电子科技大学模拟电路考试题及答案

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电子科技大学22春“电子信息工程”《高频电路》期末考试高频考点版(带答案)试卷号2

电子科技大学22春“电子信息工程”《高频电路》期末考试高频考点版

（带答案）

一.综合考核(共50题)

某电视频道的伴音载频，，，其瞬时频率的变化范围为()。

A.83MHz到83MHz

B.83.7MHz到83.8MHz

C.83.6MHz到83.9MHz

D.83.745MHz到83.755MHz

参考答案：B

下列由相乘器、相加器和滤波器组成的信号框图哪个会产生DSB信号?()

参考答案：C

以下哪些特点不是晶体管工作在过压状态的特点?()

A.电压利用率相对较低

B.输出电压基本不发生变化

C.电压利用率较高

D.集电极电流脉冲出现平顶凹陷

参考答案：A

下列由相乘器、相加器和滤镜器组成的信号框图哪个会产生DSB信号?() A.

参考答案：C

串联型石英晶振中，石英谐振器相当于()元件

A.电容

D.短路线

参考答案：D

下图的输入电阻为()。

A.3.2KΩ

B.1.6KΩ

C.2.4KΩ

D.1.8KΩ

参考答案：B

石英晶体能制作成为谐振器的根本原因是()。

A.晶体能发生周期性震动

B.晶体是有弹性的固体

C.晶体的各种物理特性十分稳定

D.晶体具有压电效应

参考答案：D

某调频波，其调制信号频率F=1kHz，载波频率为10.7MHz，最大频偏Δfm=10kHz，若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为()

A.12kHz

B.24kHz

C.20kHz

D.40kHz

参考答案：B

发送设备不完成下列哪项功能?()

A.调制

B.上变频

C.下变频

D.功率放大

参考答案：C

模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

1.以下电极名称哪一个不属于MOS器件?

答案:

基极

2.在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）

答案:

热击穿

3. NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。

答案:

>,>

4.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和

（）组态均为电流跟随器结构。

答案:

CG，CB

5.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和

（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。

答案:

CS，CE

6.下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。

答案:

反偏时几乎没有电流通过

反偏时PN结等效为一个大电阻

正向导通，反向截止

7.下列关于BJT和FET的描述正确的是（）

答案:

BJT为流控器件，FET为压控器件

BJT为双极型器件，FET为单极型器件

8.共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的

是（）

答案:

控制的大小，避免因_过大产生非线性失真

稳定静态工作点

拓展放大器的带宽

9.当环境温度升高时，PN结（）。

答案:

半导体中的本征激发增强

反向饱和电流增大

10.与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器

（）。

答案:

采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好差模增益大大提高

单端输出时共模抑制比更高

广泛用于集成电路设计中

11.N型半导体带负电，P型半导体带正电

答案:

错误

12.在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路

电子科技大学《模拟电路基础》期末考试

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学2010-2011学年第二学期期末考试A 卷

课程名称：模拟电路基础考试形式：开卷考试日期：20 11年 6月30日考试时长：_120分钟课程成绩构成：平时20%，期中20%，实验0%，期末60% 本试卷试题由_六_部分构成，共_4_页。

一、单项选择题（共14分，共7题，每题2分）

1、晶体管工作在放大区时，电压偏置为（）。

A. 发射结正偏、集电结正偏

B. 发射结正偏、集电结反偏

C. 发射结反偏、集电结正偏

D. 发射结反偏、集电结反偏

2、放大电路在负载开路时输出电压为4V ，接入Ωk 3的负载电阻后输出电压降为3V ，放大电路的输出电阻o R =（）。

A. Ωk 10

B.Ωk 2

C.Ωk 1

D.Ωk 5.0

3、差分放大电路的共模抑制比CMR K 越大，表明电路的（）。 A.放大倍数越稳定B. 放大倍数越大 C.放大倍数越小D. 抑制零漂的能力越强

4、多级放大电路由两个参数相同的单级放大电路组成，在组成它的单级放大电路的截止频率处，幅值下降了（）。

A. 3dB

B. 6dB

C. 20dB

D. 40dB

5、负反馈放大电路以降低电路的（）为代价来提高电路的其他性能指标。 A. 通频带宽B. 放大倍数C. 输入电阻D.输出电阻

6、当要求输入电阻大，输出电阻小时，应选用负反馈放大电路的反馈类型为（）。 A. 电压串联负反馈B.电流串联负反馈 C.电压并联负反馈D.电流并联负反馈

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学考研829 数字模拟电子本科试卷考研真题

电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同

电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同

电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）

829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案

电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）

电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份

电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份

电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份

数字逻辑电路课后答案

拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同

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829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案

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数字逻辑电路课后答案

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电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试

“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006

年4月22日

课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计

一、填空题（每空1分，共15分）

1、( 323 )10=( 101000011 ) 2

电子科技大学模拟电路考试题及答案

电子科技大学

二零零七至二零零八学年第一学期期末考试

模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分

一（20分）、问答题

1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？

2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？

3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？

4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？

5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？

二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。

1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。

2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？

图1

三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。

图2

四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47k Ω，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。

1．判断反馈类型；

2．画出A电路和B电路；

3．求反馈系数B；

电子科技大学2006年模拟电路基础期中考试卷及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期中考试

模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2006 年11月11日课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分

一（14分）、问答题

1．（2分）从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。

2．（2分）试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。

3．（2分）以NPN型BJT单级共射放大器为例，试简要叙述确定动态范围的过程。

4．（2分）以单级稳基压偏置放大器为例，当环境温度降低时，试简要叙述稳定静态工作点的原理。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

5．（2分）在多级电压放大器中，为什么常常采用射极跟随器（或源极跟随器）作为输出级（最末级）？6．（2分）计算放大器的电压增益时，为什么通常需要计算静态工作点？

7．（2分）什么是多级放大器中的零点漂移现象？

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二（8分）、电路如图1所示，已知β= 100，V BE = 0.7V，V A = ∞，r be = 5.6kΩ。1．求输入电阻R i；

2．求小信号源电压增益A vs = v o/v s；

3．求输出电阻R o。

图1

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

三（8分）、电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）V TN = 1V，K n = 1mA/V2，r DS = ∞。电路参数为V DD = 8V，输入电阻R i = 300kΩ。

杭州电子科技大学电子信息学院-杭州电子科技大学学生考试卷-模拟电路试卷（总集）

杭州电⼦科技⼤学电⼦信息学院-杭州电⼦科技⼤学学⽣考试卷-模拟电路试卷（总集）

苏州⼤学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页

院系专业成绩

年级学号姓名⽇期

⼀. 填空题：(20分)

1. PN 结伏安特性⽅程为I=_____________________。

2. ⾼频时⼆极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________

(A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。

3. 温度升⾼时，⼆极管的正向导通压降将。

(A. 增⼤ B. 减⼩ C. 不变)

4. 单管共射电路当输⼊正弦波信号幅度很⼤时，输出信号波形可能产⽣

_______和_________失真（A 饱和 B 截⽌C 交越 D 频响）。

5. 放⼤器为了稳定放⼤倍数，可以引⼊______(A.交流 B.直流)。

6. 100µV ～10V 范围内的⾳频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算

电路处理后，可以⽤0V ～10V 范围的电压表反映。

7. 已知

则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。

8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗⼝ D 三态）⽐较器在输⼊电压⾜够

⾼和⾜够低的时候，输出电平是相同的。

9. 正弦波振荡器按照选频⽹络的元件类型可分为三类:_____________、

_______________和_________________。

10. 滤波电路的主要⽬的是____________________________________。

《模拟电子技术》自测题(C)[2]

电子科技大学成都学院考卷（c 卷）

(20 年至20 学年度第学期)

考试时间年月日(120分钟) 课程模拟电路教师签名_____

一、

填空题（每小题2分，共30分）。

1．本征半导体中掺入微量（）价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导体称为（）型半导体。

2．对 PN 结二极管，当（）区外接高电位，而（）区外接低电位则PN 结为正偏。

3．场效应管 FEJ 的基本放大组态∶ CS 组态，其放大特性与BJT 的（）组态相似。 4，差动放大器依靠电路的（）和（）负反馈来抑制零点漂移。

5，负反馈以损失（）为代价，可以提高（）增益的稳定性；扩展（）的通频带和减小（）失真。

6，反馈放大器，对电压取样负反馈的输出电阻将（），而电流取样负反馈的输出电阻将（）。

7， BTJ 放大器电路中，由于（）和（）的影响，使低频段增益和高频段增益分别是频率的函数。

8．差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV ，则输入的共模电压是（）mV 。9，反馈方程式AB

A f +=1中，A 、

B 符号（）时为负反馈，A ，B 符号（）时，为正反馈。

10．在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容（）。 11. 运算放大器的输入级是（）。

12．一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将（）。

13．为了提高功率放大器的输出功率和效率，三极管应工作在（）类状态，而要避免交越失真，则应工作在（）类状态。

模拟电路基础试题及其解

电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2006 年1月12 日课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分

一（20分）、问答题

1．（8分）试叙述耦合电容、旁路电容、负载电容和晶体管内部电容效应对放大器频率响应的影响。2．（3分）射极跟随器为何称为电压跟随器？它具有什么特点？

3．（3分）在集成电路中，为什么常用恒流源作为负载？

4．（6分）什么是频率失真、非线性失真、交越失真？

二（10分）、已知某反相比例放大器如图1所示，若图中集成运算放大器是理想的，已知电阻R1和R f，试求：

1．电压增益

v o A vf

v i

2．输入电阻R if和输出电阻R of

3．直流平衡电阻R p

若图中集成运算放大器的电压增益为A o，带宽为f BW。试求：

4．带宽

图1

三（10分）、电路如图2所示，已知电路参数为：12s =162k Ω,R =463k Ω,R =0.75k Ω,V =12V,R DD

si R =4k Ω；晶体管参数为：2

1.5,4/,1

2.5V

V K mA V r k T

ds ===Ω，试求输入电阻R i 和输出电阻o R 。

图2

四（10分）、某差动放大电路如图3所示，滑动电阻器R w 的滑动片处于中间位置。已知三极管的0.7,50,100BE bb V r V β'===Ω 稳压管的6,12,12,V V V V V V Z CC EE ==-=-

b c L w R =5k Ω,R =100kΩ,R =30kΩ,R =200Ω,R=1kΩ。

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试

模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计

一．选择题（共20题，每题2分，共40分）

1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )

A. 单调增加

B. 单调减小

C. 开口向上的抛物线

D.开口向下的抛物线.

2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )

Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小

3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )

A 增大

B 不变

C 减小

D 可能增大也可能减小

4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )

A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.

B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.

C．所有衬底PNP基极电压必须相同.

D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定

5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )

A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.

6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )

A 正, B零, C负, 可正可负

7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )

A．大电流密度限制.

B．Si-Al互熔问题.

C．互联线的温度系数

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

西安电子科技大学数字逻辑电路大作业答案

西安电子科技大学网络教育

考试题（1）

课程名称：_数字电路考试形式：开卷

学习中心：_________ 考试时间： 90分钟

姓名：_____________ 学号：

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题意要求的，请将其选出并将“答题卡”的相应代码涂黑。未涂、错涂或多涂均无分。 1．下列数中最大的数是

A ．(1.1)8

B ．(1.1)16

C ．(1.1)10

D ．(1.1)2 2．八进制数(76)8所对应的8421BCD 码是

A ．(10010010)8421BCD

B ．(01110110)8421BCD

C ．(01100010)8421BC

D D ．(10000100)8421BCD

3．某逻辑电路输入A 、B 和输出F 的波形如图1.1所示，由此判断该门电路完成的逻

辑功能是

A ．与非

B ．异或

C ．同或

D ．或非

4．图1.2所示电路的输出函数F 的表达式为 A ．C B B A F += B ．C B B A F += C ．C B B A F += D ．C B B A F += 5．某函数BD C A B A F ++⋅=反函数为

A ．)()(D

C A B A F +++= B ．)()(

D B C A B A F +++= C ．)()(D B C A B A F ++++= D ．D B C A B A F +++=)( 6．AC C A B A F ++=的最简表达式为

A B F

图1.1

A ．

B A B ．

电子科技大学2001至2002学年第2学期模电考试

电子科技大学2001至2002学年第2学期

模拟电路基础课程考试题（120分钟）考试日期：2002年7月11日

一、一、填空题

1、充分导通的PN结,其电流I与电压v的关系式为。

2、硅二极管的工作点电流I D=0.5Ma，在常温下，二极管在该点交流电阻约为欧姆。

3、图7所示CE放大器的交流负载线的斜率是mA/V。

4、放大器存在非线性失真的根本原因是。

5、差动放大器共模抑制比K CMR的定义是。

6、图1所示的理想反馈模型的输出电压v o与输入电压v s之比与A、B的关系为。

图1

7、用集成运放构成电压跟随器，其电路为：（画出原理电路）

8、差动放大器两输入口的增量电压v1=－1mV,v2=－3mV，则v id= mV，v ic= mV。

9、BJT的特征频率是指时的频率。

10、负反馈的环路自动调节作用使信号的变化受到制约。

11、假如负载变化时，放大器的输出电压不变，由此可判定该放大器的电阻为零。

12、对于正常工作的甲类功放，当输入信号幅度增加时，电源提供的频率。

13、偏置于放大区的耗尽型FET，其漏源电流i D与栅源电压v DS满足关系式。

14、共射放大器比共基和共集放大器使用更多的原因之一是。

15、在BJT混合完整模型的七个参数中，参数r ce和r b’c是BJT 效应的反映。

二、单选题

1、任何正常工作的放大器，其（）增益应该大于1。

A、功率

B、电压

C、电流

D、闭环

2、在下述关于射极输出器特点的论述中，（）是错误的。

A、射极输出器带负载能力较强；

B、射极输出器的输入电阻较大；

C、设计输出器输入动态范围较小；

电子科技大学-2007年秋季《模拟电路基础》期中考试试题(以及参考答案

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一

学期期中考试

模拟电路基础课程考试题 B 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年 11月 11日

课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验0 分，期末 60 分

参考答案及评分标准

一（10分）、问答题

1．（3分）普通二极管的最主要的特性是什么？利用这一特性，二极管可以构成哪些应用电路（列出四类不同的应用电路）？分析这些应用电路的工作原理时，分别采用二极管的什么模型？

答：单向导电性。（1分）

整流电路、限幅电路、箝位电路、倍压电路、逻辑电路等。（1分）

理想开关模型或恒压降模型。（1分）

2．（1分）稳压二极管工作在击穿区时的交流小信号等效电阻与正偏导通时的交流小信号等效电阻比较，一般来说，哪个大？

答：后者大。

3．（2分）基本共射放大电路中，在无负载的情况下，动态范围最大值是什么？为了获得最大的动态范围，静态工作点应如何设置？

答：(V CC-V CES)/2。（1分）

放大区的中央。（1分）

4．（3分）BJT放大电路中，判断波形失真（饱和失真或截止失真）、动态范围通常采用直流负载线还是交流负载线？静态工作点的变化如何影响失真类型和动态范围？

答：交流负载线。（1分）

静态工作点靠近饱和区时，先出现饱和失真；靠近截止区时，先出现截止失真。（1分）

都会使动态范围变小。（1分）

5．（1分）BJT的r ce和MOSFET的r ds与厄利电压之间的关系式描述了晶体管输出特性曲线的什么现象？

答：在放大区微微上翘的现象。（1分）

二（4分）、试推导BJT和MOSFET的g m的表达式，并说明：在一般情况

模拟电路复习2013

模拟电路复习2012/12

一，填充题

1，在N 型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空穴）。 2，在P 型半导体中，多数载流子是（空穴），而少数载流子是（电子）。

3，当PN 结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。 4，当PN 结正向偏置时，耗尽层变（窄）；当PN 结反向偏置时，耗尽层变（宽）

5.三极管工作在放大状态时，其发射结必须正偏，其集电结必须反偏。

6.由于二极管是非线性器件，通常用理想元件构成的等效电路来做近似分析，写出二极管常

用的三种等效模型（理想）、（恒压）、（

指数）。

7，根据理论分析，PN 结的伏安特性为)1(-=T

V V S D

e I I

,其中S I 被称为（反向饱和）电

流，在室温下T V 约等于（26mv ）。

8，PN 结的正向电阻小，反向电阻非常大，这种现象叫（单向导电）特性。

9，稳压二极管是利用PN 结的（反向击穿后电压保持稳定）特性工作的二极管，其稳压质量

取决（动态电阻的大小）。

10. 双极结型三极管是电流控制(电流)元件，场效应三极管是电压控制(电流)元件。

11. MOS 场效应管按零栅压时沟道是否存在可分为增强型和耗尽型。 12.BJT 晶体管放大器的三种连接方式（三种基本组态）是（共射）、（共基）和（共集）。 14工作在放大状态的某BJT 晶体管，当B I 从10A μ增大到20A μ时，C I 从mA 1变成mA 2。

它的β约为（ 100 ），α 约为（ 0.99 ）。

电子科技大学电工院专业课复试考纲

考试科目815电路分析基础考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分150分

一、总体要求

主要考察学生掌握电路分析的基本理论和基本分析方法的情况，以及运用电路分析理论和方法分析问题和解决问题的能力。

二、内容及比例

1.电路的基础知识

1)电路模型，电流、电压及其参考方向，功率。

2)基尔霍夫定律，电阻元件，独立电压源、独立电流源。

3)两类约束与电路方程，电路分析的基本方法。

4)支路电流法、支路电压法。

2.电阻电路分析

1)等效的概念，电阻分压电路和分流电路，电阻单口网络。

2)网孔分析法，结点分析法，含受控源电路的分析。

3)叠加定理，戴维南定理和诺顿定理，含源单口网络的等效电路。

4)最大功率传输定理。

5)理想变压器的电压电流关系，及阻抗变换性质。

6)双口网络的电压电流关系、含双口网络的电路分析。

3.动态电路的时域分析

1)电容与电感元件，电容的电压电流关系，电感的电压电流关系，电容与电感的储能，一阶电路微分方程的建立。

2)一阶电路的零输入响应，零状态响应，全响应，三要素法求解一阶电路的响应。

3)二阶电路，RLC串联电路的零输入响应。

4.正弦稳态分析

1)正弦电压和电流的相量表示，有效值相量。

2)基尔霍夫定律的相量形式，R、L、C元件电压电流关系的相量形式。

3)一般正弦稳态电路分析，单口网络的相量模型。

4)正弦稳态响应的叠加。

5)正弦稳态电路的功率，平均功率，复功率，最大功率传输定理，平均功率的叠加。

6)网络函数，RC电路的频率特性。

7)RLC串联谐振电路分析，谐振角频率，品质因素，通频带，带通滤波特性。

模拟集成电路-2008年B(答案)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零零七至二零零八学年第二学期期终考试

模拟集成电路原理课程考试题 B 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期200 8 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分

一．选择题（共20题，每题2分，共40分）

1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随过驱动电压的变化是( A )

A.单调增加

B. 单调减小

C. 开口向上的抛物线

D.开口向下的抛物线.

2. 对于MOS器件,器件如果进入三极管区(线性区), 跨导将( B )

Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小

3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的漏结电容( C )

A 大

B 相同C小 D 不一定

4. 关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B )

A 衬底PNP一般耐压较高.

B 衬底PNP一般共射电压增益较高.

C 衬底PNP一般容易实现大电流

D 衬底PNP不能采用n+ 埋层.

5. 对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C )

A 变小, B不变, C变大, D可大可小.

6. 在NMOS中, 衬底上加上负电压偏置, 会使阈值电压( A )

A. 增大 B 不变 C 减小 D 可大可小

7. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些

A. 最大电压输出摆幅

B. 差模增益

C. 极点频率

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

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