2011年电子科技大学832微电子器件考研试题
微电子工艺2011试卷__张建国_答案
微电⼦⼯艺2011试卷__张建国_答案………密………封………线………以………内………答………题………⽆………效……电⼦科技⼤学2010 - 2011学年第⼆学期期末考试B 卷课程名称：微电⼦⼯艺考试形式：开卷考试⽇期：20 年⽉⽇考试时长：120 分钟课程成绩构成：平时10 %，期中%，实验%，期末90 %本试卷试题由三部分构成，共 4 页。
⼀、简答题（共72分，共12题，每题6 分）1、名词解释：集成电路、芯⽚的关键尺⼨以及摩尔定律集成电路：多个电⼦元件，如电阻、电容、⼆极管和三极管等集成在基⽚上形成的具有确定芯⽚功能的电路。
关键尺⼨：硅⽚上的最⼩特征尺⼨摩尔定律：每隔12个⽉到18个⽉，芯⽚上集成的晶体管数⽬增加⼀倍，性能增加⼀倍2、MOS器件中使⽤什么晶⾯⽅向的硅⽚，双极型器件呢？请分别给出原因。
MOS：<100> Si/SiO2界⾯态密度低；双极：<111> ⽣长快，成本低3、倒掺杂⼯艺中，为形成p阱和n阱⼀般分别注⼊什么离⼦？为什么⼀般形成P阱所需的离⼦注⼊能量远⼩于形成n阱所需的离⼦注⼊能量？PMOS管⼀般做在p阱还是n阱中？P阱：注B；N阱：注P。
B离⼦远⽐P离⼦要轻，所以同样注⼊深度，注P所需能量低PMOS管做在n阱中4、解释质量输运限制CVD⼯艺和反应速度限制CVD⼯艺的区别，哪种⼯艺依赖于温度，为什么LPCVD淀积的薄膜⽐APCVD淀积的薄膜更均匀？质量输运限制CVD：反应速率不能超过传输到硅⽚表⾯的反应⽓体的传输速率。
反应速度限制CVD：淀积速度受到硅⽚表⾯反应速度的限制，依赖于温度。
LPCVD⼯作于低压下，反应⽓体分⼦具有更⼤的平均⾃由程，反应器内的⽓流条件不重要，只要控制好温度就可以⼤⾯积均匀成膜。
………密………封………线………以………内………答………题………⽆………效……5、解释为什么⽬前CMOS⼯艺中常采⽤多晶硅栅⼯艺，⽽不采⽤铝栅⼯艺？多晶硅栅⼯艺优点：1、通过掺杂得到特定电阻2、和⼆氧化硅更优良的界⾯特性3、后续⾼温⼯艺兼容性4、更⾼的可靠性5、在陡峭的结构上的淀积均匀性6、能实现⾃对准⼯艺6、现在制约芯⽚运算速度的主要因素在于RC延迟，如何减少RC延迟？办法：1、采⽤电导率更⾼的互连⾦属，如Cu取代Al2、采⽤低K质介质取代SiO2作为层间介质7、列出引⼊铜⾦属化的五⼤优点，并说明铜⾦属化⾯临的三⼤问题，如何解决这些问题？优点：1、电阻率减少，RC延迟减少2、减少功耗3、更⾼的集成密度4、良好的抗电迁移特性5、更少的⼯艺步骤问题：1、铜的⾼扩散系数，有可能进⼊有源区产⽣漏电2、不能采⽤⼲法刻蚀3、低温下很快氧化办法：采⽤⼤马⼠⾰⼯艺、增加铜阻挡层⾦属8、解释什么是硅栅⾃对准⼯艺，怎么实现以及有何优势。
电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
电子科技大学《微电子器件》课程重点与难点
重点与难点第1章半导体器件基本方程一般来说要从原始形式的半导体器件基本方程出发来求解析解是极其困难的，通常需要先对方程在一定的具体条件下采用某些假设来加以简化，然后再来求其近似解。
随着半导体器件的尺寸不断缩小，建立新解析模型的工作也越来越困难，一些假设受到了更大的限制并变得更为复杂。
简化的原则是既要使计算变得容易，又要能保证达到足够的精确度。
如果把计算的容易度与精确度的乘积作为优值的话，那么从某种意义上来说，对半导体器件的分析问题，就是不断地寻找具有更高优值的简化方法。
要向学生反复解释，任何方法都是近似的，关键是看其精确程度和难易程度。
此外，有些近似方法在某些条件下能够采用，但在另外的条件下就不能采用，这会在后面的内容中具体体现出来。
第2章PN结第2.1节PN结的平衡状态本节的重点是PN结空间电荷区的形成、内建电势的推导与计算、耗尽区宽度的推导与计算。
本节的难点是对耗尽近似的理解。
要向学生强调多子浓度与少子浓度相差极其巨大，从而有助于理解耗尽近似的概念，即所谓耗尽，是指“耗尽区”中的载流子浓度与平衡多子浓度或掺杂浓度相比可以忽略。
第2.2节PN结的直流电流电压方程本节的重点是对PN结扩散电流的推导。
讲课时应该先作定性介绍，让学生先在大脑中建立起物理图象，然后再作定量的数学推导。
当PN结上无外加电压时，多子的扩散趋势正好被高度为qV b.的势垒所阻挡，电流为零。
外加正向电压时，降低了的势垒无法阻止载流子的扩散，于是构成了流过PN结的正向电流。
正向电流的电荷来源是P区空穴和N区电子，它们都是多子，所以正向电流很大。
外加反向电压时，由于势垒增高，多子的扩散变得更困难。
应当注意，“势垒增高”是对多子而言的，对各区的少子来说，情况恰好相反，它们遇到了更深的势阱，因此反而更容易被拉到对方区域去，从而构成流过PN结的反向电流。
反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。
本节的难点是对有外加电压时势垒区两旁载流子的运动方式的理解、以及电子（空穴）电流向空穴（电子）电流的转化。
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
电子科技大学2011年《通信微固》期末考试试卷(B卷及答案)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2011-2012学年第 1 学期期 末 考试 B 卷一、已知DSB 模拟调制系统中调制信号()m t 的带宽是5B =kHz 。
发送端发送的已调信号功率是t P ，接收功率比发送功率低60dB 。
信道中加性白高斯噪声的单边功率谱密度为13010N -=W /Hz 。
1.若要求输出信噪比不低于30dB ，发送功率至少应该是多少；2.如果采用SSB ，重做（1.）小题。
注：DSB 和SSB 的接收机框图分别如下：：,解：1.输入信噪比：63133010*********t r t i P P S P N N B --⨯⎛⎫=== ⎪⨯⨯⨯⎝⎭ 输出信噪比：32200030()10t o iS S P dB N N ⎛⎫⎛⎫=⨯=≥= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 故0.5t P W ≥,发送功率至少应该是0.5W 。
2. 输入信噪比6133010*********t r t i P P S P N N W --⨯⎛⎫=== ⎪⨯⨯⎝⎭ 输出信噪比3200010t o iS S P N N ⎛⎫⎛⎫==≥ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 故0.5t P W ≥,发送功率至少应该是0.5W 。
可见，系统输出信噪比相同时，系统发送信号功率相同，表明DSB 系统与SSB 系统的总体性能相当。
二、已调信号由下式描述：()()()8310cos 21010cos 210st t t ππ⎡⎤=⨯+⨯⎣⎦试确定以下各值：1.已调信号的归一化功率；2.最大相位偏移；3.最大频率偏移。
得 分得 分解：1.()()22211105022s P s t a t ===⋅=2. ()()3max 10cos 21010t t rad θπθ=⨯→∆=3.()()()434max 110sin 210102i d t f t t f Hz dtθππ∆==-⨯→∆=三、已知某16进制基带传输系统的等效传输特性如下图所示。
电子科技大学微机原理大题(含答案)
目录第一章概述 (4)阐述摩尔定律，它有什么限制？ (4)什么是Soc？什么是IP核？它有哪几种实现形式？ (4)什么是嵌入式系统？它有哪些特点？ (4)第二章计算机系统的结构组成与工作原理 (5)说明RISC架构与CISC架构之间的区别 (5)举例说明计算机体系结构、组成和实现之间的关系 (5)试说明现代计算机系统中常用的并行技术及其效果？ (5)某时钟频率为1.25GHz、平均CPI为5的非流水线式处理器，其升级版本引入了6级流水线，但因存在诸如锁存延迟等流水线内部延迟，升级版处理器的时钟频率必须降到1GHz。
(5)简述冯.诺依曼体系结构的核心，并分析冯.诺依曼计算机存在的瓶颈？ (6)简述冯.诺依曼计算机的实质 (6)第三章微处理器体系结构及关键技术 (6)试比较计算机各体系结构的优缺点 (6)常见的流水线冒险包括哪几种？如何解决？ (7)试比较随机逻辑和微码体系结构的优缺点 (7)什么是微码体系结构？微指令的作用是什么？ (7)第四章总线技术与总线标准 (7)比较串、并行通信的特点，为什么现代计算机中有总线串行化的趋势？ (7)试比较同步、半同步、异步总线时序的优缺点 (8)RAM与CPU的连接有哪几类信号线？简述电路设计时需要考虑的几个问题？ (8)计算机系统的总线仲裁有哪几种类型？请简述串行总线仲裁。
(8)什么是总线？微机中三总线是指？微机系统采用总线的好处是？ (8)第五章存储器系统 (9)简述Cache-主存层次与主存-辅存层次的不同点。
(9)什么是高速缓存技术和虚拟存储器技术？采用它们的目的是什么？ (9)什么是虚拟地址？试简述虚拟存储器的基本工作原理。
(9)什么是存储器访问的局部性原理？它有哪几种含义？ (9)试为某8位计算机系统设计一个具有8KB ROM和40KB RAM的存储器。
要求ROM用EPROM芯片2732组成，从0000H地址开始;RAM用SRAM芯片6264组成，从4000H地址开始。
电子科大836专业复试提纲
002电子工程学院考试科目复试模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分（推免生复试100分）一、总体要求《模拟电路》要求掌握半导体器件：晶体二极管、双极型晶体三极管（BJT）和场效应晶体三极管（FET）的工作原理；掌握二极管单向导电性的基本应用和反向击穿特性及其应用；掌握BJT 和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法，并应用于实用电路的工程估算；理解放大器的频率特性概念及其描述，根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率；掌握模拟IC中重要单元电路，如差动放大器、互补推挽输出电路等的分析计算方法；掌握负反馈放大电路的工作原理和分析方法；能用理想运放分析法分析集成运放构成的信号运算电路；掌握直流电源基本概念及其应用。
二、内容及比例A 半导体材料及二极管1、了解半导体的基本知识本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN 结的单向导电特性；不对称PN结。
2、掌握二极管的基本知识二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。
3、二极管应用掌握单向导电特性应用：整流与限幅。
能分析简单二极管电路。
正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型。
反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。
了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。
B 双极型晶体三极管（BJT）1、理解BJT工作原理NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，α，β，I CBO，I CEO的概念）；放大偏置时的v BE、v CE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；BJT的截止与饱和状态及特点。
电子科技大学微电子器件 (习题解答)
s Emax
qND
在
x
xi2 处，E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得：xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结,
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
E3
q
s
NA(x
xp )
在
x
0 处，电场达到最大， Emax
q
s
ND xn
q
s
NA xp
E
Emax
E1
E3
x
0
表面上，两种结构的 Emax 的表达式相同，但由于两种结构 的掺杂相同，因而Vbi 相同（即电场曲线与横轴所围面积相同）， 所以两种结构的 xn、xp与 Emax 并不相同。
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区，VA
WB dWB dVCE
式中，dWB dxdB , VCE VCB VBE
因
VBE
保持不变，所以 dVCE
dVCB ,
于是：VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入，得： 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时， 由式（3-33a）和式（3-33b），
电子科技大学2011微电子学与固体电子学硕士考试大纲
（3）测量结果的置信度2.3 除方法 2.4 2.5 均 2.6 合成 2.7 系统误差的判断及消除方法粗大误差的判断及剔除方法 等精度测量和不等精度测量 误差的合成（1）误差传递公式 （1）定义、特征、分类（2）发现方法、判据（3）削弱或消 （1）判别准则（2）剔除方法 （1）等精度测量结果的数据处理（2）不等精度测量的加权平 （2）各种函数关系（和差、积商、乘方开方、指数对数）的 2）分类（3）评定方法（4）合成 测量不确定度（1）基本概念（ 测量数据处理（1）有效数字及舍入处理（2）测量数据的表示方法（3）最小二乘法的基本 2.8 原理 3、时间与频率的测量 3.1时间与频率的测量原理 （1）模拟测量技术（ 3.2电子计数器的组成原理和主要测量功能 （1）3.3电子计数器的测量误差分析 （1）测频误差（ 较，中界频率 高分辨率时间和频率测量技术 （1）多周期同步测量技术（2）模拟内插法（3）游标法 微波频率测量技术 （1）变频法（2）置换法 频率稳定度测量的基本概念 （1）频率稳定度的表征（2）频稳的时域定义，阿仑方差的测 2）数字测量技术 测频（2）测周（3）测频比（4）测时间间隔 2）测周误差（3）测频和测周土 1误差的比 3.43.5 3.6 量。
3.7 调制域测量技术 （1）调制域测量的基本概念（2）无间歇计数器的实现 4、电压测量4.1交流电压的测量 （1）峰值、均值、有效值的 AC/DC 转换的原理（2）峰值电压表、均值电 压表及有效值电压表的刻度特性及误差分析（ 4.2直流电压的数字测量技术 （1） 斜式、三斜式等A/D 转换原理 4.3数字多用表（DMIM 及其变换技术 的组成特点及使用 4.4 DVM 的误差分析及自动化技术 部件的误差（4） DVM 勺自动校正技术（ 4.5电压测量的干扰及其抑制技术 措施（3）共模干扰的误差分析及抑制措施 5、信号波形测量（信号时域测量）5.1波形显示器件 CRT 结构及波形显示原理 （1） CRT 的组成及基本性能参数（2）光点扫描式 波形显示原理（3）扫描与同步（4）连续扫描和触发扫描 5.2波形模拟显示技术和通用示波器 （1）通用示波器的组成（2） Y （垂直）通道及其主要性 能（3） X （水平）通道的组成、触发电路、扫描发生器环的原理（ 4）多波形显示技术，双踪和双时 基显示原理 5.3波形取样技术及取样示波器 参数。
电子科技大学832微电子器件2020年考研专业课初试大纲
考试形式 笔试（闭卷）
考试时间 180 分钟
考试总分 150 分
一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本
理论分析问题和解决问题的能力。 二、内容
1．半导体器件基本方程 1）半导体器件基本方程的物理意义 2）一维形式的半导体器件基本方程 3）基本方程的主要简化形式 2．PN 结 1）突变结与线性缓变结的定义 2）PN 结空间电荷区的形成 3）耗尽近似与中性近似 4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算 5）正向及反向电压下 PN 结中的载流子运动情况 6）PN 结的能带图 7）PN 结的少子分布图 8) PN 结的直流伏安特性 9）PN 结反向饱和电流的计算及影响因素 10）薄基区二极管的特点 11）大注入效应 12）PN 结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击 穿的机理 13）PN 结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点 14）PN 结的交流小信号参数与等效电路 15）PN 结的开关特性与少子存储效应 3．双极型晶体管 1）双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图 2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算 3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算 4）基区渡越时间的概念及计算 5）缓变基区晶体管的结构与电学特性 6）小电流时电流放大系数的下降 7）发射区重掺杂效应 8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图 9）基区宽度调变效应 10）晶体管各种反向电流的定义与测量方法 11）晶体管各种击穿电压的定义与测量方法、基区穿通效应 12）方块电阻的概念及计算 13）晶体管的小信号参数
14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素
(完整版)电子科技大学微电子器件习题
第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
电子科技大学微电子器件习题
第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
电子科技大学微电子器件习题
第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
西电微电子概论复试题
西安电子科技大学2011年微电子复试考试微电子概论部分（时间2011-4-610:30~12:00满分100答题纸上作答，写在试卷上无效）
一、填空题（每空0.5分，共20分）
1.半导体中的载流子有和两种。
2.半导体中引起的称为漂移电流，有引起的称为势垒电流。
3.半导体中的电容有和。
当PN结正偏时，大于；当PN结反偏时，小于。
4.光刻的流程包
括、、、、、、、。
5.集成电路的中的电容分为、、，电阻分为、、。
6.减少MOS的特征频率
f的方式有、、。
T
7.RAM分为、，ROM分为、、、。
8.集成电路的连接工艺有、、。
9.MOS的三种状态分别是、、。
二、名词解释（每题3分，共30分）
1.ASIC
2.FPGA
3.CAD
4.ROM
5.V
DS
at 6.MOS的特征频率
f7.PN结的击穿电压8.TTL
T
9.“掺杂”10.版图设计规则
三、问答题（每题10分，共50分）
1.解释随V ce 的增大β增大的现象，并说明对应的参数指标。
2.提高MOS 的T f 方法。
3.说明双极减小基区串联电阻和增大击穿电压的相互制约关系，并说明工艺上使用哪些措施消除影响。
4.利用CMOS 传输门构成D 触发器。
5.利用“与平面”和“或平面”构建以下逻辑关系。
00010100100011001101010100001001101100001001000101101111111011001010111110100101
→→→→→→→→。
成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。
14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。
一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。
（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。