MOSES基础建模

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《MOSES软件简介》课件

根据设计要求，设定各种设计变量，比如形状、材料、尺寸、重量等。
指定设计和优化的目标，比如降低重量、增加强度、优化流场等。
指定设计和优化的约束条件，比如应力、位移、稳定性、流量等。
通过各种优化算法，自动寻找最佳的设计方案。
通过优化结果的展示，查看设计指标是否满足要求，并调整优化参数。
结束语
1 感谢大家
全方位评价
通过分析各个环节的可靠度， MOSES能够提供一个可靠度的总评价，并指出容易导致设计失败的地方，为设计师提供有力的支持。
可维修性分析
1
方案制定
通过分析故障影响范围和维修需求，指导设计师更好地制定可维修性方案。
2
方案评估
通过三维模型展示，模拟维修过程，评估可维修性方案，并根据评估结果进行优化。
机械制造
机械制造中面临着很多难以掌控的因素，MOSES能
系统优化
各种复杂大型系统的设计和优化，MOSES在提高系
操作步骤
1. 导入数据 2. 设计变量定义 3. 设计目标定义 4. 设计约束定义 5. 进行优化计算 6. 查看优化结果
导入需要设计和优化的数据，可以直接调用各种 CAD、FEA等数据文件。
2 继续前行
3 共创价值
感谢您使用MOSES软件，我们会一直努力，让 MOSES成为最优秀的工程设计软件。
我们希望利用MOSES的创新性、高效性为各行各业带来新的体验，获得更好的系统设计和优化方案。
MOSES始终致力于提高客户价值，为客户提供优秀的产品，专业的服务，共创美好未来。
MOSES软件简介
MOSES是一个基于优化的多元对象工程设计软件，具有高效、快速、易用的特点。在工程设计、产品开发、机械制造，甚至系统优化的领域应用广泛。

MOSES软件应用指南

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三. 平台静水力设计
• 2. 静水力曲线计算
平台由简单形体构成，因此静水力曲线计算可用简单图形的解析公式来计算各项静水力参数。也可用软件进行计算。
平台重心高度曲线
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3. 稳性校核
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重心高度/m
按照平台稳性规范进行稳
20
性校核，根据稳性规范的多 15
10
预期重心高度
种要求，计算平台极限重心
Body的定义方式为： &DESCRIBE body Bodyname 舱室的定义方式为 &DESCRIBE compartment Cname 一般第一个定义的舱室或Body为外部舱室，其他默认为内部舱室。到下一条&DESCRIBE body语句为止，之间的语句都是 &DESCRIBE body的具体定义命令。 &DESCRIBE body语句后面为从属于该Body的parts的定义。 Parts的定义形式为：由Pgen 开始到 end pgen 结束。
3
三. 平台静水力设计
• 1. 重量重心估算平台重量包括：机械载荷，船体结构重量，载重量。机械载荷：本次设计由于不包括总布置设计，因此机械载荷部分事先给定。结构重量估算：结构重量=船体表面积*板厚*等效钢板密度载重量：平台排水量采用浮筒内的压载水进行调节。（采用列表形式进行估算）
2021/5/23
-CS_wind wx wy -CS_Current cx cy: 无因次风载荷系数和流载荷系数
-PERMEABILITY value 渗透率，默认为1，去掉的部分为-1。内部舱室按实际取负值 -both –stbd –port：建模规则，不选或三选一。 MOSES建模时默认为左右对称，在建模时只给出右半部分 -both：非对称体用，需给出完整剖面信息 -stbd：只取右半部分；-port只取左半部分，不选：对称模型

base models 和 instruction models -回复

base models 和instruction models -回复什么是base models 和instruction models，它们在机器学习中的作用是什么？在机器学习中，模型是用来对数据进行建模和预测的工具。

基础模型（base models）和指令模型（instruction models）是常见的两种模型类型。

它们在机器学习任务中有不同的使用方式和作用。

首先，让我们来了解基础模型（base models）。

基础模型是机器学习中最基本和最简单的模型类型，通常是在没有任何先验知识或指导下构建的。

基础模型不依赖任何特定任务中的规则或指示，而是依靠大量的数据进行模型训练和学习。

这种模型的主要任务是从数据中学习模式、规律和关联性，并根据这些学习到的模式生成预测结果。

基础模型可以采用多种机器学习方法，包括传统的统计学习方法（例如线性回归、逻辑回归、决策树等）和现代的深度学习方法（例如神经网络）。

无论采用哪种方法，基础模型通常具有较低的复杂度和灵活性，但其训练和预测过程较为简单和高效。

基础模型在机器学习中扮演着重要的角色。

首先，它们经常被用作基准（baseline）模型，用于评估和比较其他更复杂或改进的模型。

通过建立一个基本模型并对其结果进行评估，我们可以确定其他模型相对于基准模型的性能改进程度。

其次，基础模型可以作为整个机器学习流程中的一个组成部分，用来构建更复杂的模型或进行模型集成。

然而，基础模型也有其局限性。

由于其对数据的学习是基于数据本身而没有任何先验知识，它们可能无法捕捉到一些特定任务中的关键规则和指示。

这就引出了指令模型（instruction models）的概念。

指令模型在机器学习中是一类特殊的模型，其使用指示、规则或先验知识来帮助模型进行训练和预测。

这些指令可以是人工设计的规则，也可以是由领域专家提供的先验知识。

指令模型的核心思想是在模型中引入外部知识，从而改善模型的学习和预测能力。

MOSES软件应用指南

选择安装路径建议选择默认路径
完成安装重启计算机以完成配置
软件下载：访问MOSES官方网站下载最新版本的软件安装步骤：按照安装向导的提示完成软件的安装配置环境：确保操作系统和硬件满足软件的最低要求软件设置：根据个人需求设置软件的参数和选项测试运行：运行软件检查是否正常运行并查看输出结果更新升级：定期检查软件的更新并按照提示进行升级
问题：MOSES软件无法保存文件解决方案：检查文件路径是否正确尝试使用其他路径保存文件
解决方案：检查文件路径是否正确尝试使用其他路径保存文件
常见问题：软件无法启动、运行缓慢、数据丢失等
解决方案：检查系统配置、更新软件版本、备份数据等
预防措施：定期检查系统、备份数据、更新软件等
故障处理：记录故障信息、联系技术支持、寻求专业帮助等
,
汇报人：
CONTENTS
PRT ONE
PRT TWO
MOSES是一款开源的机器学习软件
支持多种编程语言如Python、R等
主要应用于数据挖掘、预测分析等领域
易于使用适合初学者和专家使用
提供了丰富的算法和模型如决策树、神经网络等
社区活跃有大量的教程和案例可供参考
强大的数据管理功能灵活的建模工具高效的求解器
自定义模型开发的注意事项
自定义模型开发的步骤
自定义模型开发的实例分析
模型优化：通过调整模型参数提高模型性能
调参方法：网格搜索、随机搜索、贝叶斯优化等
调参目标：最小化损失函数提高模型准确率、召回率等
调参工具： Te n s o r B o rd 、 Weights & Bises等
运行错误：检查软件版本更新到最新版本

basic model 基础模型 -回复

basic model 基础模型-回复basic model 是指基础模型，它是许多领域的基础。

基础模型是一种用来解析和理解事物的简化和抽象描述。

在不同的领域，基础模型都起到了重要的作用，可以应用于科学研究、工程设计、经济分析等多个领域。

接下来，我们将一步一步回答有关基础模型的问题。

问题一：基础模型在科学研究中的作用是什么？在科学研究中，基础模型可以帮助科学家们建立起对现实世界的简化描述和抽象，以便于分析和研究。

科学研究需要对现实世界进行建模和分析，基础模型为科学家们提供了一个切入点和起点。

通过基础模型，科学家们可以对事物的结构、机制和行为进行定性和定量分析，从而深入理解问题的本质。

问题二：基础模型在工程设计中的应用有哪些？在工程设计中，基础模型可以帮助工程师们预测和评估设计的效果和影响。

工程设计需要考虑多种因素，包括物理特性、力学特性、流体特性等。

通过建立基础模型，工程师们可以模拟和分析设计的各种因素和交互作用，并基于这些模型进行优化和改进。

基础模型也可以用于工程项目的规划和仿真，从而提前发现和解决潜在问题。

问题三：基础模型在经济分析中的应用是什么？在经济分析中，基础模型可以用来研究和预测经济系统的行为和影响。

经济分析需要考虑多个变量和因素之间的相互关系，基础模型可以帮助经济学家们建立这些关系的数学描述。

通过基础模型，经济学家们可以优化资源配置、预测市场变化、评估政策影响等。

基础模型也可以用于经济政策的制定和评估，为决策者提供科学依据。

问题四：基础模型在其他领域中的应用有哪些？基础模型在许多其他领域也有广泛应用。

在生态学中，基础模型可以用来研究生物种群和生态系统的动态变化和相互作用。

在交通规划中，基础模型可以用来模拟和分析交通流量和拥堵情况，以便于优化交通网络和减少交通事故。

在天气预报中，基础模型可以用来模拟和预测大气环流和天气变化，为气象学家们提供预测结果。

在计算机科学中，基础模型可以用来设计和分析算法的效率和可行性。

MOS器件建模及仿真 ppt课件

IC设计
（DC、AC及瞬态分析）
● MOSFET模型
器件模型是通过I-V, C-V以及器件中载流子输运过程描述器件的端特性，这些模型应能够反映器件在所有工作区域的特性. 分为物理模型和等效电路模型。
▲ 器件物理模型根据器件的几何图形、掺杂分布、载流子输运方程和材
料特性等预测器件的端特性和输运特性. 特点：1）通常需要二维或三维的数值计算；
2）能揭示器件的内在物理效应； 3）一般只适用于器件物理研究和器件开发； 4）部分工作区能找到收敛的解析模型，可应用于电路模拟器.
▲ 等效电路模型将器件等效成由一些基本单元组成的电路，器件特性由
该等效电路特性来描述. 特点：1）可解析求解；
2）不能揭示器件的内在物理效应； 3）适合于电路模拟器.
p
x
● MOSFET结构和工作原理
1、MOSFET的基本结构
2 、MOSFET的工作原理
VGS来控制沟道的导电性,从而控制漏极电流 ID ,是一种电压控制型器件.
当 VGS＜VT（称为阈值电压）时,源漏之间隔着P区,漏结反偏, 故无漏极电流.当VGS >VT 时,栅下的P型硅表面发生强反型,形成连通源区和漏区的N型沟道,产生漏极电流ID. 对于恒定VDS ,VGS 越大,则沟道中的可移动电子就越多,沟道电阻就越小,ID 就越大.
p t

1 q

Jp

R
上式中，R = U - G ，U、G 、R 分别为复合率、产生率和净
复合率。R > 0 表示净复合，R < 0 表示净产生。
③ 电子与空穴的电流密度方程：
Jn qDnn qnn J p qDpp q p p

集成电路测试与建模

集成电路测试与建模
集成电路测试与建模是集成电路设计与制造过程中不可或缺的环节。

测试是验证芯片性能是否符合设计要求的重要手段，而建模则是为了在设计阶段准确预测电路性能。

下面将分别介绍集成电路测试与建模的重要性及其工作原理。

集成电路测试是确保芯片质量的关键步骤。

在集成电路设计完成后，需要对芯片进行各种测试，以验证其功能是否正常、性能是否达标。

测试包括功能测试、时序测试、功耗测试、温度测试等多个方面，通过这些测试可以检测出芯片中可能存在的缺陷，确保产品质量。

同时，测试也可以帮助发现设计中的问题，为设计改进提供反馈。

集成电路建模是在设计阶段对电路进行仿真和分析，以预测电路的性能。

通过建模可以提前发现设计中的问题，减少设计周期，降低成本。

建模可以包括逻辑仿真、电气仿真、时序仿真等多个方面，通过这些仿真可以准确预测电路的工作性能，指导设计优化。

集成电路测试与建模的关系密切相连，测试结果可以反馈到建模中，帮助改进建模准确性；而建模结果也可以指导测试，提高测试效率。

通过测试与建模的相互配合，可以提高集成电路设计的质量和效率。

总的来说，集成电路测试与建模是集成电路设计与制造中不可或缺的环节。

测试是保证产品质量的重要手段，而建模则是提高设计效率和准确性的关键工具。

只有测试与建模相结合，才能有效地提高
集成电路设计的质量和效率。

希望随着技术的不断发展，集成电路测试与建模能够更加完善，为电子产品的发展提供更好的支持。

amous建模流程

amous建模流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!1. 问题定义与目标设定：明确建模的目的和要解决的问题。

确定关键指标和评估标准。

mosfet行为建模

在建立MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的行为模型时，主要目的是建立MOSFET的漏源极电压和漏极电流以及系统相关参数之间的函数关系，以预测MOSFET漏源极电压和漏极电流在开关过程中的变化趋势。

在实际的应用过程中，MOSFET的电阻区和截止区主要应用在CPU等逻辑芯片中，而恒电流区应用在基于MOSFET的信号放大电路中。

为了建立碳化硅MOSFET的开关行为模型，首先需要获得实际系统中各个参数之间的关系。

此外，如果问题简化，直接用两条直线对器件进行建模：前一段，这个MOSFET就等效为一个电阻，后一段等效为一个压控的电流源，压控的电压为Ugs，压控能力是一个平方关系。

如需获取更具体的信息，建议咨询电子工程专家或查阅相关书籍。

MOSES软件应用指南ppt课件

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pgen Pname -loc x y z ct fa ps -CS_wind wx wy -CS_Current cx cy PERMEABILITY value -both –stbd –port
-loc x y z fa ct ps x y z ：part局部坐标零点在整体坐标中的位置 fa ct ps: part安装到整体中的方向角 ct：part x 轴和整体坐标xoy平面的夹角（纵倾） ps：part x 轴在整体坐标xoy平面投影与整体坐标x轴的夹角（首摇） fa： part绕自身x轴的旋转角度（横摇）
-CS_wind wx wy -CS_Current cx cy: 无因次风载荷系数和流载荷系数
-PERMEABILITY value 渗透率，默认为1，去掉的部分为-1。内部舱室按实际取负值 -both –stbd –port：建模规则，不选或三选一。 MOSES建模时默认为左右对称，在建模时只给出右半部分 -both：非对称体用，需给出完整剖面信息 -stbd：只取右半部分；-port只取左半部分，不选：对称模型
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二. MOSES的建模
任何一个海上结构物都可以看做若
干个简单形状的组合体。若右图所示，一个半潜平台可以有10个基本形状组成。船体也可以分为主船体和若干上层建筑，主船体可进一步分为船首分段，船中分段和船尾分段等。
在MOSES中，任意一个“Body”或舱室可以由若干“part”组成。在定义形状之前，应首先定义单位制，单位制定义方式如下：
➢静水力因素：浮性（重量、重心、装载状态的影响）、稳性（初稳性、回复力曲线，风载荷、典型工况的稳性校核）
➢运动性能：典型工况的载荷和运动响应极值，系泊特性，抗风浪能力分析

mos的spice建模PPT课件

（1）阈值电压的半经验公式
φ η γφ φ V T H V F B 2 F 8 .1 C O 1 L 5 3 X 20 2F S2 F V B S F N 2 F V BS
式中，η是模拟静电反馈效应的经验模型参数， FS为短沟道效应的校正因子。
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MOS3 模型
（1）阈值电压的半经验公式在MOS3中采用改进的梯形耗尽层模型，考虑了圆柱
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MOS器件二阶效应
（2）静电反馈效应
随着VDS的增加，在漏区这一边的耗尽层宽度会有所增加，这时漏区和源区的耗尽层宽度WD和WS分别为：
W DXD 2φ FVBSVDS
WSXD 2φFVBS
上式中，
XD
2εSi
qNSUB
，因此γS修正为：
γ γ γ S 1 1 2 L 0 X 2 jL D 1 2 X W j D 1 1 2 X W jS 1 1 α D α S
（1）短沟和窄沟对阈值电压的影响；（6）漏感应引起位垒下降；
（2）横向和纵向的非均匀掺杂；（7）沟道长度调制效应；
（3）垂直场引起的载流子迁移率下降（8）衬底电流引起的体效应，
（4）体效应；
（9）次开启导电问题；
（5）载流子速度饱和效应；
（10）漏／源寄生电阻。
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短沟道MOS场效应管BSIM3模型
阈值电压
（1）垂直方向非均匀掺杂
V T V H T K 0 1 S V B S S K 2 V BS
（2）横向非均匀掺杂
V T H V T 0 K 1 S V B SS K 2 V B K S 1 1 2 L L e X f N f D N A N S A 1 S

MaterialStudio建模知识讲解

Mat e r i al St ud i o 建模铁基块体非晶合金-纳米晶转变的动力学模拟过程Discover 模块1 原子力场的分配在使用Discover 模块建立基于力场的计算中，涉及几个步骤。

主要有：选择力场、指定原子类型、计算或指定电荷、选择non-bond cutoffs 。

在这些步骤中，指定原子类型和计算电荷一般是自动执行的。

然而，在某些情形下需要手动指定原子类型。

原子定型使用预定义的规则对结构中的每个原子指定原子类型。

在为特定的系统确定能量和力时，定型原子使工作者能使用正确的力场参数。

通常，原子定型由Discover 使用定型引擎的基本规则来自动执行，所以不需要手动原子定型。

然而，在特殊情形下，人们不得不手动的定型原子，以确保它们被正确地设置。

图3-11）计算并显示原子类型：点击Edit→ Atom Selection，如图所示弹出对话框，如图所示从右边的⋯的元素周期表中选择Fe，再点Select，此时所建晶胞中所有都将被选中，原子被红色线圈住即表示原子被选中。

再编辑集合，点击Edit Sets ，如图所示Fe原子Edit→弹出对话框见图，点击New...，给原子集合设定一个名字。

这里设置为Fe，则3D 视图中会显示“Fe”字样，再分配力场：在工具栏上点击Discover 按钮，从下拉列表中选择Setup，显示Discover Setup 对话框，选择Typing 选项卡。

图3-2 Discover Setup 对话框Typing 选项卡在Forcefield types 里选择相应原子力场，再点Assign (分配)按钮进行原子力场分配。

注意原子力场中的价态要与Properties Project 里的原子价态( Formalcharge )一致。

2 力场的选择1)Energy力场的选择：力场是经典模拟计算的核心，因为它代表着结构中每种类型的原子与围绕着它的原子是如何相互作用的。

mos晶体管的操作和建模

mos晶体管的操作和建模
MOS晶体管是一种基础的半导体器件，广泛应用于电子工程领域。

本文将介绍MOS晶体管的操作原理和建模方法。

首先，MOS晶体管有三个电极：栅极、漏极和源极。

栅极和源极之间形成一个PN结，称为沟道。

沟道中充满了可控电荷，根据栅极电压的变化，可以使沟道导通或者截止。

这种控制沟道导通的方式，称为场效应。

MOS晶体管的工作原理可以分为三个阶段：截止、线性和饱和。

当栅极电压低于截止电压时，MOS晶体管处于截止状态；当栅极电压逐渐升高，沟道中的电荷逐渐增多，使得漏极和源极之间的电阻值逐渐降低，此时处于线性状态；当栅极电压继续升高，沟道中的电荷已经足够多，此时漏极和源极之间的电阻值已经最小，无法再继续降低，MOS晶体管进入饱和状态。

MOS晶体管的建模方法主要有三种：直流小信号模型、交流小信号模型和数字模型。

直流小信号模型是用来分析MOS晶体管的直流电路，它将MOS晶体管简化成一个非线性电阻；交流小信号模型是用来分析MOS晶体管的交流电路，它将MOS晶体管简化成一个线性电阻；数字模型是用来模拟MOS晶体管在数字电路中的行为，它包含了MOS 晶体管的非线性特性以及栅极电容等效电路。

总之，MOS晶体管是一种重要的电子器件，掌握它的操作原理和建模方法，对于电子工程师来说是非常必要的。

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半导体器件建模方法

半导体器件建模方法English:One of the commonly used methods for modeling semiconductor devices is the use of simulation software such as SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). SPICE allows designers to create models of various semiconductor components such as diodes, transistors, and integrated circuits, and simulate their behavior under different operating conditions. This enables designers to predict the performance of their semiconductor devices before actual fabrication and testing, saving time and resources. Another method for modeling semiconductor devices is the use of mathematical equations and physical principles to describe the behavior of the devices. This method requires a deep understanding of semiconductor physics and material properties, but it allows for a more detailed and accurate representation of the device behavior. Additionally, compact models, which are simplified versions of detailed physical models, are often used for efficient circuit simulation and design optimization. These compact models capture the essential behavior of the device without the complexity of adetailed physical model, making them suitable for large-scale circuit simulations. Overall, the various modeling methods for semiconductor devices provide designers with the tools to accurately predict and optimize the performance of their devices, leading to the development of more efficient and reliable electronic systems.中文翻译:半导体器件建模的常用方法之一是使用模拟软件，如SPICE（带有集成电路重点的仿真程序）。

MOSES软件简介解读

&LOOP, INDEX, BEGVAL, ENDVAL, INCR &NEXT, LPHRASE &EXIT, LPHRASE &ENDLOOP 或： &LOOP, VAR, ( LIST(1), ...... LIST(n) ) &NEXT, LPHRASE &EXIT, LPHRASE &ENDLOOP
• • • • • • • • • • • • •
Pgen 命令的可选项有： -PERMEABILITY, PERM （定义渗透率） -OBSTACLE, -DIFTYPE, TYPE -CS_WIND, CSW_X, CSW_Y, CSW_Z （风阻力） -CS_CURRENT, CSC_X, CSC_Y, CSC_Z （流阻力） -DD_MULT, DDR(1), MULT(1), ...., DDR(n), MULT(n) -AMASS, AMA_MULT （附加质量） -TANAKA, TANAKA_FACTOR -ROLL_DAMPING, ROLL_DAMP_FACTOR （横摇阻尼） -COLOR, COLOR(1), FRAC(1), ... COLOR(n), FRAC(n) （颜色定义） –TEXTURE, NAME_TEX, X_SCALE, Y_SCALE -STBD （或 -PORT 或 -BOTH 或没有，表示取右舷、左舷、左右非对称，对称体； -BOTH 时需要同时定义左右舷） • -TOL_OFF, TOL • -LOCATION, X, Y, Z, ROLL, PITCH, YAW （定义位置）
MOSES软件简介
MOSES软件简介
• MOSES软件采用文本的方式。一个项目包含两个文件： • 建模文件：“项目名.dat” • 命令文件：“项目名.cif” • 建模文件对船舶的形状和组件位置进行描述。 • 命令文件则包含需要的计算内容和计算步骤。 • MOSES支持编程，因此具有很好的扩展性和灵活性，但是缺乏友好的界面。

Moses建模小结

MOSES 建模总结模型是理论计算的基础，其精度直接关系到计算的准确与否。

理论上我们可以通过认真仔细的工作使模型的精度达到工程应用的要求。

在MOSES建模的过程中也有一定的规则和技巧，现简述如下。

MOSES建模思路是将一个个的剖面串联起来组成一个整体，主要有两种方法：第一种方法是在&surface目录下，定义block，这时可以使用plane 命令完成建模。

使用此种方法的最大优点在于对每一个block，可以有differ，union，insert等后续操作，应用这些命令在定义一些复杂结构时有很大优势。

但也有几点需要注意：1在对两个block操作时边界不能重复。

2应用此命令有时需要对block进行翻转操作，这时一定要搞清旋转方向及整体坐标与局部坐标之间的关系。

3最重要的一点，此时定义模型只是一个“壳子”，并不是一个实体，要达到计算应用的目的，要通过&emit命令完成最后的定义。