华工模拟电子技术随堂练习知识分享
华工电路与电子技术随堂练习答案
华工电路与电子技术随堂练习答案第1章电路的基本概念与基本定律本次练习有23题，你已做22题，已提交22题，其中答对11题。
当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对5题。
1.如图所示电路中，电流实际方向为_____。
A． e流向d B. d流向e C. 无法确定参考答案：A问题解析：2.如图所示电路中，电流实际方向是由d流向e，大小为4A，电流I数值为______。
A． 4A B. 0A C. ―4A参考答案：C问题解析：3.电流与电压为关联参考方向是指。
A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致参考答案：A问题解析：4.下面说法正确的是。
A．电压源与电流源在电路中都是供能的。
B. 电压源提供能量，电流源吸取能量。
C. 电压源与电流源有时是耗能元件，有时是供能元件。
D. 以上说法都不正确。
参考答案：C问题解析：5.计算元件功率时应注意和的正方向，当和的正方向一致时，计算公式＝，当和的正方向相反时，计算公式＝－，计算结果若＞0表示元件（）功率，表明此元件起（）作用。
A. 吸收，电源B. 发出，电源C. 吸收，负载D. 发出，负载参考答案：C问题解析：6.额定值为110V，60W的一个白炽灯和额定值为110V，40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上，后果是（）的白炽灯烧坏。
A. 40WB. 60WC. 40W和60W参考答案：B问题解析：7.如图所示电路中，供出功率的电源是（）。
A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源参考答案：A问题解析：8.如图所示电路，电压源和电流源释放的功率分别为（）A. 12W，-4WB.–12W，4WC. 12W，4WD.–12W，-4W参考答案：B问题解析：9.电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路断开时，电路中的电流和电源端电压分为。
华南理工大学 电工与电子技术 随堂练习及参考答案
第1章电路的基本概念与基本定律??1.(单选题)? 如图所示电路中，电流实际方向为__A___。
A． e流向d B. d流向e C. 无法确定?2.(单选题)? 如图所示电路中，电流实际方向是由d流向e，大小为4A，电流I数值为__ C____。
A． 4A???????? B. 0A???????? C. ―4A?3.(单选题)? 电流与电压为关联参考方向是指??A????。
A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致4.(单选题) 下面说法正确的是C。
A．电压源与电流源在电路中都是供能的。
B. 电压源提供能量，电流源吸取能量。
C. 电压源与电流源有时是耗能元件，有时是供能元件。
D. 以上说法都不正确。
5.(单选题) 计算元件功率时应注意和的正方向，当和的正方向一致时，计算公式＝，当和的正方向相反时，计算公式＝－，计算结果若＞0表示元件（吸收）功率，表明此元件起（负载）作用。
CA. 吸收，电源B. 发出，电源C. 吸收，负载D. 发出，负载6.(单选题) 额定值为110V，60W的一个白炽灯和额定值为110V，40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上，后果是（B）的白炽灯烧坏。
A. 40WB. 60WC. 40W和60W7.(单选题) 如图所示电路中，供出功率的电源是（A ）。
A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源8.(单选题) 如图所示电路，电压源和电流源释放的功率分别为（ B ）A. 12W，-4WB.–12W，4WC. 12W，4WD.–12W，-4W9.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路断开时，电路中的电流和电源端电压分为 A 。
A. 0A，3VB. 3A，1VC. 0A，0V10.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路短路时，电路中的电流和电源端电压分为D。
华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案
《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体构造的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
2020年华南理工模拟电子技术基础随堂练习
参考答案：A. B. C. D. 参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D.参考答案：9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。
A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通，D2截止D. D1截止，D2导通答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。
A. 正向导通B.反向截止C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：A. 电流正常B.电流过大使管子烧坏C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：12.(单选题)12. 电路如图1-4所示，二极管是硅管，死区电压是0.7V，电路中的U0值是（）。
A. 20.7VB.19.3VC. 10VD. -10.7V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：13.(单选题)13.电路如图1-5所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S断开时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 6.7VC. 6VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）14.(单选题)14.电路如图1-6所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S闭合时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 12VC. 6.7VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：15.(单选题)15.电路如图1-7所示，设二极管均为理想元件，当输入电压时，输出电压最大值是( )。
A. 15VB.10VC. 5VD. -5V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：16.(单选题)答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：参考答案：A. B. C. D.参考答案：答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：20.(单选题)20.电路如图1-10所示，其中限流电阻R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。
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第一章电力二极管和晶闸管一、单选题1．晶闸管内部有（）PN结A．一个B．二个C．三个D．四个【答案：C】2. 晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）A．分流B．降压C．过电压保护D．过电流保护【答案：C】3. 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的A．有效值B．最大值C．平均值D．瞬时值【答案：C】4. 晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好A．愈大B．愈小C．不变D．0【答案：B】二、判断题1．晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（）【答案：×】2．给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（）【答案：×】3. 两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜任电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）【答案：√】4. 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。
（）【答案：×】5. 普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
（）【答案：×】6. 只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（）【答案：×】7. 只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。
（）【答案：×】第二章单相可控整流电路一、单选题1．单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度A．180°B．60°C．360°D．120°【答案：A】2. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A．90°B．120° C．150°D．180°【答案：D】3. 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A．不变，B．增大，C．减小。
【答案：B】4. 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A．1，B．0.5，C．0.45，D．0.9.【答案：C 】5. 单相桥式全控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（）倍。
华工网络教育模拟电子随堂练习和答案
第1章常用半导体器件A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：Cui=10sin tVA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：D稳定电压与相应电流稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：C是指A. B. D. 参考答案：BA. B.C.A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：B约A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：C.A. B. D. 参考答案：AA.6VB.0VC.0.6VD.5.3VA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A确定电压放大倍数A. B. D.参考答案：C管子的值太小电路电源电压太高偏置电阻太小偏置电阻太大A. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B第二级的基极电流随之而改变(..)第二级的静态电流不改变但要改变A. B. C. D.参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D.参考答案：DA. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：D.时的输出电压A. B. D.参考答案：DA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CB.A. B. D.参考答案：C若将源极旁路电容去掉A. B. C. D.参考答案：B约几十微法大于 C.小得多A. B. D.参考答案：C等于A. C.A. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D.参考答案：C.A. B. C.A. B. D.参考答案：D一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为.A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C反馈电压反馈电压反馈电压A. B. D.参考答案：C一个正弦波振荡器的反馈系数.开环电压放大倍数必须等于A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C答题： A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：AA. B. C. D.参考答案：B..消耗的功率为A. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D.参考答案：A.弦信号A. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A≤0.2sin出A.12sin V C.A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：B静态时电容两端的电压等于A. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B设变压器副边电压有效值为.输出电流平均值为。
华工电路与电子技术_随堂练习-精选.pdf
D. （已提交）
参考答案： C 问题解析：
3.(单选题 ) 如图所示电路，电流
A. ？ 2A B. 4A C. ？ 4A D. 2A
为（ ）。
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案： C 问题解析： 4.(单选题 ) 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为（
A. 短路 B. 开路 C. 电阻 D. 理想电压源
）。
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案： B 问题解析： 5.(单选题 ) 如图所示电路中，电压 A. 2V B. 3V C. 1V D.4V
UAB 的值为（ ）。
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案： B 问题解析：
6.(单选题 ) 理想电压源，内阻
＝（ ），理想电流源，内阻
A. 0 ， 0 B. ∞， ∞ C. 0， ∞ D. ∞， 0
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案： A
）。
问题解析： 5.(单选题 ) 应用叠加定理时，理想电流源不作用时视为
A. 短路 B. 开路 C. 电阻 D. 理想电流源
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案： B 问题解析：
（ ）。
第 3 章 一阶电路的暂态分析
1.(单选题 ) 如图所示电路，开关 A. 0V B. 3V C. 6V D. ？ 6V选题 ) 计算元件功率时应注意
和 的正方向， 当 和 的正方向一致时， 计算公式 ＝
，当 和 的正方向相反时，计算公式
＝－
，计算结果若
模拟的电子技术基础知识点的总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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华工电力电子技术随堂练习题库附件一章节知识点对应练习题题序第一章电力二极管和晶闸管第一节电力电子器件概述1电力电子器件的特征2电力电子器件的分类本章的所有习题第二节不可控器件电力二极管 1 PN结与电力二极管的工作原理 2 电力二极管的基本特性 3 电力二极管的主要参数 4 电力二极管的主要类型第三节半控型器件晶闸管 1 晶闸管的结构与工作原理 2 晶闸管的基本特性 3 晶闸管的主要参数 4 晶闸管的派生器件第二章单相可控整流电路第一节单相半波可控整流电路基本电路形式、波形分析本章的所有习题第二节单相桥式全控整流电路基本电路形式、波形分析第三节单相全波可控整流电路基本电路形式、波形分析第四节单相桥式半控整流电路基本电路形式、波形分析、移相范围第三章三相可控整流电路第一节三相半波可控整流电路三相半波可控整流电路的基本形式和工作原理本章的所有习题第二节三相桥式全控整流电路三相半波可控整流电路的基本形式和工作原理第三节变压器漏感对整流电路的影响了解变压器漏感的存在原因及影响第四节晶闸管的相控触发电路了解触发电路的工作原理定相第四章有源逆变电路第一节有源逆变的概念掌握有源逆变的基本概念本章的所有习题第二节三相有源逆变电路掌握三相有源逆变电路的工作原理和电路基本形式第三节逆变失败与逆变角的限制了解逆变失败的原因与逆变角的限制第四节晶闸管直流电动机系统了解整流状态和有源逆变状态时的工作情况第5章整流电路的谐波和功率因数问题第一节电容滤波的不可控整流电路掌握电容滤波的单相和三相不可控整流电路的工作原理本章的所有习题第二节整流电路的谐波和功率因数了解谐波和功率因数的关系第四节多重化整流电路了解多重化整流电路的作用和工作原理第6章交流电力控制电路第一节单相交流调压电路掌握单相交流调压电路的工作原理、波形分析本章的所有习题第二节三相交流调压电路了解三相交流调压电路的工作原理第三节斩波式交流调压电路掌握斩波式交流调压电路的工作原理第四节交流调功电路了解交流调功电路的工作原理和作用第7章全控型电力电子器件及驱动与保护第一至五节全控型电力电子器件了解全控型电力电子器件的工作原理和基本特性本章的所有习题第六节电力电子器件的驱动掌握驱动电路的作用、晶闸管的触发驱动电路、全控型器件的驱动电路第七节电力电子器件的保护了解过电压、过电流产生的原因及过压、过电流保护的形式，缓冲电路的基本结构第8章无源逆变电路及PWM控制技术第一节换流方式掌握逆变电路的基本工作原理和换流方式本章的所有习题第二节电压型逆变电路掌握单相半桥、全桥逆变电路的工作原理、波形分析第三节电流型逆变电路掌握单相电流型逆变电路的工作原理、波形分析第四节PWM控制的基本原理掌握PWM控制的基本原理第五节PWM逆变电路及其控制方法了解单相半桥、全桥逆变电路的PWM控制方式第9章直流变换电路第一节基本斩波电路降压式、升压式、降压升压斩波电路和Cuk斩波电路的基本电路形式、工作原理、输入输出电压的关系本章的所有习题第三节单端间接式直流变换电路掌握单端正激式、反激式直流变换电路的基本电路形式和工作原理第四节双端间接式直流变换电路了解半桥、全桥直流变换电路基本电路形式和工作原理附件二、随堂练习题第一章电力二极管和晶闸管一、单选题1．晶闸管内部有（）PN结A．一个B．二个C．三个D．四个【答案C】 2. 晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）A．分流B．降压C．过电压保护D．过电流保护【答案C】3. 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的A．有效值B．最大值C．平均值D．瞬时值【答案C】4. 晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好A．愈大B．愈小C．不变D．0 【答案B】二、判断题1．晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
华工模拟电子专业技术随堂练习
华工模拟电子技术随堂练习————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：第1章常用半导体器件当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。
1.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电参考答案：C2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变参考答案：B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小参考答案：C4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是()。
参考答案：C5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V参考答案：D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：B7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案：B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案：A第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。
1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案：B2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。
华工电路与电子技术随堂练习复习资料
华⼯电路与电⼦技术随堂练习复习资料华⼯电路与电⼦技术随堂练习答案第1章电路的基本概念与基本定律本次练习有23题，你已做22题，已提交22题，其中答对11题。
当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对5题。
1.如图所⽰电路中，电流实际⽅向为_____。
A． e流向d B. d流向e C. ⽆法确定参考答案：A问题解析：2.如图所⽰电路中，电流实际⽅向是由d流向e，⼤⼩为4A，电流I数值为______。
A． 4A B. 0A C. ―4A参考答案：C问题解析：3.电流与电压为关联参考⽅向是指。
A. 电流参考⽅向与电压降参考⽅向⼀致B. 电流参考⽅向与电压升参考⽅向⼀致C. 电流实际⽅向与电压升实际⽅向⼀致D. 电流实际⽅向与电压降实际⽅向⼀致参考答案：A问题解析：4.下⾯说法正确的是。
A．电压源与电流源在电路中都是供能的。
B. 电压源提供能量，电流源吸取能量。
C. 电压源与电流源有时是耗能元件，有时是供能元件。
D. 以上说法都不正确。
参考答案：C问题解析：5.计算元件功率时应注意和的正⽅向，当和的正⽅向⼀致时，计算公式＝，当和的正⽅向相反时，计算公式＝－，计算结果若＞0表⽰元件（）功率，表明此元件起（）作⽤。
A. 吸收，电源B. 发出，电源C. 吸收，负载D. 发出，负载问题解析：6.额定值为110V，60W的⼀个⽩炽灯和额定值为110V，40W的⼀个⽩炽灯串联后接到220V 的电源上，后果是（）的⽩炽灯烧坏。
A. 40WB. 60WC. 40W和60W参考答案：B问题解析：7.如图所⽰电路中，供出功率的电源是（）。
A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源参考答案：A问题解析：8.如图所⽰电路，电压源和电流源释放的功率分别为（）A. 12W，-4WB.–12W，4WC. 12W，4WD.–12W，-4W参考答案：B问题解析：9.电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路断开时，电路中的电流和电源端电压分为。
模拟电子技术基础 知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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第1章常用半导体器件当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。
1.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电参考答案：C2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变参考答案：B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小参考答案：C4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是()。
参考答案：C5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V参考答案：D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：B7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案：B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案：A第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。
1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案：B2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。
A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏参考答案：C3.晶体管的电流放大系数是指()。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案：B4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。
A. B.C.参考答案：B5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在()。
A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参考答案：B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为()。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案：B7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为()。
A.0VB.＋2VC.－2VD.－1V参考答案：C8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为()。
A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案：A9.如图示放大电路中接线有错误的元件是()。
A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案：B10.放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是()。
A.适当增加RB2，减小RB1B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2D.保持RB2不变，适当减小RB1参考答案：C第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。
11.图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取()。
A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW参考答案：A12.电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于()。
A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V参考答案：A13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q'需使()。
A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小参考答案：C14.单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的()。
参考答案：A15.对放大电路进行动态分析的主要任务是()。
A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入，输出电阻ri，r0。
参考答案：C16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是()。
A.管子的值太小B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小D.偏置电阻太大参考答案：C17.如图所示的放大电路()。
A.不能稳定静态工作点。
B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好参考答案：C18.与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是( )。
A.输入电阻高，输出电阻低B.输入电阻低，输出电阻高C.输入，输出电阻都很高D.输入，输出电阻都很低参考答案：A19.27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数()。
A.小于但近似等于1B.约几十倍C.为参考答案：A20.某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为( )。
A.5000倍B.2500倍C.150倍D. 1000倍参考答案：B第2章基本放大电路当前页有3题，你已做3题，已提交3题，其中答对3题。
21.两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的( )。
A.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻参考答案：B22.两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流IB1，则()。
A.第二级的基极电流随之而改变B.第二级的静态值(，，)均不改变C.第二级的静态电流不改变，但要改变参考答案：B23.直流放大器中的级间耦合通常采用（）A.阻容耦合（b）变压器耦合（c）直接耦合（d）电感抽头耦合参考答案：C第3章多级放大电路1.差分放大电路的作用是（）A.放大差模信号，抑制共模信号B.放大共模信号，抑制差模信号C.放大差模信号和共模信号D.差模信号和共模信号都不放大参考答案：A2.集成运放输入级一般采用的电路是（）。
A.差分放大电路（b）射极输出电路（c）共基极电路（d）电流串联负反馈电路参考答案：A3.集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡，则表示集成运放的（）。
A.闭环放大倍数越大（b）开环放大倍数越大（c）抑制漂移的能力越强（d）对放大倍数没有影响参考答案：B4.若集成运放的最大输出电压幅度为UOM，则在情况下，集成运放的输出电压为－UOM。
A.同相输入信号电压高于反相输入信号B.同相输入信号电压高于反相输入信号，并引入负反馈C.反相输入信号电压高于同相输入信号，并引入负反馈D.反相输入信号电压高于同相输入信号，并开环参考答案：D5.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。
第一空选择为（）A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：B6.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。
第二空选择为（）A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：A7.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。
第一空选择为（）A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：C8.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。
第二空选择为（）A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：D9.某一理想运算放大器开环工作，其所接电源电压为，当输入对地电压＞时的输出电压为()。
A.－2UB.－UC.+2UD.+U参考答案：D10.理想运算放大器的共模抑制比为( )。
A.零B.约120dBC.无穷大参考答案：C第3章多级放大电路11.理想运算放大器的开环电压放大倍数是()。
A.无穷大B.零C.约120dB参考答案：A12.理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。
A.无穷大B.零C.约几百千欧D.约几十欧姆参考答案：A第4章集成运算放大电路当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对4题。
1.电路如下图所示，R1、R2支路引入的反馈为()。
A.串联电压负反馈B.正反馈C.并联电压负反馈参考答案：B2.在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
A.工作在线性区，降低稳定性B.工作在非线性区，提高稳定性C.工作在线性区，提高稳定性参考答案：C3.放大电路如下图所示，当RF增加时，该电路的通频带()。
A.变宽B.变窄C.不变参考答案：B4.比例运算电路如下图所示，同相端平衡电阻R应等于()。
A.R1B.R1+RFC.R1与RF并联参考答案：C第5章放大电路的频率相应当前页有2题，你已做2题，已提交2题，其中答对1题。
1.比例运算电路如下图所示，该电路的输入电阻为( )。
A.零B.R1C.无穷大参考答案：B2.同相输入的运算放大器电路如下图所示，该电路的输入电阻为()。
A.零B.RC.无穷大参考答案：C第6章放大电路中的反馈当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对4题。
1.场效应管放大电路如下图所示，该电路的输入电阻应等于()。
A.无穷大B.C.参考答案：C2.共源场效应管放大电路中，若将源极旁路电容去掉，则该电路的电压放大倍数将()。
A.增大B.减小C.不变参考答案：B3.场效应管放大电路如下图所示，耦合电容约几十微法，则的取值通常()。
A.大于B.等于C.比小得多，约0.01~0.047参考答案：C4.场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数等于()。
A. B. C.参考答案：A第7章信号的运算和处理当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对4题。
1.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空)，而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空)。
第一空选择为：（）A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适参考答案：B2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空)，而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空)。
第二空选择为：（）A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适参考答案：A3.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是( )。
A. 输入电压幅值不变，改变频率B. 输入电压频率不变，改变幅值C. 输入电压的幅值与频率同时变化D. 输入电压频率随机改变参考答案：A4.交流负反馈是指( )。