《模拟电子技术》作业习题答案

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模拟电子技术习题及答案

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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。

5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。

1.2 单选题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。

A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。

A.减小 B.基本不变 C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。

A.增大 B.基本不变 C.减小5.变容二极管在电路中主要用作( D )。

、A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器1.3 是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

( √ )2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )3.二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。

( × )4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

( × )1.4 分析计算题1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压UD(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

模拟电子技术习题答案

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模拟电子技术习题答案电工电子教学部2021.2第一章 绪论一、填空题:1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。

10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。

11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝〞表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。

13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。

14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。

15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。

二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1M Ω,输出电压为1V 〔有效值〕,如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1M Ω,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。

模拟电子技术习题及答案

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习题55.1在以下几种情况下,应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。

(1)从输入信号中提取100kHz~200kHz的信号;(2)抑制1MHz以上的高频噪声信号;(3)有用信号频率为1GHz以上的高频信号;(4)干扰信号频率介于1 kHz~10 kHz;解答:〔1〕带通滤波器;〔2〕低通滤波器;〔3〕高通滤波器;〔4〕带阻滤波器。

5.2在以下各种情况下,应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。

〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰;〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号;〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号;〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。

解:〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空:〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波电路。

〔2〕输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用滤波电路。

(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用滤波电路。

〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用滤波电路。

解:〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数,在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。

解答:时间常数,3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数,在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。

解答:时间常数,3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减,二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。

阶数越 ,阻带幅频特性衰减的速度就越快,滤波电路的滤波性能就越好。

解答:-20 dB ,-40 dB ,高。

5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。

题图解答:()1v sR C A s sR C =+,j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路,试推导输入与输出之间的传递函数,并计算截止角频率H ω。

模拟电子技术基础习题及答案

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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。

若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ,分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。

解:当K 250=T 时,有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ,同理,当K 300=T 时,有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ,当K 350=T 时,有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n , 当掺入施主杂质后,电子浓度:d N n =,空穴浓度:n n p 2i =,当K 250=T 时,317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p , 当K 300=T 时,317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p , 当K 350=T 时,317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。

题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ,316d cm 10=N ,求K 300=T 时PN 结的内建电位差。

解:)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ, 当K 300=T 时,mV 26T =U ,310i cm 1043.1⨯=n ,代入得:76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。

题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ,当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少?由计算结果说明伏安特性的特点。

解:根据PN 结方程,流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ,6S 10−=I A ,26T =U mV ,2.01=U V 时,3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ,36.02=U V 时,03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ,4.03=U V 时,8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ,2.04−=U V 时,04=I ,反向截止, 36.05−=U V 时,05=I ,反向截止, 4.06−=U V 时,06=I ,反向截止,由此可见,PN 结外加正向电压时,斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

1、两个管子都正接。

(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

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第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中,u1=10sin ωt(V),R L =1k Ω,试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解:波形见图。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻r Z 愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数a U 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中,已知电源电压V =10V ,R=200Ω,R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V,试求: ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ,I Z 将变为多少? ③当V 仍为10V ,但R L 改为2 k Ω时,I Z 将变为多少? 解:① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管,稳压仁政值均为6V ,当工作在正向时管压降均为0.7V ,如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案:B2、根据作业指导书或样板之要求,不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案:C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了? ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案:D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案:B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案:A6、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高,各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小,变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案:C8、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案:D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案:C10、某三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案:B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案:B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为:1、100、-100,则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案:B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案:D14、在基本放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案:C15、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

《模拟电子技术》(高起专)习题答案

《模拟电子技术》(高起专)习题答案

《模拟电子技术》(高起专)习题答案一、单选题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须()它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于截止状态。

( B )A、正偏,大于;B、反偏,大于;C、正偏,小于;D、反偏,小于。

2、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真和下半周失真时分别为( B )失真。

A、饱和,截止;B、截止,饱和;C、饱和,频率;D、频率,截止。

3、一个正常放大的三极管,测得它的三个电极c、b、e的电位分别的6V、3.7V、3.0V,则该管是( D )管。

A、锗PNP;B、锗NPN;C、硅PNP;D、硅NPN。

4、PN结加反向电压时,空间电荷区将( C )。

A、变窄;B、基本不变;C、变宽;D、不确定。

5、对三极管放大作用的实质,下列说法正确的是( A )。

A、三极管可以用较小的电流控制较大的电流;B、三极管可以把小电流放大成大电流;C、三极管可以把小电压放大成大电压;D、三极管可以把小能量放大成大能量。

6、半导体二极管的重要特性之一是( B )。

A、温度稳定性;B、单向导电性;C、放大作用;D、滤波特性。

7、稳压二极管稳压时,其工作在( C )。

A、正向导通区;B、反向截止区;C、反向击穿区;D、不确定。

8、当放大电路设置合适的静态工作点,如再加入交流信号,则工作点( B )。

A、沿直流负载线移动;B、沿交流负载线移动;C、不移动;D、沿坐标轴移动。

9、场效应管靠( A )导电。

A、一种载流子;B、两种载流子;C、电子;D、空穴。

10、用指针式万用表的R×10和R×1K档分别测量整流二极管的正向电阻,二次测试结果是( B )。

A、相同;B、R×10档的测试值小;C、R×1K档的测试值小;D、不确定11、已知三极管各极电位,则( B )管工作在放大状态。

A、;B、;C、;D、。

12、对三极管放大作用的实质,下列说法正确的是( A )。

《模拟电子技术》试卷及答案

《模拟电子技术》试卷及答案

《模拟电子技术》试卷及答案(本题共5小题,每小题4分,共20 分)一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用耦合方式。

2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。

由此可知:电极1是极,电极2是极,电极3是极。

若已知I1电流方向流入晶体管,则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V;NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管;PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于失真;幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

()2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

()3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。

()4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V。

()5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。

()6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。

()7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。

()8. 放大交流信号,只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

模拟电子技术考试题及答案

模拟电子技术考试题及答案

模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,放大器的基本功能是()。

A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是()。

A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是()。

A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ,输出电阻是50Ω,那么它的电压增益是()。

A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V,当通过它的电流为20mA时,消耗的功率是()。

A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线,说明这个电路是()。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10,电压增益是-100,那么它的输出电阻是()。

A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是()。

A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中,什么是“饱和区”?A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波,输出信号是方波,这个放大器可能应用在()。

A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案:1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电子电路中,________是用来测量电路输出电压的仪器。

2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。

3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。

4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。

5. 负反馈可以提高放大器的________和________。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。

答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。

答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。

答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。

答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。

答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3

习 题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中,1T 、2T 、3T 的特性都相同,且321βββ==很大,===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ,计算21U U −。

题图3.1 解:43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA , 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。

题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。

设三极管的β相等,=BE U 0.6V ,=CC V +15V 。

要求:①设反向饱和电流2S 1S I I =,根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。

②若要求mA 5.01C =I ,μA 202C =I ,则电阻R 、E R 。

题图3.2解:①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈, RU V I I BE CC 1C REF −=≈。

②mA 5.01C =I ,μA 202C =I 时,Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R , Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。

题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。

图中所有三极管均为硅管,−=BE U 0.7V ,>>β1。

计算1o I 、2o I 和3o I 。

题图3.3解:mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I , μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I , m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。

题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中,设==21U U 10V ,Ωk6.81=R ,Ωk7.42=R ,三个晶体管的特性均相同,且=β50,=BE U 0.7V 。

(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全

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第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。

(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

(×)(3)线性电路一定是模拟电路。

(√)(4)模拟电路一定是线性电路。

(×)(5)放大器一定是线性电路。

(√)(6)线性电路一定是放大器。

(×)(7)放大器是有源的线性网络。

(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。

(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。

(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。

(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。

(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。

(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。

(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。

(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。

(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。

(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。

(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。

(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。

3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。

模拟电子技术习题集参考答案

模拟电子技术习题集参考答案

第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。

四、解:U O1=6V,U O2=5V。

五、解:u i和u o的波形如题5解图所示。

题6解图题5解图六、解:u i和u o的波形如题6解图所示。

题6解图七、解:1、当U I=10V时,若U O=U Z=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。

2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

八、解:波形如题8解图所示。

题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ;硅,锗;电子和空穴。

模拟电子技术课后习题及答案

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模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P 型半导体。

( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。

( )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。

(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S -TU U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U O6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。

模拟电子技术习题及答案完整版本

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习题88.1判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

(1)与分立元件比较,集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。

()(2)集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。

(3)直接耦合的主要缺点是零点漂移。

()(4)晶体管的参数受温度的影响,但不影响零点漂移。

()(5)零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。

()(6)在集成电路中元件的对称性差。

()(1)集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。

()答:(1)√(2)√(3)√(4)×(5)√(6)×(7)√8.2选择合适答案填入空内。

(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A.可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2)通用型集成运放适用于放大。

A.高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号(3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C.参数一致性好(4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A.减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。

A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路答:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A8.3 电路如题图8.3所示,已知β1=β2=β3=100。

各管的V B E均为0.7V,试求I C2的值。

题图8.3解:分析估算如下: 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示,已知所有晶体管的特性均相同,V B E 均为0.7V ,β0=β1=β2=β3=100。

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第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b) 11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c) 22、(c)三、解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。

四、解:U O1=6V,U O2=5V。

五、解:图(a):D截止,U AB=-12 V;图(b):D导通,U AB=15 V;图(c):D1导通、D2截止,U AB=0 V;图(d):D1截止、D2导通,U AB=-15 V 。

六、解:u i和u o的波形如题6解图所示。

题6解图题6解图七、解:u i和u o的波形如题7解图所示。

题7解图八、解 设D 1、D 2导通时的电压降为U D1、U D2。

图(a) U AB = U Z1 +U Z2=6+8=14 V ; 图(b) U AB = U Z1 =6 V ;图(c) U AB = U Z1 +U D2=6+0.7=6.7 V ; 图(d) U AB = U D1 =0.7 V 。

九、解:稳压管的最大稳定电流I ZM =P ZM /U Z =25mA电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω=-=k 8.136.0ZZI ~I U U R 十、解:1、当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故 V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。

2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

十一、解 设流过D 1、D 2、R 1、R 2的电流分别为i D1、i D2、i 1、i 2,它们的规定正方向如题11解图(a)所示。

当D 1、D 2均导通时,i D2= i 2=518I2I 2u R u V -=- i D1= -(i 1+ i D2)=524-2)(I 2I 21I 1u R u V R u V =-+-- 可见,D 1导通的条件是I u >12V ,D 2导通的条件是I u <18 V 。

故I u ≤12 V 时,D 1截止、D 2导通,u O = 6+V 12555618=⨯+-; 12V <I u <18 V 时,D 1、D 2均导通,u O =I u ;I u ≥18 V 时,D 1导通、D 2截止,u O =18 V 。

由此可作出电压传输特性曲线如题11解图(b)所示。

题11解图十二、解:波形如题12解图所示。

题12解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√ 12、× 13、×二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c)11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 33、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ;硅,锗;电子和空穴。

2、P 区和N 区的位置不同。

3、β+1,小。

4、集电极。

5、1mA , 99mA 。

6、共射极、共集电极,共基极接法。

7、降低,增大,增大。

8、(BR)CBO U ,(BR)CEO U 。

9、 0.5V ,0.1V 。

0.7V ,0.2V 。

10、减小。

11、发射极,集电极,基极,PNP ,锗。

12、线性放大, B I ,CE U 、C I 。

13、管子的结温允许值的大小。

14、15mA, 100mA, 30V 。

15、电压。

16、饱和,截止,①静态工作点不合适,太高或太低;②输入信号幅值太大。

17、饱和,截止。

18、饱和,截止。

19、],min[2C CQ CEQ opp R I U U ⨯=;]//,min[2L C CQ CEQ opp R R I U U ⨯=。

小了。

20、温度变化引起元、器件参数变化,直流负反馈。

21、Ωk 1。

22、共集电极,共基极,共射极。

共基极,共集电极,功率。

23、直接耦合,变压器耦合,阻容耦合。

24、零点漂移,静态工作点相互影响。

25、输入信号为零时,输出信号缓慢的无规则的变化。

26、80,410。

27、线性失真,频率失真。

28、幅度,相位。

29、频域法和时域法,或稳态法和瞬态法。

30、耦合电容和旁路电容;结电容,分布电容。

31、共基极。

32、3,︒45。

33、降低;升高。

34、 ① 不变,减小,不变。

② 减小,不变,增大。

③不变,不变,减小。

四、 解:根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如题4解图所示。

临界过损耗线的左边为过损耗区。

题4解图五、 解:(1)R b =50k Ω时,基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBE BB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O =U CE =2V 。

(2)设临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45A6.28mA86.2BBEBB b CB c CESCC C I U V R I I R U V I μβ六、 答案如题6解图所示。

题6解图七、解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,如下表所示。

八、解:(1)当V BB =0时,T 截止,u O =12V 。

(2)当V BB =1V 时,因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μAV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。

(3)当V BB =3V 时,因为 160bBEQBB BQ =-=R U V I μABEC CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC <-===β所以T 处于饱和状态。

九、 解:(a )可能 (b )可能 (c )不能 (d )不能,T 的发射结会因电流过大而损坏。

(e )可能十、解 图(a)电路不能实现正常放大。

电路缺少集电极电阻C R ,动态时电源CC V 相当于短路,输出端没有交流信号。

图(b)电路不能实现正常放大。

电路中缺少基极偏置电阻B R ,动态时电源CC V 相当于短路,输入交流电压信号也被短路。

图(c) 电路也不能实现正常放大。

电路中晶体管发射结没有直流偏置电压,静态电流0BQ =I ,放大电路工作在截止状态。

图(d)电路能实现小信号正常放大。

为了保证输出信号不失真(截止、饱和),当输入信号i u 为正时,应不足以使三极管饱和;当输入信号i u 为负时,应不会使三极管截止。

十一、解 1、9999.0199.01=-=-=αβ mA 0173.0560|)3.0(10|||||BBEQ CC BQ =---=-=R U V ImA 71.10173.099||||BQ CQ =⨯==I I β2 |I CQ R C |=2×1.71×2=6.84 V2|U CEQ |=2| V CC -I CQ R C |=2×|-10+1.71×2|=13.2 V 故U opp =2 |I CQ R C |=6.84 V2、 Ω=⨯++=++=k 72.171.126)991(200||)1(EQ 'bb be I U r r T β11572.1299be C i o u -=⨯-=-==r R UU A βR i = R B // r be =560//1.72=1.71 k Ω十二、 解 1、 2.475.0)991(6.1)10//7.4(99)1()//(E L C i o u be -≈⨯++⨯-=++-==R r R R UU A ββ R i = R B1// R B2//[ r be +(1+β) R E ]= 50//10//[1.6+(1+99)×0.75]≈7.5 k Ω 5.2)2.4(5.755.7u i s i i o s i s o us -=-⨯+=+===A R R R U U UU U U A2、 R i =7.5 k ΩR o = R C = 4.7k Ω十三、解 1、 微变等效电路如题13解图所示。

其中R B = R B1// R B2题13解图2、 121.0)501(1)3//3(50)1()//(E1L C io be -=⨯++⨯-=++-==R r R R U U A u ββ R i = R B1// R B2//[ r be +(1+β) R E1]= 62//15//[1+(1+50) ×0.1]=4 k ΩR o = R C = 3 k Ω十四、解 1、 mA 1.015.0)801(43)3.0(6)1(EB BEQ CC BQ -=⨯++---=++-=R R U V I βmA 8)1.0(80BQ -=-⨯==I I CQ βU CEQ =V CC -I EQ (R C + R E ) =-6-(-8)×(0.1+0.15) =-4 V2、 微变等效电路如题14解图所示。

其中题14解图Ω=⨯++=++=k 34.0826)801(80||)1(EQ 'bb be I U r r T β 3、 97.0)2//15.0()801(34.0)2//15.0()801()//)(1()//)(1(L E L E i o u be =⨯++⨯+=+++==R R r R R UU A ββR i = R B //[ r be +(1+β)(R E // R L )= 43//[0.34+(1+80)×(0.15//2)]=9.2 k Ω Ω=Ω=++=++=7.140147.015.0//80134.0)43//1(//1)//(E be B s o k R r R R R β十五、解 1、本题电路中,基极电流BQ I 较大,应利用戴维南定理等效,并考虑偏置电阻的影响后,计算静态工作点。

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