
10.利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高,极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是失真,失真的主要原因是。
14.若三级放大电路中A u1= A u2=30dB,A u3==30dB ,则其总电压增益为dB,折合为倍。
15.在三极管的三种基本组态放大电路中,组态电压增益最小,组态输入电阻最小。
16.在三极管的三种基本组态放大电路中,组态输入电阻最大,组态放大倍数最大且为正。
17.实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管,其β值为。
18.场效应管属于____控制型器件,它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19.耗尽型N沟道FET的导电载流子是,一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻;P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
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模拟电路填空题集1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V 。
2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。
3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。
二极管的伏安关系可近似表述为公式)1(/S D D -=T V v e I i ;PN结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 模拟 电子技术。
6、PN 结反向偏置时,PN 结的内电场 增强 。
PN 具有 具有单向导电 特性。
7、硅二极管导通后,管压降是恒定的,不随电流而变,典型值为0.7;其门坎电压V th 为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。
9、P 型半导体的多子为 空穴、N 型半导体的多子为 自由电子、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 ,在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ,少子的浓度受__温度___的影响很大。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 空穴(P ) 半导体和 电子(N ) 半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ,它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V 。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 输出随频率连续变化的稳态响应 。
15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频的是 结 电容。
18、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ 增大 ,I CQ 增大 ,U CEQ 减小 。
19、三极管的三个工作区域是 截止 , 饱和 , 放大 。
集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V , V b = 0.5V, V c = 3.6V,试问该三极管是 硅管 管(材料), NPN 型的三极管,该管的集电极是a 、b 、c 中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB ,总的电压放大倍数为 10000 。
22、 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏、集电结反偏 。
某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a = -1V ,V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是 硅 管,NPN 型,集电极管脚是 a 。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区,要求:①发射结正向偏置,集电结反向偏置。
②对于NPN型三极管,应使VBC<0。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电流放大作用,共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强,共集组态向信号源索取的电流小,共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO 和VI的波形,则VO和VI的相位差为1800;当为共集电极电路时,则VO 和VI的相位差为0。
32、放大器有两种不同性质的失真,分别是饱和失真和截止失真,在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是__ 饱和___ 失真,失真的主要原因是__工作点偏高_ 。
33、晶体管工作在饱和区时,发射结a,集电结a;工作在放大区时,集电结b,发射结a。
(填写a正偏,b反偏,c零偏)34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。
36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。
37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。
44、当栅源电压等于零时,增强型FET 无导电沟道,结型FET的沟道电阻最小。
45、FET是电压控制器件,BJT是电流控制器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类。
47、一个输出功率为10W,若用乙类推挽功放,则应选额定功耗至少应为2W的功率管2只。
48、在放大电路中,效率最低的电路为甲类,为了消除交越失真用甲乙类电路。
49、乙类功放的主要优点是效率高,但出现交越失真,克服交越失真的方法是采用甲乙类。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
51、双电源互补对称功率放大电路(OCL)中VCC =8v,RL=8Ω,电路的最大输出功率为4W,此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Re 或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。
53、已知某差动放大电路A d =100、K CMR =60dB ,则其A C = 0.1 。
集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对 差模信号 具有放大能力,它对 共模信号 具有抑制能力,差动式电路的结构特点是 两管完全对称 。
55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。
56、如图所示,T 1T 2和T 3的特性完全相同,则I 2≈ 0.4 mA ,I 3≈0.2mA 则R 3≈10 k Ω57、集成运放通常由 输入级 、中间级;输出级、 偏置级 四个部分组成。
58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ;负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ,同时使输入电阻 减小 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制 反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流: 串联负反馈 。
②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时,放大电路的静态工作点保持稳定:直负反馈 。
③稳定输出电流: 电流负反馈 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ,同时使输入电阻 大 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,F=0.01,则闭环放大倍数f A ≈ 100 。
6401=+F 。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。
66、为稳定电路的输出信号,路应采用负反馈。
为了产生一个正弦波信号,电路应采用正 反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 068、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ,K CMR = 无穷 。
69、电流源电路的特点是,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。
70、电流源的特点是输出电流 恒定 ,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈状态。
74、有用信号频率高于1000Hz ,可选用高通滤波器, 500 Hz 以下的有用信号可选用低通 滤波器。
75、抑制50 Hz 的交流干扰,可选用带阻滤波器;抑制500 Hz 以下的信号,可选用高通滤波器。
76、如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号,可选用 带通 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器及带阻滤波器 。
78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下,得出两个重要结论,它们是:虚断 和 虚短 。
79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路, 输出级大多采用 共集 电路。
80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、 反馈网络 、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为1=F A ,相位平衡条件为πn F A 2±=Φ+Φ 82、信号发生器原理是在电路负反馈时∙∙F A = -1,自激 电路。
在正反馈时∙∙F A = 1,文氏振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。
84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 1=F A 、其中相位平衡条件是=φ+φf aπn 2,n 为整数 、为使电路起振,幅值条件是 1>F A 。
85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节四部分组成。
86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:V A = 3 、V F = 31 、0ωω== RC 1 。
87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是 1=F A 、 πϕϕn f a 2=+ n 为整数 。
88、正弦波振荡电路起振的条件是1>F A和 πn F A 2±=Φ+Φ n 为整数。
89、文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数 A f ≥3 ,才能满足起振条件。
90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用交流负反馈。
为了产生正弦波信号,电路应采用正反馈。
91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。
92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V ,7915输出电压 -15 V 。
93、直流电源由电源变压器,滤波电路、稳压和整流电路组成。