7晶体生长界面稳定性解析

合集下载

晶界知识整理

晶界知识整理
δ =(αα-αβ)/αα 3.非共格界面(noncoherent phase boundary)
特征:原子不规则排列的薄层为两相的过渡层。
(1)、共格晶界: 概念:界面两侧的晶体具有非常相似的结构和类似的取向,越过界面原子面
是连续的。
无应变的共格晶界 (a)晶体结构相同 (b)晶体结构不同
(2)半共格晶界
成功的晶界结构模型能够明确晶界结构和晶界能的关系。晶界结构的一般几 何模型包括重合位置点阵(CSL)模型、O点阵、DSC点阵、结构单元模型和多面 体单元模型等,但应用最广的仍为重合位置点阵模型。
CSL点阵
• 若将两个无限延伸,具有相 同点阵结构晶体中的一个, 相对于另一个晶体绕某一 低指数的晶轴旋转某特定 的角度后,这两个晶体点阵 中的某些阵点位置会有规 则的重合起来。这些重合 位置的阵点在空间将构成 三维空间的超点阵,称为重 位点阵CLS。
多晶硅片不同位置的X射线衍射结果表明: 刚开始生长时,<111>晶向由于表面能低 占据优势;要想得到其它晶面占尤的硅 锭,需改变晶体生长过程的过冷度。
晶核形成速度快,晶体生长速度慢:晶核数目多,最终易形成小晶粒; 晶核形成速度慢,晶体生长速度快:晶核数目少,最终易形成大晶粒;
• (1)反应体系的温度要控制得均匀一致,以防止局部过冷或过热,影响晶体的成核 和生长;
晶界上富集杂质原子多,熔点低,加热时容易过烧。晶界腐蚀速度比晶内快。 (3)晶界上有许多空位、位错和键变形等缺陷,晶界处存在大量缺陷;晶界阻
碍位错运动,引起晶界强化,提高材料的强度。晶界处原子具有较高的动能, 原子在晶界处扩散比晶内快得多。 (4)晶界成为固态相变时优先成核区域。晶界的尺度一般在0.1µm以下。 (5)晶界具有不同与晶内的物理性质。

晶体的长大Jackson界面结构判据

晶体的长大Jackson界面结构判据

案例二
总结词
Jackson界面结构判据在能源领域中也有着重要的应用,尤其是在燃料电池和太阳能电 池等新能源技术方面。
详细描述
Jackson界面结构判据可以用于优化燃料电池和太阳能电池的电极材料,提高电极的电 化学性能和光电性能。通过Jackson界面结构判据的分析,科研人员可以更好地理解电 极材料的界面结构和能量变化,从而设计出更高效的电极材料,推动新能源技术的发展。
05
Jackson界面结构判据的实验 验证
实验方法与步骤
实验设备准备
准备高纯度的原料,搭建合适的实验装置,确保实验环境恒温恒湿。
Jackson界面形成
将原料按照Jackson界面形成的条件进行加热、冷却等处理,观察并 记录界面形成的过程。
微观结构观察
利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等手段,对 Jackson界面进行微观结构观察和成分分析。
Jackson界面结构判据的理论基础
晶体生长的微观机制
晶体生长是通过原子或分子的扩散和吸附在晶体表面形成新层的过程。这个过程涉及到原 子或分子的迁移和排列,是晶体长大的微观机制。
Jackson界面结构判据的数学模型
Jackson界面结构判据是通过数学模型来描述晶体生长过程中界面结构的变化。该模型基 于热力学和统计力学的原理,通过求解偏微分方程来描述界面形态的演化。
01
02
03
指导实验
Jackson界面结构判据为 实验研究提供了理论指导, 有助于确定晶体生长的最 佳条件和工艺参数。
预测性能
通过Jackson界面结构判 据,可以预测晶体的性能, 如光学、电学和机械性能 等。
优化材料
利用Jackson界面结构判 据,可以优化晶体材料的 制备过程,提高晶体质量, 降低制备成本。

晶体生长过程中的界面动力学研究

晶体生长过程中的界面动力学研究

晶体生长过程中的界面动力学研究晶体生长是一个涉及到物理学、化学、数学等多个学科的领域,其中界面动力学是其中一个重要研究方向。

界面动力学主要研究在不同条件下晶体生长中液-固界面的动力学行为,通过理论和实验的研究,可以更好地描述和控制晶体生长过程,为材料科学和能源科技等领域提供有价值的参考。

一、晶体生长中的界面动力学晶体是由分子或原子组成的有序物质,其生长过程需要溶液中物质的扩散、吸附和结晶等多个过程。

生长的过程主要体现在液-固(或气-固)的交界处,也就是晶体的界面上。

因此,界面动力学研究的重点就是晶体生长过程中液-固界面的动力学行为。

在界面动力学中,最常用的理论模型之一是“再结晶理论”。

该理论模型假设晶体生长过程中液相分子能自由扩散并进入固相,并沿晶体表面扩散最终结晶,从而形成晶体。

当液滴通过晶体表面时,会先选择朝向能量最低的方向,并形成一个滑移平面。

在此基础上,随着液滴进一步扩散和吸附的过程,晶体的生长速度逐渐加快,形成自组装式生长。

二、晶体生长中的液-固界面结构和动力学特性晶体生长中液-固界面的结构和动力学特性将直接影响晶体的生长速率和晶体质量,因此对液-固界面的研究是极其重要的。

我们可以通过扫描电子显微镜和原子力显微镜等手段来观察晶体生长界面的微观形态,并通过彩色蚀刻实验(Color etching)来定性分析不同条件下的晶体生长速率、表面形貌和结构等。

此外,可以通过电感耦合等离子体法(ICP)技术来实时监测溶液中的化学物质浓度和温度等变化,以揭示生长过程中的动力学特性。

三、界面动力学的应用界面动力学研究的应用广泛,主要应用于材料科学、能源技术和生物科学等领域。

其中最典型的应用就是在晶体生长和半导体制造过程中。

在晶体生长中,界面动力学可以被用于控制晶体质量和晶体形态等,从而提高晶体生长效率和质量。

在半导体制造中,界面动力学可以被用于控制晶体表面的缺陷和杂质,从而提高器件性能和可靠性。

此外,界面动力学在化学反应动力学、能源材料和环境科学等方面也发挥着重要的作用。

晶体生长动力学..

晶体生长动力学..


一、晶体生长形态与生长速率间的联系


晶体的晶面生长速率R是指在单位时间内晶面 (hkl)沿其法线方向向外平行推移的距离(d), 并且称为线性生长速率。 晶体生长的驱动力来源于生长环境相(气相、液 相、熔体)的过饱和度(△c)或过冷度( △T) 晶体生长形态的变化来源于各晶面相对生长速率 (比值)的改变。 下面以二维模式晶体生长为例来说明晶面的相对 生长速率的变化与晶体生长形态间的关系(如图 2.1所示)
当晶体生长遭到人为强制时,晶体各晶面生长速率的 各向异性无法表现,只能按人为的方向生长。

四、晶体几何形态与其内部结构间的联系

1、晶体几何形态的表示方式 根据晶体学有理指数定律,晶体几何形态所出现的 晶面符号(hkl)或晶棱符号[hvw]是一组互质的简 单整数。
根据Bravais法则,当晶体生长到最后阶段,保留下 来的一些主要晶面是具有面网密度较高而面间距 dhkl较大的晶面。 不论是高级晶系或是中、低级晶系晶体,晶格面间 距dhkl 、晶格常数(a,b,c,α,β,γ)和面族{hkl}三者 之间存在着一定的关系。
T 2T 2T 2T KT K ( 2 2 2 ) t x y z (2.4)
K为热传导系数; T为熔体中的温度差值 ; t为时间

如果将熔体的物理常数随温度变化的值忽略不计, 也不考虑对流传热所引起的能量消耗,那么,熔 体的对流传热方程为:
T c pT=KT ( 2.5) t T T T T i j k (温度梯度) x y z


在固体表面附近,可把边界层内的流动视为平面 流动,令Y轴垂直于固体表面,而X轴沿表面流动 方向。 利用流体动力学理论,平板的速度边界层厚度δυ为

【2017年整理】14.晶体生长的界面形态

【2017年整理】14.晶体生长的界面形态

四,晶体生长的界面形状晶体的形态问题是一个十分复杂而未能彻底解决的问题自然界中存在的各式各样美丽的雪晶就体现了形态的复杂性影响晶体形态的因素:晶体的形态不仅与其生长机制有关,螺型位错在界面的露头处所形成的生长蜷线令人信服地证明了这一点,而且还与界面的微观结构、界面前沿的温度分布及生长动力学等很多因素有关。

鉴于问题的复杂性鉴于问题的复杂性,下面仅就界面的微观结构和界面前沿温度分布的几种典型情况叙述力如下:()一在正的温度梯度下生长时界面形态:结晶潜热散失:在这种条件下,结晶潜热只能通过已结晶的固相和型壁散失,相界面推移速度:相界面向液相中的推移速度受其散热速率的控制。

根据界面微观结构的不同晶体形态有两种类型:规则的几何外形和平面长大方式()A正温度梯度光滑界面的情况正温度梯度下的光滑界面:对于具有光滑界面的晶体来说,其显微界面为某一品体学小平面,它们与散热方T等温面呈一定角度,但从宏观来看,仍为平向成不同的角度分布着,与熔点m行于Tm等温面的平直面,如图2.25 a所示。

这种情况有利于形成具有规则形状的晶体,现以简单立方晶体为例进行说明 晶面不同原子密度不同表面能不同长大速度不同:在讨论形核问题时曾经假定,形成一个球形晶核时,其界面上各处的表面能相同。

但实际上晶体的界面是由许多晶体学小平面所组成,晶面不同,则原子密度不同,从而导致其具有不同的表面能。

热力学的研究结果表明,原子密度大的晶面长大速度较小;原子密度小的晶面长大速度较大。

但是长大速度大的晶面易于被长大速度小的晶面所制约,这个关系可示意的用图2.26来说明图中实线八角形代表晶体从1τ开始生长,一次经历432τττ等不同时间时的截面,箭头表示长大速度。

由图可以看,简单立方晶体的{001}晶面为密排面,{110}为非密排面,因此[]101方向长大速度大, []100、[]001等方向的生长速度小,非密排面将逐渐缩小而消失,最后晶体的界面将完全变为密排品面,显然这是一个必然的结果所以以光滑界面结晶的晶体如Al Si ,及合金中的某些金属化合物,若无其它因素干扰,大多可以成长为以密排晶面为表面的晶体,具有规则的几何外形()B 正温度梯度光滑界面的情况粗糙界面和熔点等温面的关系:具有粗糙界面结构的晶体,在正的温度梯度下成长吋,其界面为平行于熔点m T 等温面的平直界面,它与散热方向垂直,如图2.25 b 所示正温度梯度粗糙界面平面长大方式:T相重合,一般说来,这种晶体成长时所需的过冷度很小,界面温度差不多与熔点m所以晶体在成长时界面只能随着液体的冷却而均匀一致地向液相推移,如果一旦T以上的温度区域,成局部偶有突出,那么它便进入低于临界过冷度甚至熔点m长立刻减慢下来,甚至被熔化掉,所以固液界面始终可以近似地保持平面。

6-晶体生长基础解析

6-晶体生长基础解析

在晶体生长的不同阶段有不同的热传递方式起主导作用
一般来说:高温时,以晶体表面辐射为主,传导和对流为 次;低温时,热量运输主要以传导为主。
上一内容 下一内容 回主目录
返回
2024/7/15
二、热损耗和稳定温度
单位时间内向环境传输的热量称为热损耗。 热损耗的大小取决于发热体和环境温度间的差值:正比。即 :炉温↑,发热体和环境温度差值↑,热损耗↑。 发热体所能达到的最高温度通常与加热功率成正比。 当热损耗的大小与加热功率相等时,炉内热量交换达到平衡 ,发热体的温度不再随时间而变化,为稳定温度。 为提高发热体可能达到的稳定温度,须尽量减小热损耗。方 法:在发热体和环境之间放置保温层。
晶体侧面热损耗
10瓦
0.5 ﹪
熔体液面热损耗 150瓦 7.1 ﹪
坩埚侧面热损耗 500瓦 23.8 ﹪
坩埚底部热损耗 200瓦 9.5 ﹪
上一内容 下一内容 回主目录
返回
2024/7/15
三、温场和温度梯度
当炉膛内热交换达到平衡,且发热 体的加热功率和各种热损耗都保持不变 时,炉膛内各点都有一个不随时间变化 的确定温度,这种温度的空间分布称为 温场。
热量、溶质:中心→边缘
熔体中的强迫对流
返回
2024/7/15
提拉法中晶体以不同速度转动时的流体效应模拟实验
0转/分
10转/分
100转/分
自然对流
强迫对流 自然对流
强迫对流
上一内容 下一内容 回主目录
返回
2024/7/15Fra bibliotek6.2.3 边界层
在固体-流体系统中,靠近固体表面的一个极薄液体层内,溶 质的浓度、速度、温度均有较大变化,该薄层称为边界层。

晶体生长机理

晶体生长机理
• 目前在350多种基质晶体和20多种激活离子 的约70个跃迁波段上实现了受激发射。
第9页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
Nd:YVO4 Crystal
Nd:YVO4 crystal is one of the most excellent laser host materials, it is suitable for diode laser-pumped solid state laser.
• 应用:
滤波器、谐振器、光偏转器、测压元件等。
第20页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
(8)闪烁晶体
• 定义:
当射线或放射性粒子通过晶体时,晶体会 发出荧光脉冲,这类晶体为闪烁晶体。
• 应用:
核医学、核技术、空间物理等。
第21页/共54页
西安理工大学
第7页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
晶体
激光晶体
非线性光学晶体
电光晶体
声光晶体
磁光晶体
热释电晶体
压电晶体
闪烁晶体
半导体晶体
薄膜晶体
X-射线分光晶体
光学晶体
第8页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
(1)激光晶体
• 固体激光器的发光材料,通常被称为激光晶 体。 早期的红宝石: (Al2O3:Cr3+) 目前的掺钕钇铝石榴石:(YAG:Nd3+)
第11页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
(2)非线性光学晶体
• 定义:
晶体当受到强电磁场作用时,由于非线性极化 引起非线性光学效应。
• 目的:
是实现光频率的转化:由于非线性光学晶体可 以通过其倍频、和差、光参量放大和多光子吸收等 非线性过程改变入射光和发射光频率的变化。

晶体生长第七章晶体生长动力学

晶体生长第七章晶体生长动力学

第七章晶体生长动力学生长驱动力与生长速率的关系(动力学规律或界面动力学规律),先解决生长机制问题。

§ 1邻位面生长——台阶动力学邻位面生长一一奇异面上的台阶运动问题1. 界面分子的势能邻位面上不同位置的吸附分子[3]界面上不同位置的势能曲线1—2 : 2 ① i+8 ① 2;1 —3 : 4 ① i+12① 2;1—4 : 6①1+12①2 分子最稳定位置(相变潜热)单分子相变潜热:I sf=W s+W k①流体分子⑴体扩散吸附分子⑵面扩散台阶分子⑶ 线扩散扭折⑷② 流体分子 ⑴ 体扩散 吸附分子⑵面扩散扭折⑷ ③ 流体分子 ⑴体扩散扭折⑷2.面扩散W s =2①严8 ①2 吸附分子 —流体需克服的势垒U 〃 吸附分子在界面振动频率吸附分子在晶 面发生漂移的机率为:exp^ s/kT),面 扩散系数为:D ssD s =[ u // exp(- /kT)]丄吸附分子平均寿命:T s,.脱附频率s1/ s 」_exp( W s/kT)s 二丄 e>p(W s/kT)V丄Xs:吸附分子在界面停留的平均寿命T s 内,由于无规则漂移而在给定方向的迁移(分子无规则漂移的方均根偏差)X —s D s(爱因斯坦公式)1 s s X s exp[W s- s]/2kT2s s由于对一般的晶面:W - 0.45l sf -0i sf20面扩散激活能u // = u 丄s考虑脱附分子数:2X sX s 1exp[0.22l sf /kT]Xs 决定了晶体生长的途径。

3.台阶动力学一一面扩散控制台阶的运动受面扩散控制界面N o ,格点Ns 有吸附分子::“ exp (-W k/kT )(对单原子或简单原子,可忽略取向效应)Xs >> X o 则吸附分子均能到达台阶设台阶长度为a 则单位时间到达台阶的分子数为:2X ss 丄aTs界面某格点出现吸附分子的机率:N o若:Xs >> X 。

界面稳定性与组分过冷

界面稳定性与组分过冷
的控温精度,有很好的径向和轴向热对流。界面应保 持稳定,避免晶体直径的迅速变化,因为它常常关系 到许多缺陷的引进;
♣ 设计合理的温度分布应尽可能形成水平或微凸的晶
体生长界面,它有利于排除杂质和气泡、降低晶体中 的位错密度,而锥形界面对避免小面生长有时是有效 的;
♣ 保证固液界面温度即为结晶温度,而熔体中的温度
应高于界面温度,以保证结晶过程只发生在固液界面 处,其他部位不会发生自发成核;
♣ 生长界面附近应有较大的轴向温度梯度,提供晶体
生长的驱动力并抑制组分过冷;
♣ 远离生长界面的晶体部分应维持较小的温度梯度,
以降低应力和防止晶体开裂。其中,要特别注意后热 器的形状和位置,因为它除了能减小固液界面以上的 温度梯度外,还能改变固液界面的形状。
C 2ReCd2
§2 生长界面的稳定性
ⅰ) 界面形状的稳定性
晶体形态 界面形状的稳定性 生长过程的人为可控
溶质分布
温度干扰、浓度干扰或几何干扰都可以检验界面的稳定 性,所有任何微干扰都可以用一正弦函数表示。
Zx,ttsint
d t
0 dt
d t
0 dt
界面稳定 界面不稳定
ⅱ)界面稳定性理论的发展:
骸晶
顶角有晶片的骸晶
枝蔓晶
KNbO3 晶体界面不稳定形态
§7 温度场设计的基本原则(提拉法)
♣ 不同类型的晶体有不同的特性,它们对温度场的
要求自然也各不相同。一般而言,对于掺杂晶体需要 有较大的温度梯度(特别是在固液界面附近),而对 不掺杂的晶体或容易开裂的晶体,采用较小的温度梯 度为宜;
♣ 温度场的设计应为园柱形对称且稳定可控,有很好
结论:
❖ 适用于任何流动状态,包括各种自然对流和 强迫对流;

晶体生长中的形态稳定和动力学研究

晶体生长中的形态稳定和动力学研究

晶体生长中的形态稳定和动力学研究晶体是我们熟悉的物质形态之一,在矿物、分子化合物、金属等许多物质当中都存在着晶体。

晶体的形态和结构决定着其物理和化学特性,因此人们一直致力于探究晶体的生长机制。

在晶体学中,形态稳定和动力学是两个基本问题,它们在晶体生长中的作用不可忽视。

一、形态稳定形态稳定是晶体生长中必须考虑的一个问题。

所谓形态稳定,就是指晶体在生长过程中,以规则的面、角、棱为特征的各向同性的固体晶体形态。

它既反映了晶体在空间中的静态结构,也直接影响晶体在时间上的持久与发展。

那么,导致形态稳定的因素有哪些呢?主要是晶体表面的各种奇异行为和晶体的结构特性。

晶体表面存在各种表面能、原子面密度、表面缺陷等信息,而晶体的结构特性又决定其所表现出的属性和性能,这些因素共同作用使晶体保持稳定的形态和结构。

二、动力学研究形态稳定表明晶体在空间中有一些稳定的生长方向,但是它不能解释晶体生长的实际过程。

晶体生长是一个动态的过程,主要受到温度、溶液浓度、晶体生长速度等多个因素的影响,因此只有加入动力学因素,才能真正刻画出晶体生长的过程。

在动力学研究中,晶体生长速度通常被看作是一个关键问题。

由于晶体的结构特性和物理化学性质,它们呈现出不同的生长速度,以致于在同一生长条件下,各个方向的生长速度不同。

这就导致了晶体在生长过程中出现形态变化。

比如,如果某一方向的生长速度较快,材料会从这个方向生长出来,然后逐渐向其它方向发展。

研究晶体的动力学行为需要建立一系列模型和方法。

通过对晶体生长速度、生长界面、动态行为等方面的分析和探究,可以得出一系列表征晶体生长过程的参数,并得到关于生长条件和物质性质的深入认识,为制备优质晶体提供理论基础。

三、晶体生长中的形态稳定和动力学的应用形态稳定和动力学在晶体生长的研究中的应用非常广泛,其主要涉及三个方面:晶体光电化学、生物无机化学及新型材料科学。

在这些方向的研究中,形态和动力学模型可以被应用于晶体分析和晶体控制,以制备出具有所需特性和用途的晶体材料。

晶体的生长机理讲解

晶体的生长机理讲解

1.层生长理论模型(科赛尔-斯兰特斯基理论加以发展的晶体的 层生长理论 这一模型要讨论 的关键问题是:在一个正在 生长的晶面上寻找出最佳生 长位置,有平坦面、两面凹 角位、三面凹角位。其中平 坦面只有一个方向成键,两 面凹角有两个方向成键,三 面凹角有三个方向成键,见 图:
综合控制机理
晶体生长事实上是极为复杂的过程 , 特别是自溶液中的生长 ,一般情况下 ,控 制晶体生长的机理都不止一种 ,而是由单 核层机理、 多核层机理和扩散控制生长 机理的综合作用 ,控制着晶体的生长。
四、晶体的生长模型
晶体生长的三个阶段:首先是介质达到 过饱和、过冷却阶段;其次是成核阶段,即 晶核形成阶段;最后是晶体的生长阶段。 一旦晶核形成后,就形成了晶-液界面, 在界面上就要进行生长,即组成晶体的原子、 离子要按照晶体结构的排列方式堆积起来形 成晶体。


二、晶体生长的基本过程

从宏观角度看 ,晶体生长过程是晶体 — 环境相(蒸 气、 溶液、 熔体)界面向环境相中不断推移的过程 , 也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高 度有序晶相的转变。 从微观角度来看 ,晶体生长过程可以看作一个 “基 元” 过程 ,所谓 “基元” 是指结晶过程中最基本 的结构单元 ,从广义上说 , 可以是原子、 分子 ,也 可以是具有一定几何构型的原子(分子)聚集体。

因此,最佳生长位置是三面凹角位,其次是两面凹角
位,最不容易生长的位置是平坦面。
这样,最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长 成一行,以至于三面凹角消失,再在两面凹角处生长一个质 点,以形成三面凹角,再生长一行,重复下去。但是,实际 晶体生长不可能达到这么理想的情况,也可能一层还没有完 全长满,另一层又开始生长了,这叫阶梯状生长,后可在晶 面上留下生长层纹或生长阶梯。

7晶体生长界面稳定性解析

7晶体生长界面稳定性解析

界面温度
可以由局域平衡假设推导出来:
界面波峰和波谷的温度分别为:
波峰、波谷的曲率可以由函数的二阶导数确定
由于假设了温度场和浓度场不受微小扰动的影响,波峰波谷的温度差和浓度差 可以由平界面时的温度梯度和浓度梯度求得:


其中
为本质过冷度 为抑制扰动的“毛细力”和激励扰动的驱动力之比


时,
• 外生生长内生生长的转变:由成分过冷的大小和外来质点非 均质生核的能力决定。 • 成分过冷大,外来质点非均质生核能力强的利于内生生长, 即等轴枝晶的形成。
• (二)枝晶间距
• 枝晶间距:相邻同次分枝之间的垂直距离 • 枝晶间距越小,组织越细密,分布于其间的元素偏析越小。 • Hunt J.D 获得一次间距为:
Tmax ,x ,是描述“成分过冷”程度的两个指标。
§7.1.3 成分过冷对固液界面形态的影响
成分过冷对一般单相合金结晶过程影响 (1)无成分过冷的平面生长 G / R (2)窄成分过冷的胞状生长 (3)宽成分过冷下的枝晶生长 当合金成分一致时,随 GL / R 值的减少,晶体形态由 平面晶向胞状晶向胞状树枝晶、柱状树枝和等轴树枝晶 转变。
假设扰动不影响温度场和浓度场,则
按照扰动理论,溶质和温度分布可以假设为
扰动理论可以计算出稳定发展的波长,其结果对于枝晶生长理论是非常重要的。
或简化为
的符号决定了固液界面的稳定性。对于某一波数 为正,则该扰动将被逐渐放大,界面不稳定;如果
的扰动,如果 为负,则该扰动将
被逐渐衰减,界面是稳定的。
§7.1.2 热过冷及其对纯金属固液界面形态的影响
§7.2 合金固液界面前沿的成分过冷
§7.1.1 成分过冷的概念

过冷纯熔体中球状晶体生长的稳定性分析

过冷纯熔体中球状晶体生长的稳定性分析
2. pt o sc Coure De . fBa i s s,Sha d g Voc tona n on ai lCole fTr ns ori lge o a p ton,W ef ng, ia Sha do n ng 261 0 2 6, l eo t e tcl in e ,Quu No ma Unv riy e S f r l ie st ,Qu u f ,Sh n o g 2 3 6 a d n 7 1 5,Chn ) ia
继续分析过冷纯熔体 中球状晶体 生长液 固界面的稳定性 。结果表明 , 定性 由扰动 稳
关键 词 : 晶体 生 长 ; 力过 冷 ;界 面稳 定性 ; 近 分 析 动 渐 中 图分 类 号 : GI 14 7 1 T 1. ;O 8 文 献 标 志码 : A 文章 编 号 :6 23 6 (0 8 O 0 80 17—7 7 2 0 ) 10 6—4
( . olg fAp l dS in e ,B in iest fS in ea dTeh oo y B in 0 0 3,Chn ; 1 C l eo pi ce c s ej g Unv ri o ce c n c n lg , ej g 1 0 8 e e i y i ia
晶 体生 长及 其 界面 演 变是 一个 十 分复 杂且 理 论 上 尚未彻底 解决 的 问题 。 面稳 定性 是 晶体 生 长 界 和金 属凝 固形 成复 杂凝 固花 样 的起 点 , 界面 失 稳 对 后凝 固界面 的形态演 化 和选 择 具有 重 要影 响 。 目 到 前 为止 , 为经典 的研究 粒子 形态 稳 定性 的理论 一 最 I _

F b 2 0 e 08
0 蠢
萋 } 雾 鲁 霪
过冷纯熔体中球状晶体生长 的稳定性分析

定向凝固过程中固液界面稳定性的研究现状

定向凝固过程中固液界面稳定性的研究现状

定向凝固过程中固液界面稳定性的研究现状李茂【摘要】界面稳定性是金属定向凝固过程中一个很重要的问题,关于它的研究也层出不穷.综述了这一领域的主要进展,着重讨论了基于MS理论研究的各种界面稳定性理论,并指出电磁场对界面稳定性的影响,同时分析了需进一步研究的主要方向.【期刊名称】《山东冶金》【年(卷),期】2012(034)004【总页数】3页(P10-12)【关键词】定向凝固;界面稳定性;电磁场【作者】李茂【作者单位】武汉理工大学华夏学院,湖北武汉430223【正文语种】中文【中图分类】TG111.4单相凝固条件下,随着凝固速度的增加,晶体生长方式是:平面晶-胞晶-枝晶-细枝晶-细胞晶-平面晶。

界面稳定性是指晶体生长中平面晶形态遭到破坏后出现失稳演变为不完全胞晶这一现象,是金属凝固形成复杂界面形状和组织的起点,针对界面稳定性的研究也一直是研究者们非常关心的问题。

近年来,将电流[1-2]、磁场[3-5]、超声波[6]等物理场作用于金属凝固过程,用以控制和改善金属凝固组织,极大地改善和提高了金属材料的性能,更是影响了凝固过程中的界面稳定性。

界面稳定性较为系统的理论分析最早起源于成分过冷理论[7],简单地说就是液相线温度的分布曲线高于液相内的实际温度分布线时,就会在固-液界面的前沿液相中形成成分过冷区。

成分过冷准则只考虑了温度梯度和浓度梯度这两个具有相反效应的因素对界面稳定性的影响,没有考虑晶体生长过程中运动着的界面出现干扰时的情况,而干扰因素不可避免都是存在的。

目前,更为全面且为大多数研究者广泛接受并使用的当属Mullins和Sekerka提出的界面稳定性理论(MS理论)[8]。

它将扰动振幅与时间的关系引入到判断平界面的稳定性,并得到了精确解析。

MS理论已成为人们认识从低速平界面到绝对稳定性之间凝固亚结构演化的一个重要基础。

表面上看,低速平界面稳定性似乎已经由MS理论很好地解释,然而,MS理论的分析是建立在界面前沿稳态溶质扩散场的基础上,而凝固界面在生长过程中,其界面前沿的溶质扩散场不可能迅速达到稳态,其达到稳态所用的时间近似与凝固速度的平方成反比。

过冷纯熔体中晶体生长平界面的稳定性分析

过冷纯熔体中晶体生长平界面的稳定性分析

f a in i n tt ep a a y i p sn n i f i sma e t r ain i t s o h ln rb c o m o ig a n i t i l ru b t .M u l sa dS k r ag v n M - n e p o ln n e ek a ea S i d s e so ea in b s do h tt ewa ee g h o e t r a in sm u h s le h n t e t em a ip ri nr lto a e n t a h v ln t fp ru b t swa c malrt a h h r l o dfu in ln t n h iud s l tra e me h o a q i b i m o dt n Th r St ekn t if so e g h a d t el i- oi i e fc tt e lc le u l ru c n ii . q dn i o e ei h ie i c efc n t ei tra ewh s tbl y as eiso h iei n e c o ig Thsp p ri v siae fe to h n e fc o esa it lo r l n t ekn t u d ro l . i e c n i a e n e t ts g

要: 具有匀速运动平直界面的一维凝固系统 , 一经扰动其界 面将不再 为平 面 。Mul s eek ln- k ra在假定 扰 i S
动波长远远小 于热 扩散 长度 与液 固界 面满 足局部 平衡条件 的基础上 , 出了 M— 推 S色散关 系。在 界面上也存 在着动力学的作用 , 即界面的稳定性也依赖于动力过冷 。文章在界 面上考虑动力 学影响 , 用渐近分析理 论 应 继续分析过冷纯熔 体液 固界 面的稳定性 。结果表 明, 非快速凝 固系统的液固界 面不会绝对稳定 。 关键词 : 晶体生长 ; 平界 面;界面稳定 性 ; 渐近分析
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

§7.1.2 热过冷及其对纯金属固液界面形态的影响
§7.2 合金固液界面前沿的成分过冷
化规律 a)K0<1 b) K0>1
TL T 0 mLCL 1 K0 由 CL ( x) C0 [1 e K0
R x DL
]
R x DL
这种影响看做一种强干扰的话,同样可以用固液界面的稳定性 理论来分析其结晶组织形态。
§7.1单纯由温度场决定的固液界面稳定性
§7.1.1固液界面前方的局部温度分布
固液界面前方的温度分布是控制晶体生长行为的重要因素
之一。根据晶体生长过程中传热特点不同,固液界面前沿存在 两种不同温度分布形式。 正温度梯度分布 负温度梯度分布
成分过冷:由溶质再分配导致界面前方熔体成分及其凝 固温度发生变化而引起的过冷。由界面前方 的实际温度和熔体内的液相线温度分布两者 共同决定。
“成分过冷”条件和判据
TM
“成分过冷”的形成条件分析
(K0<1 情况下) :
mL
CS=C0
a)
TS
CL*=C0/k0
→ 界面前沿形成溶质富集层 → 液相线温度TL(x‘)随x’增大上升 → 当GL(界面前沿液相的实际温度梯度) 小于液相线的斜率时,即:
G SS R L
mC0 1 k 0 GL R DL k 0
G SS • 对一般单相合金晶体的平面生长: R mC0 1 k 0 L L DLk 0
(2)晶体的胞状生长
• 一般单相合金晶体生长符合条件:
mC0 1 k 0 GL R DL k 0 T1 T2 或 D L
(3)晶体的枝状晶生长
• 在胞状生长中,晶胞凸起垂直于 等温面生长,生长方向与热流方 向相反而与晶体学特性无关
(4)内生生长
• 宏观结晶状态的转变和 等轴枝晶生长
胞状生长或柱状枝晶生 长皆 外生生长:平面生长、 • 合金的宏观结晶状态 属于一种晶体自型壁生 核,然后由外向 内单向延伸的生长方式 。 熔体内部自由生长的方 式。 内生生长:等轴枝晶在
• 界面前方存在着一个狭窄的成分过冷区,此时,破坏了平 面界面的稳定性。 • 宏观平坦界面偶有突起,将面临较大的过冷而以更快的速 度进一步长大,同时向周围排出溶质。相邻凸起之间的凹 入部位的溶质浓度比凸起前端增加的更快,而凹入部分的 溶质扩散到熔体深处更困难,故凸起快速长大的结果导致 了凹入部位溶质的进一步浓集。溶质浓集降低了凹入部位 熔体的液相线温度和过冷度,抑制着凸起的横向生长速度 并形成一些由低熔点溶质汇集区所构成的网络状沟槽。而 凸起前端的生长则由于成分过冷区宽度的限制不能自由地 向熔体前方伸展。 • 当由于溶质的浓集而使界面各处的液相成分达到相应温度 下的平衡浓度时(低于平衡温度),界面形态趋于稳定。
第七章 结晶生长固液界面稳定性
晶体生长从宏观上看是固液界面由固相向液相逐渐推进的
过程。固液界面的稳定性是指其在推进过程中保持平整性的能
力。凝固过程形成的晶体形态归结为晶体生长过程中固液界面 的平整性失稳。 非小晶面相的生长各向异性不强,界面稳定性主要取决于 界面反应、传热、传质等因素的竞争。
小晶面相的生长,受到晶体各向异性的强烈影响,如果把
Ti
成分过 冷区
X'

液相中只有有限扩散时形成“成分过冷”的判 据 G L mL C0 (1 K 0 ) < R DL K0

液相部分混合时形成“成分过冷”的判据
GL mL C L < R DL 1 K0 e 1 K0
R N DL
§7.1.3 成分过冷度计算
mLC0 (1 K 0 ) TL( x) T i ( 1 e K0
T ( x) T i GLx,实际温度场分布

R x DL
)
界面前沿过冷度大小随 x 的函数为 T( x) TL( x) T ( x) 即:
mLC0 (1 K0 ) T( x) ( 1 e K0

R x DL
) GLx
dT( x) T ( x ) 0 对 求导,求最大过冷度,即求导 dx
DL RmLC0 (1 K 0 ) xm ln R GLDLK 0
mLC0 (1 K0 ) GLDL RmLC0 (1 K0 ) 最大过冷度为: Tmax [1 ln ] K0 R GLDLK0
最大 T 出现在成分过冷的区域宽度 x ,可设 T 0
2 2 K 0GLDL 2 DL x R mLC0 (1 K 0 ) R 2
假设扰动不影响温度场和浓度场,则
按照扰动理论,溶质和温度分布可以假设为
扰动理论可以计算出稳定发展的波长,其结果对于枝晶生长理论是非常重要的。
或简化为
的符号决定了固液界面的稳定性。对于某一波数 为正,则该扰动将被逐渐放大,界面不稳定;如果
的扰动,如果 为负,则该扰动将
被逐渐衰减,界面是稳定的。
• 在窄成分过冷区的作用下,不稳定的平坦 就破裂成一种稳定的、由许多近似于旋转 抛物面的凸出圆胞和网络状的凹陷沟槽所 构成的新的界面形态,称胞状界面。 • 以胞状界面向前推进的生长方式称为胞状 生长。 • 胞状生长的结果形成胞状晶。
铝合金随成分过冷度的增加,凝固界面形态的演变过程
a)平界面b)痘点状界面c)狭长胞状界面d)不规则胞状界 面e)六角形胞晶f)树枝晶
• 外生生长内生生长的转变:由成分过冷的大小和外来质点非 均质生核的能力决定。 • 成分过冷大,外来质点非均质生核能力强的利于内生生长, 即等轴枝晶的形成。
• (二)枝晶间距
• 枝晶间距:相邻同次分枝之间的垂直距离 • 枝晶间距越小,组织越细密,分布于其间的元素偏析越小。 • Hunt J.D 获得一次间距为:
1 K0 TL ( x) T 0 mLC0 [1 e K0
]
C0 x 0, TL (0) T 0 mL T2 K0 x→∞,TL (∞) T 0 mLC0 T1
§7.1.2 成分过冷的形成条件
• 根据是否存在溶质原子的作用,在其固-液界面前方熔体内 可能产生两种不同形式的过冷: 热过冷:仅由熔体实际温度分布所决定的过冷状态
Tmax ,x ,是描述“成分过冷”程度的两个指标。
§7.1.3 成分过冷对固液界面形态的影响
成分过冷对一般单相合金结晶过程影响 (1)无成分过冷的平面生长 G / R (2)窄成分过冷的胞状生长 (3)宽成分过冷下的枝晶生长 当合金成分一致时,随 GL / R 值的减少,晶体形态由 平面晶向胞状晶向胞状树枝晶、柱状树枝和等轴树枝晶 转变。
L
(1)晶体平面状生长的稳定性
• 当 时,界面前方不存在成分过冷,界面将 以平面生长方式生长。这种情况下,除了在晶体生长初期 过渡阶段和最后过渡阶段界面要发生相应的温度和成分变 化外,在稳定生长阶段与纯金属相同。生长的结果将会在 稳定生长区内获得成分完全均匀的单相固溶体柱状晶甚至 单晶体。 • 对纯金属晶体的平面生长:
d1
64 mL DL (1 K0 )C∞ R 4GL 2
1 1
• 冈本平确定的一次臂间距:
mLC0 ( K0 1) 12 d1 a0 [ ] GL R
• 二次间距:
TS 13 d 2 A( ) RGL
§7.3 固液界面稳定性的扰动分析理论
为单位长度上的波数,即扰动的空间频率
GL TL ( x ' ) x '
x ' 0
C%
C% CS*
CL*
CL(X')
b)
C0
界面
X'
T T1实 际
R 1 c) K 0 DL x ' TL ( x' ) Tm mLC0 1 e K0
T2实际
TL(X')
界面
出现“成分过冷” 。
界面温度
可以由局域平衡假设推导出来:
界面波峰和波谷的温度分别为:
波峰、波谷的曲率可以由函数的二阶导数确定
由于假设了温度场和浓度场不受微小扰动的影响,波峰波谷的温度差和浓度差 可以由平界面时的温度梯度和浓度梯度求得:


其中
为本质过冷度 为抑制扰动的“毛细力”和激励扰动的驱动力之比


时,
相关文档
最新文档