DTM4936

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家用防盗报警装置设计与制作毕业答辩

2020/5/13
• 系统组成 • 功能实现 • 报警方式 • 中央控制 • 程序设计 • 问题分析
目录
2020/5/13
系统组成
2020/5/13
功能实现
• 1. 系统能监控两个地区的盗情； • 2. 当设防的物体被挪动或碰撞时能够检测到震动信号； • 3. 当人体进入监控范围区内能够检测到人体发出的红外线； • 4. 当检测到的信号发送到微控制器时，微控制器能够迅速作出判断
2020/5/13
报警方式-声光报警
2020/5/13
报警方式-拨号语音报警
MT8888
MT8880 是MITEL 公司推出的专门用于处理 DTMF 信号的专用集成电路芯片，不仅具有接收和发送DTMF信号的自动拨号功能，还可以检测电话干线上拨号音、回铃音和忙音等信号，适合与单片机接口，外围电路简单。
单片机的应用
程序设计
2020/5/13
拨号语音报警总流程图
问题分析
• 多路信号检测 • 报警的局限性 • 预存号码 • 节约电能
2020/5/13
2020/5/13
2020/5/13
电话接口部分路
中央控制-单片机
• STC89C51
•
ROM 4K
•
RAM 512B
• I/O口
• 中断
•
外部中断0
•
0003H/EA/EX0/IT0/
• 定时/计数器
•
定时1，计数0
•
TMOD/TR/TL/TH/001BH/
2020/5/13
中央控制-单片机
2020/5/13
ISD1806
语音录放芯片，可录音时间为4~10s，外围应用电路简单

DTM4946规格书最新版

1Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURES•Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition•TrenchFET ® Power MOSFET•175 °C Maximum Junction Temperature •100 % R g Tested•Compliant to RoHS directive 2002/95/ECPRODUCT SUMMARYV DS (V)R DS(on) (Ω)I D (A)Q g (Typ.)600.035 at V GS = 10 V 7.09.2 nC0.040 at V GS = 4.5 V5.8Notes:a.Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.b.t = 10 s.c.Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.d.Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise notedParameterSymbol Limit Unit Drain-Source Voltage V DS 60VGate-Source VoltageV GS± 20Continuous Drain Current (T J = 150 °C)T C = 25 °CI D 7.0A T C = 70 °C 5.5T A = 25 °C 5.3a, b T A = 70 °C4.4a, b Pulsed Drain CurrentI DM 30Continuous Source Drain Diode Current T C = 25 °C I S 3.1T A = 25 °C 2a, b Avalanche CurrentL = 0 1 mH I AS 12Single-Pulse Avalanche EnergyE AS 7.2mJ Maximum Power DissipationT C = 25 °CP D 3.7W T C = 70 °C 2.6T A = 25 °C 2.4a, b T A = 70 °C1.7a, b Operating Junction and Storage T emperature RangeT J , T stg - 55 to 175°C THERMAL RESISTANCE RATINGSParameterSymbol Typical Maximum Unit Maximum Junction-to-Ambient a, c t ≤ 10 s R thJA 5062.5°C/WMaximum Junction-to-Foot (Drain)Steady StateR thJF3341２３５５３Ｑ６８８７２黄Ｒ１３７６０３２电５０７０2Notes:a.Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.b.Guaranteed by design, not subject to production testing.Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise notedParameter Symbol Test Conditions Min.Typ.Max.Unit StaticDrain-Source Breakdown Voltage V DS V GS = 0 V , I D = 250 µA60V V DS Temperature Coefficient ΔV DS /T J I D = 250 µA 53mV/°CV GS(th) Temperature Coefficient ΔV GS(th)/T J - 6.7Gate-Source Threshold Voltage V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 µA 1.0 2.43.0VGate-Source LeakageI GSS V DS = 0 V , V GS = ± 20 V ± 100nA Zero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS = 60 V, V GS = 0 V 1µA V DS = 60 V , V GS = 0 V, T J = 55 °C10On-State Drain Current aI D(on)V DS ≥ 5 V , V GS = 10 V 30A Drain-Source On-State Resistance a R DS(on)V GS = 10 V , I D = 5.3 A 0.0230.035ΩV GS = 4.5 V , I D = 4.7 A 0.0310.04Forward T ransconductance a g fs V DS = 15 V , I D = 5.3 A24SDynamicbInput Capacitance C iss V DS = 30 V, V GS = 0 V , f = 1 MHz840pFOutput CapacitanceC oss 71Reverse Transfer Capacitance C rss 44Total Gate Charge Q g V DS = 30 V, V GS = 10 V, ID = 5.3 A 1725nCV DS = 30 V , V GS = 5 V, I D = 5.3 A 9.212Gate-Source Charge Q gs 3.3Gate-Drain Charge Q gd 3.7Gate Resistance R g f = 1 MHz3.16.59.5ΩTurn-On Delay Time t d(on) V DD = 30 V , R L = 6.8 Ω I D ≅ 4.4 A, V GEN = 4.5 V , R g = 1 Ω2030nsRise Timet r 120180Turn-Off Delay Time t d(off) 2030Fall Timet f 3045Turn-On Delay Time t d(on) V DD = 30 V , R L = 6.8 ΩI D ≅ 4.4 A, V GEN = 10 V , R g = 1 Ω1015Rise Timet r 1220Turn-Off Delay Time t d(off) 2540Fall Timet f1015Drain-Source Body Diode Characteristics Continuous Source-Drain Diode Current I S T C = 25 °C3.1A Pulse Diode Forward Current a I SM 30Body Diode VoltageV SD I S = 2 A0.8 1.2V Body Diode Reverse Recovery Time t rr I F = 4.4 A, dI/dt = 100 A/µs, T J = 25 °C2550ns Body Diode Reverse Recovery Charge Q rr 2550nC Reverse Recovery Fall Time t a 18nsReverse Recovery Rise Timet b7On-Resistance vs. Drain Current and Gate VoltageTransfer CharacteristicsCapacitance34TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedSource-Drain Diode Forward VoltageThreshold VoltageOn-Resistance vs. Gate-to-Source VoltageSingle Pulse Power, Junction-to-Ambient5TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise noted*The power dissipation P D is based on T J(max) = 175 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.Current Derating*Power, Junction-to-CaseSingle Pulse Avalanche CapabilityTYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedNormalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case 61DIM MILLIMETERSINCHESMin Max Min Max A 1.35 1.750.0530.069A 10.100.200.0040.008B 0.350.510.0140.020C 0.190.250.00750.010D 4.80 5.000.1890.196E 3.804.000.1500.157e 1.27 BSC0.050 BSCH 5.80 6.200.2280.244h 0.250.500.0100.020L 0.500.930.0200.037q 0°8°0°8°S0.440.640.0180.026ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06DWG: 54981A P P L I C A T I O N N O T ERECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8。

DTM系列数字温度计产品选型手册

三康仪表
□外形及安装尺寸
代号型式
D T M -401 D T M -402 D T M -406 D T M -4 11 D T M -412 D T M -416 D T M -481 D T M -482 D T M -486 D T M -491 D T M -492 D T M -591 D T M -592 D T M S-4 0 1 D T M S-4 0 2 D T M S-4 0 6 112 D T M S-4 11 D T M S-4 1 2 D T M S-4 1 6 102 112 140 140 106 106 5 37 5 54 10 24
结构形式
0 ）轴向型 2 ）径向型 8 ）万向型 9 ）软管型
表盘公称直径
4 ）φ 1 0 0 5 ）φ 1 5 0
S 带变送输出数字式温度计
电话：021-51003361 传真：021-51003362
上海三康仪表有限公司
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
网址:
选型样本— DTM 系列数字式温度计
三康仪表
径向型万向型
□ DTM 温度计主要技术指标
测量范围：- 3 0 ~ 2 5 0 ℃。显示方式：3 1 / 2 位液晶显示温度值，超过 2 0 0 ℃量程自动切换，具有低电压、超量程标志显示。分辨力：-30 ~200 ℃为 0.1 ℃，200 ~250 ℃为 1 ℃。基本误差：± 0 . 5 % F ·S + 1 d b 。采样周期：1 秒或 6 秒。电功材源：1.5V 5# 电池 1 个。耗：0.04mW(6 秒采样) ，0.08mW(1 秒采样) 。质：外壳及固定件等材质均为 1Cr18Ni9Ti 不锈钢，耐压 6.4MPa 。软管型轴向型

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器
无
【期刊名称】《电子测试：新电子》
【年(卷),期】2006(000)004
【摘要】飞利浦电子公司（Philips）日前宣布其0．18微米CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其先进的0．14微米嵌入式闪存／EEPROM已开始量产。

【总页数】1页(P111)
【作者】无
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN492
【相关文献】
1.华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域保持领先 [J],
2.飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器产品 [J],
3.BIST电路在嵌入式非易失性存储器可靠性测试中的应用 [J], 安宝森;乔树山;刘琦
4.中星微电子投产采用Kilopass嵌入式非易失性存储器技术的PC-CAM处理器[J],
5.华虹半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术解决方案支持MCU [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

DTM 系列智能数字变送保护表

¾ 自检－包括：通电自检、周期性自检、用户启动自检。自检有助于在现场寻找及排除故障。对于现场使用者提供机器的保护以及 DTM 系统运行的信息。
¾ 状态监测接口－提供传感器的动态缓冲信号。可使用户快速、方便地将其与在线的或者是便携的状态监测仪表相连接。
美国派利斯电子（北京）有限公司
3
北京朝阳区南磨房37号华腾北搪商务大厦1905室邮编:100022电话：(010)51908800传真：(010)51908761邮件：china@网址：
DTM9 通讯模块常被使用在 DTM 智能数字变送保护表总线系统中。系统可高达 32 块 DTM 表，DTM96 可以直接与上位机(PLC or DCS)进行通讯（Modbus），提供 DTM 表的数据状态，如报警状态、系统状态、振动值等。DTM 系统采用积木式模块方式，每个 DTM 模块自成系统。
缓冲输出：原始信号的隔离输出
输出阻抗：150Ω
最大传输距离：300米
灵敏度：同传感器
端子：现场BNC接口或接线端子
测量键相时，输出TTL电平信号
总振动输出：双路4～20mA有源输出，可以驱动500Ω的负载。
报警设置：报警点设置：
范围：0～100％满量程；
精确度：±0.1％。
报警继电器：密封：环氧树脂
DTM 系列智能数字变送保护表综述
全数字化 DTM系列智能数字变送保护表是派利斯TM公司在继
承了TM系列单通道变送保护表的优点的基础上，总结从事振动保护多年的心得，运用微信息处理技术领域中的最新成果，研制的全数字化的智能变送保护表。
DTM系列智能数字变送保护表将振动保护表、振动变送表以及振动开关的特性融为一体，采用积木式模块化设。用户可以根据具体情况，任选一块或几块DTM 数字变送保护表构成DTM振动监测保护系统。DTM数字变送保护表采用了每个模块自成体系的结构，即每个模块可以单独进行振动监测，提供单通道保护表的所有现场组态、控制、输入、输出等功能。

Din-Tek半导体MOSFET产品选型表

尚晶(SunKing-Group)科技股份有限公司是日本Din-Tek（DT）半导体大中华区授权唯一独家分销商，主营Din-Tek半导体全系列产品：DIODES(二极管)产品，有肖特基二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，稳压二极管，整流二极管等；HallSenor(霍尔)产品，有普通霍尔传感器，风扇马达驱动霍尔传感器等；Power management(电源管理)产品，有AC/DC Converter，DC/DC Converter，LDO等；MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N-MOS，双P-MOS，N+P MOS；封装形式有：SOT-23，TSOP-6，TO-92，SOT-89，SOT-223，TO-251，TO-252，TSSOP-8，SOP-8，TO-220，TO-263，DFN系列；电压范围：8V~750V；广泛应用于：资讯/通讯/工业电子/家用电器/电力电子等行业。

可完全替代:TOSHIBA (东芝)/ROHM(罗姆)/AOS(万代)/ANPEC(茂达)/SAMHOP(三合微)/CEM(华瑞)/Matsuki(松木电机)/APEC(富鼎)等品牌的相应型号!目前市场上常用型号有：一.单N型MOSFET：SOT-23：DTS2300(替代APM2300/SI2300/AO3400等)，DTS2302（替代SI2302/AO3414/STS2308等），DTS3400（替代AO3404等），DTS2306，DTS2312，DTS2314，DTS2318；SOP-8：DTM4410(替代AO4410/STM4410/FDS6670A等)，DTM4420（替代AO4408/AO4474等）；DTM9410（替代AO4430/NDS9410A等）；DTM4964，DTM6910P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4410 SOP-8 Single-N 30 20 1 6.5 4.5 18DTM9410 SOP-8 Single-N 30 20 1.1 45 32 6.8DTM4964 SOP-8 Single-N 60 20 1.5 40 35 7.6DTM6910 SOP-8 Single-N 100 20 2.5 47 40 6.4DTM4420 SOP-8 Single-N 30 20 1.2 12 8.9 13DTM4420B SOP-8 Single-N 30 20 1.5 9 7 15DTP9530 PPak Single-N 30 20 1.2 4.8 6 26DTS2314 SOT-23-3 Single-N 20 12 1.5 33 24 5.2 DTS03K16 SOT-23 Single-N 16 8 1 400 1000 0.42DTS2300S SOT-23 Single-N 20 8 0.4 55 40 3.8DTS2306 SOT-23 Single-N 20 12 0.65 27 22 4.8DTS2300A SOT-23-3 Single-N 20 8 0.4 33 24 5.2DTS2312 SOT-23 Single-N 20 8 1.2 45 33 3.8DTS3400A SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 33 24 6DTS3400 SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 58 4DTS3402 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 73 58 3.6DTS4500 SOT-23 Single-N 40 20 1.2 55 40 3.6DTS6400 SOT23-3 Single-N 60 20 1.8 36 26 4.5DTS6504 SOT-23-6 Single-N 30 20 1.2 40 30 6DTS6410 SOT-23 Single-N 60 20 1 89 78 3DTS2300 SOT-23 Single-N 20 8 0.8 38 24 4.5DTC2058 SOT-89 Single-N 20 12 0.6 45 33 6.8DTC3058 SOT-89 Single-N 30 20 0.6 45 33 6.8DTE2312 TO-92 Single-N 20 12 0.6 28 22 4.8DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTB3055 SOT-223 Single-N 30 20 1.5 38 25 7DTB6035 SOT-223 Single-N 60 20 1 40 28 7DTL15N03 TO-251 Single-N 30 20 1.2 16.5 13.5 15DTL40N03 TO-251 Single-N 30 20 1 10 7 40DTL2N60 TO-251 Single-N 600 20 2 3900 2DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 2 27 16 40DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.6 33 24 30DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1 28 22 40DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 100 15DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5.1 55DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.2 5.9 4.1 60DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 2 4400 2DTW2070 TO-263 Single-N 200 20 1.5 90 20DTK0403 TO-263 Single-N 30 20 2 4.4 3.8 98DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50N06 TO-252 Single-N 60 20 2 31 26 50DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTS2012 SOT323-3 Single-N 20 12 1 60 49 45 4DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4DTL4N65 TO-251 Single-N 650 30 3 2900 4DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60DTS3406 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 33 24 4.8DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15DTS1004 SOT-23 Single-N 100 20 1.2 150 1202.3DTC9058SOT-89Single-N100201.7139 126 3.1DTP4N70SJ TO-220 Single-N 700 20 3 1200 4DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38DTS2318 SOT-23 Single-N 20 20 0.5 10.5 9.5 12DTS2050 SOT-723 Single-N 20 12 0.6 521 286 0.63DTS2N7002SOT-23Single-N 60 20 1 4 2 0.3DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100DTQ6302DFN5x6Single-N30201.52.22.7100二．单P 型MOSFET ：SOT-23：DTS2301（替代APM2301/AO3413/STS2309等），DTS3401（替代AO3401等），DTS2305，DTS2315，DTS3407； SOP-8：DTM9435（替代APM9435/AO9435/CEM9435等），DTM4435（替代STM4435，SI4435，AO4435等），DTM4407（替代AO4407等），DTM4415，DTM4425，DTM4435；P/NPackage ConfigurationBV (V) VGS (V) Vt (V) RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_2.5v RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_4.5vRDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_10vID (A)Data sheetDTM9435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 60 45 -5.8DTM4435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 22 16 -8DTM4425 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 10.5 8.8 -15DTM4831SOP-8 Single-P -20 12 -1 65 -8DTM4407 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 18 12.5 -11.2DTM4415 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 12.8 9.2 -13.5DTP9531 PPak Single-P -30 20 -1.5 9.2 7.8 -26DTS2301 SOT-23 Single-P -20 12 -1 95 68 -3.8DTS2305 SOT-23 Single-P -20 12 -16850 -5DTS2301S SOT-23Single-P-20 12 -1.1 130 105 -3DTS2301A SOT-23-3 Single-P -20 12 -1.1 90 65 -4.5DTS3401 SOT-23Single-P-30 20 -1.2 130 88 -2.7DTS3401A SOT-23-3 Single-P -30 20 -1.5 70 53 -5.6DTS4501 SOT-23 Single-P -40 20 -1.5 110 83 -3.6DTS6503 SOT23-6 Single-P -30 20 -1.8 66 53 -5.1DTS7001 SOT-23Single-P-60 20 -1.8 5000 4000 -0.13DTS6401 SOT-23-3 Single-P -60 20 -1.8 48 40 -5.2DTU40P06 TO-252Single-P-60 20 -2 45 36 -40DTS3407 SOT-23-3 Single-P -30 20 -0.854 46 -5.6DTS2315SOT-23-3 Single-P-2012-0.7 90 65-4.5DTC2059 SOT-89 Single-P -20 12 -1.2 90 75 -6.6DTC3059 SOT-89 Single-P -30 20 -1.5 75 60 -7.6DTE2311TO-92 Single-P -20 12 -1 72 45 -4.2DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60DTL15P03TO-251Single-P -30 20 -1.5 70 43 -15DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15DTU40P06TO-252Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2300 260-15DTS2011 SOT-323 Single-P -20 8 -0.8 100 85 -3.1DTS3411 SOT-23 Single-P -30 20 -1.5 72 59 -4DTL19P10TO-251Single-P-100 20-2160120-19DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19DTM9425 SOP-8 Single-P 20 12 -1 50 40 -6.6DTL50P03 TO-251 Single-P -30 25 -1.2 15 10 -50DTS3419 SOT-23L Single-P -20 8 -1 41 32 -5.9DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -18 9 -80DTS2319 SOT-23 Single-P -20 -12 0.6 26 18 -6DTM4015 SOP-8 Single-P -40 -20 -1.7 13.2 9.4 -18DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.518 12 -60DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -13224 -12DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 27 21 -14.5DTQ3221DFN3x3Single-P-2012-13828-12三．双N 型MOSFET ：TSOP-6：DTS8205（替代STM8205等,电池保护板专用），DTS5440（电池保护板专用）TSSOP-8：DTM8205（替代APM8205/STM8205/CEM8205等），DTM8201SOP-8：DTM9926（替代APM9926/STM9926/CEM9926等），DTM9936（替代APM9945，AO4828等），DTM4946（替代STM6930A等）；DTM4936，DTM4926P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS5440 SOT-23-6 Dual-N 20 12 0.8 28 22 4.8DTM9936 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 14 7DTM9926 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 30 22 6.6DTM4946 SOP-8 Dual-N 60 20 1 40 35 7DTM4936 SOP-8 Dual-N 30 20 1.2 33 26 6.8DTM4830 SOP-8 Dual-N 80 30 3.5 75 3.5DTM4926 SOP-8 Dual-N 30 20 1.5 12 8 8DTM8201 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 17 6.5DTM8205 TSSOP-8 Dual-N 20 8 1 40 22 6.6DTS8205 SOT23-6 Dual-N 20 12 0.6 40 22 4.6DTS5440 TSOP-6 Dual-N 20 12 1.2 28 22 4.8DTS2212 SOT323-6 Dual-N 20 8 0.4 225 198 1.3DTM8002 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 7 5.5 11四．双P型MOSFET：TSOP-6：DTS5441SOP-8：DTM4953（替代APM4953，CEM4953，A04801等），DTM4953BDY（LED屏专用），DTM4925P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4925 SOP-8 Dual-P -20 12 -1.5 33 24 -8 DTM4953 SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 78 46 -5.4 DTM4953BDY SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 45 32 -6.6DTS5441 TSOP-6 Dual-P -20 -12 -1.2 90 65 -4五．N+PMOSFTSOP-8: DTM4606(替代AO4606)，DTM4616，DTM9906P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS3606N SOT-23-6 N+P 30 20 1.5 36 24 3.7DTM4606P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 58 48 -6DTM4616N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 34 6.7DTM9906N SOP-8 N+P 60 20 1.8 31 28 5.3 DTM9906P SOP-8 N+P -60 20 -1.8 70 60 -4.9DTM4606BDYN SOP-8 N+P 30 20 1.5 24 18 7DTM4606BDYP SOP-8 N+P -30 20 -1.5 40 36 -6.9DTM4606N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 24 6.7DTM4616P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 36 24 -7DTS3606P SOT-23-6 N+P -30 20 -1.5 83 69 -3 六．DFN封装系列（特别推介）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -1 38 28 -12 DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -1 32 24 -12DTQ6302 DFN5x6 Single-N 30 20 1.5 2.2 2.7 100七．TO-252系列P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DTU1N60 TO-252 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4 DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 1.8 28 20 40 DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.65 33 24 30 DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1.6 28 22 40 DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50 DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70 DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90 DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40 DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 115 95 15 DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 10.1 7 55 DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 5.9 4.1 60 DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 3.6 3900 2 DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1 9 8 -80 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80 DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40 DTU16N25 TO-252 Single-N 250 20 2 165 16 DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 300 260 -15 DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19 DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50 DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4 DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60 DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15 DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.5 18 12 -60八．TO-220系列（广泛应用于逆变器，UPS，LED照明，开关电源等行业）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTP1N60 TO-220 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60 DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100 DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38。

一种智能加热棒的5V供电电路[实用新型专利]

专利名称：一种智能加热棒的5V供电电路
专利类型：实用新型专利
发明人：夏兆建,赵武,叶剑辉,林晨琪,陈涟漪,林晨川申请号：CN201720160066.6
申请日：20170222
公开号：CN206472317U
公开日：
20170905
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了智能加热棒的5V供电电路，包括220V交流电、TL431基准电压源U3、光电耦合器U1、SD6832芯片U2、二极管D1、二极管D3、二极管D4、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电容C2、电容C9、电容C10、变压器T1、变压器T2、电感L1，本实用新型成本低、输出5V电压稳定，且电路结构简单，使用寿命长，抗干扰能力强。

申请人：杭州茂葳科技有限公司
地址：310000 浙江省杭州市杭州济技术开发区下沙街道幸福南路115号12幢标准厂房第2层国籍：CN
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基于DSP的DTMF的信号检测与识别

基于DSP的DTMF的信号检测与识别摘要双音多频DTMF（Dual Tone Multi-Frequency）信令在全世界范围内得到广泛应用，将DTMF信令的产生与检测集成到含有数字信号处理器（DSP）的系统中，是一项较有价值的工程应用。

本文给出一种实现方案，阐述DTMF信令的产生与检测的基本原理:用两个二阶数字正弦振荡器产生DTMF信号，并通过Goertzel算法实现DTMF信号检测。

本论文是在TI公司定点DSP芯片TMS320C54x系列中的实现DTMF信号的检测，采用DSP技术既增加了系统的功能、灵活性，又降低费用，克服了硬件电路实现检测的缺点。

因为本课题着重于DTMF信号的检测，所以DTMF信号的产生是通过音频处理软件Cool Edit Pro产生，然后将DTMF信号通过PC音频接口传输到AIC23B的接口，经过A/D采样编码后送到DSP进行信号检测，最后单片机将结果通过DSP 的HPI接口读取再通过单片机的串口传输到PC的串口调试助手上显示出来。

最后结果，结合Goertzel算法，DSK5402板能够实现对DTMF信号的解码，通过串口显示到串口调试助手上，达到了本论文的研究目的。

关键词：数字信号处理器DSP，双音多频DTMF，正弦波振荡器，Goertzel算法DTMF Signal Detection and Recognition Based on DSPABSTRACTWith the development of society, the signal generator has been widely used in radar application, communication system of simulation and test, the national defense, scientific research and industry. But with the development of society and the deepening of the research, the signal generator waveform programmable sex, the precision and stability of wave performance put forward higher request. The signal generator based on DSP is the height of the programming with its flexibility, for great application value and broad application prospect.This subject introduces based on DSP chip TMS320C5402 sine wave signal generator design principle and method. Use TMS320C5402 as data processor, STC89C51 as a controller to lead and control DSP chip. The direct sequence synthesis (DDS) technology, in DSP established on a signal generator, the development of serial upper machine software control DSP produce designated frequency(audio range)of sine wave,The system consists of DDS module and single-chip microcomputer control module, serial ports, sound card, etc of peripherals. Here introduces a DSP realize sinusoidal signal generator, its an am, FM function all have software to realize, and has the very good scalability, stability.KEY WORDS: DTMF signal, Goertzel algorithm, DSK5402 board, cool edit pro, DSP目录前言 (1)第1章绪论 (3)1.1 DTMF介绍 (3)1.2 方案对比 (3)1.3 传统的DTMF信号编解码介绍 (4)第2章DTMF信号的基本原理 (6)2.1 双音多频(DTMF)信号 (6)2.2 DTMF信号的硬件产生与检测 (8)2.3 双音多频信号软件产生与检测 (9)2.4 数字正弦波振荡器原理 (10)2.5 数字匹配滤波器原理（Geortzel算法） (12)第3章DTMF信号接收电路及声卡 (15)3.1 声卡概述 (15)3.1.1 声卡的功能 (15)3.1.2 声卡的基本组成 (15)3.2 音频编解码器TLV320AIC23 (16)3.3 DTMF信号输入电路 (20)3.3.1 电话状态指示电路 (20)3.3.2 电话电路 (21)3.4 DTMF发送电路 (21)3.4.1 DTMF信号接收电路 (22)3.5 DTMF发送电路与接收电路在通信方面的应用 (23)第4章DTMF信号软件介绍 (25)4.1 DTMF信号检测的DSP软件设计 (25)4.2 DTMF信号处理流程 (26)4.3 DTMF信号检测的单片机软件设计 (27)第5章DTMF中的硬件设备及仿真 (28)5.1单片机自举电路 (28)5.2电源转换电路 (29)5.3.单片机串口电路 (30)5.4仿真程序运行结果 (31)结论 (34)谢辞 (35)参考文献 (36)附录 (38)外文资料翻译 (40)前言双音多频(Dual Tone Multi Frequency，DTMF)信号产生起初是为了代替电话机的脉冲拨号而使用的，DTMF信号有一个高频信号和一个低频信号编码而成。

常用开关电源芯片大全之欧阳育创编

常用开关电源芯片大全第1章DC-DC电源转换器/基准电压源1.1 DC-DC电源转换器1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT31142.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP30003.高效3A开关稳压器AP15014.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN56605.小功率极性反转电源转换器ICL76606.高效率DC-DC电源转换控制器IRU30377.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL64208.单片降压式开关稳压器L49609.大功率开关稳压器L4970A10.1.5A降压式开关稳压器L497111.2A高效率单片开关稳压器L497812.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L597013.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM157214.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV16.可调升压开关稳压器LM257717.3A降压开关稳压器LM259618.高效率5A开关稳压器LM267819.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM270420.电流模式升压式电源转换器LM273321.低噪声升压式电源转换器LM275022.小型75V降压式稳压器LM500723.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT107324.升压式DC-DC电源转换器LT161525.隔离式开关稳压器LT172526.低功耗升压电荷泵LT175127.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT176528.大电流升压转换器LT193529.高效升压式电荷泵LT193730.高压输入降压式电源转换器LT195631.1.5A升压式电源转换器LT196132.高压升/降压式电源转换器LT343333.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT343634.通用升压式DC-DC电源转换器LT346035.高效率低功耗升压式电源转换器LT346436.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT346737.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT378238.微型低功耗电源转换器LTC175439.1.5A单片同步降压式稳压器LTC187540.低噪声高效率降压式电荷泵LTC191141.低噪声电荷泵LTC3200/LTC3200-542.无电感的降压式DC-DC电源转换器LTC325143.双输出/低噪声/降压式电荷泵LTC325244.同步整流/升压式DC-DC电源转换器LTC340145.低功耗同步整流升压式DC-DC电源转换器LTC340246.同步整流降压式DC-DC电源转换器LTC340547.双路同步降压式DC-DC电源转换器LTC340748.高效率同步降压式DC-DC电源转换器LTC341649.微型2A升压式DC-DC电源转换器LTC342650.2A两相电流升压式DC-DC电源转换器LTC342851.单电感升/降压式DC-DC电源转换器LTC344052.大电流升/降压式DC-DC电源转换器LTC344253.1.4A同步升压式DC-DC电源转换器LTC345854.直流同步降压式DC-DC电源转换器LTC370355.双输出降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC373656.降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC377057.双2相DC-DC电源同步控制器LTC380258.高性能升压式DC-DC电源转换器MAX1513/MAX151459.精简型升压式DC-DC电源转换器MAX1522/MAX1523/MAX152460.高效率40V升压式DC-DC电源转换器MAX1553/MAX155461.高效率升压式LED电压调节器MAX1561/MAX159962.高效率5路输出DC-DC电源转换器MAX156563.双输出升压式DC-DC电源转换器MAX1582/MAX1582Y64.驱动白光LED的升压式DC-DC电源转换器MAX158365.高效率升压式DC-DC电源转换器MAX1642/MAX164366.2A降压式开关稳压器MAX164467.高效率升压式DC-DC电源转换器MAX1674/MAX1675/MAX167668.高效率双输出DC-DC电源转换器MAX167769.低噪声1A降压式DC-DC电源转换器MAX1684/MAX168570.高效率升压式DC-DC电源转换器MAX169871.高效率双输出降压式DC-DC电源转换器MAX171572.小体积升压式DC-DC电源转换器MAX1722/MAX1723/MAX172473.输出电流为50mA的降压式电荷泵MAX173074.升/降压式电荷泵MAX175975.高效率多路输出DC-DC电源转换器MAX180076.3A同步整流降压式稳压型MAX1830/MAX183177.双输出开关式LCD电源控制器MAX187878.电流模式升压式DC-DC电源转换器MAX189679.具有复位功能的升压式DC-DC电源转换器MAX194780.高效率PWM降压式稳压器MAX1992/MAX199381.大电流输出升压式DC-DC电源转换器MAX61882.低功耗升压或降压式DC-DC电源转换器MAX62983.PWM升压式DC-DC电源转换器MAX668/MAX66984.大电流PWM降压式开关稳压器MAX724/MAX72685.高效率升压式DC-DC电源转换器MAX756/MAX75786.高效率大电流DC-DC电源转换器MAX761/MAX76287.隔离式DC-DC电源转换器MAX8515/MAX8515A88.高性能24V升压式DC-DC电源转换器MAX872789.升/降压式DC-DC电源转换器MC33063A/MC34063A90.5A升压/降压/反向DC-DC电源转换器MC33167/MC3416791.低噪声无电感电荷泵MCP1252/MCP125392.高频脉宽调制降压稳压器MIC220393.大功率DC-DC升压电源转换器MIC229594.单片微型高压开关稳压器NCP1030/NCP103195.低功耗升压式DC-DC电源转换器NCP1400A96.高压DC-DC电源转换器NCP140397.单片微功率高频升压式DC-DC电源转换器NCP141098.同步整流PFM步进式DC-DC电源转换器NCP142199.高效率大电流开关电压调整器NCP1442/NCP1443/NCP1444/NCP1445100.新型双模式开关稳压器NCP1501101.高效率大电流输出DC-DC电源转换器NCP1550102.同步降压式DC-DC电源转换器NCP1570103.高效率升压式DC-DC电源转换器NCP5008/NCP5009 104.大电流高速稳压器RT9173/RT9173A105.高效率升压式DC-DC电源转换器RT9262/RT9262A106.升压式DC-DC电源转换器SP6644/SP6645107.低功耗升压式DC-DC电源转换器SP6691108.新型高效率DC-DC电源转换器TPS54350109.无电感降压式电荷泵TPS6050x110.高效率升压式电源转换器TPS6101x111.28V恒流白色LED驱动器TPS61042112.具有LDO输出的升压式DC-DC电源转换器TPS6112x 113.低噪声同步降压式DC-DC电源转换器TPS6200x114.三路高效率大功率DC-DC电源转换器TPS75003115.高效率DC-DC电源转换器UCC39421/UCC39422116.PWM控制升压式DC-DC电源转换器XC6371117.白光LED驱动专用DC-DC电源转换器XC9116118.500mA同步整流降压式DC-DC电源转换器XC9215/XC9216/XC9217119.稳压输出电荷泵XC9801/XC9802120.高效率升压式电源转换器ZXLB16001.2 线性/低压差稳压器121.具有可关断功能的多端稳压器BAXXX122.高压线性稳压器HIP5600123.多路输出稳压器KA7630/KA7631124.三端低压差稳压器LM2937125.可调输出低压差稳压器LM2991126.三端可调稳压器LM117/LM317127.低压降CMOS500mA线性稳压器LP38691/LP38693128.输入电压从12V到450V的可调线性稳压器LR8129.300mA非常低压降稳压器（VLDO）LTC3025130.大电流低压差线性稳压器LX8610131.200mA负输出低压差线性稳压器MAX1735132.150mA低压差线性稳压器MAX8875133.带开关控制的低压差稳压器MC33375134.带有线性调节器的稳压器MC33998135.1.0A低压差固定及可调正稳压器NCP1117136.低静态电流低压差稳压器NCP562/NCP563137.具有使能控制功能的多端稳压器PQxx138.五端可调稳压器SI-3025B/SI-3157B139.400mA低压差线性稳压器SPX2975140.五端线性稳压器STR20xx141.五端线性稳压器STR90xx142.具有复位信号输出的双路输出稳压器TDA8133143.具有复位信号输出的双路输出稳压器TDA8138/TDA8138A144.带线性稳压器的升压式电源转换器TPS6110x145.低功耗50mA低压降线性稳压器TPS760xx146.高输入电压低压差线性稳压器XC6202147.高速低压差线性稳压器XC6204148.高速低压差线性稳压器XC6209F149.双路高速低压差线性稳压器XC64011.3 基准电压源150.新型XFET基准电压源ADR290/ADR291/ADR292/ADR293151.低功耗低压差大输出电流基准电压源MAX610x152.低功耗1.2V基准电压源MAX6120153.2.5V精密基准电压源MC1403154.2.5V/4.096V基准电压源MCP1525/MCP1541155.低功耗精密低压降基准电压源REF30xx/REF31xx156.精密基准电压源TL431/KA431/TLV431A第2章AC-DC转换器及控制器1.厚膜开关电源控制器DP104C2.厚膜开关电源控制器DP308P3.DPA-Switch系列高电压功率转换控制器DPA423/DPA424/DPA425/DPA4264.电流型开关电源控制器FA13842/FA13843/FA13844/FA138455.开关电源控制器FA5310/FA53116.PWM开关电源控制器FAN75567.绿色环保的PWM开关电源控制器FAN76018.FPS型开关电源控制器FS6M07652R9.开关电源功率转换器FS6Sxx10.降压型单片AC-DC转换器HV-2405E11.新型反激准谐振变换控制器ICE1QS0112.PWM电源功率转换器KA1M088013.开关电源功率转换器KA2S0680/KA2S088014.电流型开关电源控制器KA38xx15.FPS型开关电源功率转换器KA5H0165R16.FPS型开关电源功率转换器KA5Qxx17.FPS型开关电源功率转换器KA5Sxx18.电流型高速PWM控制器L499019.具有待机功能的PWM初级控制器L599120.低功耗离线式开关电源控制器L659021.LINK SWITCH TN系列电源功率转换器LNK304/LNK305/LNK30622.LINK SWITCH系列电源功率转换器LNK500/LNK501/LNK52023.离线式开关电源控制器M51995A24.PWM电源控制器M62281P/M62281FP25.高频率电流模式PWM控制器MAX5021/MAX502226.新型PWM开关电源控制器MC4460427.电流模式开关电源控制器MC4460528.低功耗开关电源控制器MC4460829.具有PFC功能的PWM电源控制器ML482430.液晶显示器背光灯电源控制器ML487631.离线式电流模式控制器NCP120032.电流模式脉宽调制控制器NCP120533.准谐振式PWM控制器NCP120734.低成本离线式开关电源控制电路NCP121535.低待机能耗开关电源PWM控制器NCP123036.STR系列自动电压切换控制开关STR8xxxx37.大功率厚膜开关电源功率转换器STR-F665438.大功率厚膜开关电源功率转换器STR-G865639.开关电源功率转换器STR-M6511/STR-M652940.离线式开关电源功率转换器STR-S5703/STR-S5707/STR-S570841.离线式开关电源功率转换器STR-S6401/STR-S6401F/STR-S6411/STR-S6411F 442.开关电源功率转换器STR-S651343.离线式开关电源功率转换器TC33369～TC3337444.高性能PFC与PWM组合控制集成电路TDA16846/TDA1684745.新型开关电源控制器TDA1685046.“绿色”电源控制器TEA150447.第二代“绿色”电源控制器TEA150748.新型低功耗“绿色”电源控制器TEA153349.开关电源控制器TL494/KA7500/MB375950.Tiny SwitchⅠ系列功率转换器TNY253、TNY254、TNY25551.Tiny SwitchⅡ系列功率转换器TNY264P～TNY268G52.TOP Switch（Ⅱ）系列离线式功率转换器TOP209～TOP22753.TOP Switch-FX系列功率转换器TOP232/TOP233/TOP23454.TOP Switch-GX系列功率转换器TOP242～TOP25055.开关电源控制器UCX84X56.离线式开关电源功率转换器VIPer12AS/VIPer12ADIP57.新一代高度集成离线式开关电源功率转换器VIPer53第3章功率因数校正控制/节能灯电源控制器1.电子镇流器专用驱动电路BL83012.零电压开关功率因数控制器FAN48223.功率因数校正控制器FAN75274.高电压型EL背光驱动器HV8265.EL场致发光背光驱动器IMP525/IMP5606.高电压型EL背光驱动器/反相器IMP8037.电子镇流器自振荡半桥驱动器IR21568.单片荧光灯镇流器IR21579.调光电子镇流器自振荡半桥驱动器IR215910.卤素灯电子变压器智能控制电路IR216111.具有功率因数校正电路的镇流器电路IR216612.单片荧光灯镇流器IR216713.自适应电子镇流器控制器IR252014.电子镇流器专用控制器KA754115.功率因数校正控制器L656116.过渡模式功率因数校正控制器L656217.集成背景光控制器MAX8709/MAX8709A18.功率因数校正控制器MC33262/MC3426219.固定频率电流模式功率因数校正控制器NCP165320.EL场致发光灯高压驱动器SP440321.功率因数校正控制器TDA4862/TDA486322.有源功率因数校正控制器UC385423.高频自振荡节能灯驱动器电路VK05CFL24.大功率高频自振荡节能灯驱动器电路VK06TL第4章充电控制器1.多功能锂电池线性充电控制器AAT36802.可编程快速电池充电控制器BQ20003.可进行充电速率补偿的锂电池充电管理器BQ20574.锂电池充电管理电路BQ2400x5.单片锂电池线性充电控制器BQ2401xB接口单节锂电池充电控制器BQ2402x7.2A同步开关模式锂电池充电控制器BQ241008.集成PWM开关控制器的快速充电管理器BQ29549.具有电池电量计量功能的充电控制器DS277010.锂电池充电控制器FAN7563/FAN756411.2A线性锂/锂聚合物电池充电控制器ISL629212.锂电池充电控制器LA5621M/LA5621V13.1.5A通用充电控制器LT157114.2A恒流/恒压电池充电控制器LT176915.线性锂电池充电控制器LTC173216.带热调节功能的1A线性锂电池充电控制器LTC173317.线性锂电池充电控制器LTC173418.新型开关电源充电控制器LTC198019.开关模式锂电池充电控制器LTC400220.4A锂电池充电器LTC400621.多用途恒压/恒流充电控制器LTC400822.4.2V锂离子/锂聚合物电池充电控制器LTC405223.可由USB端口供电的锂电池充电控制器LTC405324.小型150mA锂电池充电控制器LTC405425.线性锂电池充电控制器LTC405826.单节锂电池线性充电控制器LTC405927.独立线性锂电池充电控制器LTC406128.镍镉/镍氢电池充电控制器M62256FP29.大电流锂/镍镉/镍氢电池充电控制器MAX150130.锂电池线性充电控制器MAX150731.双输入单节锂电池充电控制器MAX1551/MAX155532.单节锂电池充电控制器MAX167933.小体积锂电池充电控制器MAX1736B接口单节锂电池充电控制器MAX181135.多节锂电池充电控制器MAX187336.双路输入锂电池充电控制器MAX187437.单节锂电池线性充电控制器MAX189838.低成本/多种电池充电控制器MAX190839.开关模式单节锂电池充电控制器MAX1925/MAX192640.快速镍镉/镍氢充电控制器MAX2003A/MAX200341.可编程快速充电控制器MAX712/MAX71342.开关式锂电池充电控制器MAX74543.多功能低成本充电控制器MAX846A44.具有温度调节功能的单节锂电池充电控制器MAX8600/MAX860145.锂电池充电控制器MCP73826/MCP73827/MCP7382846.高精度恒压/恒流充电器控制器MCP73841/MCP73842/MCP73843/MCP73844 647.锂电池充电控制器MCP73861/MCP7386248.单节锂电池充电控制器MIC7905049.单节锂电池充电控制器NCP180050.高精度线性锂电池充电控制器VM7205。

落木源：高压IGBT驱动技术解决方案

落木源：高压IGBT驱动技术解决方案
佚名
【期刊名称】《变频器世界》
【年(卷),期】2011(000)008
【摘要】目前从北京落木源公司获悉，其推出的高压IGBT驱动系列产品，已经大批量生产，包括DF10x系列（光纤隔离，用于6500V、4500V、3300V），DE106Dx系列（变压器隔离，用于4500V、3300V、2500V）等型号。

【总页数】1页(P38-38)
【正文语种】中文
【中图分类】TN322.8
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先锋音讯录音电话使用说明

目录录音+SD卡+来电显示+MP3 (2)1. 主要功能介绍 (3)2. 按键功能介绍 (4)2.1.1设置 (4)2.1.2日期/时间设置 (4)2.1.3本地码设置 (4)2.1.4出局码设置 (4)2.1.5闹钟功能设置 (5)2.1.6铃声设置 (5)2.1.7收线时间设置 (6)2.1.8 亮度设置 (6)2.1.9 遥控密码设置 (6)2.1.10来电进入遥控振铃次数设置 (6)2.1.11强制录音开关设置（默认为关闭） (7)2.1.12防盗功能设置（默认为关闭） (7)2.1.13来电时过滤出局码功能 (7)2.1.14 录音/停止键（须外挂SD卡） (7)2.1.17 OGM键(主人留言)（须外挂SD卡） (8)2.1.20 家庭留言键（须外挂SD卡） (8)2.1.23 录音放音/停止（须外挂SD卡） (9)2.1.24 录音查询 (9)2.1.25 序号查询 (9)2.1.26 日期查询 (9)2.1.27号码查询 (9)2.1.28 留言放音/停止键 (10)2.1.29 放音暂停键 (10)2.1.30 遥控操作 (10)2.1.33 删除/R键/音乐欣赏 (11)2.1.34 追拨/回拨键 (11)2.1.35 重拨/暂停键 (12)2.1.36 音量键 (12)2.1.37 收线键 (13)2.1.38 去电键 (13)2.1.39 免提键 (13)2.1.40 单键存储（M1~M7） (13)2.1.41 单键号码的删除 (13)~ 1 ~录音+SD卡+来电显示+MP3先锋音讯数字录音电话是单片集成电路、16位来电显示、进口录音控制芯片的智能录音电话，它内置了FSK/DTMF 译码器、复位线路、DTMF 拨号器。

大尺寸玻璃显示清晰；内置1个普通铃声.是一片高集成的低功耗、是一款低成本来电显示的录音电话芯片，兼容中国、北美、欧洲各种标准如BELL202、V23、BT、CCA、ETSI等，广泛适用于各种制式的程控交换机及各国来电显示标准。

DTM4606

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES•Halogen-free•TrenchFET ® Power MOSFET •100 % R g Tested •100 % UIS TestedAPPLICATIONS•Backlight Inverter for LCD Display •Full Bridge ConverterPRODUCT SUMMARYV DS (V)R DS(on) (Ω)I D (A)a Q g (Typ.)N-Channel 300.024 at V GS = 10 V 6.7 5.30.036 at VGS = 4.5 V6.2P-Channel- 300.048 at V GS = - 10 V - 6.011.80.058 at V GS = - 4.5 V- 5.0Notes:a.Based on T C = 25 °C.b.Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.c.t = 10 s.d.Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W.THERMAL RESISTANCE RATINGSParameterSymbol N-ChannelP-Channel UnitTyp.Max.Typ.Max.Maximum Junction-to-Ambient b, d t ≤ 10 s R thJA 54644962.5°C/WMaximum Junction-to-Foot (Drain)Steady StateR thJF33423040SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise notedParameter SymbolTest Conditions Min. Typ.a Max.Unit StaticDrain-Source Breakdown Voltage V DS V GS = 0 V , I D = 250 µA N-Ch 30VV GS = 0 V, I D = - 250 µAP-Ch - 30V DS Temperature Coefficient ΔV DS /T J I D = 250 µA N-Ch 44mV/°C I D = - 250 µA P-Ch - 42V GS(th) Temperature Coefficient ΔV GS(th)/T J I D = 250 µA N-Ch - 5.5II D = - 250 µA P-Ch 4.6Gate Threshold Voltage V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 µA N-Ch 1.4 3.0V V DS = V GS , I D = - 250 µA P-Ch - 1.2- 2.5Gate-Body LeakageI GSSV DS = 0 V , V GS = ± 20 V N-Ch 100nA P-Ch - 100Zero Gate Voltage Drain CurrentI DSSV DS = 30 V, V GS = 0 VN-Ch 1µA V DS = - 30 V , V GS = 0 V P-Ch - 1V DS = 30 V , V GS = 0 V , T J = 55 °C N-Ch 10V DS = - 30 V, V GS = 0 V , T J = 55 °CP-Ch - 10On-State Drain Current bI D(on)V DS = 5 V, V GS = 10 V N-Ch 10A V DS = - 5 V, V GS = - 10 V P-Ch - 10Drain-Source On-State Resistance bR DS(on)V GS = 10 V , I D = 5 AN-Ch 0.01950.024ΩV GS = - 10 V , I D = - 5 A P-Ch 0.0370.048V GS = 4.5 V, I D = 4 A N-Ch 0.02550.036V GS = - 4.5 V, I D = - 4 AP-Ch 0.0400.058Forward T ransconductance b g fsV DS = 15 V , I D = 5 A N-Ch 22S V DS = - 15 V , I D = - 5 AP-Ch14Dynamic aInput Capacitance C iss N-ChannelV DS = 20 V, V GS = 0 V , f = 1 MHzP-ChannelV DS = - 20 V , V GS = 0 V , f = 1 MHz N-Ch640pFP-Ch 970Output CapacitanceC oss N-Ch 73P-Ch 120Reverse Transfer CapacitanceC rssN-Ch 41P-Ch 95Total Gate ChargeQ gV DS = 20 V , V GS = 10 V , I D = 5 AN-Ch 11.720nC V DS = - 20 V, V GS = - 10 V , I D = - 5 A P-Ch 2538N-ChannelV DS = 20 V , V GS = 4.5 V I D = 5 AP-ChannelV DS = - 20 V , V GS = - 4.5 V , I D = - 5 AN-Ch 5.39P-Ch 11.818Gate-Source Charge Q gs N-Ch 1.9P-Ch 3.0Gate-Drain Charge Q gd N-Ch 1.7P-Ch 5.2Gate ResistanceR gf = 1 MHzN-Ch 0.5 2.2 4.5ΩP-Ch1.05.511Notes:a.Guaranteed by design, not subject to production testing.b.Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise notedParameter SymbolTest ConditionsMin.Typ.aMax.UnitDynamic aT urn-On Delay Time t d(on) N-ChannelV DD = 20 V , R L = 4 Ω I D ≅ 5 A, V GEN = 10 V , R g = 1 ΩP-ChannelV DD = - 20 V , R L = 4 ΩI D ≅ - 5 A, V GEN = - 10 V , R g = 1 ΩN-Ch714nsP-Ch 714Rise Timet r N-Ch 1020P-Ch 1224T urn-Off Delay Time t d(off) N-Ch 1530P-Ch 3060Fall Timet f N-Ch 918P-Ch 918T urn-On Delay Time t d(on) N-ChannelV DD = 20 V , R L = 4 Ω I D ≅ 5 A, V GEN = 4.5 V , R g = 1 ΩP-ChannelV DD = - 20 V , R L = 4 ΩI D ≅ - 5 A, V GEN = - 4.5 V , R g = 1 ΩN-Ch1630P-Ch 4480Rise Timet r N-Ch 1730P-Ch 3350T urn-Off Delay Time t d(off) N-Ch 1630P-Ch 2860Fall Timet fN-Ch 1020P-Ch1325Drain-Source Body Diode Characteristics Continuous Source-Drain Diode Current I S T C = 25 °CN-Ch 2.5AP-Ch - 2.5Pulse Diode Forward Current a I SM N-Ch 20P-Ch - 20Body Diode VoltageV SD I S = 1.6 A N-Ch 0.78 1.2V I S = - 1.6 A P-Ch - 0.76- 1.2Body Diode Reverse Recovery Time t rr N-ChannelI F = 2 A, dI/dt = 100 A/µs, T J = 25 °C P-ChannelI F = - 2 A, dI/dt = - 100 A/µs, T J = 25 °CN-Ch 1930ns P-Ch 2650Body Diode Reverse Recovery Charge Q rr N-Ch 1425nC P-Ch 18.535Reverse Recovery Fall Time t a N-Ch 13nsP-Ch 12.5Reverse Recovery Rise Timet bN-Ch 6P-Ch13.5On-Resistance vs. Drain CurrentTransfer CharacteristicsCapacitanceOn-Resistance vs. Junction TemperatureN-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedSource-Drain Diode Forward VoltageThreshold VoltageSingle Pulse Power, Junction-to-AmbientN-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise noted*The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.Current Derating*Power Derating, Junction-to-FootPower Derating, Junction-to-AmbientN-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedNormalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-FootOn-Resistance vs. Drain CurrentGate ChargeTransfer CharacteristicsCapacitanceSingle Pulse Power, Junction-to-AmbientP-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise noted*The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.Current Derating*Power Derating, Junction-to-FootPower Derating, Junction-to-AmbientP-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedNormalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-FootDIM MILLIMETERSINCHESMin Max Min Max A 1.35 1.750.0530.069A 10.100.200.0040.008B 0.350.510.0140.020C 0.190.250.00750.010D 4.80 5.000.1890.196E 3.804.000.1500.157e 1.27 BSC0.050 BSCH 5.80 6.200.2280.244h 0.250.500.0100.020L 0.500.930.0200.037q 0°8°0°8°S0.440.640.0180.026ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06DWG: 5498A P P L I C A T I O N N O T ERECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8DisclaimerALL PROD UCT, PROD UCT SPECIFICATIONS AND D ATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.Din-Tek Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,“Din-Tek”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product.Din-Tek makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or the continuing production of any product. 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Parameters provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time. All operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer’s technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Din-Tek’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.Except as expressly indicated in writing, Din-Tek products are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications or for any other application in which the failure of the Din-Tek product could result in personal injury or death. Customers using or selling Din-Tek products not expressly indicated for use in such applications do so at their own risk. Please contact authorized Din-Tek personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications. 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We confirm that all the products identified as being compliant to Directive 2002/95/EC conform to Directive 2011/65/EU.Din-Tek Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as Halogen-Free follow Halogen-Free requirements as per JEDEC JS709A standards. Please note that some Din-Tek documentation may still make reference to the IEC 61249-2-21 definition. We confirm that all the products identified as being compliant to IEC 61249-2-21 conform to JEDEC JS709A standards.1。

GSM MODEM中DTMF信号识别功能的设计与实现

GSM MODEM中DTMF信号识别功能的设计与实现
秦园春
【期刊名称】《数字技术与应用》
【年(卷),期】2012(000)003
【摘要】在对GSM MODEM内部结构以及DTMF解码芯片深入研究的基础上,通过在GSM MODEM内部添加DTMF接收解码芯片HT9170D和AT89S52单片机,由识别程序,实现了DTMF信号的识别功能。

给出了详细的硬件接线和识别程序结构。

【总页数】2页(P127-128)
【作者】秦园春
【作者单位】安徽广播电视台淮北发射台,安徽淮北235000
【正文语种】中文
【中图分类】TP277
【相关文献】
1.GSM MODEM中DTMF信号识别功能的设计与实现 [J], 秦园春
2.基于GSM Modem简易SMS图书自动r催还平台的设计与实现 [J], 王力
3.基于GSM Modem的专业监考派发系统的设计与实现 [J], 张泽;吴开星;
4.一种基于GSM Modem的简易SMS图书自动催还平台的设计与实现 [J], 王力
5.基于GSMModem简易SMS图书自动催还平台的设计与实现 [J], 王力
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单片机控制的DTMF编解码器及应用

单片机控制的DTMF编解码器及应用
张建斌
【期刊名称】《陕西工学院学报》
【年(卷),期】1999(015)003
【摘要】根据实际应用情况，本文提出了用ＭＣＳ－５１系列单片机控制ＤＴＭＦ解码和编解码的设计方法，具有电路简单，工作安全性可靠性高、充分发挥ＤＴＭＦ信号抗干扰能力的优点。

这种方法，在实际应用中简单易行，且收效显著，能使整机性价比得到较明显提高，因而具有良好的应用前景和工程推广价值。

【总页数】4页(P30-33)
【作者】张建斌
【作者单位】陕西工学院电气信息系
【正文语种】中文
【中图分类】TN762
【相关文献】
1.MCS—51单片机控制的DTMF信号发送／接收电路 [J], 廖天河;李亚平
2.单片机控制的DTMF信号接收器 [J], 陈永强
3.单片机应用技术讲座(21)第十七讲基于DTMF编码信号的自动报警监测系统的实现方法(1) [J], 严天峰
4.单片机应用技术讲座(22)第十七讲基于DTMF编码信号的自动报警监测系统的实现方法(2) [J], 严天峰
5.单片机控制的DTMF信令 [J], 方潜生;夏先余
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DTMF编解码及其应用

DTMF编解码及其应用
陆建生
【期刊名称】《水利水文自动化》
【年(卷),期】1994(000)004
【摘要】一、DTMF系统概述 DTMF双音多频系统是有线电话通信中的拨号方式,是由美国贝尔实验室早在二十多年前发明的,由于其具有多功能、误码低、高可靠、速度快等优点,因此已被世界各国广泛应用于自动电话系统中。

1.标准的DTMF双音多频系统其信号是由一组四个低音频及一组四个高音频组合的信号,一个有效的DTMF信号包括一个低频(四个低音频中的一个)频率和一个高频(四个高音频中的
一个)频率之和组成。

其低音频信号的标准值分别为:697Hz、
【总页数】5页(P16-20)
【作者】陆建生
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN915
【相关文献】
1.基于DSP的DTMF信号编解码算法实现 [J], 常青青;邓大伟;艾红
2.基于DSP的DTMF编解码技术的实现 [J], 吕赞福;孟维晓;李研
3.单片机控制的DTMF编解码器及应用 [J], 张建斌
4.用DTMF编解码芯片实现多通道遥控控制 [J], 丁超;王朋
5.DTMF编解码芯片的研究 [J], 王明甲;傅兴华;张万里;陈茜
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用单片机实现DTMF信号译码

用单片机实现DTMF信号译码DTMF信号首先用于电话的拨号系统，在频率编码遥控系统及数据编码传输中的应用也很普遍。

目前的DTMF译码器中，大多采纳通用集成器件（单音译码和组合门电路）或专用DTMF信号译码（如MC145436等）组成译码电路。

在无数状况下，DTMF译码器输出的数据仍需送入举行相应的运算及处理，进而控制其它各种设备的动作。

因此，假如能找到一种基于单片机的DTMF信号的译码算法，再辅之以容易的整形电路就可以，既可省去成套译码电路，又能达到简化电路降低成本的目的。

本文所要介绍的，就是这种构想的初衷，结果通过计算机计算数据论证认为彻低能够达到设计要求。

2、DTMF信号频率组成及整形前DTMF信号的幅值密度在DTMF信号中，16个命令键均由两个单音频率信号组合（见表1）。

单音频率有两组，高频组为（1209Hz、1336Hz、1447Hz、1633Hz），低频组为（697Hz、770Hz、852Hz、941Hz），每个命令键，对应的都是一个高频组的频率和一个低频组的频率的组合。

以“*”号命令键为例：其DTMF信号是由941Hz的低频组信号和1209Hz的高频组信号组成。

图1为其频谱图。

表1 DTMF信号频率组成表从图1中可以看出，“*”号命令键的DTMF信号在941Hz和1209Hz处有谱线。

在抱负条件下，可计算出频谱密度函数X（f）在f=941Hz和1209Hz时的模值为|X（941）|，|X（1209）|，即它们模值均不为零。

也就是说，要是同时存在频谱密度函数模值为|X（941）|，|X（1209）|，并且它们模值均不为零时，其表征的键号为“*”。

以此类推（见表1），可分离计算出低频组信号|X（697）|、|X（770）|、|X（852）|、|X（941）|和高频组信号|X（1209）|、|X（1336）|、|X（1447）|、|X（1633）|的模值。

假如高、低频组中均各自有一个X（f）的模值不为零，则再通过f在表1查找出其表征的命令键。