西安电子科技大学822电磁场与微波技术2004年考研专业课真题答案

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电子科技大学03-04学年第二学期《电磁场与电磁波》试题与答案

由 2．（ 15 分）
I eφ H 上 = eφ H 下 ⇒ H 上 = H 下 =eφ 2π r µI µI （ z > 0）；，( z < 0 ) 则 B上 = µ0 H 上 =eφ 0 ， B下 = µ H 下 =eφ 2π r 2π r
由参考评分标准：正确判断 eφ H 上 = eφ H 下，并正确应用安培环路定理求得 H （10 分）；
a . f = fc ； a . 无关； a. a+b；
b . f > fc ；
c . f < fc
）。
12．矩形波导的截止波长与波导内填充的媒质（
b . 有关； b . 2a ； b . sin θ ；
c . 关系不确定，还需看传播什么波型
）。
13．矩形波导的横截面尺寸为 a × b ，设 a > b ，则此波导中传播的主模的截止波长为（
a . 等于光速 c ；
10．矩形波导中可以传输（
b . 等于 c 2 ；
）。
c . 等于 c 4 c . TE 和 TM 波
1 2π µε (mπ a ) 2 + (nπ b) 2 ，
a . TEM 、 TE 和 TM 波；
b . TEM 波；
11．横截面尺寸为 a × b 的矩形波导管，内部填充理想介质时的截止频率 = fc 工作频率为 f 的电磁波在该波导中传播的条件是（）。

附：参考数据及公式（1） ε 0 ≈ 8.854 × 10
−12
≈
1 F m， 4π × 9 ×109
µ = 4π ×10−7 H m 0
（2）圆柱坐标系中的相关公式

电子技术试题及答案研究生考试04年

电子技术试题及答案研究生考试04年一、选择题（将正确答案的序号填入横线上）(25分)1、变容二极管是一种随外加反向电压变化比较显著的二极管，和普通电容相比，它是一种。

①pn结扩散电容；②pn结势垒电容；③衬底电容；④线性电容；⑤非线性电容；⑥杂散电容2、负反馈所能抑制的干扰和噪声是。

①反馈支路产生的干扰和噪声；②反馈环路内的干扰和噪声；③反馈环外的干扰和噪声；④输出信号中的干扰和噪声3、两相同单级放大器组成二级放大器，在其单级放大器的截止频率处，二级放大器的放大倍数比中频放大倍数下降 A 。

多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带 B 。

A：①3dB；②6dB；③20dB ；④9dB;B：①变宽；②不变；③变窄；④与各单级放大电路无关4、共模抑制比K CMR越大，表明电路。

①放大倍数越稳定；②交流放大倍数越大；③抑制温漂能力越强；④输入信号中的差模成分越大。

5、下列说法那个是正确的。

①正弦波振荡器是一个具有负反馈的放大器；②正弦波振荡器是一个具有正反馈的放大器；③正弦波振荡器是一个具有选频网络的正反馈的放大器；④正弦波振荡器是一个满足振荡相位和幅值条件的选频放大器；6、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由和电路两部分组成。

7、若存储器的容量为位，则地址代码应该取 3 位？①17位；②18位；③19位；④20位8、十六进制数（7A.C1）的十进制数是 2 。

①122.7539625；②122.75390625；③122.75390125 ；④122.753906255.9、二进制数（0101.0110）的十进制数是 2 。

① 5.365；②5.375；③5.3725 ；④5.375510、下图中各门电路（CC4000系列的CMOS电路）的输出是：Y1为 1 ；Y2为 2 ；Y3为 2 ；Y4为 2 。

①高电平；②底电平二、简要回答以下问题（30分）1、写出PN结伏安特性方程，试求出在工作点附近二极管交流电阻表达式。

西安电子科技大学考研真题

西安电子科技大学考研真题当谈及电子科技行业时，西安电子科技大学立即浮现在人们的脑海中。

作为中国电子科技的瑰宝，西安电子科技大学吸引了无数考生的目光。

那么，接下来我将为大家介绍一道西安电子科技大学考研真题，帮助大家更好地了解考试内容和复习方法。

本次考题涉及到通信工程专业的基础知识，让我们一起来看一下吧：【题目】某数字信号的功率谱密度函数为：S(f) = |F(f)|^2其中，F(f)是信号的频谱，f为频率。

1. 试求该信号的自相关函数R(t)。

2. 若该信号通过理想低通滤波器，滤波频率为B，求输出信号的功率谱密度S1(f)。

【解答】1. 该信号的自相关函数R(t)定义为：R(t) = ∫[-∞,∞] S(tau) e^(-j2πfτ) dτ其中，S(tau)是信号的双边功率谱密度。

代入题目给定的功率谱密度函数，可以得到：R(t) = ∫[-∞,∞] |F(f)|^2 e^(-j2πfτ) dτ为了简化计算，我们使用傅里叶反变换的性质：傅里叶变换对应的反变换结果是该信号的共轭函数。

因此有：R(t) = F^*(f)2. 若该信号通过理想低通滤波器，滤波频率为B，求输出信号的功率谱密度S1(f)。

理想低通滤波器可以通过将信号通过一个矩形函数的乘积来实现。

矩形函数的频域表达式为：H(f) = rect(f / 2B)通过傅里叶变换的卷积定理，可以得到输出信号的频谱表达式： F1(f) = F(f) * H(f)将结果代入到功率谱密度计算公式中：S1(f) = |F1(f)|^2带入已知条件，可以得到结果为：S1(f) = |F(f) * H(f)|^2至此，我们已经完成了本次考题的解答。

希望以上内容能够对大家对于西安电子科技大学考研题型的理解提供一些帮助。

总结：本文以西安电子科技大学考研真题为例，详细解答了与通信工程领域相关的问题。

通过这道题目的分析，我们加深了对于功率谱密度函数、自相关函数、滤波器的理解。

西安电子科技大学 2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题

西安电子科技大学2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称822电磁场与微波技术考试时间2009年 1月 10日下午（ 3小时）答题要求：所有答案〈填空题按照标号写〉必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分） z=0平面将无限大空间分为两个区域:z<0区域为空气，z>0区域为相对磁导率μr =1，相对介电常数εr =4的理想介质，若知空气中的电场强度为14x z E a a =+V/m ，试求:（1）理想介质中的电场强度E 2;（2）理想介质中电位移矢量D 2与界面间的夹角α;（3） z=0平面上的极化面电荷密度ρsp .二、（15分）均匀平面电磁波在相对磁导率μr =1的理想介质中传播，其电场强度的瞬时值为88(,)5sin[2(10)]5cos[2(10)]x v E r t a t z a t z ππ=-+-（mV/m ），试求：（1）该理想介质的相对介电常数εr ;（2）平面电磁波在该理想介质中的相速度V p ;（3）平面电磁波的极化状态。

三、（15分）空气中传播着磁场复矢量振幅(0.80.6)1()(34)12j x z x z H r a a e ππ-+=-mA/m ，的均匀平面电磁波，试求：（1）该平面电磁波的波长λ；（2）该平面电磁波传播方向的单位矢n ；（3）该平面电磁波电场的复振幅矢量 E®。

四、（15分）电场强度复振幅矢量2()24j z i x E r a e ππ-=（mA/m ）的均匀平面电磁波由空气垂直入射到相对介电常数εr =2.25，相对磁导率μr =1的半无限大理想介质的界面（z=0平面），试求:（1）反射波电场强度的振幅E rm ；（2）反射波磁场的复振幅矢量H r (r)；（3）透射波电场的复振幅矢量E t (r)。

五、（20分）己知无耗传输线电长度为θ，特性阻抗Z 0=1。

第五题用图（a ）（1）已知负载阻抗L l l Z r jx =+，求负载驻波比ρL ；（2）求输入驻波比ρin ；（3）求负载反射系数ΓL 。

2008~2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题【圣才出品】

2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a 、b （a>b ），球心距为c （c<a-b ）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b 的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a ，外导体半径为b ，长度为L ，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在a r b ≤≤，0z L ≤≤区域内的电磁场为ˆsin ˆcos r A E e kz r B H e kz rθ==v v（1）确定A ，B 间的关系；（2）确定k ；（3）求r=a 及r=b 面上的s ρ，s J v 。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为(2)6ˆ3()(/)j x x y E e e V m π-=v试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb ，工作波长λ，写出TE 10波的导波波长λg 。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a ，外半径为b ，画出截面上TEM 波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z 0公式。

六、（15 分）观管Pin 管相当于归一化电阻1R 和2R （正向运用），商管间隔90θ=︒，求输入端匹配时的1R 和2R 的关系式。

第六题用图七、（15 分）矩形谐振腔（axbxc ）如图，画出TE 101模的电场和磁场分布，写出电场与磁场公式。

(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编

目　录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。

西安电子科技大学822电磁场与微波技术2007年考研专业课真题答案

a2 P0 4 0 r

a2P0 40r

a2P0l cos 40r 2
3、在远离圆柱区 E ，
∴
E

a2 P0l 4 0
cos ( r2
)

a2 P0l 4 0 r 3
(2 cos
er

sin
eθ
)
二、解：1、该电磁波传播方向的单位矢量 n 0.6ay 0.8az ； 2、电场强度矢量 E(r) 0 (n) H(r) (0.8ay jax 0.6az )e j (3y4z) (V/m) 3、∵传播常数 k 00 c 5 ，∴ 15 108 rad / s
x
y

2
∴反射波波为左旋圆极化波。
2、反射波电场振幅为 Erm 2 2 (V/m)
反射波磁场强度振幅为 Hrm
Erm 0

2 60
(A / m)
3、投射系数T 1 0.8 ，透射波电场强度振幅 Etm TEim 8 2 V / m
∴透射波磁场强度振幅为 Htm
Etm
2 10
A/m
五、解：1、 L

ZL ZL
Z0 Z0
，

Le j2z

ZL ZL
Z0 Z0
e j2z
2、 1 | | 1 | |
3、对于 TE10 模 g
1 ( )2
2a
4、TE101 模谐振波长为 2al a2 l2
九、解：电基本振子远场区 E

j
Il 2 r
sin e jkr

西安电子科技大学822电磁场与微波技术2010年考研专业课真题试卷

2010年真题10 西安电子科技大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称 822电磁场与微波技术（A ）考试时间 2010年1月10日下午（3小时）答题要求：所以答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分）相对介电常数2r ε=的区域内电位()222r x y z φ=-+ (V)，求点（1，1，1）处的：1、电场强度E ；2、电荷密度ρ；3、电场能量密度w e 。

二、（15分）电场强度()()88(,)cos 31024sin 3102t t z t z ππππ=⨯--⨯-x y E r a a （mV/m ）的均匀平面电磁波在相对磁导率1r μ=的理想介质中传播，求：1、电磁波的极化状态；2，理想介质的波阻抗η；3、电磁波的相速度V p 。

三、（15分）磁场复矢量振幅()()()3418660j x z e ππ-+=-+i x y H r a a （mA/m ）的均匀平面电磁波由空气斜入射到海平面（z=0的平面），求：1、反射角θr ；2、入射波的电场复矢量振幅()i E r ；3、电磁波的频率f 。

四、（15分）电场复矢量振幅()10j z e π-=i x E r a (mV/m)的均匀平面电磁波由空气一侧垂直入射到相对介电常数 2.25r ε=，相对磁导率1r μ=的理想介质一侧，其界面为z=0平面，求：1、入射波磁场的瞬时值(),t i H r ；2、射波的振幅E r m ；3、透射波坡印廷（Poynting ）矢量的平均值S av (r ) 。

入射波的振幅反射波的振幅。

西电微波网络-课后题答案

第2讲习题本作业针对微波网络的参量矩阵，介绍了Z 矩阵，Y 矩阵，A 矩阵，S 矩阵和T 矩阵的定义以及各矩阵间的相互转换。

2.1 证明Z 矩阵与A 矩阵的关系式二端口Z 矩阵电压-电流关系为2121111I Z I Z V +=（1）2221212I Z I Z V +=（2）由（2）得2212222111I Z ZV Z I -=（3）将（3）带入（1）得221221111I Z V Z Z V ∆-=证毕2.2 求图2-13所示网络的Z 矩阵cb a bc a I Z Z Z Z Z Z I V Z +++===)(|011112 c b a c b a I Z Z Z Z Z Z I V Z +++===)(|022221c b a c b I Z Z Z Z Z I V Z ++===021121| cb ac b I Z Z Z Z Z I V Z ++===012212| 2.3 求图2-14所示网络的A 矩阵⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡++++=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡βθθβθθβθθβθθβθθθθβsin cos sin sin cos 2sin sin cos 1101cos sin 1sin cos 110102000000Z j Z Z j j jZ Z j Z j jZ j2.4 已知图2-11所示网络的[]⎥⎦⎤⎢⎣⎡=22211211A A A A A ，端口2接阻抗l Z ，求端口1的输入阻抗。

⎩⎨⎧-=-=22222112122111I A V A I I A V A V则 2221121122222121221111A Z A A Z A I A V A I A V A I V Z l lin ++=--==2.5⎩⎨⎧+=+=22222122122111i a u a i i a u a u 利用111b a u +=222b a u += 111b a i -=222b a i -=得⎩⎨⎧--+=---+=+)()()()()()(22222221112212221111b a a b a a b a b a a b a a b a两式相加2222112112222112111)()(2b a a a a a a a a a a ++++-+-=2222112112221121112221121122a a a a a a a a a a a a a a b ++++-+-++++=即 22211211212a a a a s +++=222112112221121122a a a a a a a a s ++++-+-=222112112221121111--a a a a a a a a s ++++=[]2221121112det 2a a a a a s +++=2.6 （a ）[]⎥⎦⎤⎢⎣⎡=101z A根据电路理论，得⎩⎨⎧-=-=22121ZI V V I I 利用01111)(Z b a I -= 02222)(Z b a I -= 01111)(Z b a V += 02222)(Z b a V +=得01220211)()(Z b a Z b a --=-Z b a Z b a Z Z b a )()()(220222020111--+=+于是⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡--=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡+-210202010102210202010102)(a a Z Z Z Z Z Z b b Z Z Z Z Z Z⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡+-+-++=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡--⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡-+++=⎥⎦⎤⎢⎣⎡2102020101020102020102020102210202010102020201010202010221)(22)()(1)(1a a Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z a a Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Zb b即ZZ Z ZZ Z s +++-=020*******ZZ Z ZZ Z s +++-=020*******ZZ Z Z Z s s ++==0201020121122由t 矩阵与s 矩阵的关系得02010*********Z Z ZZ Z s t ++==020102012122122Z Z Z Z Z s s t +--=-=020101022111212Z Z Z Z Z s st +-== )(2)(020102012020122122Z Z Z Z Z Z Z Z s t ++--=∆-= (b)[]⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡=N N A 100根据电路理论，得21nV V = 211I nI -=利用01111)(Z b a I -= 02222)(Z b a I -= 01111)(Z b a V += 02222)(Z b a V +=得02220111)()(Z b a n Z b a +=+ 01220211)()(Z b a Z b a n --=-于是⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡-21010202012101020201a a Z Z n Z n Z b b Z Z n Z n Z ⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡-+-+=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡-⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡-+=⎥⎦⎤⎢⎣⎡210220102010201022010220121010202010102020102201212211a a Z n Z Z Z n Z Z n Z n Z Z n Z a a Z Z n Z n Z Z Z n Z n Z Z n Zb b即022010220111Z n Z Z n Z s ++-= 022010220122Z n Z Z n Z s +-= 02201020121122Z n Z Z Z n s s +== 由t 矩阵与s 矩阵的关系得020102201211121Z Z n Z n Z s t +==02010********122Z Z n Z n Z s s t --=-= 0201022012111212Z Z n Z n Z s s t +-== )(2)(0220102012022012122Z n Z Z Z n Z n Z s t +--=∆-= 2.7 已知一双端口网络的s 矩阵满足21122211,s s s s ==。

西电微波电子线路课后习题答案

微波电子线路习题(3-2)(1)分析：电路a 、b 线路相同，信号、本振等分加于二管，混频电流叠加输出，1D 、2D 两路长度差4λ，是典型的双管平衡混频器电路。

但a 、b 两路本振、信号输入位置互换。

在a 电路中，本振反相加于两管，信号同相加于两管，为本振反相型平衡混频器。

B 电路则为信号反相型平衡混频器。

（2）电流成分①a 电路输出电流成分：*中频分量 1,0=-=n t s ωωω *和频分量 1,=+=+n t s ωωω*本振噪声 ()πωω-==t v u t v u nl nl n nl nl n cos ,cos 21 *外来镜频干扰s l s ωωω-=2/t v g i i i i s i i i 0/1/2/1/cos 2ω=-= 不能抵消，二倍输出。

*镜频分量 2,2=-=n s l i ωωω0=io i 镜频输出抵消，但流过输入回路，在源电阻上损耗能量。

*高次分量n 奇数两路相差πn 反相输出叠加 n 偶数两路相差πn 2 同相输出抵消 ②b 电路输出电流成分：()111s u t g i =，()222s u t g i =*中频分量 1,0=-=n t s ωωω *和频分量 1,=+=+n t s ωωω*本振噪声 ()πωω-==t v u t v u nl nl n nl nl n cos ,cos 21 *外来镜频干扰s l s ωωω-=2/t v g i i i i s i i i 0/1/2/1/cos 2ω=-= 不()t v g t v g i io s l s s i ωωωcos cos /1//1/1=-=()tv g t v g i io s l s s i ωωωcos cos /1//1/1=-=能抵消，二倍输出。

*镜频分量 2,2=-=n s l i ωωω12i io i i = 镜频输出不能抵消，也会流过输入回路，在源电阻上损耗能量。

电磁场与微波技术一至三讲

西安电子科技大学考研《822 电磁场与微波技术》命题规律分析及复习要点精讲主讲：李其强老师1一、考情分析及命题规律总结1、试题构成与特点试题一般分为填空题、分析计算题、论述证明题，试卷总分为150分。

其中，“电磁场理论”部分60分（一般3-4道），“微波技术基础”部分45分（一般3道），“天线原理”部分45分（一般3道）。

试题难度适中，难题、偏题较少。

2、教材基本内容与考题权重分析《电磁场与电磁波基础》部分，考研涉及部分包括：第一章矢量分析与场论；第二章静电场；第三章恒定电流的电场与磁场；第四章静电场的解；第五章时变电磁场；第六章平面电磁场。

一般考研分布为4道题，共计60分。

第一章是贯穿在整个的运算当中的，其余的五章里，静电场和恒定电流场应该会有一道大的计算题；静态场求解关于唯一性定理、镜像法或者是分离变量法应该会有一道大题；时变电磁场应该有一道计算题；平面电磁波关于反射特性也应该会有一2道计算题。

《简明微波》部分，考研涉及部分包括：微波基本概念及理论、传输线理论、波导理论、谐振腔理论。

一般分布为3道题，关于传输线计算的一道；关于波导理论的一道；关于谐振腔理论的一道。

《天线原理》部分，考研涉及部分包括：基本概念和理论、天线特性参数、天线阵方向特性和阻抗特性、典型线天线、典型面天线。

一般分布为2-3道题，考查内容为基本概念、基本公式计算和对天线工作原理的理解。

3、命题规律总结及命题趋势分析本门专业课严格按照考研大纲出题，考察重点较为突出，题量和难度适中，怪题、偏题较少。

预测今后几年的出题趋势，应当会较为稳定，与前几年变化不大。

4、备考与应试策略关于备战复习，要做到“三要三忌”：要抓基础、要注重理解、要3坚持不懈；忌死记硬背、忌眼高手低、忌主次不分明。

补充常识：微波左邻右舍二、要点精讲和复习思路第一章矢量分析1、本章考情分析本章主要介绍了矢量的概念以及相应的一些计算，虽然不会单独的出一道题，但是电磁场所有的计算都会用到这一章的知识，光有思路计算不出结果显然是不行的，所以这一章显得尤为关键。