7晶体生长界面稳定性解析
晶界知识整理
力小,形成新的晶面困难,因此生成这种晶面需要的动力—过冷度大些。
由于原子的面密度大,间距小,原子之间吸引力大,晶面的横向生长速度快, 放出的结晶潜热多。只有比较大的纵向温度梯度才能及时散掉这些热量,达到温
度平衡。直拉法生长单晶硅的热场,沿[111]晶向生长的纵向温度梯度大于沿[110]
晶向生长的纵向温度梯度,沿[100]晶向生长的纵向温度梯度最小。
•
(2)结晶过程要尽可能地慢,以防止自发成核的出现,因为一旦出现自发的晶核, 就会生成许 多细小晶体,阻碍晶体长大;
•
(3)使降温速度与晶体成核、生长速度相配匹,使晶体生长得均匀、晶体中没有浓 度梯度、组成不偏离化学整比性。
非均匀成核
a 过冷度:过冷度越大,越容易成核。b 外来物质表面结构:θ越小越有利。c 外来物质表 面形貌:表面下凹有利。凹面杂质形核效率最高,平面次之,凸面最差 。
物质从液体转变 为晶体的过程叫 做结晶。每一种 物质都有一定的 平衡结晶温度或 者成为理论结晶 温度。
液体 固体
两者的温度差值被 称为过冷度 实际结晶温度总是 低于理论结晶温度
的,这种现象成为
过冷现象。
固相的自由能较低,而液相自由能与固相自由能之差就是使晶体生长过程得 以进行的驱动力。当压力和熔体成分恒定时,这种自由能之差就表现为熔体的过 冷度,也就是熔体偏离其平衡状态结晶温度的程度。
七、晶体的成核与生长汇总.
第八章晶体的成核与生长
第章
1
称为过冷度。
,
,表明系统必须过冷却,相变过程才能自发进行;
相变自发进行:
对于气体,需P>P0,过饱和蒸气压差ΔP是凝聚相变的推动力;对于溶液,则需c>c0,过饱和浓度Δc是液相发生相变的推动力。
总结:相变过程的推动力是过冷度(恒压)、过饱和蒸气
总结相变过程的推动力是过冷度(恒压)过饱和蒸气
压(恒温)、过饱和浓度(恒温恒压)。
6
=0.15—0.25T 0
T 7
的函数。
2.讨论:
当ΔT 较小时,ΔG 2增大而增大并始终为正值图中曲线体积自由能r 增大而增大并始终为正值;较大时当ΔT 较大时,温度1)晶核较大(r>r k ,核稳定存在,且随核稳定存在
值越小表示新相越易形成3.分析:
(2)在相变过程中,T 和都是(1)r k 值越小,表示新相越易形成;0γ正值,析晶相变时为放热过程ΔH<0,则必须有ΔT>0;(3)降低晶核的界面能γ和增加均可使值减小相变热ΔH ,均可使r k 值减小,有利于新相形成;
11
二、液-固相变过程动力学
液固相变过程动力学
1、晶核形成过程动力学
核化过程分为均匀成核与非均匀成核二类。
均匀成核——晶核从均匀的单相熔体中由于热起伏
而中产生,几率处处相同;
非均匀成核——借助于表面、界面、微粒裂纹、容器壁以及各种催化位置等形成晶核的过程。
13
临界晶核周界上的原子或分子数。
讨论:成核速率I ν与温度的关系
①当温度降低增大(保持在较小范围)此时可忽略
1G ∝
∆①当温度降低,ΔT 增大(保持在较小范围),此时ΔG m 可忽略。I I v
晶体生长理论综述
晶体⽣长理论综述
综述晶体⽣长理论的发展现状
1前⾔
晶体⽣长理论是⽤以阐明晶体⽣长这⼀物理化学过程。形成晶体的母相可以是⽓相、液相或固相;母相可以是单⼀组元的纯材料,也可以是包含其他组元的溶液或化合物。⽣长过程可以在⾃然界中实现,如冰雪的结晶和矿⽯的形成;也可以在⼈⼯控制的条件下实现,如各种技术单晶体的培育和化学⼯业中的结晶等。
近⼏⼗年来,随着基础学科(如物理学、化学)和制备技术的不断进步,晶体⽣长理论研究⽆论是研究⼿段、研究对象,还是研究层次都得到了很快的发展,已经成为⼀门独⽴的分⽀学科。它从最初的晶体结构和⽣长形态研究、经典的热⼒学分析发展到在原⼦分⼦层次上研究⽣长界⾯和附加区域熔体结构,质、热输运和界⾯反应问题,形成了许多理论或理论模型。当然,由于晶体⽣长技术和⽅法的多样性和⽣长过程的复杂性,⽬前晶体⽣长理论研究与晶体⽣长实践仍有相当的距离,⼈们对晶体⽣长过程的理解有待于进⼀步的深化。可以预⾔,未来晶体⽣长理论研究必将有更⼤的发展[1]。
2晶体⽣长理论的综述
⾃从1669年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno)开始晶体⽣长理论的启蒙⼯作以来[2],晶体⽣长理论研究获得了很⼤的发展,形成了包括晶体成核理论、输运理论、界⾯稳定性理论、晶体平衡形态理论、界⾯结构理论、界⾯动⼒学理论和负离⼦配位多⾯体模型的体系。这些理论在某些晶体⽣长实践中得到了应⽤,起了⼀定的指导作⽤。本⽂主要对晶体平衡形态理论、界⾯⽣长理论、PBC理论、晶体逆向⽣长等理论作简要的介绍。
2.1晶体平衡形态理论
晶体具有特定的⽣长习性,即晶体⽣长外形表现为⼀定⼏何形状的凸多⾯体,为了解释这些现象,晶体⽣长理论研究者从晶体内部结构和热⼒学分析出发,先后提出了Bravais法则、Gibbs-Wulff晶体⽣长定律、
七、晶体的成核与生长
第八章晶体的成核与生长
第章
1
称为过冷度。
,
,表明系统必须过冷却,相变过程才能自发进行;
相变自发进行:
对于气体,需P>P0,过饱和蒸气压差ΔP是凝聚相变的推动力;对于溶液,则需c>c0,过饱和浓度Δc是液相发生相变的推动力。
总结:相变过程的推动力是过冷度(恒压)、过饱和蒸气
总结相变过程的推动力是过冷度(恒压)过饱和蒸气
压(恒温)、过饱和浓度(恒温恒压)。
6
=0.15—0.25T 0
T 7
的函数。
2.讨论:
当ΔT 较小时,ΔG 2增大而增大并始终为正值图中曲线体积自由能r 增大而增大并始终为正值;较大时当ΔT 较大时,温度1)晶核较大(r>r k ,核稳定存在,且随核稳定存在
值越小表示新相越易形成3.分析:
(2)在相变过程中,T 和都是(1)r k 值越小,表示新相越易形成;0γ正值,析晶相变时为放热过程ΔH<0,则必须有ΔT>0;(3)降低晶核的界面能γ和增加均可使值减小相变热ΔH ,均可使r k 值减小,有利于新相形成;
11
二、液-固相变过程动力学
液固相变过程动力学
1、晶核形成过程动力学
核化过程分为均匀成核与非均匀成核二类。
均匀成核——晶核从均匀的单相熔体中由于热起伏
而中产生,几率处处相同;
非均匀成核——借助于表面、界面、微粒裂纹、容器壁以及各种催化位置等形成晶核的过程。
13
临界晶核周界上的原子或分子数。
讨论:成核速率I ν与温度的关系
①当温度降低增大(保持在较小范围)此时可忽略
1G ∝
∆①当温度降低,ΔT 增大(保持在较小范围),此时ΔG m 可忽略。I I v
D
2
T
k ∆v
P
即成核势垒降低,成核速率增加;
晶体的生长机理
3ຫໍສະໝຸດ Baidu界面相与晶体生长
晶体生长的过程又是相与相之间的相互作用过程。尤其是环境相的变化 对晶体生长影响很大。同样 , 界面相也必然对晶体生长有影响。晶粒或生长基 元与晶粒之间的定位机制有4 种:完美结合、 完全结合但伴随有小角度的旋转、 部分结合和没有明显的结合。当两个晶体颗粒在溶液中相互碰撞时 ,两者在分 离前能短暂地呆在一起。若在过饱和溶液中 ,结晶物质将沉淀在晶粒之间 ,并 且将两者联结起来 ,晶体将生长。这时 ,若溶液的热驱动力较弱 ,或晶体快速生 长 ,则晶体会形成聚合体;反之 ,相互碰撞的两个晶粒则被流体的剪切应力分离。 晶体在聚合时会有一定的阻力。因此 ,若溶液中有强离子作用 ,晶粒在快速地 结合过程中就不能自由地选择最佳的方向;若晶粒在离子作用强度较低的溶液 中结合 ,则其结合过程中会有一个短暂的时间来调整晶粒间的取向。在弱离子 作用溶液中 , 双电层的作用是将两晶体分隔开 ,使只有那些具有合适取向的晶 粒才能克服容器中的热驱动力而相互结合。界面相能将晶体结构、 晶体缺陷、 晶体形态、 晶体生长 4 者有机的结合 ,为研究晶体的生长提供了一条新的途 径。同时也能较好地解释晶体生长界面动力学问题。
“基元” 过程的主要步骤:
基元的形成
基元在生长界面的吸附
基元在界面的运动
基元在界面上结晶或脱附
三、晶体的生长机理
扩散控制机理
晶体生长机理
第13页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
• 应用
激光频率转换、四波混频、光束转向、图象放 大光信息处理、激光对抗和核聚变等研究领域。
• 现状:
我国该领域领先
第14页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
(3)电光晶体
• 定义:
光通过有外加场的晶体时,光随着外加场 的变化发生如偏转、偏振面旋转等而达到控 制光传播的目的。这类晶体为电光晶体。
第10页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
分类(按组分分)
A)基质晶体(载体)中掺入激活离子(发光中心Nd3+,Cr3+ , Ho3+ ,Dy2+ )。输出的波长从紫外(~0.17m)到中红外 (~5.15 m )。如:红宝石Al2O3:Cr3+,掺钕钇铝石榴石 YAG:Nd3+等。
B)化学计量激光晶体,这种晶体的激化离子就是晶体组成之 一。其特点:高效、低值,功率小。
• 目前在350多种基质晶体和20多种激活离子 的约70个跃迁波段上实现了受激发射。
第9页/共54页
西安理工大学
非平衡材料研究室
Nd:YVO4 Crystal
Nd:YVO4 crystal is one of the most excellent laser host materials, it is suitable for diode laser-pumped solid state laser.
晶体生长第七章晶体生长动力学
第七章晶体生长动力学
生长驱动力与生长速率的关系(动力学规律或界面动力学规律),先解决生长机制问题。
§ 1邻位面生长——台阶动力学
邻位面生长一一奇异面上的台阶运动问题
1. 界面分子的势能
邻位面上不同位置的吸附分子[3]界面上不同位置的势能曲线
1—2 : 2 ① i+8 ① 2;
1 —3 : 4 ① i+12① 2;
1—4 : 6①1+12①2 分子最稳定位置(相变潜热)
单分子相变潜热:I sf=W s+W k
①流体分子⑴体扩散吸附分子⑵面扩散台阶
分子⑶ 线扩散扭折⑷
② 流体分子 ⑴ 体扩散 吸附分子⑵面扩散扭折⑷ ③ 流体分子 ⑴
体扩散
扭折⑷
2.
面扩散
W s =2①严8 ①2 吸附分子 —流体需克服的势垒
U 〃 吸附分子在界面振动频率
吸附分子在晶 面发生漂移的机率为:exp^ s
/kT),面 扩散系数
为:D s
s
D s =[ u // exp(- /kT)]
丄
吸附分子平均寿命:T s,.脱附频率
s
1/ s 」_exp( W s
/kT)
s 二丄 e>p(W s
/kT)
V
丄
Xs:吸附分子在界面停留的平均寿命
T s 内,由于无规则
漂移而在给定方向的迁移(分子无规则漂移的方均根偏差)
X —s D s
(爱因斯坦公式)
1 s s X s exp[W s
- s
]/2kT
2
s s
由于对一般的晶面:W - 0.45l sf -0i sf
20
面扩散激活能
u // = u 丄
s
考虑脱附分子数:
2X s
X s 1exp[0.22l sf /kT]
Xs 决定了晶体生长的途径。 3.台阶动力学一一面扩散控制
台阶的运动受面扩散控制
第七章晶体的发生与成长.
120o 120o 120o
120o
四、 螺旋生长理论
Frank(1949)等科学家的研究表明,在达不到过 饱和或过冷却的条件下,晶体照样可以生长, 这种现象是层生长理论所不能解释的。根据实 际晶体结构中最常见的位错现象,提出了螺旋 生长理论。即在晶体生长界面上,螺旋位错露 头点所出现的凹角,及其延伸所形成的二面凹 角,可作为晶体生长的台阶源,促进光滑界面 上的生长。
• 非均匀成核和二次成核作用也需要 一定的成核能( ⊿ G’)。
• 若⊿ G’= ⊿ G,晶核与固相外来物之间 完全没有亲和力,不发生均匀成核和二 次成核; • 若⊿ G’=0,说明固相外来物与所结晶物 质是同种晶体,优先二次成核。晶种 • 若⊿ G> ⊿ G’>0,固相外来物与所结晶 物质两者的内部结构越接近, ⊿ G’就越 小,越容易发生非均匀成核或二次成核 作用。
120o 120o 120o
120o 120o 120o
120o
思考题
1.形成晶体有哪些方式? 2.成核作用分为哪几种类型? 3.在溶液中,过饱和度为低、中、高的情况 下,晶体的生长分别以什么方式? 4.为什么晶核一定要达到一个临界尺寸才可以 继续生长? 5.阐述布拉维法则的内容,并加以定性论证。 6.影响晶体生长的外部因素有哪些? 7.阐述面角守恒定律的内容。
三、层生长理论 (Kossel 1927)晶体在理想情况下生长时, 先长一条行列,然后长相邻的行列;在长满 一层面网后 ,再开始长第二层面网;晶面 (最外面的面网)是平行向外推移而生长的。
晶体的生长机理讲解
位错控制机理
当溶液的饱和比小于 2 时 ,表面成核速率极低 ,如果每个表面晶 核只能形成一个分子层 ,则晶体生长的实际速率只能是零。事实上 , 很多实验表明 ,即使在 S = 1101 的低饱和比条件下 ,晶体都能很容 易地进行生长 ,这不可能用表面成核机理来解释。1949 年 Frank[3 ] 指出 ,在这种情况下晶体的生长是由于表面绕着一个螺旋位错进行 的缠绕生长,螺旋生长的势能可能要比表面成核生长的势能大 ,但是 , 表面成核一旦达到层的边界就会失去活性 ,而螺旋位错生长却可生 长出成百万的层。由于层错过程中 ,原子面位移距离不同 ,可产生不 同类型的台阶(如图 1) 。台阶的高度小于面间距 ,被称为亚台阶;高 度等于面间距的台阶则称为全台阶。这两类台阶都能成为晶体生长 中永不消失的台阶源。
成核控制机理
在晶体生长过程中 ,成核控制远不如扩散控制那么 常见。但对于很小的晶体 , 可能不存在位错或其它缺 陷 ,生长是由分子或离子一层一层地沉积而得以实施 , 各层均由离子、分子或低聚合度的基团沉积所成的 “排” 所组成 ,因此 ,对于成核控制的晶体生长 ,成核 速率可看作是晶体生长速率。当晶体的某一层长到足 够大且达到一定边界时 ,由于来自溶液中的离子在完整 表面上不能找到有效吸附点而使晶体的生长停止 ,单个 表面晶核和溶液之间达成不稳定状态。
1.层生长理论模型(科赛尔-斯兰特斯基理论理论模型)
晶体生长-周樨
四 晶体生长界面结构理论模型
完整光滑面 (相当F面) 无凸凹不平, 固流体两相间 发生突变。 层状生长,层与层间的 生长是不连续过程。
非完整光滑面 界面上除了有 层状生长,但层间不是 位错露头点外, 严格平行的生长面,但 再无凸凹不平 呈连续生长。 的现象。 粗糙界面 (相当K面) 凸凹不平,但 固流体两相间 仍为突变 该界面上到处是生长位 置,一旦生长基元从环 境相被吸附到界面上, 几乎以100%的概率进入 晶相,晶体呈连续生长。
(2)质量输运 扩散 通过分子运动实现 对流 通过溶解于流体中的物质质点,在流体宏 观运动过程中被流体带动并一同输运。 (3)动量输运 对流 Ⅰ自然对流 完全由重力场引起的流体流动 热对流 受容器的几何形状、热流与容器的相对 取向、热流与重力场的相对取向、熔体及其边界 性质的影响 溶质对流
Ⅱ强迫对流 生长晶体时,由于晶体的驱动或包围晶体的流体的旋转, 均可产生强迫对流。
(晶相原子) 该界面为立方晶系的(001)面
(流体相原子)
五 晶体生长界面动力学
1.完整光滑面的生长 通过在生长界面上形成二维临界晶核,使其出现生长台阶, 以维持晶体的层状生长。
二维临界晶核形成示意图
完整光滑面的生长取决于两个因素: 1.二维晶核的成核率I 多核生长 2.二维晶核的台阶横向扩展速度V. I很大, V很小 生长界面会同时存在很多 单核生长 稳定的二维晶核生长,然 I很小, V很大, 后相邻的生长台阶合并, 在相当长的时间内不可能 最后形成新的一结晶层 形成二维临界晶核,偶尔 出现一个,就会很快形成 一新的结晶层。 特点:晶面法向生长速率 R正比于生长界面的面积
晶体生长科学与技术PPT课件-03(共六部分)
气相生长法
总结词
通过控制气体组分的化学反应,使气体在冷凝器中结晶的方法。
详细描述
气相生长法是一种制备晶体的重要方法,适用于制备具有特定结构和性质的晶体材料。通过控制气体 的化学反应条件,使气体在冷凝器中结晶形成单晶。该方法的关键在于选择合适的气体组分和反应条 件,以及控制冷凝器的温度和流速,以获得高质量的晶体。
晶体生长设备
01
02
03
04
晶体生长设备是实现晶体生长 过程的关键工具,其性能和精 度直接影响晶体的质量和产量 。
晶体生长设备是实现晶体生长 过程的关键工具,其性能和精 度直接影响晶体的质量和产量 。
晶体生长设备是实现晶体生长 过程的关键工具,其性能和精 度直接影响晶体的质量和产量 。
晶体生长设备是实现晶体生长 过程的关键工具,其性能和精 度直接影响晶体的质量和产量 。
监控系统应具备实时数据采集、处理、分析和存储 功能,以便对晶体生长过程进行全面跟踪和评估。 监控的参数包括温度、压力、气氛、熔体流动等, 以及设备的运行状态和故障预警。
通过与计算机辅助设计(CAD)和工艺仿真软件的结 合,可以实现更加精确的过程监控和优化,提高晶体 生长的可靠性和效率。同时,监控数据也可以用于研 究和改进晶体生长技术和设备。
晶体生长基础
6.2 晶体生长的热量输运
6.2.1 热量运输
传导 一、热量输运的基本形式 对流 辐射 在晶体生长的不同阶段有不同的热传递方式起主导作用 一般来说:高温时,以晶体表面辐射为主,传导和对流为 次;低温时,热量运输主要以传导为主。
上一内容
下一内容
回主目录
返回
2013-12-27
T
Cs
CL
溶质浓度
0
CL
Cs
溶质浓度
K0 = Cs/CL < 1
溶液中溶质的存在降低了溶 液凝固点;在固液界面处溶 质被排挤出来。
K0 = Cs/CL > 1
溶液中溶质的存在提高了 溶液凝固点;在固液界面 处的溶剂受到排挤。
若Cs=CL,则K0 =1,溶液不分凝,为纯材料体系。
上一内容 下一内容 回主目录
上一内容 下一内容 回主目录
返回
2013-12-27
3. 温度边界层
设生长界面温度T0,熔体温度Tb(Tb > T0)。晶体生长界面附 近,有一个厚度为δT的区域,在这个区域内,温度由Tb逐渐降至T0。 该区域称温度边界层 ,δT为温度边界层厚度。
δT 与熔体物性、晶体生长过 程的搅拌方式等因素有关。在提 拉法生长中,δT与晶体旋转速度 ω的关系为:
晶体不旋转
晶体以40r/min旋转
晶体生长基础解析
图2-3晶面消失过程
一般显露在外面的晶面其法向生长速度的是比较慢的。
实际上晶体外形常由简单面指数的晶面如 (100)、(110)、 (111)等包围。晶体形态除与晶体结构有关外,还与生长环境密切 相关。
(1)过饱和度的影响: 溶液过饱和的超过某一临界值时,晶体的形态就会发生变化
(2)PH值的影响: 生长磷酸二氢胺时,PH↓,晶体细长,PH↑,晶体短粗
实际上,成核的过冷度和过饱和度并不需要那么 大。因为在通常的生长系统中总是存在不均匀的部位 (如容器壁、外来的微粒等),它有效降低了成核时 的表面位垒,使晶核优先在这些不均匀部位形成。
例如:人工降雨就是在饱和比不大又不能均匀成核 的云层中,撒入碘化银细小微粒,就能形成雨滴。
2、非均匀成核
在区熔法制备单晶的过程中,固液界面的形状对杂散晶核 的形成产生一定的影响。
坩埚侧面热损耗 500瓦 23.8 ﹪
第六章 晶体生长基础
6.1 晶体生长基本过程 6.2 晶体生长的热量输运 6.3 晶体生长的质量输运 6.4 晶体生长与相平衡关系
6.1 晶体生长过程
6.1.1 晶核的形成
气相、液相(溶液或熔体)、固相物质通过相变可以形 成晶体。相变时,先形成晶核,然后再围绕晶核慢慢长大。
自发产生晶核的过程称为均匀成核;从外界某些不均匀处 (如容器壁或外来杂质等)产生晶核的过程称非均匀成核。
晶体的生长机理及生长速度
S N K [ x ln x (1 x) ln( 1 x)] K— 波尔兹曼常数
将ΔU和ΔS代入 Fs U TS
Nx H 0 (1 x) NKT[ x ln x (1 x) ln(1 x)]
在熔点温度时,将T=Tm代入上式,整理得
影响曲线形状的因素是α,α值在2~3之间曲线的形状产生质的变化。
α≤2时,ΔFS/NKTm对任何取值皆为负值, 表明液态中原子可以任何充填率x向界面上沉积。
在X=0.5处ΔFS/NKTm达到极小值,即在表面层内沉积50%个左右原子时固/ 液界面层最稳定,
A
σn — 法线为 n 晶面的界面能; Α — 界面面积
根据界面能最小原理, Jackson提出将固/液界面划分为粗糙界面和光滑界面的判
据。
1、Jackson界面结构判据
假定在界面上沉积了一层原子,所引起自由能变化ΔFS为 :
Fs U T S
恒压下在固/液界面叠加一层原子后内能的变化,由热力学第二定律 ,结晶潜热
一个晶面间距。 这时,又必须利用二维形核产生新台阶,才能开始新一层的生长,周而复始地进
行。 界面的推移具有不连续性,并且有横向生长的特点。 台阶沿界面的运动是这种生长机理的基本特征。又称侧面生长、沿面生长或层状 生长。
图2-8 光滑界面侧向生长方式
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
1 K0 TL ( x) T 0 mLC0 [1 e K0
]
C0 x 0, TL (0) T 0 mL T2 K0 x→∞,TL (∞) T 0 mLC0 T1
§7.1.2 成分过冷的形成条件
• 根据是否存在溶质原子的作用,在其固-液界面前方熔体内 可能产生两种不同形式的过冷: 热过冷:仅由熔体实际温度分布所决定的过冷状态
Tmax ,x ,是描述“成分过冷”程度的两个指标。
§7.1.3 成分过冷对固液界面形态的影响
成分过冷对一般单相合金结晶过程影响 (1)无成分过冷的平面生长 G / R (2)窄成分过冷的胞状生长 (3)宽成分过冷下的枝晶生长 当合金成分一致时,随 GL / R 值的减少,晶体形态由 平面晶向胞状晶向胞状树枝晶、柱状树枝和等轴树枝晶 转变。
G SS R L
mC0 1 k 0 GL R DL k 0
G SS • 对一般单相合金晶体的平面生长: R mC0 1 k 0 L L DLk 0
(2)晶体的胞状生长
• 一般单相合金晶体生长符合条件:
mC0 1 k 0 GL R DL k 0 T1 T2 或 D L
• 界面前方存在着一个狭窄的成分过冷区,此时,破坏了平 面界面的稳定性。 • 宏观平坦界面偶有突起,将面临较大的过冷而以更快的速 度进一步长大,同时向周围排出溶质。相邻凸起之间的凹 入部位的溶质浓度比凸起前端增加的更快,而凹入部分的 溶质扩散到熔体深处更困难,故凸起快速长大的结果导致 了凹入部位溶质的进一步浓集。溶质浓集降低了凹入部位 熔体的液相线温度和过冷度,抑制着凸起的横向生长速度 并形成一些由低熔点溶质汇集区所构成的网络状沟槽。而 凸起前端的生长则由于成分过冷区宽度的限制不能自由地 向熔体前方伸展。 • 当由于溶质的浓集而使界面各处的液相成分达到相应温度 下的平衡浓度时(低于平衡温度),界面形态趋于稳定。
这种影响看做一种强干扰的话,同样可以用固液界面的稳定性 理论来分析其结晶组织形态。
§7.1单纯由温度场决定的固液界面稳定性
§7.1.1固液界面前方的局部温度分布
固液界面前方的温度分布是控制晶体生长行为的重要因素
之一。根据晶体生长过程中传热特点不同,固液界面前沿存在 两种不同温度分布形式。 正温度梯度分布 负温度梯度分布
L
(1)晶体平面状生长的稳定性
• 当 时,界面前方不存在成分过冷,界面将 以平面生长方式生长。这种情况下,除了在晶体生长初期 过渡阶段和最后过渡阶段界面要发生相应的温度和成分变 化外,在稳定生长阶段与纯金属相同。生长的结果将会在 稳定生长区内获得成分完全均匀的单相固溶体柱状晶甚至 单晶体。 • 对纯金属晶体的平面生长:
DL RmLC0 (1 K 0 ) xm ln R GLDLK 0
mLC0 (1 K0 ) GLDL RmLC0 (1 K0 ) 最大过冷度为: Tmax [1 ln ] K0 R GLDLK0
最大 T 出现在成分过冷的区域宽度 x ,可设 T 0
2 2 K 0GLDL 2 DL x R mLC0 (1 K 0 ) R 2
Ti
成分过 冷区
X'
•
液相中只有有限扩散时形成“成分过冷”的判 据 G L mL C0 (1 K 0 ) < R DL K0
•
液相部分混合时形成“成分过冷”的判据
GL mL C L < R DL 1 K0 e 1 K0
R N DL
§7.1.3 成分过冷度计算
mLC0 (1 K 0 ) TL( x) T i ( 1 e K0
(3)晶体的枝状晶生长
• 在胞状生长中,晶胞凸起垂直于 等温面生长,生长方向与热流方 向相反而与晶体学特性无关
(4)内生生长
• 宏观结晶状态的转变和 等轴枝晶生长
胞状生长或柱状枝晶生 长皆 外生生长:平面生长、 • 合金的宏观结晶状态 属于一种晶体自型壁生 核,然后由外向 内单向延伸的生长方式 。 熔体内部自由生长的方 式。 内生生长:等轴枝晶在
d1
64 mL DL (1 K0 )C∞ R 4GL 2
1 1
• 冈本平确定的一次臂间距:
Leabharlann Baidu
mLC0 ( K0 1) 12 d1 a0 [ ] GL R
• 二次间距:
TS 13 d 2 A( ) RGL
§7.3 固液界面稳定性的扰动分析理论
为单位长度上的波数,即扰动的空间频率
GL TL ( x ' ) x '
x ' 0
C%
C% CS*
CL*
CL(X')
b)
C0
界面
X'
T T1实 际
R 1 c) K 0 DL x ' TL ( x' ) Tm mLC0 1 e K0
T2实际
TL(X')
界面
出现“成分过冷” 。
第七章 结晶生长固液界面稳定性
晶体生长从宏观上看是固液界面由固相向液相逐渐推进的
过程。固液界面的稳定性是指其在推进过程中保持平整性的能
力。凝固过程形成的晶体形态归结为晶体生长过程中固液界面 的平整性失稳。 非小晶面相的生长各向异性不强,界面稳定性主要取决于 界面反应、传热、传质等因素的竞争。
小晶面相的生长,受到晶体各向异性的强烈影响,如果把
§7.1.2 热过冷及其对纯金属固液界面形态的影响
§7.2 合金固液界面前沿的成分过冷
§7.1.1 成分过冷的概念
界面前方熔体中液相线温度的变化规律 a)K0<1 b) K0>1
TL T 0 mLCL 1 K0 由 CL ( x) C0 [1 e K0
R x DL
]
R x DL
• 外生生长内生生长的转变:由成分过冷的大小和外来质点非 均质生核的能力决定。 • 成分过冷大,外来质点非均质生核能力强的利于内生生长, 即等轴枝晶的形成。
• (二)枝晶间距
• 枝晶间距:相邻同次分枝之间的垂直距离 • 枝晶间距越小,组织越细密,分布于其间的元素偏析越小。 • Hunt J.D 获得一次间距为:
界面温度
可以由局域平衡假设推导出来:
界面波峰和波谷的温度分别为:
波峰、波谷的曲率可以由函数的二阶导数确定
由于假设了温度场和浓度场不受微小扰动的影响,波峰波谷的温度差和浓度差 可以由平界面时的温度梯度和浓度梯度求得:
由
得
其中
为本质过冷度 为抑制扰动的“毛细力”和激励扰动的驱动力之比
当
,
时,
成分过冷:由溶质再分配导致界面前方熔体成分及其凝 固温度发生变化而引起的过冷。由界面前方 的实际温度和熔体内的液相线温度分布两者 共同决定。
“成分过冷”条件和判据
TM
“成分过冷”的形成条件分析
(K0<1 情况下) :
mL
CS=C0
a)
TS
CL*=C0/k0
→ 界面前沿形成溶质富集层 → 液相线温度TL(x‘)随x’增大上升 → 当GL(界面前沿液相的实际温度梯度) 小于液相线的斜率时,即:
T ( x) T i GLx,实际温度场分布
R x DL
)
界面前沿过冷度大小随 x 的函数为 T( x) TL( x) T ( x) 即:
mLC0 (1 K0 ) T( x) ( 1 e K0
R x DL
) GLx
dT( x) T ( x ) 0 对 求导,求最大过冷度,即求导 dx
• 在窄成分过冷区的作用下,不稳定的平坦 就破裂成一种稳定的、由许多近似于旋转 抛物面的凸出圆胞和网络状的凹陷沟槽所 构成的新的界面形态,称胞状界面。 • 以胞状界面向前推进的生长方式称为胞状 生长。 • 胞状生长的结果形成胞状晶。
铝合金随成分过冷度的增加,凝固界面形态的演变过程
a)平界面b)痘点状界面c)狭长胞状界面d)不规则胞状界 面e)六角形胞晶f)树枝晶
假设扰动不影响温度场和浓度场,则
按照扰动理论,溶质和温度分布可以假设为
扰动理论可以计算出稳定发展的波长,其结果对于枝晶生长理论是非常重要的。
或简化为
的符号决定了固液界面的稳定性。对于某一波数 为正,则该扰动将被逐渐放大,界面不稳定;如果
的扰动,如果 为负,则该扰动将
被逐渐衰减,界面是稳定的。